JP5399220B2 - Insulation inspection device and insulation inspection method - Google Patents
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Description
本発明は、複数の検査ポイントのうちの一部を高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に他の一部を他方の電位に接続した状態において電気的パラメータを測定して絶縁状態を検査する絶縁検査装置および絶縁検査方法に関するものである。 The present invention provides insulation by measuring an electrical parameter in a state where a part of a plurality of inspection points is connected to one of a high potential and a low potential and the other part is connected to the other potential. The present invention relates to an insulation inspection apparatus and an insulation inspection method for inspecting a state.
複数の導体パターンが形成された回路基板を対象として各導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査方法として、各導体パターン上に少なくとも１箇所の検査ポイントを規定して、相互に絶縁されているべき導体パターン上の各検査ポイントの間の絶縁状態を個別的に検査する総当たりスキャン方式の検査方法（以下、「総当たりスキャン検査」ともいう）が知られている。しかしながら、この総当たりスキャン検査では、検査すべき導体パターンの数が多数の回路基板を対象としたときに、絶縁状態を検査すべき検査ポイントの組合わせの数が非常に多くなる結果、１枚の回路基板を検査するのに長い時間を要することとなる。このため、検査時間の短縮を図り得る各種の検査方法が提案されている。 As an inspection method for inspecting an insulation state between each conductor pattern for a circuit board on which a plurality of conductor patterns are formed, at least one inspection point is defined on each conductor pattern and insulated from each other. 2. Description of the Related Art A brute force scan type inspection method (hereinafter, also referred to as “brute force scan inspection”) that individually inspects an insulation state between inspection points on a power conductor pattern is known. However, in this round-robin scan inspection, when the number of conductor patterns to be inspected is a large number of circuit boards, the number of combinations of inspection points to be inspected for insulation is very large. It takes a long time to inspect the circuit board. For this reason, various inspection methods that can shorten the inspection time have been proposed.
一例として、下記の非特許文献１には、検査時間の短縮を図り得る検査方法の例として、バルクショート方式の検査方法（以下、「バルクショート検査」ともいう）や、マルチプル方式の検査方法（以下、「マルチプル検査」ともいう）が開示されている。なお、バルクショート検査やマルチプル検査の内容については、同文献に記載されているため、その詳細な説明を省略する。この場合、バルクショート検査やマルチプル検査では、検査対象の回路基板内に絶縁状態が不良の箇所が存在するか否かを検査するのに要する検査回数を上記の総当たりスキャン検査よりも少数とすることが可能となっている。しかしながら、これらの検査方法では、いずれの導体パターンの間（いずれの検査ポイントの間）に絶縁不良が生じているかを特定することができないため、絶縁不良箇所を特定する必要がある場合、最終的には、総当たりスキャン検査と同様に個別検査を実行する必要が生じている。
As an example, in Non-Patent
例えば、出願人が開発している絶縁検査装置（図示せず）では、図６に示す絶縁検査処理８０を実行することにより、総当たりスキャン検査だけを実行する場合と比較して、絶縁不良箇所が存在しない良品の回路基板についての検査時間を短縮するだけでなく、絶縁不良箇所が存在する回路基板についても絶縁不良箇所の特定までに要する時間を短縮することが可能となっている。具体的には、この絶縁検査処理８０では、まず、検査対象の回路基板上にＸ箇所の検査ポイント（Ｘは、２以上の整数）を規定してマルチプル検査を実行する（ステップ８１）。この際には、ｌｏｇ２Ｘ以上であってｌｏｇ２Ｘに最も近いＹ（端数切上げ）との条件を満たすＹ回の検査処理が実行される。この際に、検査対象の回路基板に絶縁不良箇所が存在しないときには（ステップ８２）、その回路基板を良品の回路基板としてこの絶縁検査処理８０を終了する。
For example, in the insulation inspection device (not shown) developed by the applicant, the
一方、絶縁不良箇所が存在したときには（ステップ８２）、その回路基板を対象とするバルクショート検査を実行する（ステップ８３）。この際には、１つの検査ポイントと、他の複数の検査ポイントとの間の絶縁状態を検査する（Ｘ−１）回の検査処理が実行され、いずれかの検査処理において、絶縁状態が不良と検査される。次いで、バルクショート検査において絶縁不良が生じていると検査された検査ポイントを対象として、上記の１つの検査ポイントと、他の複数の検査ポイントのうちの１つとの間の絶縁状態をそれぞれ検査する個別検査（総当たりスキャン検査と同様の検査）を実行する（ステップ８４）。これにより、いずれの検査ポイントの間に絶縁不良が生じているかが特定されて、絶縁検査処理８０が終了する。このように、出願人が開発している絶縁検査装置では、良品の回路基板については、Ｙ回の検査処理を実行するだけで絶縁状態の検査が完了し、不良品の回路基板についても、比較的少数回の検査処理を実行することで絶縁不良箇所を特定することが可能となっている。
On the other hand, when there is an insulation failure location (step 82), a bulk short inspection is performed on the circuit board (step 83). At this time, (X-1) times of inspection processes for inspecting the insulation state between one inspection point and a plurality of other inspection points are performed, and the insulation state is poor in any of the inspection processes. And inspected. Next, with respect to the inspection point that is inspected as having an insulation failure in the bulk short inspection, the insulation state between the one inspection point and one of the other inspection points is inspected. An individual inspection (inspection similar to the brute force scan inspection) is executed (step 84). As a result, it is specified which insulation point has an insulation failure, and the
ところが、出願人が開発している絶縁検査装置には、以下の改善すべき課題が存在する。すなわち、出願人が開発している絶縁検査装置では、最初にマルチプル検査を実行することによって、良品の回路基板については、Ｙ回の検査処理を実行するだけで絶縁不良箇所が存在しないと検査することが可能となっている。しかしながら、不良品の回路基板については、絶縁不良箇所を特定するために、すべての検査ポイントを対象としてバルクショート検査を実行して、その検査結果に基づいて個別検査を実行する必要がある。このため、不良品の回路基板については、結果的には、最初に実行したマルチプル検査におけるＹ回の検査処理が絶縁不良箇所の特定には何ら寄与していないこととなる。したがって、検査対象の回路基板が複雑化して検査ポイントの数が増加する傾向がある今日、検査結果に寄与しない不要な検査処理の実行をなくして、１枚の回路基板の検査に要する時間を短縮すべきとの要望がある。 However, the insulation inspection apparatus developed by the applicant has the following problems to be improved. In other words, in the insulation inspection apparatus developed by the applicant, by first performing a multiple inspection, a non-defective circuit board is inspected as having no insulation failure by simply performing Y inspection processes. It is possible. However, for defective circuit boards, it is necessary to perform bulk short inspections for all inspection points and to perform individual inspections based on the inspection results in order to identify defective insulation locations. For this reason, as for the defective circuit board, as a result, the Y-time inspection process in the first multiple inspection does not contribute to the identification of the insulation failure location. Therefore, the circuit board to be inspected tends to be complicated and the number of inspection points tends to increase, so that unnecessary inspection processing that does not contribute to the inspection result is eliminated and the time required for inspecting one circuit board is shortened. There is a request to do.
本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、各検査ポイントの間の絶縁状態を短時間で検査し得る絶縁検査装置および絶縁検査方法を提供することを主目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and a main object of the present invention is to provide an insulation inspection apparatus and an insulation inspection method capable of inspecting an insulation state between inspection points in a short time.
上記目的を達成すべく、請求項１記載の絶縁検査装置は、１番目からＮ番目までのＮ箇所の検査ポイント（Ｎは、２以上の整数）のうちの一部を高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｎ箇所の検査ポイントのうちの他の一部を他方の電位に接続した状態において当該一方の電位に接続した当該検査ポイントと当該他方の電位に接続した当該検査ポイントとの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該各検査ポイントの絶縁状態を検査する検査部を備えた絶縁検査装置であって、前記検査部は、前記Ｎ箇所の検査ポイントをＭａ箇所の当該検査ポイントおよびＭｂ箇所の当該検査ポイント（ＭａおよびＭｂは、Ｍａ＋Ｍｂ＝Ｎとの条件を満たす整数）に分けて当該Ｍａ箇所の検査ポイントを前記一方の電位に接続すると共に当該Ｍｂ箇所の検査ポイントを前記他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｍａ箇所の検査ポイントおよび当該Ｍｂ箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第１処理をｌｏｇ２（Ｍａ＋Ｍｂ）＝Ｍｃ（端数切り上げ）との条件を満たすＭｃ回実行する第１検査処理と、前記Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したときにいずれの当該第１処理において不良と検査したかに基づいてＬａ箇所の検査ポイント（Ｌａは、２以上Ｎ以下の整数）が属する検査グループを規定して当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちのＬｂ箇所の検査ポイント（Ｌｂは、（Ｌａ−１）との条件を満たす整数）を前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌｂ箇所以外の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｌｂ箇所の検査ポイントおよび当該１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第２処理を当該検査グループ毎に２Ｍｄ＝Ｌｃ（Ｍｄは、前記第１検査処理において絶縁状態が不良と検査した前記第１処理の回数）との条件を満たすＬｃ回以下のＬｄ回実行する第２検査処理と、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記検査グループを対象として前記Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの１箇所の検査ポイントを前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの他の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該１箇所の検査ポイントおよび当該他の１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第３処理を当該検査グループ毎にＬａ（Ｌａ−１）／２＝Ｋａとの条件を満たすＫａ回以下のＫｂ回実行する第３検査処理とを実行して前記Ｎ箇所の検査ポイントの絶縁状態を検査可能に構成され、前記第２検査処理時には、１回目から（Ｌｃ−１）回目までの（Ｌｃ−１）回の前記第２処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときにＬｃ回目の前記第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を良好と検査すると共に、当該（Ｌｃ−１）回の第２処理のうちの１回だけにおいて絶縁状態が不良と検査したときに当該Ｌｃ回目の第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を不良と検査し、前記第３検査処理時には、前記第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記第２処理の回数が２回だけの前記検査グループを対象として前記第３処理を実行することなく当該２回の第２処理において前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイント同士の絶縁状態が不良と検査すると共に、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した当該第２処理の回数が３回以上との条件を満たす前記検査グループを対象として前記第３処理を実行する。
In order to achieve the above object, in the insulation inspection apparatus according to
