JP5433631B2 - 半導体デバイスの欠陥検査方法およびそのシステム - Google Patents
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Description
ムを、デザインデータ上で欠陥タイプ別に検査点を指定する検査点指定手段と、この検査
点指定手段で指定された検査点の中から予め指定された数の検査点を欠陥タイプ別に入力
する入力手段と、この入力手段で入力した欠陥タイプ別に予め指定された数の検査点を撮
像する撮像手段と、この撮像手段で撮像して得た検査点の画像を処理して欠陥を検出する
画像処理手段と、撮像手段で撮像した欠陥タイプ別の検査点の数に対する画像処理手段で
検出した欠陥タイプ別の欠陥の数の比率である欠陥比率と該欠陥タイプ別の欠陥比率の信
頼区間を計算する演算手段と、この演算手段で算出した欠陥タイプ別の欠陥比率の有意差
を計算する有意差算出手段と、この有意差算出手段で計算した結果から欠陥比率に有意差が有る欠陥タイプを求める欠陥タイプ抽出手段と、この欠陥タイプ抽出手段で求めた欠陥タイプに関する情報を出力する出力手段とを備えて構成した。
図6は本システムである欠陥判定システムと関連する装置およびシステムを含めた全体図である。欠陥判定ユニット601、デザインデータを管理するデザインデータサーバ602、ウェハのSEM検査をステップ・アンド・リピートで行う例えばディフェクトレビューSEM装置、あるいは測長SEM装置などのSEMを備えた検査装置603、リソシミュレータ605がLAN604に接続されている。リソシミュレータ605は後述のようにリソに限定されるものではなく、また必ずしも必要なものでもない。
716はXYステージであり、ウェハ708を移動させ、ウェハ708の任意の位置の画像撮像を可能にしている。
CPU805は、欠陥判定ユニット601全体の制御を行う。
Claims (12)
- デザインデータ上で欠陥タイプ別に検査点を指定し、
該指定された検査点の中から予め指定された数の検査点を欠陥タイプ別に選択し、
該選択した欠陥タイプ別に予め指定された数の検査点を撮像して該検査点における欠陥
を検出し、
前記欠陥タイプ別に撮像した検査点の数に対する検出した欠陥の欠陥比率と該欠陥比率
の信頼区間を算出し、
該算出した欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間と予め設定した基準値とを比較し、
該基準値を超える欠陥発生比率をもつ欠陥タイプを求める
ことを特徴とする半導体デバイスの欠陥検査方法。 - 請求項1記載の半導体デバイスの欠陥検査方法であって、前記算出した欠陥タイプ別の
欠陥比率の信頼区間の範囲に前記予め設定した基準値が含まれる場合には、該欠陥比率の
信頼区間の範囲に基準値を含む欠陥タイプについて再度検査点を選択し、該再度選択した
検査点を撮像して該検査点における欠陥を検出し、該再度選択した検査点を撮像して検出
した欠陥の欠陥比率と前記欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間を計算し、該計算して求め
た欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間を前記予め設定した基準値と比較し、該基準値を超
える欠陥発生比率をもつ欠陥タイプを求めることを特徴とする半導体デバイスの欠陥検査
方法。 - 請求項1記載の半導体デバイスの欠陥検査方法であって、
前記信頼区間と基準値の比較結果を欠陥タイプ別にウェハマップ上に表示することを特徴
とする半導体デバイスの欠陥検査方法。 - デザインデータ上で欠陥タイプ別に検査点を指定し、
該指定された検査点の中から予め指定された数の検査点を欠陥タイプ別に選択し、
該選択した欠陥タイプ別に予め指定された数の検査点を撮像して該検査点の画像から該
検査点における欠陥を検出し、
前記欠陥タイプ別に撮像した検査点の数に対する検出した欠陥の比率を計算し、
該算出した欠陥タイプ別の欠陥比率の有意差を計算し、
該計算した結果から欠陥の比率に有意差が有る欠陥タイプを求める
ことを特徴とする半導体デバイスの欠陥検査方法。 - 請求項4記載の半導体の欠陥検査方法であって、さらに、
前記算出した欠陥タイプ別の有意差に基づき欠陥タイプ別に検査の続行可否を判定し、
該判定の結果検査続行とされた欠陥タイプについて再度検査点の選択を行い、
該再度選択した検査点を撮像して該再度選択した検査点の画像を得、
該得た再度選択した検査点の画像から欠陥を検出し、
該再度選択した検査点を撮像して検出した欠陥の欠陥比率と前記欠陥タイプ別の欠陥比
率の信頼区間を計算し、
該計算して求めた欠陥タイプ別の欠陥比率の有意差を算出し、
該算出した結果から前記欠陥比率に有意差が有る欠陥タイプを抽出する
ことを特徴とする半導体デバイスの欠陥検査方法。 - 請求項4記載の半導体デバイスの欠陥検査方法であって、前記有意差を欠陥タイプ別に
ウェハマップ上に表示することを特徴とする半導体デバイスの欠陥検査方法。 - デザインデータ上で欠陥タイプ別に検査点を指定する検査点指定手段と、
該検査点指定手段で指定された検査点の中から予め指定された数の検査点を欠陥タイプ
別に入力する入力手段と、
該入力手段で入力した欠陥タイプ別に予め指定された数の検査点を撮像する撮像手段と
、
該撮像手段で撮像して得た検査点の画像を処理して欠陥を検出する画像処理手段と、