また、請求項２記載の絶縁検査装置は、１番目からＮ番目までのＮ箇所の検査ポイント（Ｎは、２以上の整数）のうちの一部を高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｎ箇所の検査ポイントのうちの他の一部を他方の電位に接続した状態において当該一方の電位に接続した当該検査ポイントと当該他方の電位に接続した当該検査ポイントとの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該各検査ポイントの絶縁状態を検査する検査部を備えた絶縁検査装置であって、前記検査部は、前記Ｎ箇所の検査ポイントをＭａ箇所の当該検査ポイントおよびＭｂ箇所の当該検査ポイント（ＭａおよびＭｂは、Ｍａ＋Ｍｂ＝Ｎとの条件を満たす整数）に分けて当該Ｍａ箇所の検査ポイントを前記一方の電位に接続すると共に当該Ｍｂ箇所の検査ポイントを前記他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｍａ箇所の検査ポイントおよび当該Ｍｂ箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第１処理をｌｏｇ２（Ｍａ＋Ｍｂ）＝Ｍｃ（端数切り上げ）との条件を満たすＭｃ回実行する第１検査処理と、前記Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したときにいずれの当該第１処理において不良と検査したかに基づいてＬａ箇所の検査ポイント（Ｌａは、２以上Ｎ以下の整数）が属する検査グループを規定して当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちのＬｂａ箇所以下のＬｂｂ箇所の検査ポイント（Ｌｂａは、（Ｌａ−１）との条件を満たす整数）を前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌｂａ箇所以外の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｌｂｂ箇所の検査ポイントおよび当該１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第２処理を当該検査グループ毎に２Ｍｄ＝Ｌｃ（Ｍｄは、前記第１検査処理において絶縁状態が不良と検査した前記第１処理の回数）との条件を満たすＬｃ回以下のＬｄ回実行する第２検査処理と、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記検査グループを対象として前記Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの１箇所の検査ポイントを前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの他の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該１箇所の検査ポイントおよび当該他の１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第３処理を当該検査グループ毎にＬａ（Ｌａ−１）／２＝Ｋａとの条件を満たすＫａ回以下のＫｂ回実行する第３検査処理とを実行して前記Ｎ箇所の検査ポイントの絶縁状態を検査可能に構成され、前記第２検査処理時には、絶縁状態が良好と検査した前記第２処理時に前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイントを当該１箇所の検査ポイントが属する前記検査グループを対象としてその後に実行する前記第２処理時に前記一方の電位に接続することなく絶縁状態を検査すると共に、１回目から（Ｌｃ−１）回目までの（Ｌｃ−１）回の前記第２処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときにＬｃ回目の前記第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を良好と検査すると共に、当該（Ｌｃ−１）回の第２処理のうちの１回だけにおいて絶縁状態が不良と検査したときに当該Ｌｃ回目の第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を不良と検査し、前記第３検査処理時には、前記第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記第２処理の回数が２回だけの前記検査グループを対象として前記第３処理を実行することなく当該２回の第２処理において前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイント同士の絶縁状態が不良と検査すると共に、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した当該第２処理の回数が３回以上との条件を満たす前記検査グループを対象として前記第３処理を実行する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the insulation inspection apparatus according to
さらに、請求項３記載の絶縁検査装置は、請求項１または２記載の絶縁検査装置において、前記検査部は、前記第１検査処理において、各Ａａ番目の前記各検査ポイント（Ａａは、（Ａａ−１）をＭｃ桁の２進数で表したときに右からＢ桁目（Ｂは、１からＭｃまでの各整数）の値が０との条件を満たすＮ以下の各整数）と、各Ａｂ番目の前記各検査ポイント（Ａｂは、（Ａｂ−１）をＭｃ桁の２進数で表したときに右からＢ桁目の値が１との条件を満たすＮ以下の各整数）とのいずれかを前記Ｍａ箇所の検査ポイントとして前記一方の電位に接続すると共に他の前記各検査ポイントを前記Ｍｂ箇所の検査ポイントとして前記他方の電位に接続して絶縁状態を検査し、前記第２検査処理において、各Ｄａ番目の前記各検査ポイント（Ｄａは、各ＡａのうちのいずれかのＡａ、および当該いずれかのＡａから１を引いた数を表すＭｃ桁の２進数における右からＣ桁目の値を反転させた２進数で表される数に１を足したＮ以下の各整数で、Ｃは、絶縁状態が不良と検査した前記各第１処理時に前記一方の電位に接続した前記各Ａａ番目の検査ポイントについての前記Ｂ桁目のＢと同じ各整数）と、各Ｄｂ番目の前記各検査ポイント（Ｄｂは、各ＡｂのうちのいずれかのＡｂ、および当該いずれかのＡｂから１を引いた数を表すＭｃ桁の２進数における右からＣ桁目の値を反転させた２進数で表される数に１を足したＮ以下の各整数）とのいずれかを前記Ｌａ箇所の検査ポイントとして絶縁状態を検査する。なお、第１検査処理時に絶縁状態が不良と検査した各第１処理が２回以上で、該当する「Ｂ」が複数存在するときには、上記の「Ｃ」は、「各Ｂと同じ整数」と、「各Ｂを組み合わせた複数の数」を意味する。具体的には、一例として、「Ｂ」が「１」、「２」、「３」の３つの場合、「Ｃ」は、「１」、「２」、「３」、「１および２」、「２および３」、「１および３」、「１，２および３」の７つを意味する。
Furthermore, the insulation inspection apparatus according to
また、請求項４記載の絶縁検査方法は、１番目からＮ番目までのＮ箇所の検査ポイント（Ｎは、２以上の整数）のうちの一部を高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｎ箇所の検査ポイントのうちの他の一部を他方の電位に接続した状態において当該一方の電位に接続した当該検査ポイントと当該他方の電位に接続した当該検査ポイントとの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該各検査ポイントの絶縁状態を検査する絶縁検査方法であって、前記Ｎ箇所の検査ポイントをＭａ箇所の当該検査ポイントおよびＭｂ箇所の当該検査ポイント（ＭａおよびＭｂは、Ｍａ＋Ｍｂ＝Ｎとの条件を満たす整数）に分けて当該Ｍａ箇所の検査ポイントを前記一方の電位に接続すると共に当該Ｍｂ箇所の検査ポイントを前記他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｍａ箇所の検査ポイントおよび当該Ｍｂ箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第１処理をｌｏｇ２（Ｍａ＋Ｍｂ）＝Ｍｃ（端数切り上げ）との条件を満たすＭｃ回実行する第１検査処理と、前記Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したときにいずれの当該第１処理において不良と検査したかに基づいてＬａ箇所の検査ポイント（Ｌａは、２以上Ｎ以下の整数）が属する検査グループを規定して当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちのＬｂ箇所の検査ポイント（Ｌｂは、（Ｌａ−１）との条件を満たす整数）を前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌｂ箇所以外の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｌｂ箇所の検査ポイントおよび当該１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第２処理を当該検査グループ毎に２Ｍｄ＝Ｌｃ（Ｍｄは、前記第１検査処理において絶縁状態が不良と検査した前記第１処理の回数）との条件を満たすＬｃ回以下のＬｄ回実行する第２検査処理と、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記検査グループを対象として前記Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの１箇所の検査ポイントを前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの他の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該１箇所の検査ポイントおよび当該他の１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第３処理を当該検査グループ毎にＬａ（Ｌａ−１）／２＝Ｋａとの条件を満たすＫａ回以下のＫｂ回実行する第３検査処理とを実行して前記Ｎ箇所の検査ポイントの絶縁状態を検査する際に、前記第２検査処理時には、１回目から（Ｌｃ−１）回目までの（Ｌｃ−１）回の前記第２処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときにＬｃ回目の前記第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を良好と検査すると共に、当該（Ｌｃ−１）回の第２処理のうちの１回だけにおいて絶縁状態が不良と検査したときに当該Ｌｃ回目の第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を不良と検査し、前記第３検査処理時には、前記第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記第２処理の回数が２回だけの前記検査グループを対象として前記第３処理を実行することなく当該２回の第２処理において前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイント同士の絶縁状態が不良と検査すると共に、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した当該第２処理の回数が３回以上との条件を満たす前記検査グループを対象として前記第３処理を実行する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an insulation inspection method according to
また、請求項５記載の絶縁検査方法は、１番目からＮ番目までのＮ箇所の検査ポイント（Ｎは、２以上の整数）のうちの一部を高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｎ箇所の検査ポイントのうちの他の一部を他方の電位に接続した状態において当該一方の電位に接続した当該検査ポイントと当該他方の電位に接続した当該検査ポイントとの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該各検査ポイントの絶縁状態を検査する絶縁検査方法であって、前記Ｎ箇所の検査ポイントをＭａ箇所の当該検査ポイントおよびＭｂ箇所の当該検査ポイント（ＭａおよびＭｂは、Ｍａ＋Ｍｂ＝Ｎとの条件を満たす整数）に分けて当該Ｍａ箇所の検査ポイントを前記一方の電位に接続すると共に当該Ｍｂ箇所の検査ポイントを前記他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｍａ箇所の検査ポイントおよび当該Ｍｂ箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第１処理をｌｏｇ２（Ｍａ＋Ｍｂ）＝Ｍｃ（端数切り上げ）との条件を満たすＭｃ回実行する第１検査処理と、前記Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したときにいずれの当該第１処理において不良と検査したかに基づいてＬａ箇所の検査ポイント（Ｌａは、２以上Ｎ以下の整数）が属する検査グループを規定して当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちのＬｂａ箇所以下のＬｂｂ箇所の検査ポイント（Ｌｂａは、（Ｌａ−１）との条件を満たす整数）を前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌｂａ箇所以外の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｌｂｂ箇所の検査ポイントおよび当該１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第２処理を当該検査グループ毎に２Ｍｄ＝Ｌｃ（Ｍｄは、前記第１検査処理において絶縁状態が不良と検査した前記第１処理の回数）との条件を満たすＬｃ回以下のＬｄ回実行する第２検査処理と、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記検査グループを対象として前記Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの１箇所の検査ポイントを前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの他の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該１箇所の検査ポイントおよび当該他の１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第３処理を当該検査グループ毎にＬａ（Ｌａ−１）／２＝Ｋａとの条件を満たすＫａ回以下のＫｂ回実行する第３検査処理とを実行して前記Ｎ箇所の検査ポイントの絶縁状態を検査する際に、前記第２検査処理時には、絶縁状態が良好と検査した前記第２処理時に前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイントを当該１箇所の検査ポイントが属する前記検査グループを対象としてその後に実行する前記第２処理時に前記一方の電位に接続することなく絶縁状態を検査すると共に、１回目から（Ｌｃ−１）回目までの（Ｌｃ−１）回の前記第２処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときにＬｃ回目の前記第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を良好と検査すると共に、当該（Ｌｃ−１）回の第２処理のうちの１回だけにおいて絶縁状態が不良と検査したときに当該Ｌｃ回目の第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を不良と検査し、前記第３検査処理時には、前記第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記第２処理の回数が２回だけの前記検査グループを対象として前記第３処理を実行することなく当該２回の第２処理において前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイント同士の絶縁状態が不良と検査すると共に、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した当該第２処理の回数が３回以上との条件を満たす前記検査グループを対象として前記第３処理を実行する。
Further, in the insulation inspection method according to
さらに、請求項６記載の絶縁検査方法は、請求項４または５記載の絶縁検査方法において、前記第１検査処理において、各Ａａ番目の前記各検査ポイント（Ａａは、（Ａａ−１）をＭｃ桁の２進数で表したときに右からＢ桁目（Ｂは、１からＭｃまでの各整数）の値が０との条件を満たすＮ以下の各整数）と、各Ａｂ番目の前記各検査ポイント（Ａｂは、（Ａｂ−１）をＭｃ桁の２進数で表したときに右からＢ桁目の値が１との条件を満たすＮ以下の各整数）とのいずれかを前記Ｍａ箇所の検査ポイントとして前記一方の電位に接続すると共に他の前記各検査ポイントを前記Ｍｂ箇所の検査ポイントとして前記他方の電位に接続して絶縁状態を検査し、前記第２検査処理において、各Ｄａ番目の前記各検査ポイント（Ｄａは、各ＡａのうちのいずれかのＡａ、および当該いずれかのＡａから１を引いた数を表すＭｃ桁の２進数における右からＣ桁目の値を反転させた２進数で表される数に１を足したＮ以下の各整数で、Ｃは、絶縁状態が不良と検査した前記各第１処理時に前記一方の電位に接続した前記各Ａａ番目の検査ポイントについての前記Ｂ桁目のＢと同じ各整数）と、各Ｄｂ番目の前記各検査ポイント（Ｄｂは、各ＡｂのうちのいずれかのＡｂ、および当該いずれかのＡｂから１を引いた数を表すＭｃ桁の２進数における右からＣ桁目の値を反転させた２進数で表される数に１を足したＮ以下の各整数）とのいずれかを前記Ｌａ箇所の検査ポイントとして絶縁状態を検査する。
Furthermore, the insulation inspection method according to
請求項１記載の絶縁検査装置、および請求項４記載の絶縁検査方法では、Ｎ箇所の検査ポイントのうちのＭａ箇所の検査ポイントを一方の電位に接続すると共にＮ箇所の検査ポイントのうちのＭｂ箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した電気的パラメータに基づいてＭａ箇所の検査ポイントおよびＭｂ箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第１処理をＭｃ回実行する第１検査処理と、Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したときにいずれの第１処理において不良と検査したかに基づいてＬａ箇所の検査ポイントが属する検査グループを規定してＬａ箇所の検査ポイントのうちのＬｂ箇所の検査ポイントを高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共にＬｂ箇所以外の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した電気的パラメータに基づいてＬｂ箇所の検査ポイントおよび１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第２処理を検査グループ毎にＬｃ回以下のＬｄ回実行する第２検査処理と、第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した検査グループを対象としてＬａ箇所の検査ポイントのうちの１箇所の検査ポイントを高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共にＬａ箇所の検査ポイントのうちの他の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した電気的パラメータに基づいて１箇所の検査ポイントおよび他の１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第３処理を検査グループ毎にＫａ回以下のＫｂ回実行する第３検査処理とを実行してＮ箇所の検査ポイントの絶縁状態を検査する際に、第２検査処理時には、１回目から（Ｌｃ−１）回目までの（Ｌｃ−１）回の第２処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときにＬｃ回目の第２処理を実行することなくＬｃ回目の第２処理の検査対象を良好と検査すると共に、（Ｌｃ−１）回の第２処理のうちの１回だけにおいて絶縁状態が不良と検査したときにＬｃ回目の第２処理を実行することなくＬｃ回目の第２処理の検査対象を不良と検査し、第３検査処理時には、第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した第２処理の回数が２回だけの検査グループを対象として第３処理を実行することなく、その２回の第２処理において他方の電位に接続した１箇所の検査ポイント同士の絶縁状態が不良と検査すると共に、第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した第２処理の回数が３回以上との条件を満たす検査グループを対象として第３処理を実行する。
In the insulation inspection apparatus according to
また、請求項２記載の絶縁検査装置、および請求項５記載の絶縁検査方法では、Ｎ箇所の検査ポイントのうちのＭａ箇所の検査ポイントを一方の電位に接続すると共にＮ箇所の検査ポイントのうちのＭｂ箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した電気的パラメータに基づいてＭａ箇所の検査ポイントおよびＭｂ箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第１処理をＭｃ回実行する第１検査処理と、Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したときにいずれの第１処理において不良と検査したかに基づいてＬａ箇所の検査ポイントが属する検査グループを規定してＬａ箇所の検査ポイントのうちのＬｂａ箇所以下のＬｂｂ箇所の検査ポイントを高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共にＬｂａ箇所以外の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した電気的パラメータに基づいてＬｂｂ箇所の検査ポイントおよび１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第２処理を検査グループ毎にＬｃ回以下のＬｄ回実行する第２検査処理と、第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した検査グループを対象としてＬａ箇所の検査ポイントのうちの１箇所の検査ポイントを高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共にＬａ箇所の検査ポイントのうちの他の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した電気的パラメータに基づいて１箇所の検査ポイントおよび他の１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第３処理を検査グループ毎にＫａ回以下のＫｂ回実行する第３検査処理とを実行してＮ箇所の検査ポイントの絶縁状態を検査する際に、第２検査処理時には、絶縁状態が良好と検査した第２処理時に他方の電位に接続した１箇所の検査ポイントをその１箇所の検査ポイントが属する検査グループを対象としてその後に実行する第２処理時に一方の電位に接続することなく絶縁状態を検査すると共に、１回目から（Ｌｃ−１）回目までの（Ｌｃ−１）回の第２処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときにＬｃ回目の第２処理を実行することなくＬｃ回目の第２処理の検査対象を良好と検査すると共に、（Ｌｃ−１）回の第２処理のうちの１回だけにおいて絶縁状態が不良と検査したときにＬｃ回目の第２処理を実行することなくＬｃ回目の第２処理の検査対象を不良と検査し、第３検査処理時には、第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した第２処理の回数が２回だけの検査グループを対象として第３処理を実行することなく、その２回の第２処理において他方の電位に接続した１箇所の検査ポイント同士の絶縁状態が不良と検査すると共に、第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した第２処理の回数が３回以上との条件を満たす検査グループを対象として第３処理を実行する。
Further, in the insulation inspection apparatus according to
したがって、請求項１，２記載の絶縁検査装置、および請求項４，５記載の絶縁検査方法によれば、第１検査処理において絶縁状態が不良と検査した処理の回数が１回だけのときに、その検査結果に基づいて実行する第２検査処理が、実質的には第３検査処理の検査内容そのものとなるため（言い換えれば、第１検査処理の後に、第２検査処理を実行することなく第３検査処理を実行することとなるため）、このような例では、第１検査処理、第２検査処理および第３検査処理をこの順で実行する構成および検査方法と比較して、第３検査処理（または、第２検査処理）の分だけ、絶縁不良箇所が存在する検査対象の検査に要する時間を十分に短縮する（処理回数を十分に低減させる）ことができる。また、この絶縁検査装置および絶縁検査方法によれば、第１検査処理において絶縁状態が不良と検査した処理の回数が複数回となり、これに起因して、第２検査処理における各検査グループに属する検査ポイントの数が複数となって各検査グループ毎の処理回数が複数回となった場合においても、最後の１回を除く各処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したとき、および最後の１回を除く各処理のうちの１回だけで絶縁状態が不良と検査したときに、最後の１回の処理を実行することなく、その検査対象の絶縁状態が検査されるため、すべての検査ポイントを対象としてバルクショート検査を実行する構成および方法と比較して、第２検査処理において複数の検査グループ毎に検査することで、最後の１回の処理を実行しなくて済む可能性が高まる結果、絶縁不良箇所が存在する検査対象の検査に要する時間を十分に短縮する（処理回数を十分に低減させる）ことができる。さらに、この絶縁検査装置および絶縁検査方法によれば、第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した第２処理の回数が２回だけの検査グループを対象として第３処理を実行することなく、その２回の第２処理において他方の電位に接続した検査ポイント同士の絶縁状態が不良と検査することにより、このような検査結果となる検査対象については、第３検査処理における処理回数を十分に低減することができるため、絶縁不良箇所が存在する検査対象の検査に要する時間を十分に短縮することができる。
Therefore, according to the insulation inspection apparatus according to
また、請求項３記載の絶縁検査装置、および請求項６記載の絶縁検査方法によれば、第１検査処理において、各Ａａ番目の各検査ポイント（Ａａは、（Ａａ−１）をＭｃ桁の２進数で表したときに右からＢ桁目（Ｂは、１からＭｃまでの各整数）の値が０との条件を満たすＮ以下の各整数）と、各Ａｂ番目の各検査ポイント（Ａｂは、（Ａｂ−１）をＭｃ桁の２進数で表したときに右からＢ桁目の値が１との条件を満たすＮ以下の各整数）とのいずれかをＭａ箇所の検査ポイントとして一方の電位に接続すると共に他の各検査ポイントをＭｂ箇所の検査ポイントとして他方の電位に接続して絶縁状態を検査し、第２検査処理において、各Ｄａ番目の各検査ポイント（Ｄａは、各ＡａのうちのいずれかのＡａ、およびいずれかのＡａから１を引いた数を表すＭｃ桁の２進数における右からＣ桁目の値を反転させた２進数で表される数に１を足したＮ以下の各整数で、Ｃは、絶縁状態が不良と検査した各第１処理時に一方の電位に接続した各Ａａ番目の検査ポイントについてのＢ桁目のＢと同じ各整数）各Ｄｂ番目の各検査ポイント（Ｄｂは、各ＡｂのうちのいずれかのＡｂ、およびいずれかのＡｂから１を引いた数を表すＭｃ桁の２進数における右からＣ桁目の値を反転させた２進数で表される数に１を足したＮ以下の各整数）とのいずれかをＬａ箇所の検査ポイントとして絶縁状態を検査することにより、検査対象を検査するのに必要な検査手順データＤ１の生成を自動化することができるため、この検査手順データの生成に要する時間を含めた絶縁検査処理全体の時間を十分に短縮することができる。
According to the insulation inspection apparatus according to
以下、絶縁検査装置および絶縁検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, an embodiment of an insulation inspection apparatus and an insulation inspection method will be described with reference to the accompanying drawings.
図１に示す絶縁検査装置１は、複数の導体パターン（図示せず）が形成された検査対象基板２０を対象として、各導体パターン間の絶縁状態を検査可能に構成された検査装置の一例であって、テストヘッド２、測定部４、接続切替え部５、操作部６、表示部７、制御部８および記憶部９を備えて構成されている。テストヘッド２は、検査対象基板２０上に規定された複数の検査ポイントＰ−１〜Ｐ−Ｎ（以下、これらを区別しないときには「検査ポイントＰ」ともいう）に対してそれぞれ接触可能なプローブ３−１〜３−Ｎ（以下、これらを区別しないときには「プローブ３」ともいう）がプローブ保持部３ａによって保持された検査用治具であって、各プローブ３は、接続切替え部５を介して測定部４の低電位接続部（同図において「Ｌ」と記した部位：以下、「Ｌ電位」ともいう）および高電位接続部（同図において「Ｈ」と記した部位：以下、「Ｈ電位」ともいう）のいずれかに接続される。
An
なお、実際の検査対象基板２０の検査時には、数百から数千箇所の検査ポイントＰを規定して数百から数千本のプローブ３を用いて絶縁検査が実行されるが、以下の説明においては、絶縁検査装置の構成および絶縁検査方法についての理解を容易とするために、プローブ３−１〜３−１６の１６本を用いて１番目から１６番目までの１６箇所の検査ポイントＰ−１〜Ｐ−１６の絶縁状態を検査する例（「Ｎ＝１６」の例）について説明する。
In the actual inspection of the
測定部４は、図示しない電圧生成器および電流測定器を備えている。この測定部４は、後述するようにして、制御部８からの制御信号Ｓ２に従い、接続切替え部５によって電圧生成器のＬ電位に接続された検査ポイントＰ（Ｌ電位に接続されたプローブ３が接触している検査ポイントＰ）と電圧生成器のＨ電位に接続された検査ポイントＰ（Ｈ電位に接続されたプローブ３が接触している検査ポイントＰ）との間に検査用電圧（既知の一定電圧値）を印加した状態において、電流測定器によってＬ電位およびＨ電位の間を流れる電流を測定し、その測定結果を測定データＤ２として制御部８に出力する。接続切替え部５は、複数の切換スイッチおよびスイッチ制御回路（図示せず）を備え、制御部８からの制御信号Ｓ１に従って、スイッチ制御回路が各切換スイッチを切替え制御することにより、各プローブ３を測定部４における電圧生成器のＬ電位およびＨ電位のいずれかに接続するか、または、いずれにも接続しない（測定部４から切り離した状態の接続態様への切換制御する）。操作部６は、絶縁検査装置１の動作条件を設定するための各種の操作スイッチを備え、スイッチ操作に応じた操作信号を制御部８に出力する。表示部７は、制御部８の制御に従い、絶縁検査処理４０の進行状況や、検査対象基板２０についての検査結果を表示する。
The measuring
制御部８は、絶縁検査装置１を総括的に制御する。具体的には、制御部８は、図２に示す絶縁検査処理４０を実行して、検査対象基板２０の良否を検査すると共に、絶縁不良箇所が存在する検査対象基板２０については、いずれの導体パターン間（いずれの検査ポイントＰ間）に絶縁不良が生じているかを特定する。より具体的には、制御部８は、接続切替え部５に対して制御信号Ｓ１を出力して各プローブ３のうちの一部、または、すべてを測定部４のＬ電位およびＨ電位のいずれかに接続させると共に、測定部４に対して制御信号Ｓ２を出力して検査用電圧の出力、およびＬ電位とＨ電位との間を流れる電流の測定処理を実行させる。また、制御部８は、測定部４から出力された測定データＤ２に基づき、Ｌ電位に接続された検査ポイントＰとＨ電位に接続された検査ポイントＰとの間の絶縁状態が良好であるか否かを検査すると共に、その検査結果を検査結果データＤ３として記憶部９に記憶させる。
The
記憶部９は、検査ポイントデータＤ０、検査手順データＤ１および検査結果データＤ３などを記憶する。検査ポイントデータＤ０は、検査対象基板２０の各導体パターン上に規定された各検査ポイントＰの数を特定可能に検査ポイントＰの番号（この例では、１〜１６）が記録されている。この場合、この検査ポイントデータＤ０については、一例として、検査対象基板２０の設計データ等に基づき、絶縁検査装置１以外の情報処理装置（パーソナルコンピュータ等）によって生成される。また、検査手順データＤ１は、絶縁検査処理４０における第１検査処理、第２検査処理および第３検査処理（ステップ４２，４５，４９）の検査手順を示すデータであって、後述するようにして、検査ポイントデータＤ０、または、検査ポイントデータＤ０と検査結果データＤ３とに基づいて制御部８によって生成される。
The
なお、この絶縁検査装置１では、テストヘッド２、測定部４、接続切替え部５、制御部８および記憶部９が相俟って検査部を構成する。また、この絶縁検査装置１では、テストヘッド２および検査対象基板２０の少なくとも一方を他方に向けて移動させて各プローブ３を検査ポイントＰ（導体パターン）に接触させる移動機構（図示せず）を備えているが、絶縁検査装置の構成および絶縁検査方法についての理解を容易とするために、その図示および詳細な説明を省略する。
In the
この絶縁検査装置１では、操作部６の操作によって処理開始を指示されたときに、制御部８が、図２に示す絶縁検査処理４０を開始する。この絶縁検査処理４０では、制御部８は、まず、検査ポイントデータＤ０に基づいて第１検査処理用の検査手順データＤ１を生成する（ステップ４１）。この場合、後に実行する第１検査処理は、出願人が開発している絶縁検査装置において実行される絶縁検査処理８０のマルチプル検査（ステップ８１）と同様の絶縁検査処理であって、ｌｏｇ２（Ｍａ＋Ｍｂ）＝Ｍｃとの条件を満たすＭｃ回（この例では、「Ｍａ＋Ｍｂ＝Ｎ＝１６」であるため、「Ｍｃ＝４」回）の処理（第１処理の一例）によって検査対象基板２０に絶縁不良箇所が存在するか否かが検査される。したがって、制御部８は、検査ポイントデータＤ０に基づき、上記のＭｃ＝４回の処理時に、いずれの検査ポイントＰ（いずれのプローブ３）をＬ電位に接続し、いずれの検査ポイントＰ（いずれのプローブ３）をＨ電位に接続するかを規定して検査手順データＤ１を生成する。
In this
具体的には、図３に示すように、制御部８は、一例として、各検査ポイントＰのうちの検査ポイント番号を表す数（この例では、１〜１６）から「１」を引いた数（この例では、０〜１５）をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右から１桁目（「Ｂ桁目」の一例）が「０」との条件を満たす整数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ（「各Ａａ番目の検査ポイント」の一例：この例では、検査ポイントＰ−１，Ｐ−３，Ｐ−５，Ｐ−７，Ｐ−９，Ｐ−１１，Ｐ−１３，Ｐ−１５）をＬ電位に接続すると共に、各検査ポイントＰのうちの検査ポイント番号を表す数から「１」を引いた数をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右から１桁目が「１」との条件を満たす整数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ（「各Ａｂ番目の検査ポイント」の一例：この例では、検査ポイントＰ−２，Ｐ−４，Ｐ−６，Ｐ−８，Ｐ−１０，Ｐ−１２，Ｐ−１４，Ｐ−１６）をＨ電位に接続した状態において実行する処理を、上記の「Ｍｃ＝４」回の処理のうちの１回（１回目の処理）として規定する。
Specifically, as shown in FIG. 3, as an example, the
また、制御部８は、検査ポイント番号を表す数から「１」を引いた数をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右から２桁目（「Ｂ桁目」の他の一例）が「０」との条件を満たす整数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ（「各Ａａ番目の検査ポイント」の他の一例：この例では、検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−５，Ｐ−６，Ｐ−９，Ｐ−１０，Ｐ−１３，Ｐ−１４）をＬ電位に接続すると共に、検査ポイント番号を表す数から「１」を引いた数をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右から２桁目が「１」との条件を満たす整数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ（「各Ａｂ番目の検査ポイント」の他の一例：この例では、検査ポイントＰ−３，Ｐ−４，Ｐ−７，Ｐ−８，Ｐ−１１，Ｐ−１２，Ｐ−１５，Ｐ−１６）をＨ電位に接続した状態において実行する処理を、上記の「Ｍｃ＝４」回の処理のうちの他の１回（２回目の処理）として規定する。
Further, the
さらに、制御部８は、検査ポイント番号を表す数から「１」を引いた数をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右から３桁目（「Ｂ桁目」の他の一例）が「０」との条件を満たす整数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ（「各Ａａ番目の検査ポイント」のさらに他の一例）をＬ電位に接続すると共に、検査ポイント番号を表す数から「１」を引いた数をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右から３桁目が「１」との条件を満たす整数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ（「各Ａｂ番目の検査ポイント」のさらに他の一例）をＨ電位に接続した状態において実行する処理を、上記の「Ｍｃ＝４」回の処理のうちのさらに他の１回（３回目の処理）として規定する。