前記撮像手段で撮像した欠陥タイプ別の検査点の数に対する前記画像処理手段で検出し
た欠陥タイプ別の欠陥の数の比率である欠陥比率と該欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間
を計算する演算手段と、
該演算手段で算出した欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間と予め設定した基準値とを比
較する比較手段と、
該基準値を超える欠陥比率をもつ欠陥タイプを求める欠陥タイプ抽出手段と
該欠陥タイプ抽出手段で求めた欠陥タイプに関する情報を出力する出力手段と
を備えることを特徴とする半導体デバイスの欠陥検査システム。 - 請求項7記載の半導体デバイスの欠陥検査システムであって、前記比較手段で前記欠陥
タイプ別の信頼区間と前記予め設定した基準値とを比較した結果前記欠陥タイプ別の欠陥
比率の信頼区間の範囲に前記予め設定した基準値が含まれる場合には、前記検査点指定手
段は前記欠陥比率の信頼区間の範囲に基準値を含む欠陥タイプについて再度検査点を選択
し、前記撮像手段は該再度選択した検査点を撮像し、前記画像処理手段は前記撮像手段で
撮像して得た前記再度選択した検査点の画像から該検査点における欠陥を検出し、前記演
算手段は前記画像処理手段で前記再度選択した検査点の画像から検出した欠陥の欠陥比率
と該欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間を計算し、前記比較手段は前記再度選択した検査
点の画像から検出した欠陥の欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間と予め設定した基準値と
を比較し、前記欠陥タイプ抽出手段は前記比較手段で比較した結果に基づいて前記基準値
を超える欠陥比率をもつ欠陥タイプを求め、前記出力手段は前記欠陥タイプ抽出手段で求
めた欠陥タイプに関する情報を出力することを特徴とする半導体デバイスの欠陥検査シス
テム。 - 請求項7記載の半導体デバイスの欠陥検査システムであって、前記出力手段は、前記信
頼区間と基準値の比較結果を欠陥タイプ別にウェハマップ上に表示することを特徴とする
半導体デバイスの欠陥検査システム。 - デザインデータ上で欠陥タイプ別に検査点を指定する検査点指定手段と、
該検査点指定手段で指定された検査点の中から予め指定された数の検査点を欠陥タイプ
別に入力する入力手段と、
該入力手段で入力した欠陥タイプ別に予め指定された数の検査点を撮像する撮像手段と
、
該撮像手段で撮像して得た検査点の画像を処理して欠陥を検出する画像処理手段と、
前記撮像手段で撮像した欠陥タイプ別の検査点の数に対する前記画像処理手段で検出し
た欠陥タイプ別の欠陥の数の比率である欠陥比率と該欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間
を計算する演算手段と、
該演算手段で算出した欠陥タイプ別の欠陥比率の有意差を計算する有意差算出手段と、
該有意差算出手段で計算した結果から欠陥比率に有意差が有る欠陥タイプを求める欠陥タイプ抽出手段と
該欠陥タイプ抽出手段で求めた欠陥タイプに関する情報を出力する出力手段と
を備えることを特徴とする半導体デバイスの欠陥検査システム。 - 請求項10記載の半導体デバイスの欠陥検査システムであって、前記有意差算出手段で
算出した欠陥タイプ別の欠陥比率の有意差に基づき欠陥タイプ別に検査の続行の要否を入
力する検査続行要否入力手段を更に備え、
前記検査点指定手段は前記検査続行要否入力手段から検査の続行要と入力された欠陥タイプについて再度検査点の選択を行い、
前記撮像手段は前記検査点指定手段で再度選択した検査点を撮像し、
前記画像処理手段は前記撮像手段で撮像して得た前記再度選択した検査点の画像から該
検査点における欠陥を検出し、
前記演算手段は前記画像処理手段で前記再度選択した検査点の画像から検出した欠陥の
欠陥比率と該欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間を計算し、
前記有意差算出手段は前記演算手段で計算した前記再度選択した検査点の画像から検出
した欠陥の欠陥タイプ別の欠陥比率の有意差を算出し、
前記欠陥タイプ抽出手段は前記有意差算出手段で算出した結果から欠陥比率に有意差が
有る欠陥タイプを抽出し、
前記出力手段は前記欠陥タイプ抽出手段で抽出した欠陥比率に有意差が有る欠陥タイプ
に関する情報を出力することを特徴とする半導体デバイスの欠陥検査システム。 - 請求項10記載の半導体デバイスの欠陥検査システムであって、前記出力手段は、前記
有意差算出手段で算出した前記有意差を欠陥タイプ別にウェハマップ上に表示することを
特徴とする半導体デバイスの欠陥検査システム。
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2012
- 2012-04-27 US US14/119,138 patent/US9153020B2/en active Active
- 2012-04-27 WO PCT/JP2012/061317 patent/WO2012160945A1/ja active Application Filing
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