Furthermore, when the number obtained by subtracting “1” from the number representing the inspection point number is represented by a binary number of Mc = 4 digits, the
また、制御部８は、検査ポイント番号を表す数から「１」を引いた数をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右から４桁目（「Ｂ桁目」の他の一例）が「０」との条件を満たす整数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ（「各Ａａ番目の検査ポイント」のさらに他の一例）をＬ電位に接続すると共に、検査ポイント番号を表す数から「１」を引いた数をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右から４桁目が「１」との条件を満たす整数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ（「各Ａｂ番目の検査ポイント」のさらに他の一例）をＨ電位に接続した状態において実行する処理を、上記の「Ｍｃ＝４」回の処理のうちのさらに他の１回（４回目の処理）として規定する。
The
次いで、制御部８は、上記の「Ｍｃ＝４」回の各処理の接続態様を検査手順データＤ１として生成して記憶部９に記憶させる。これにより、Ｎ＝１６箇所の検査ポイントＰについて、Ｍａ＝８箇所の検査ポイントＰと、Ｍｂ＝８箇所の検査ポイントＰとに分けて絶縁状態を検査する第１検査処理用の検査手順データＤ１が記憶部９に記憶される。なお、後述する第１検査処理においては、「Ｍｃ＝４」回の各処理をどのような順序で実行した場合においても、同一の検査対象基板２０については、同一の検査結果を得られるが、一例として、上記の検査手順データＤ１では、図３において、各プローブ３のＬ電位およびＨ電位に対する接続態様を上側に図示した処理から順に実行するように検査手順が記録される。
Next, the
次いで、制御部８は、生成した検査手順データＤ１に基づき、検査対象基板２０に対する第１検査処理を実行する（ステップ４２）。この第１検査処理では、制御部８は、まず、図示しない移動機構を制御してテストヘッド２の各プローブ３を検査対象基板２０の各検査ポイントＰ（各導体パターン）に接触させる。次いで、制御部８は、検査手順データＤ１に応じて接続切替え部５に制御信号Ｓ１を出力することにより、各プローブ３と測定部４（Ｌ電位およびＨ電位）との接続状態を１回目の処理に応じた接続態様に切り替えさせる。続いて、制御部８は、測定部４に制御信号Ｓ２を出力することにより、Ｌ電位およびＨ電位の間に検査用電圧を印加させると共に、電流値を測定させる。これに応じて、測定部４から測定データＤ２が出力され、制御部８は、出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰの間に絶縁状態が不良の箇所（絶縁不良箇所）が存在するか否かを検査する。
Next, the
この際に、Ｌ電位に接続されている検査ポイントＰ−１，Ｐ−３，Ｐ−５，Ｐ−７，Ｐ−９，Ｐ−１１，Ｐ−１３，Ｐ−１５のうちのいずれかと、Ｈ電位に接続されている検査ポイントＰ−２，Ｐ−４，Ｐ−６，Ｐ−８，Ｐ−１０，Ｐ−１２，Ｐ−１４，Ｐ−１６のうちのいずれかとの間に絶縁不良箇所が存在するときには、検査用電圧の印加によってＬ電位およびＨ電位の間を比較的大きな電流が流れる。したがって、制御部８は、測定部４から出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰの間に絶縁不良箇所が存在すると検査して検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。一方、Ｌ電位に接続されている上記の各検査ポイントＰのうちのいずれかと、Ｈ電位に接続されている上記の各検査ポイントＰのうちのいずれかとの間に絶縁不良箇所が存在しないときには、検査用電圧の印加した際にＬ電位およびＨ電位の間を流れる電流の値がほぼ０となる。したがって、制御部８は、測定部４から出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰの間に絶縁不良箇所が存在しないと検査して検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。
At this time, any one of inspection points P-1, P-3, P-5, P-7, P-9, P-11, P-13, and P-15 connected to the L potential; Insulation failure with any of inspection points P-2, P-4, P-6, P-8, P-10, P-12, P-14, and P-16 connected to H potential When a location exists, a relatively large current flows between the L potential and the H potential by applying the inspection voltage. Therefore, based on the measurement data D2 output from the
次いで、制御部８は、検査手順データＤ１に応じて接続切替え部５に制御信号Ｓ１を出力することにより、各プローブ３と測定部４（Ｌ電位およびＨ電位）との接続状態を２回目の処理に応じた接続態様に切り替えさせる。続いて、制御部８は、測定部４に制御信号Ｓ２を出力して電流値を測定させると共に、測定部４から出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づいて、検査対象の検査ポイントＰの間に絶縁不良箇所が存在するか否かを検査して、検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。次いで、制御部８は、上記の１回目の処理および２回目の処理と同様にして、３回目の処理および４回目の処理についても、検査手順データＤ１に基づく接続切替え部５の切替え制御（接続態様の切替え）、測定部４による測定処理の制御、測定部４から出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づく絶縁状態の検査、および記憶部９に対する検査結果データＤ３の記憶をそれぞれ実行する。これにより、「Ｍｃ＝４」回の処理からなる第１検査処理が完了する。
Next, the
続いて、制御部８は、記憶部９に記憶させた検査結果データＤ３に基づき、上記の第１検査処理おいて絶縁状態が不良と検査した処理が存在するか否かを判別する（ステップ４３）。この際に、第１検査処理における「Ｍｃ＝４」回の各処理のすべてにおいて絶縁不良箇所が存在しないと検査したときには、制御部８は、検査対象の検査対象基板２０が良品である旨のメッセージを表示部７に表示させて、この絶縁検査処理４０を終了する。一方、第１検査処理における「Ｍｃ＝４」回の各処理のうちのいずれかにおいて絶縁不良箇所が存在すると検査したときには、制御部８は、第１検査処理の検査結果に基づき、第２検査処理用の検査手順データＤ１を生成する（ステップ４４）。
Subsequently, the
具体的には、一例として、上記の「Ｍｃ＝４」回の各処理のうちの２回目の処理時にだけ絶縁不良箇所が存在すると検査したとき（「Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したとき」の一例）には、制御部８は、２回目の処理時に絶縁状態が不良と検査したとの結果に基づいて、検査手順データＤ１を生成する。より具体的には、制御部８は、一例として、２回目の処理時にＬ電位に接続した検査ポイントＰの検査ポイント番号を表す各数（この例では、「１，２，５，６，９，１０，１３，１４」）のうちのいずれかと、そのいずれか１つの数から「１」を引いた数を表すＭｃ＝４桁の２進数における右からＣ桁目の値を反転させた２進数で表される数に１を足した数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰを１つの検査グループに属する検査ポイントＰとしてグループ分けする。
Specifically, as an example, when it is inspected that an insulation failure location exists only at the time of the second process among the above-mentioned processes of “Mc = 4” (“insulation in any of the first processes of Mc times”). In an example of “when the state is inspected as defective”), the
この場合、上記の第１検査処理における２回目の処理時には、検査ポイント番号を表す数から「１」を引いた数をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右から２桁目の値が「０」との条件を満たす数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰをＬ電位に接続している（「Ｂ＝２」の例）。したがって、制御部８は、図４の上図に示すように、例えば、「１」（各ＡａのうちのいずれかのＡａの一例）を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−１と、「１」から「１」を引いた「０」を表すＭｃ＝４桁の「００００」との２進数における右から「Ｃ＝Ｂ＝２」桁目の値を反転させた「００１０」との２進数で表される数の「２」に「１」を足した「３」を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−３とを１つの検査グループに属する「Ｌａ＝２個」の検査ポイントＰとしてグループ分けする（「Ｄａ＝１，３」の例）。また、制御部８は、グループ分けが完了した検査ポイントＰの検査ポイント番号を表す「１」、「３」以外の整数のうちの最も小さい「２」（各ＡａのうちのいずれかのＡａの他の一例）を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−２と、「２」から「１」を引いた「１」を表すＭｃ＝４桁の「０００１」との２進数における右から「Ｃ＝Ｂ＝２」桁目の値を反転させた「００１１」との２進数で表される数の「３」に「１」を足した「４」を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−４とを１つの検査グループに属する「Ｌａ＝２個」の検査ポイントＰとしてグループ分けする（「Ｄａ＝２，４」の例）。
In this case, at the time of the second processing in the first inspection processing, when the number obtained by subtracting “1” from the number representing the inspection point number is expressed by a binary number of Mc = 4 digits, the value of the second digit from the right The inspection point P having the inspection point number as the number satisfying the condition “0” is connected to the L potential (example of “B = 2”). Therefore, as illustrated in the upper diagram of FIG. 4, the
さらに、制御部８は、グループ分けが完了した検査ポイントＰの検査ポイント番号を表す「１」〜「４」以外の整数のうちの最も小さい「５」（各ＡａのうちのいずれかのＡａのさらに他の一例）を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−５と、「５」から「１」を引いた「４」を表すＭｃ＝４桁の「０１００」との２進数における右から「Ｃ＝Ｂ＝２」桁目の値を反転させた「０１１０」との２進数で表される数の「６」に「１」を足した「７」を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−７とを１つの検査グループに属する「Ｌａ＝２個」の検査ポイントＰとしてグループ分けする（「Ｄａ＝５，７」の例）。この後、制御部８は、グループ分けが完了していない各検査ポイントＰについても、上記の６つの検査ポイントＰと同様にして、いずれかの検査グループに属するようにグループ分けする。これにより、この例では、８つの検査グループが規定される。
Further, the
次いで、制御部８は、各検査グループに属する各検査ポイントＰのＬ電位およびＨ電位の接続態様を規定する。この場合、この例では、１つの検査グループに属する検査ポイントＰの数が２つだけであるため（Ｌｂ＝１の例）、一例として、検査ポイント番号が小さい検査ポイントＰをＬ電位に接続し、検査ポイント番号が大きい検査ポイントＰをＨ電位に接続するように規定する。また、制御部８は、各検査ポイントＰがいずれの検査グループに属するか、および検査ポイントＰをいずれの電位に接続するかを特定可能に検査手順データＤ１を生成して記憶部９に記憶させる。これにより、図４の上図に示すように、第１検査処理における２回目の処理時に絶縁状態が不良と検査された際に実行する第２検査処理用の検査手順データＤ１が記憶部９に記憶される。
Next, the
続いて、制御部８は、検査手順データＤ１に基づき、検査対象基板２０に対する第２検査処理を実行する（ステップ４５）。この第２検査処理では、制御部８は、検査手順データＤ１に応じて接続切替え部５に制御信号Ｓ１を出力することにより、各プローブ３と測定部４（Ｌ電位およびＨ電位）との接続状態を１つ目の検査グループに対する処理に応じた接続態様に切り替えさせる。具体的には、検査ポイントＰ−１をＬ電位に接続させると共に検査ポイントＰ−３をＨ電位に接続させ、検査ポイントＰ−２，Ｐ−４〜Ｐ１６については、測定部４から切り離した状態に接続態様を切り替えさせる。続いて、制御部８は、測定部４に制御信号Ｓ２を出力することにより、Ｌ電位およびＨ電位の間に検査用電圧を印加させると共に、電流値を測定させる。これに応じて、測定部４から測定データＤ２が出力され、制御部８は、出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰ−１，Ｐ−３の間に絶縁不良が生じているか否かを検査して、検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。これにより、１つ目の検査グループに属する「Ｌａ＝２」箇所の検査ポイントＰ−１，Ｐ−３についての「２Ｍｄ＝２１＝Ｌｃ」回よりも少ない「Ｌｄ＝１」回の処理（第２処理の一例）が完了する。
Subsequently, the
この場合、この例では、例えば、検査ポイントＰ−１については、前述した第１検査処理における１回目の処理において検査ポイントＰ−２，Ｐ−４，Ｐ−６，Ｐ−８，Ｐ−１０，Ｐ−１２，Ｐ−１４，Ｐ−１６との間の絶縁状態が良好と検査され、第１検査処理における３回目の処理において検査ポイントＰ−５〜Ｐ−８，Ｐ−１３〜Ｐ−１６との間の絶縁状態が良好と検査され、第１検査処理における４回目の処理において検査ポイントＰ−９〜Ｐ−１６との間の絶縁状態が良好と検査されている。したがって、この検査ポイントＰ−１については、第２検査処理における上記の処理によって検査ポイントＰ−３との間の絶縁状態を検査することで、他の検査グループに属する検査ポイントＰ−２，Ｐ−４〜Ｐ−１６との間の絶縁状態を改めて検査することなく、その絶縁状態が良好であるか否かを確定することができる。同様にして、検査ポイントＰ−３についても、第２検査処理における上記の処理によって検査ポイントＰ−１との間の絶縁状態を検査することで、他の検査グループに属する検査ポイントＰ−２，Ｐ−４〜Ｐ−１６との間の絶縁状態を改めて検査することなく、その絶縁状態が良好であるか否かを確定することができる。 In this case, in this example, for example, for the inspection point P-1, the inspection points P-2, P-4, P-6, P-8, and P-10 in the first process in the first inspection process described above. , P-12, P-14, and P-16 are inspected to be good, and inspection points P-5 to P-8 and P-13 to P- are detected in the third processing in the first inspection processing. 16, the insulation state between the inspection points P-9 to P-16 is inspected to be good in the fourth process in the first inspection process. Therefore, for this inspection point P-1, by inspecting the insulation state with the inspection point P-3 by the above-described process in the second inspection process, the inspection points P-2, P belonging to other inspection groups It is possible to determine whether or not the insulation state is good without inspecting the insulation state between -4 and P-16 again. Similarly, the inspection point P-3, which belongs to another inspection group, is also inspected with respect to the inspection point P-3 by inspecting the insulation state between the inspection point P-1 and the inspection point P-1. It is possible to determine whether or not the insulation state is good without reinspecting the insulation state between P-4 and P-16.
この後、制御部８は、２つ目の検査グループに属する検査ポイントＰ−２，Ｐ−４や、３つ目の検査グループに属する検査ポイントＰ−５，Ｐ−７についても、１つ目の検査グループに属する上記の検査ポイントＰ−１，Ｐ−３と同様に絶縁状態を検査して検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。また、制御部８は、８つ目の検査グループに属する検査ポイントＰ−１４，Ｐ−１６についての絶縁状態の検査を完了したときに、この第２検査処理を終了する。次いで、制御部８は、記憶部９に記憶させた検査結果データＤ３に基づき、第３検査処理を実行すべき対象が存在するか否かを判別する（ステップ４６）。この際には、上記の第２検査処理における各検査グループに属する検査ポイントＰの数が「２」で、この検査グループに属する各検査ポイントＰに対する個別検査が不要であるため、制御部８は、第３検査処理を実行すべき対象（個別検査を実行する必要がある対象）が存在しないと判別する。続いて、制御部８は、記憶部９に記憶させた検査結果データＤ３に基づき、絶縁状態が不良の検査ポイントＰ（絶縁不良箇所）を特定して（ステップ４７）、第３検査処理を実行することなく、この絶縁検査処理４０を終了する。
Thereafter, the
一方、第１検査処理における「Ｍｃ＝４」回の各処理のうちの１回目の処理時、および３回目の処理時の２回に亘って絶縁不良箇所が存在すると検査したとき（「Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したとき」の他の一例）には（ステップ４３）、制御部８は、第１検査処理における１回目の処理時および３回目の処理時に絶縁状態が不良と検査したとの結果に基づいて、第２検査処理用の検査手順データＤ１を生成する（ステップ４４）。この場合、上記の第１検査処理における１回目の処理時には、検査ポイント番号を表す数（この例では、「１，３，５，７，９，１１，１３，１５」）から「１」を引いた数（この例では、「０，２，４，６，８，１０，１２，１４」）をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右から１桁目の値が「０」との条件を満たす数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰをＬ電位に接続している（「Ｂ＝１」の例）。また、上記の第１検査処理における３回目の処理時には、検査ポイント番号を表す数（この例では、「１〜４，９〜１２」）から「１」を引いた数（この例では、「０〜３，８〜１１」）をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右から３桁目の値が「０」との条件を満たす数を検査ポイント番号とする検査ポイントＰをＬ電位に接続している（「Ｂ＝３」の例）。
On the other hand, when it is inspected that there is an insulation defect point in the first process of the first inspection process and twice in the third process (“Mc = 4” times). In another example of “when the insulation state is inspected as defective in any of the first processes” (step 43), the
したがって、制御部８は、図４の下図に示すように、例えば、「１」（各ＡａのうちのいずれかのＡａの一例）を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−１と、「１」から「１」を引いた「０」を表すＭｃ＝４桁の「００００」との２進数における右から「Ｃ＝Ｂ＝１」桁目の値を反転させた「０００１」との２進数で表される数の「１」に「１」を足した「２」を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−２と、上記の「００００」との２進数における右から「Ｃ＝Ｂ＝３」桁目の値を反転させた「０１００」との２進数で表される数の「４」に「１」を足した「５」を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−５と、上記の「００００」との２進数における右から「Ｃ＝Ｂ＝１」桁目の値および「Ｃ＝Ｂ＝３」桁目の値を反転させた「０１０１」との２進数で表される数の「５」に「１」を足した「６」を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−６とを、１つの検査グループに属する「Ｌａ＝４個」の検査ポイントＰとしてグループ分けする（「Ｄａ＝１，２，５，６」の例）。
Therefore, as shown in the lower diagram of FIG. 4, the
また、制御部８は、グループ分けが完了した検査ポイントＰの検査ポイント番号を表す「１」、「２」、「５」、「６」以外の整数のうちの最も小さい「３」（各ＡａのうちのいずれかのＡａの他の一例）を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−３と、「３」から「１」を引いた「２」を表すＭｃ＝４桁の「００１０」との２進数における右から「Ｃ＝Ｂ＝１桁目の値を反転させた「００１１」との２進数で表される数の「３」に「１」を足した「４」を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−４と、上記の「００１０」との２進数における右から「Ｃ＝Ｂ＝３」桁目の値を反転させた「０１１０」との２進数で表される数の「６」に「１」を足した「７」を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−７と、上記の「００１０」との２進数における右から「Ｃ＝Ｂ＝１」桁目の値および「Ｃ＝Ｂ＝３」桁目の値を反転させた「０１１１」との２進数で表される数の「７」に「１」を足した「８」を検査ポイント番号とする検査ポイントＰ−８とを、１つの検査グループに属する「Ｌａ＝４個」の検査ポイントＰとしてグループ分けする（「Ｄａ＝３，４，７，８」の例）。この後、制御部８は、グループ分けが完了していない各検査ポイントＰについても、上記の８つの検査ポイントＰと同様にして、いずれかの検査グループに属するようにグループ分けする。これにより、この例では、４つの検査グループが規定される。
The
次いで、制御部８は、各検査グループに属する各検査ポイントＰのＬ電位およびＨ電位に対する接続態様を規定する。この場合、この例では、１つの検査グループに属する検査ポイントＰの数が４つであるため（Ｌａ＝４で、Ｌｂ＝４−１＝３の例）、図４における下図に示すように、一例として、各検査グループ毎に、４つの検査ポイントＰのうちのいずれか１つをＬ電位に接続すると共に、他の３つの検査ポイントＰをＨ電位に接続する接続態様を、その組合わせを代えて「２Ｍｄ＝２２＝Ｌｃ＝Ｌｄ＝４」種類規定する。また、制御部８は、各検査ポイントＰがいずれの検査グループに属するか、および検査ポイントＰを「２Ｍｄ＝２２＝Ｌｃ＝Ｌｄ＝４」回の各処理においていずれの電位に接続するかを特定可能に検査手順データＤ１を生成して記憶部９に記憶させる。これにより、図４の下図に示すように、第１検査処理における１回目の処理時および３回目の処理時に絶縁状態が不良と検査された際に実行する第２検査処理用の検査手順データＤ１が記憶部９に記憶される。第２検査処理における各検査グループ毎の「２Ｍｄ＝４」回の各処理をどのような順序で実行した場合においても、同一の検査対象基板２０については、同一の検査結果を得られるが、一例として、上記の検査手順データＤ１では、図４において、各プローブ３のＬ電位およびＨ電位に対する接続態様を上側に図示した処理から順に実行するように検査手順が記録される。
Next, the
続いて、制御部８は、検査手順データＤ１に基づき、検査対象基板２０に対する第２検査処理を実行する（ステップ４５）。この第２検査処理では、制御部８は、検査手順データＤ１に応じて接続切替え部５に制御信号Ｓ１を出力することにより、各プローブ３と測定部４（Ｌ電位およびＨ電位）との接続状態を１つ目の検査グループに対する１回目の処理に応じた接続態様に切り替えさせる。具体的には、検査ポイントＰ−１をＬ電位に接続させると共に検査ポイントＰ−２，Ｐ−５，Ｐ−６をＨ電位に接続させ、検査ポイントＰ−３，Ｐ−４，Ｐ−７〜Ｐ１６については、測定部４から切り離した状態に接続態様を切り替えさせる。次いで、制御部８は、測定部４に制御信号Ｓ２を出力して、検査用電圧の印加および電流値の測定を実行させる。また、制御部８は、測定部４から出力される測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰ−１と検査ポイントＰ−２，Ｐ−５，Ｐ−６との間に絶縁不良が生じているか否かを検査して、検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。これにより、１つ目の検査グループに属する「Ｌａ＝４」箇所の検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−５，Ｐ−６についての１回目の処理が完了する。
Subsequently, the
次いで、制御部８は、検査手順データＤ１に応じて接続切替え部５に制御信号Ｓ１を出力することにより、各プローブ３と測定部４（Ｌ電位およびＨ電位）との接続状態を１つ目の検査グループに対する２回目の処理に応じた接続態様に切り替えさせる。具体的には、検査ポイントＰ−２をＬ電位に接続させると共に検査ポイントＰ−１，Ｐ−５，Ｐ−６をＨ電位に接続させ、検査ポイントＰ−３，Ｐ−４，Ｐ−７〜Ｐ１６については、測定部４から切り離した状態に接続態様を切り替えさせる。次いで、制御部８は、測定部４に制御信号Ｓ２を出力して、検査用電圧の印加および電流値の測定を実行させる。また、制御部８は、測定部４から出力される測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰ−２と検査ポイントＰ−１，Ｐ−５，Ｐ−６との間に絶縁不良が生じているか否かを検査して、検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。これにより、１つ目の検査グループに属する「Ｌａ＝４」箇所の検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−５，Ｐ−６についての２回目の処理が完了する。
Next, the
続いて、制御部８は、検査手順データＤ１に基づき、１つ目の検査グループに対する３回目の処理を実行する。この場合、１回目から「Ｌｃ−１＝４−１＝３」回目までの３回の処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したとき、すなわち、１回目の処理において検査ポイントＰ−１と検査ポイントＰ−２，Ｐ−５，Ｐ−６との間の絶縁状態が良好と検査され、２回目の処理において検査ポイントＰ−２と検査ポイントＰ−１，Ｐ−５，Ｐ−６との間の絶縁状態が良好と検査され、１回目の処理において検査ポイントＰ−５と検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−６との間の絶縁状態が良好と検査されたときには、４回目の処理を実行するまでもなく、検査ポイントＰ−６と検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−５との間の絶縁状態が良好であることがわかる。したがって、このような例においては、制御部８は、４回目の処理を実行することなく、１つ目の検査グループに属する「Ｌａ＝４」箇所の検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−５，Ｐ−６のすべてについて絶縁状態が良好として、他の検査グループを対象とする処理に移行する。
Subsequently, the
また、１回目から３回目までの３回の処理のうちのいずれか１回だけで絶縁状態が不良と検査したときには、４回目の処理を実行するまでもなく、その検査対象に絶縁不良箇所が存在することがわかる。具体的には、一例として、検査ポイントＰ−１，Ｐ−６の間に絶縁不良が生じて、１回目の処理だけ絶縁状態が不良と検査したときには、４回目を実行するまでもなく、検査ポイントＰ−６と検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−５との間の絶縁状態が不良と検査されるのがわかる。これに対して、検査ポイントＰ−１，Ｐ−２の間に絶縁不良が生じていた場合には、１回目の処理時だけでなく、２回目の処理時にも絶縁状態が不良と検査される。したがって、１回目から３回目までの３回の処理のうちのいずれか１回だけで絶縁状態が不良と検査したときには、制御部８は、４回目の処理を実行することなく、４回目の処理の検査対象に絶縁不良が生じているとして、他の検査グループを対象とする処理に移行する。
In addition, when the insulation state is inspected as defective only in any one of the three processes from the first to the third, there is no need to execute the fourth process, and there is an insulation defect point in the inspection object. You can see that it exists. Specifically, as an example, when an insulation failure occurs between the inspection points P-1 and P-6 and the insulation state is inspected to be defective only in the first process, the inspection is not performed until the fourth time. It can be seen that the insulation state between the point P-6 and the inspection points P-1, P-2, P-5 is inspected as defective. On the other hand, when an insulation failure has occurred between the inspection points P-1 and P-2, the insulation state is inspected to be defective not only during the first process but also during the second process. . Therefore, when the insulation state is inspected as defective in any one of the three processes from the first to the third process, the
さらに、１回目から３回目までの３回の処理のうちのいずれか２回だけで絶縁状態が不良と検査したときと、１回目から３回目までの３回の処理のすべてで絶縁状態が不良と検査したときには、制御部８は、４回目の処理の検査対象に絶縁不良箇所が存在するか否かを確定することができないため、検査手順データＤ１に基づき、１つ目の検査グループに対する４回目の処理を実行する。これにより、各検査ポイントＰの絶縁状態に応じて、１つ目の検査グループに属する「Ｌａ＝４」箇所の検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−５，Ｐ−６を対象とするＬｄ＝３回の処理、または、Ｌｄ＝Ｌｃ＝４回の処理が完了する。
Furthermore, when the insulation state is inspected as defective only in any two of the three processes from the first to the third, the insulation state is defective in all three processes from the first to the third. Since the
この場合、１つ目の検査グループに属する４つの検査ポイントＰについては、前述した第１検査処理（ステップ４２）において、他の検査グループに属する検査ポイントＰとの間の絶縁状態が良好であると検査されている。具体的には、例えば、検査ポイントＰ−１については、第１検査処理における２回目の処理において検査ポイントＰ−３，Ｐ−４，Ｐ−７，Ｐ−８，Ｐ−１１，Ｐ−１２，Ｐ−１５，Ｐ−１６との間の絶縁状態が良好と検査され、第１検査処理における４回目の処理において検査ポイントＰ−９〜Ｐ−１６との間の絶縁状態が良好と検査されている。したがって、検査ポイントＰ−１については、この検査ポイントＰ−１が属する検査グループ内の検査ポイントＰ−２，Ｐ−５，Ｐ−６との間の絶縁状態を検査することで、他の検査グループに属する検査ポイントＰ−３，Ｐ−４，Ｐ−７〜Ｐ−１６との間の絶縁状態を改めて検査する必要がないことが理解できる。同様にして、検査ポイントＰ−２，Ｐ−５，Ｐ−６についても、同じ検査グループに属する検査ポイントＰとの間の絶縁状態を検査することで、他の検査グループに属する検査ポイントＰ−３，Ｐ−４，Ｐ−７〜Ｐ−１６との間の絶縁状態を改めて検査する必要がないため、この１つ目の検査グループについてのすべての処理において絶縁状態が良好と検査されたときには、検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−５，Ｐ−６については、以後の検査処理を行うことなく、絶縁状態が良好であると確定する。 In this case, regarding the four inspection points P belonging to the first inspection group, the insulation state between the inspection points P belonging to other inspection groups is good in the first inspection process (step 42) described above. And have been inspected. Specifically, for example, for the inspection point P-1, the inspection points P-3, P-4, P-7, P-8, P-11, and P-12 in the second process in the first inspection process. , P-15 and P-16 are inspected to be good, and in the fourth process in the first inspection process, the insulation state between inspection points P-9 to P-16 is inspected to be good. ing. Therefore, for the inspection point P-1, by inspecting the insulation state between the inspection points P-2, P-5 and P-6 in the inspection group to which the inspection point P-1 belongs, It can be understood that it is not necessary to inspect again the insulation state between the inspection points P-3, P-4, and P-7 to P-16 belonging to the group. Similarly, the inspection points P-2, P-5, and P-6 are also inspected from the inspection points P belonging to the same inspection group, thereby inspecting the inspection points P- belonging to other inspection groups. 3, since it is not necessary to inspect again the insulation state between P-4 and P-7 to P-16, when the insulation state is inspected in all the processes for the first inspection group. For the inspection points P-1, P-2, P-5, and P-6, it is determined that the insulation state is good without performing the subsequent inspection processing.
この後、制御部８は、２つ目の検査グループに属する検査ポイントＰ−３，Ｐ−４，Ｐ−７，Ｐ−８、３つ目の検査グループに属する検査ポイントＰ−９，Ｐ−１０，Ｐ−１３，Ｐ−１４、および４つ目の検査グループに属する検査ポイントＰ−１１，Ｐ−１２，Ｐ−１５，Ｐ−１６についても、１つ目の検査グループに属する上記の検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−５，Ｐ−６と同様にして、各検査ポイントＰの絶縁状態に応じて、Ｌｄ＝３回の処理、または、Ｌｄ＝Ｌｃ＝４回の処理を実行して絶縁状態を検査し、検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。これにより、この例における第２検査処理が完了する。
Thereafter, the
次いで、制御部８は、記憶部９に記憶させた検査結果データＤ３に基づき、第３検査処理を実行すべき対象が存在するか否かを判別する（ステップ４６）。この際に、一例として、１つ目の検査グループから３つ目の検査グループまでの３つの検査グループを対象とする検査時に絶縁不良が生じていると検査された場合、制御部８は、第３検査処理を実行すべき対象が存在すると判別し、記憶部９に記憶させた検査結果データＤ３に基づき、絶縁不良が生じていると検査した検査グループのうちから、個別検査を事項すべき対象が存在する検査グループについての第３検査処理用の検査手順データＤ１を生成する（ステップ４８）。
Next, the
この場合、一例として、検査ポイントＰ−１，Ｐ−６の双方の絶縁状態が良好で、検査ポイントＰ−２，Ｐ−５間に絶縁不良が生じている検査対象基板２０では、上記の第２検査処理における１つ目の検査グループを対象とする検査において、２回目の処理と、３回目の処理との２回だけで絶縁状態が不良と検査される。この例では、１回目の処理についての検査結果データＤ３は、検査ポイントＰ−１が検査ポイントＰ−２，Ｐ−５，Ｐ−６のいずれに対しても絶縁状態が良好であるとの検査結果を表し、２回目の処理についての検査結果データＤ３は、検査ポイントＰ−１，Ｐ−５，Ｐ−６のうちのいずれかと検査ポイントＰ−２との間に絶縁不良が生じているとの検査結果を表し、３回目の処理についての検査結果データＤ３は、検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−６のうちのいずれかと検査ポイントＰ−５との間に絶縁不良が生じているとの検査結果を表し、４回目の処理についての検査結果データＤ３は、検査ポイントＰ−６が検査ポイントＰ−１，Ｐ−５，Ｐ−６のいずれに対しても絶縁状態が良好であるとの検査結果を表している。このため、第２検査処理に際して絶縁状態が不良と検査した処理の回数が２回だけの１つ目の検査グループについては、第３検査処理を実行するまでもなく、検査ポイントＰ−２，Ｐ−５間に絶縁不良が生じていると確定することができる。したがって、制御部８は、この１つ目の検査グループを対象とする個別検査（検査手順データＤ１の生成）を不要と判別する。
In this case, as an example, in the
また、一例として、検査ポイントＰ−３，Ｐ−７の双方の絶縁状態が良好で、検査ポイントＰ−４，Ｐ−８間に絶縁不良が生じている検査対象基板２０では、上記の第２検査処理における２つ目の検査グループを対象とする検査に際して、２回目の処理において絶縁状態が不良と検査されると共に、電流値の測定処理などが実行されることなく、４回目の処理の対象に絶縁不良箇所が存在すると検査される。この結果、この２つ目の検査グループについては、絶縁不良が生じていると検査した処理が２回だけとなる。この例では、１回目の処理についての検査結果データＤ３は、検査ポイントＰ−３が検査ポイントＰ−４，Ｐ−７，Ｐ−８のいずれに対しても絶縁状態が良好であるとの検査結果を表し、２回目の処理についての検査結果データＤ３は、検査ポイントＰ−３，Ｐ−７，Ｐ−８のうちのいずれかと検査ポイントＰ−４との間に絶縁不良が生じているとの検査結果を表し、３回目の処理についての検査結果データＤ３は、検査ポイントＰ−７が検査ポイントＰ−３，Ｐ−４，Ｐ−８のいずれに対しても絶縁状態が良好であるとの検査結果を表し、４回目の処理についての検査結果データＤ３は、検査ポイントＰ−３，Ｐ−４，Ｐ−７のうちのいずれかと検査ポイントＰ−８との間に絶縁不良が生じているとの検査結果を表している。このため、第２検査処理に際して絶縁状態が不良と検査した処理の回数が２回だけの２つ目の検査グループについては、第３検査処理を実行するまでもなく、検査ポイントＰ−４，Ｐ−８間に絶縁不良が生じていると確定することができる。したがって、制御部８は、この２つ目の検査グループを対象とする個別検査（検査手順データＤ１の生成）を不要と判別する。
Further, as an example, in the
一方、一例として、検査ポイントＰ−９，Ｐ−１０間、および検査ポイントＰ−１３，Ｐ−１４間に絶縁不良が生じている検査対象基板２０では、上記の第２検査処理における３つ目の検査グループを対象とする検査に際して、１回目から４回目までの４回の処理において絶縁状態が不良と検査される。この結果、この３つ目の検査グループについては、絶縁不良が生じていると検査した処理が４回となる（「第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した第２処理の回数が３回以上との条件を満たす検査グループ」の一例）。したがって、制御部８は、この３つ目の検査グループを対象とする個別検査（検査手順データＤ１の生成）が必要と判別し、検査手順データＤ１を生成する。
On the other hand, as an example, in the
具体的には、制御部８は、一例として、検査ポイントＰ−９，Ｐ−１０間の個別検査、検査ポイントＰ−９，Ｐ−１３間の個別検査、検査ポイントＰ−９，Ｐ−１４間の個別検査、検査ポイントＰ−１０，Ｐ−１３間の個別検査、検査ポイントＰ−１０，Ｐ−１４間の個別検査、および検査ポイントＰ−１３，Ｐ−１４間の個別検査をこの順で実行すると共に、各個別検査に際して、検査ポイント番号が小さい検査ポイントＰをＬ電位に接続し、検査ポイント番号が大きい検査ポイントＰをＨ電位に接続するように検査手順データＤ１を生成する。これにより、３つ目の検査グループに属する検査ポイントＰ−９，Ｐ−１０，Ｐ−１３，Ｐ−１４の絶縁状態を検査するための検査手順データＤ１が記憶部９に記憶される。なお、一例として、４つ目の検査グループについては、上記の第２検査処理において絶縁状態が不良と検査した処理が存在しないものとする。したがって、この４つ目の検査グループについては、第２検査処理の完了時点において絶縁状態が良好と検査されて、第３検査処理の対象から除外される。
Specifically, as an example, the
次いで、制御部８は、検査対象基板２０に対する第３検査処理を実行する（ステップ４９）。この第３検査処理では、制御部８は、まず、前述した第２検査処理において記憶部９に記憶させた検査結果データＤ３に基づき、１つ目の検査グループについては、検査ポイントＰ−２，Ｐ−５間に絶縁不良が生じていると検査して（確定して）検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させ、２つ目の検査グループについては、検査ポイントＰ−４，Ｐ−８間に絶縁不良が生じていると検査して（確定して）検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。次いで、制御部８は、記憶部９に記憶させた検査手順データＤ１に基づき、３つ目の検査グループを対象として上記の６つの個別検査（「第３処理」の一例）を順次実行し（「Ｌａ（Ｌａ−１）／２＝Ｋａとの条件を満たすＫａ回以下のＫｂ回」が「４（４ａ−１）／２＝６回」である例）、各個別検査毎の検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。
Next, the
この例では、検査ポイントＰ−９，Ｐ−１０間の個別検査、および検査ポイントＰ−１３，Ｐ−１４間の個別検査において絶縁状態が不良と検査され、他の４回の個別検査において絶縁状態が良好と検査される。これにより、第３検査処理が完了する。なお、上記の例とは相違するが、上記の６つの個別検査の１回目から５回目までのすべてにおいて絶縁状態が良好と検査した場合には、６回目の個別検査（第３処理）を実行するまでもなく、６回目の個別検査の対象に絶縁不良が生じていると検査することができる。したがって、このような例においては、制御部８は、６回目の個別検査を実行することなく、その検査対象に絶縁不良が生じていると検査して検査結果データＤ３を記憶させる（「Ｋａ＝６、Ｋｂ＝５」の例）。
In this example, the insulation state is inspected as defective in the individual inspection between the inspection points P-9 and P-10 and the individual inspection between the inspection points P-13 and P-14, and the insulation is performed in the other four individual inspections. The condition is inspected as good. Thereby, the third inspection process is completed. Although different from the above example, if the insulation state is in good condition in all of the six individual inspections from the first to the fifth, the sixth individual inspection (third process) is executed. Needless to say, it can be inspected that an insulation failure has occurred in the subject of the sixth individual inspection. Therefore, in such an example, the
続いて、制御部８は、上記の一連の検査処理において記憶部９に記憶させたすべての検査結果データＤ３に基づき、絶縁不良箇所を特定して（ステップ４７）、特定結果（検査結果）を表示部７に表示させて、この絶縁検査処理４０を終了する。これにより、第２検査処理時に記憶部９に記憶させた検査結果データＤ３に基づいて検査ポイントＰ−２，Ｐ−５間、および検査ポイントＰ−４，Ｐ−８間に絶縁不良が生じていると特定されると共に、第３検査処理時に記憶部９に記憶させた検査結果データＤ３に基づいて検査ポイントＰ−９，Ｐ−１０間、および検査ポイントＰ−１３，Ｐ−１４間に絶縁不良が生じていると特定されて、その結果が表示部７に表示される。
Subsequently, the
この場合、上記したように、検査ポイントＰ−１〜Ｐ−１６までの１６箇所の検査ポイントＰを有する検査対象基板２０については、絶縁検査装置１、および出願人が開発している絶縁検査装置の双方で、第１検査処理（マルチプル検査）において、「ｌｏｇ２１６＝４」回の検査が実行される。また、検査ポイントＰ−２，Ｐ−４間の１箇所だけに絶縁不良が生じていたときに、出願人が開発している絶縁検査装置では、バルクショート検査において、すべての検査ポイントＰを対象として「１６−１＝１５」回の検査が実行された後に、バルクショート検査において絶縁不良が生じていると検査された処理（この例では、検査ポイントＰ−２をＬ電位に接続すると共に検査ポイントＰ−３〜Ｐ−１６をＨ電位に接続した状態で行われる検査）の対象の検査ポイントＰについて、１４回の個別検査が実行されることで検査ポイントＰ−２，Ｐ−４間に絶縁不良が生じていると特定される。したがって、このような例において、出願人が開発している絶縁検査装置では、１枚の検査対象基板２０に対して実行する総検査回数が「４＋１５＋１４＝３３」回となる。
In this case, as described above, for the
これに対して、この絶縁検査装置１では、前述したように、第２検査処理において、８つの検査グループ毎に「２Ｍｄ＝２１＝Ｌｃ＝２＞Ｌｄ＝１」回の検査（第２処理）が実行されて、この第２検査処理における検査回数が８回となるだけでなく、第３検査処理を実行することなく、検査ポイントＰ−２，Ｐ−４間に絶縁不良が生じていると特定される。したがって、このような例において、絶縁検査装置１では、１枚の検査対象基板２０に対して実行する総検査回数は「４＋８＝１２」回だけとなる。この場合、この種の絶縁検査装置（絶縁検査方法）の対象の回路基板（検査対象基板２０）では、絶縁不良箇所が存在しないか、または、存在したとしても数カ所程度となっている。このため、絶縁不良箇所が１箇所程度の検査対象基板２０についての検査に要する時間を短縮し得る絶縁検査装置１では、数多くの検査対象基板２０について、その検査に要する時間が短縮されることが理解できる。
On the other hand, in this
一方、検査ポイントＰ−２，Ｐ−５間、検査ポイントＰ−４，Ｐ−８間、検査ポイントＰ−９，Ｐ−１０間、および検査ポイントＰ−１３，Ｐ−１４間の４箇所だけに絶縁不良が生じていたときに、出願人が開発している絶縁検査装置では、マルチプル検査において「ｌｏｇ２１６＝４」回の検査が実行され、バルクショート検査において「１６−１＝１５」回の検査が実行された後に、バルクショート検査において絶縁不良が生じていると検査された処理（この例では、検査ポイントＰ−２をＬ電位に接続すると共に検査ポイントＰ−３〜Ｐ−１６をＨ電位に接続した状態で行われる検査、検査ポイントＰ−４をＬ電位に接続すると共に検査ポイントＰ−５〜Ｐ−１６をＨ電位に接続した状態で行われる検査、検査ポイントＰ−９をＬ電位に接続すると共に検査ポイントＰ−１０〜Ｐ−１６をＨ電位に接続した状態で行われる検査、および検査ポイントＰ−１３をＬ電位に接続すると共に検査ポイントＰ−１４〜Ｐ−１６をＨ電位に接続した状態で行われる検査の４つ）の対象について、「１４＋１２＋７＋３＝３６」回の個別検査が実行されることで上記の各検査ポイント間に絶縁不良が生じていると特定される。したがって、このような例において、出願人が開発している絶縁検査装置では、１枚の検査対象基板２０に対して実行する総検査回数が「４＋１５＋３６＝５５」回となる。
On the other hand, only four points between inspection points P-2 and P-5, between inspection points P-4 and P-8, between inspection points P-9 and P-10, and between inspection points P-13 and P-14. In the insulation inspection apparatus developed by the applicant when the insulation failure occurs in the test, “log 2 16 = 4” inspections are performed in the multiple inspection, and “16-1 = 15” in the bulk short inspection. After the inspection has been executed a number of times, a process inspected that an insulation failure has occurred in the bulk short inspection (in this example, the inspection point P-2 is connected to the L potential and the inspection points P-3 to P-16 are connected). And inspection point P-9, in which the inspection point P-4 is connected to the L potential and the inspection points P-5 to P-16 are connected to the H potential. L And inspection points P-10 to P-16 connected to H potential, and inspection point P-13 to L potential and inspection points P-14 to P-16 to H potential The four (4) inspections to be performed in the state of being connected to (1) are identified as “14 + 12 + 7 + 3 = 36” individual inspections are performed, so that an insulation failure has occurred between the inspection points. Therefore, in such an example, in the insulation inspection apparatus developed by the applicant, the total number of inspections performed on one
これに対して、絶縁検査装置１では、前述したように、第１検査処理において、４回の検査が実行された後に、第２検査処理において、１つ目の検査グループを対象とする４回の検査、２つ目の検査グループを対象とする３回の検査、３つ目の検査グループを対象とする４回の検査、および４つ目の検査グループを対象とする３回の検査の「４＋３＋４＋３＝１４」回の検査が実行され、その後に、３つ目の検査グループを対象とする６回の検査が実行されることで上記の各検査ポイント間に絶縁不良が生じていると特定される。したがって、このような例において、絶縁検査装置１では、１枚の検査対象基板２０に対して実行する総検査回数は「４＋１４＋６＝２４」回だけとなる。したがって、絶縁不良箇所が複数存在する場合においても、１枚の検査対象基板２０の検査時間が十分に短縮されるのを理解することができる。
On the other hand, in the
このように、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法では、例えば、Ｎ＝１６箇所の検査ポイントＰのうちのＭａ＝８箇所の検査ポイントＰをＬ電位に接続すると共にＮ＝１６箇所の検査ポイントＰのうちのＭｂ＝８箇所の検査ポイントＰをＨ電位に接続した状態において測定した電流値に基づいてＭａ＝８箇所の検査ポイントＰおよびＭｂ＝８箇所の検査ポイントＰの間の絶縁状態を検査する第１処理をＭｃ＝４回実行する第１検査処理と（絶縁検査処理４０におけるステップ４２）、Ｍｃ＝４回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したときにいずれの第１処理において不良と検査したかに基づいて、例えばＬａ＝４箇所の検査ポイントＰが属する検査グループを規定してＬａ＝４箇所の検査ポイントＰのうちのＬｂ＝３箇所の検査ポイントＰをＨ電位に接続すると共にＬｂ＝３箇所以外の１箇所の検査ポイントＰをＬ電位に接続した状態において測定した電流値に基づいてＬｂ＝３箇所の検査ポイントＰおよび１箇所の検査ポイントＰの間の絶縁状態を検査する第２処理を検査グループ毎にＬｃ＝４回以下のＬｄ回実行する第２検査処理と（絶縁検査処理４０におけるステップ４５）、第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した検査グループを対象としてＬａ＝４箇所の検査ポイントＰのうちの１箇所の検査ポイントＰをＬ電位に接続すると共にＬａ＝４箇所の検査ポイントＰのうちの他の１箇所の検査ポイントＰをＨ電位に接続した状態において測定した電流値に基づいて１箇所の検査ポイントＰおよび他の１箇所の検査ポイントＰの間の絶縁状態を検査する第３処理を検査グループ毎にＫａ回以下のＫｂ回実行する第３検査処理とを実行して（絶縁検査処理４０におけるステップ４９）、Ｎ＝１６箇所の検査ポイントＰの絶縁状態を検査する際に、第２検査処理時には、１回目から３回目までの３回の第２処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときに４回目の第２処理を実行することなく４回目の第２処理の検査対象を良好と検査すると共に、３回の第２処理のうちの１回だけにおいて絶縁状態が不良と検査したときに４回目の第２処理を実行することなく４回目の第２処理の検査対象を不良と検査し、第３検査処理時には、第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した第２処理の回数が２回だけの検査グループを対象として第３処理を実行することなく、その２回の第２処理においてＬ電位に接続した１箇所の検査ポイントＰ同士の絶縁状態が不良と検査すると共に、第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した第２処理の回数が３回以上との条件を満たす検査グループを対象として第３処理を実行する。
Thus, in this
したがって、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、第１検査処理（ステップ４２）において絶縁状態が不良と検査した処理の回数が１回だけのときに、その検査結果に基づいて実行する第２検査処理（ステップ４５）が、実質的には第３検査処理（ステップ４９）の検査内容そのものとなるため（言い換えれば、第１検査処理の後に、第２検査処理を実行することなく第３検査処理を実行することとなるため）、このような例では、第１検査処理（マルチプル検査）、第２検査処理（バルクショート検査）、および第３検査処理（個別検査）をこの順で実行する構成および検査方法と比較して、第３検査処理（または、第２検査処理）の分だけ、絶縁不良箇所が存在する検査対象基板２０を対象とする検査に要する時間を十分に短縮する（処理回数を十分に低減させる）ことができる。また、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、第１検査処理（ステップ４２）において絶縁状態が不良と検査した処理の回数が複数回となり、これに起因して、第２検査処理における各検査グループに属する検査ポイントＰの数が複数となって各検査グループ毎の処理回数が複数回となった場合においても、最後の１回を除く各処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したとき、および最後の１回を除く各処理のうちの１回だけで絶縁状態が不良と検査したときに、最後の１回の処理を実行することなく、その検査対象の絶縁状態が検査されるため、すべての検査ポイントＰを対象としてバルクショート検査を実行する構成および方法と比較して、第２検査処理において複数の検査グループ毎に検査することで、最後の１回の処理を実行しなくて済む可能性が高まる結果、絶縁不良箇所が存在する検査対象基板２０を対象とする検査に要する時間を十分に短縮する（処理回数を十分に低減させる）ことができる。さらに、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した第２処理の回数が２回だけの検査グループを対象として第３処理を実行することなく、その２回の第２処理においてＬ電位に接続した検査ポイントＰ同士の絶縁状態が不良と検査することにより、このような検査結果となる検査対象基板２０については、第３検査処理における処理回数を十分に低減することができるため、絶縁不良箇所が存在する検査対象基板２０を対象とする検査に要する時間を十分に短縮することができる。
Therefore, according to the
また、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、絶縁検査処理４０における第１検査処理（ステップ４２）において、各Ａａ番目の各検査ポイントＰ（Ａａは、（Ａａ−１）をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右からＢ桁目（Ｂは、１からＭｃ＝４までの各整数）の値が０との条件を満たすＮ＝１６以下の各整数）と、各Ａｂ番目の各検査ポイントＰ（Ａｂは、（Ａｂ−１）をＭｃ＝４桁の２進数で表したときに右からＢ桁目の値が１との条件を満たすＮ＝１６以下の各整数）とのいずれかをＭａ＝８箇所の検査ポイントＰとしてＬ電位に接続すると共に他の各検査ポイントＰをＭｂ＝８箇所の検査ポイントＰとしてＨ電位に接続して絶縁状態を検査し、絶縁検査処理４０における第２検査処理（ステップ４５）において、各Ｄａ番目の各検査ポイントＰ（Ｄａは、各ＡａのうちのいずれかのＡａ、およびいずれかのＡａから１を引いた数を表すＭｃ＝４桁の２進数における右からＣ桁目の値を反転させた２進数で表される数に１を足したＮ＝１６以下の各整数で、Ｃは、絶縁状態が不良と検査した各第１処理時にＬ電位に接続した各Ａａ番目の検査ポイントＰについてのＢ桁目のＢと同じ各整数）と、各Ｄｂ番目の各検査ポイントＰ（Ｄｂは、各ＡｂのうちのいずれかのＡｂ、およびいずれかのＡｂから１を引いた数を表すＭｃ＝４桁の２進数における右からＣ桁目の値を反転させた２進数で表される数に１を足したＮ＝１６以下の各整数）とのいずれかをＬａ＝４箇所の検査ポイントＰとして絶縁状態を検査することにより、検査対象基板２０を検査するのに必要な検査手順データＤ１の生成を自動化することができるため、この検査手順データＤ１の生成に要する時間を含めた絶縁検査処理４０全体の時間を十分に短縮することができる。
Further, according to the insulation inspection method by the
なお、絶縁検査装置の構成および絶縁検査方法は、上記の絶縁検査装置１、およびその絶縁検査方法に限定されない。例えば、絶縁検査処理４０における第２検査処理（ステップ４５）において、１つの検査グループに属する４つの検査ポイントＰのうちの１つをＬ電位に接続すると共に、他の３つの検査ポイントＰのすべてをＨ電位に接続し、これらの接続対象の組合わせを変更して複数回の処理を実行する例について説明したが、絶縁検査装置の構成および絶縁検査方法は、これに限定されない。具体的には、図５に示すように、各検査グループ毎に実行する複数回の処理において、各処理の検査結果に応じて、Ｈ電位に接続する検査ポイントＰの数を減少させる構成および方法を採用することができる。なお、同図に示す第２検査処理以外の各処理については、前述した絶縁検査処理４０と同様であるため、その説明を省略する。また、同図では、検査ポイントＰ−２，Ｐ−５間、検査ポイントＰ−４，Ｐ−８間、検査ポイントＰ−９，Ｐ−１０間、および検査ポイントＰ−１３，Ｐ−１４間に絶縁不良が生じている際に実行される第２検査処理を表している。
The configuration of the insulation inspection device and the insulation inspection method are not limited to the above-described
この例では、第１検査処理におけるＭｃ＝４回の第１処理のうちの１回目の処理と３回目の処理との２回において絶縁状態が不良と検査したときに、前述した絶縁検査処理４０における第１検査処理（ステップ４２）の完了後と同様にして、４つの検査グループが制御部８によって規定されて、検査手順データＤ１が生成される。なお、同図に示す接続態様で実行される第２検査処理時においても、処理開始時点においては、前述した絶縁検査処理４０における第２検査処理（ステップ４５）用の検査手順データＤ１と同様の検査手順データＤ１が生成される。
In this example, when the insulation state is inspected in two times of the first process and the third process of Mc = 4 times in the first inspection process, the above-described
次いで、制御部８は、検査手順データＤ１に応じて接続切替え部５に制御信号Ｓ１を出力することにより、各プローブ３と測定部４（Ｌ電位およびＨ電位）との接続状態を１つ目の検査グループに対する２回目の処理に応じた接続態様に切り替えさせる。具体的には、検査ポイントＰ−１（「Ｌｂａ箇所以外の１箇所の検査ポイント」の一例）をＬ電位に接続させると共に検査ポイントＰ−２，Ｐ−５，Ｐ−６（「Ｌｂａ箇所以下のＬｂｂ箇所の検査ポイント」の一例：この例では、Ｌｂａ＝Ｌｂｂ）をＨ電位に接続させ、検査ポイントＰ−３，Ｐ−４，Ｐ−７〜Ｐ１６については、測定部４から切り離した状態に接続態様を切り替えさせる。続いて、制御部８は、測定部４に制御信号Ｓ２を出力して、検査用電圧の印加および電流値の測定を実行させると共に、測定部４から出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰ−１と検査ポイントＰ−２，Ｐ−５，Ｐ−６との間に絶縁不良が生じているか否かを検査する。これにより、１つ目の検査グループに属する「Ｌａ＝４」箇所の検査ポイントＰについての１回目の処理が完了し、この例では、絶縁状態が良好と検査される。
Next, the
したがって、制御部８は、絶縁状態が良好と検査した上記の処理時にＬ電位に接続した検査ポイントＰ−１をその検査グループを対象としてその後に実行する処理時にＨ電位に接続することなく絶縁状態を検査する。具体的には、制御部８は、１つ目の検査グループを対象とする２回目の処理に際して、検査ポイントＰ−２（「Ｌｂａ箇所以外の１箇所の検査ポイント」の他の一例）をＬ電位に接続させると共に検査ポイントＰ−５，Ｐ−６（「Ｌｂａ箇所以下のＬｂｂ箇所の検査ポイント」の他の一例）をＨ電位に接続させ、検査ポイントＰ−１，Ｐ−３，Ｐ−４，Ｐ−７〜Ｐ１６については、測定部４から切り離した状態に接続態様を切り替えさせる。続いて、制御部８は、測定部４に制御信号Ｓ２を出力して、検査用電圧の印加および電流値の測定を実行させると共に、測定部４から出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰ−２と検査ポイントＰ−５，Ｐ−６との間に絶縁不良が生じているか否かを検査する。これにより、１つ目の検査グループに属する「Ｌａ＝４」箇所の検査ポイントＰについての２回目の処理が完了し、この例では、絶縁状態が不良と検査される。
Therefore, the
したがって、制御部８は、絶縁状態が良好と検査した１回目の処理の後の２回目の処理時とは異なり、３回目以降の処理時には、上記の処理時にＬ電位に接続した検査ポイントＰ−２をＨ電位に接続して絶縁状態を検査する。具体的には、制御部８は、１つ目の検査グループを対象とする３回目の処理に際して、検査ポイントＰ−５（「Ｌｂａ箇所以外の１箇所の検査ポイント」のさらに他の一例）をＬ電位に接続させると共に検査ポイントＰ−２，Ｐ−６（「Ｌｂａ箇所以下のＬｂｂ箇所の検査ポイント」のさらに他の一例）をＨ電位に接続させ、検査ポイントＰ−１，Ｐ−３，Ｐ−４，Ｐ−７〜Ｐ１６については、測定部４から切り離した状態に接続態様を切り替えさせる。続いて、制御部８は、測定部４に制御信号Ｓ２を出力して、検査用電圧の印加および電流値の測定を実行させると共に、測定部４から出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰ−５と検査ポイントＰ−２，Ｐ−６との間に絶縁不良が生じているか否かを検査する。これにより、１つ目の検査グループに属する「Ｌａ＝４」箇所の検査ポイントＰについての３回目の処理が完了し、この例では、絶縁状態が不良と検査される。
Therefore, the
この後、１つ目の検査グループに属する「Ｌａ＝４」箇所の検査ポイントＰについての４回目の処理についても、上記の３回目の処理と同様に実行され、この例では、絶縁状態が良好と検査される。これにより、この検査グループを対象とする検査が完了する。このように、絶縁状態が良好と検査した上記の処理時にＬ電位に接続した検査ポイントＰをその検査ポイントＰが属する検査グループを対象としてその後に実行する処理時にＨ電位に接続することなく絶縁状態を検査する構成（方法）を採用した場合においても、前述した絶縁検査処理４０を実行する絶縁検査装置１およびその絶縁検査方法と同様の検査回数（処理回数）で、同様の検査結果を得ることができる。したがって、このような絶縁検査処理を実行する構成を採用した絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、前述した絶縁検査処理４０を実行する構成の絶縁検査装置１、およびその絶縁検査装置１による絶縁検査方法と同様の効果を奏することができる。
Thereafter, the fourth process for the inspection point P at “La = 4” belonging to the first inspection group is also performed in the same manner as the third process, and in this example, the insulation state is good. And inspected. Thereby, the inspection for this inspection group is completed. As described above, the inspection point P connected to the L potential at the time of the above-described processing in which the insulation state is good is insulated without being connected to the H potential at the time of subsequent processing for the inspection group to which the inspection point P belongs. Even when the configuration (method) for inspecting is adopted, the same inspection result can be obtained with the same number of inspections (number of processing times) as the
１ 絶縁検査装置
２ テストヘッド
３−１〜３−Ｎ プローブ
４ 測定部
５ 接続切替え部
８ 制御部
９ 記憶部
２０ 検査対象基板
４０ 絶縁検査処理
Ｄ０ 検査ポイントデータ
Ｄ１ 検査手順データ
Ｄ２ 測定データ
Ｄ３ 検査結果データ
Ｐ−１〜Ｐ−Ｎ 検査ポイント
Ｓ１，Ｓ２ 制御信号
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記検査部は、前記Ｎ箇所の検査ポイントをＭａ箇所の当該検査ポイントおよびＭｂ箇所の当該検査ポイント（ＭａおよびＭｂは、Ｍａ＋Ｍｂ＝Ｎとの条件を満たす整数）に分けて当該Ｍａ箇所の検査ポイントを前記一方の電位に接続すると共に当該Ｍｂ箇所の検査ポイントを前記他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｍａ箇所の検査ポイントおよび当該Ｍｂ箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第１処理をｌｏｇ２（Ｍａ＋Ｍｂ）＝Ｍｃ（端数切り上げ）との条件を満たすＭｃ回実行する第１検査処理と、前記Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したときにいずれの当該第１処理において不良と検査したかに基づいてＬａ箇所の検査ポイント（Ｌａは、２以上Ｎ以下の整数）が属する検査グループを規定して当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちのＬｂ箇所の検査ポイント（Ｌｂは、（Ｌａ−１）との条件を満たす整数）を前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌｂ箇所以外の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｌｂ箇所の検査ポイントおよび当該１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第２処理を当該検査グループ毎に２Ｍｄ＝Ｌｃ（Ｍｄは、前記第１検査処理において絶縁状態が不良と検査した前記第１処理の回数）との条件を満たすＬｃ回以下のＬｄ回実行する第２検査処理と、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記検査グループを対象として前記Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの１箇所の検査ポイントを前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの他の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該１箇所の検査ポイントおよび当該他の１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第３処理を当該検査グループ毎にＬａ（Ｌａ−１）／２＝Ｋａとの条件を満たすＫａ回以下のＫｂ回実行する第３検査処理とを実行して前記Ｎ箇所の検査ポイントの絶縁状態を検査可能に構成され、前記第２検査処理時には、１回目から（Ｌｃ−１）回目までの（Ｌｃ−１）回の前記第２処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときにＬｃ回目の前記第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を良好と検査すると共に、当該（Ｌｃ−１）回の第２処理のうちの１回だけにおいて絶縁状態が不良と検査したときに当該Ｌｃ回目の第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を不良と検査し、前記第３検査処理時には、前記第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記第２処理の回数が２回だけの前記検査グループを対象として前記第３処理を実行することなく当該２回の第２処理において前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイント同士の絶縁状態が不良と検査すると共に、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した当該第２処理の回数が３回以上との条件を満たす前記検査グループを対象として前記第３処理を実行する絶縁検査装置。 A part of N inspection points from 1 to N (N is an integer of 2 or more) is connected to one of a high potential and a low potential, and among the N inspection points. In the state where the other part is connected to the other potential, the electrical parameter between the inspection point connected to the one potential and the inspection point connected to the other potential is measured and the measured electricity Insulation inspection apparatus provided with an inspection unit for inspecting the insulation state of each inspection point based on a physical parameter,
The inspection unit divides the N inspection points into Ma inspection points and Mb inspection points (Ma and Mb are integers satisfying the condition Ma + Mb = N) and the Ma inspection points. Between the inspection point at the Ma location and the inspection point at the Mb location on the basis of the electrical parameter measured in a state where the inspection point at the Mb location is connected to the other potential. Insulation state is poor in any of the first inspection process for executing the first process for inspecting the insulation state Mc times satisfying the condition of log 2 (Ma + Mb) = Mc (rounded up) and the first process of Mc times. In accordance with which of the first processes the defect is inspected, the La inspection point (La is 2 or more) The inspection group to which the following integer) belongs is defined, and the inspection point at Lb among the inspection points at the La location (Lb is an integer satisfying the condition of (La-1)) is designated as the high potential and the low potential. The inspection point at the Lb location and the inspection at the one location based on the electrical parameters measured in a state where one inspection point other than the Lb location is connected to the other potential. The second process for inspecting the insulation state between the points is defined as 2 Md = Lc for each inspection group (Md is the number of times of the first process in which the insulation state is inspected in the first inspection process). A second inspection process executed Ld times less than or equal to Lc times to be satisfied, and an inspection of the La location for the inspection group in which the insulation state is inspected to be defective during the second inspection process One inspection point of the int is connected to one of the high potential and the low potential, and the other one of the inspection points of the La is connected to the other potential. A third process for inspecting the insulation state between the one inspection point and the other one inspection point based on the electrical parameter measured in the state is performed for each inspection group by La (La-1) / It is configured to be able to inspect the insulation state of the N inspection points by executing a third inspection process that is executed Kb times or less that satisfies the condition of 2 = Ka, and the first time during the second inspection process. When the insulation state is inspected to be good in all of the (Lc-1) times of the second processing from the first time to (Lc-1) times, the Lc time without executing the second processing. When the inspection object of the second process of the second time is inspected to be good and the insulation state is inspected as defective in only one of the (Lc-1) second processes, the second process of the Lc time is performed. Without performing, the inspection target of the second process of the Lc time is inspected to be defective, and at the time of the third inspection process, the number of times of the second process in which the insulation state is inspected to be defective at the second inspection process is only two times. Inspecting that the insulation state of the one inspection point connected to the other potential is defective in the two second processes without performing the third process for the inspection group, and the second 2. An insulation inspection apparatus that performs the third process for the inspection group that satisfies the condition that the number of times of the second process in which the insulation state is inferior during the two inspection processes satisfies the condition that the number of times is 3 or more.
前記検査部は、前記Ｎ箇所の検査ポイントをＭａ箇所の当該検査ポイントおよびＭｂ箇所の当該検査ポイント（ＭａおよびＭｂは、Ｍａ＋Ｍｂ＝Ｎとの条件を満たす整数）に分けて当該Ｍａ箇所の検査ポイントを前記一方の電位に接続すると共に当該Ｍｂ箇所の検査ポイントを前記他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｍａ箇所の検査ポイントおよび当該Ｍｂ箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第１処理をｌｏｇ２（Ｍａ＋Ｍｂ）＝Ｍｃ（端数切り上げ）との条件を満たすＭｃ回実行する第１検査処理と、前記Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したときにいずれの当該第１処理において不良と検査したかに基づいてＬａ箇所の検査ポイント（Ｌａは、２以上Ｎ以下の整数）が属する検査グループを規定して当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちのＬｂａ箇所以下のＬｂｂ箇所の検査ポイント（Ｌｂａは、（Ｌａ−１）との条件を満たす整数）を前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌｂａ箇所以外の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｌｂｂ箇所の検査ポイントおよび当該１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第２処理を当該検査グループ毎に２Ｍｄ＝Ｌｃ（Ｍｄは、前記第１検査処理において絶縁状態が不良と検査した前記第１処理の回数）との条件を満たすＬｃ回以下のＬｄ回実行する第２検査処理と、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記検査グループを対象として前記Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの１箇所の検査ポイントを前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの他の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該１箇所の検査ポイントおよび当該他の１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第３処理を当該検査グループ毎にＬａ（Ｌａ−１）／２＝Ｋａとの条件を満たすＫａ回以下のＫｂ回実行する第３検査処理とを実行して前記Ｎ箇所の検査ポイントの絶縁状態を検査可能に構成され、前記第２検査処理時には、絶縁状態が良好と検査した前記第２処理時に前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイントを当該１箇所の検査ポイントが属する前記検査グループを対象としてその後に実行する前記第２処理時に前記一方の電位に接続することなく絶縁状態を検査すると共に、１回目から（Ｌｃ−１）回目までの（Ｌｃ−１）回の前記第２処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときにＬｃ回目の前記第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を良好と検査すると共に、当該（Ｌｃ−１）回の第２処理のうちの１回だけにおいて絶縁状態が不良と検査したときに当該Ｌｃ回目の第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を不良と検査し、前記第３検査処理時には、前記第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記第２処理の回数が２回だけの前記検査グループを対象として前記第３処理を実行することなく当該２回の第２処理において前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイント同士の絶縁状態が不良と検査すると共に、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した当該第２処理の回数が３回以上との条件を満たす前記検査グループを対象として前記第３処理を実行する絶縁検査装置。 A part of N inspection points from 1 to N (N is an integer of 2 or more) is connected to one of a high potential and a low potential, and among the N inspection points. In the state where the other part is connected to the other potential, the electrical parameter between the inspection point connected to the one potential and the inspection point connected to the other potential is measured and the measured electricity Insulation inspection apparatus provided with an inspection unit for inspecting the insulation state of each inspection point based on a physical parameter,
The inspection unit divides the N inspection points into Ma inspection points and Mb inspection points (Ma and Mb are integers satisfying the condition Ma + Mb = N) and the Ma inspection points. Between the inspection point at the Ma location and the inspection point at the Mb location on the basis of the electrical parameter measured in a state where the inspection point at the Mb location is connected to the other potential. Insulation state is poor in any of the first inspection process for executing the first process for inspecting the insulation state Mc times satisfying the condition of log 2 (Ma + Mb) = Mc (rounded up) and the first process of Mc times. In accordance with which of the first processes the defect is inspected, the La inspection point (La is 2 or more) The inspection group to which the following integer) belongs is defined, and the inspection point at the Lbb portion below the Lba portion of the inspection points at the La portion (Lba is an integer satisfying the condition of (La-1)) is the high potential. And an inspection point at the Lbb location based on the electrical parameter measured in a state where one inspection point other than the Lba location is connected to the other potential and connected to one of the low potentials. The second process for inspecting the insulation state between one inspection point is performed for each inspection group by 2 Md = Lc (Md is the number of times of the first process in which the insulation state is inspected in the first inspection process). The second inspection process executed Ld times or less Lc times satisfying the condition and the inspection group in which the insulation state is inspected to be defective during the second inspection process Then, one inspection point of the La inspection points is connected to one of the high potential and the low potential, and another inspection point of the La inspection points is connected. A third process for inspecting the insulation state between the one inspection point and the other one inspection point on the basis of the electrical parameter measured in a state in which the first inspection point is connected to the other potential. A third inspection process that is executed Kb times or less Ka times that satisfies the condition of La (La-1) / 2 = Ka, and is configured to be able to inspect the insulation state of the N inspection points; In the two inspection processes, the one inspection point connected to the other potential in the second process, which has been inspected as being in a good insulation state, is the inspection point to which the one inspection point belongs. During the second processing to be performed later for the group, the insulation state is inspected without being connected to the one potential, and the second (Lc-1) times from the first time to the (Lc-1) th time. When the insulation state is inspected in all of the processes, the inspection target of the second process of the Lc time is inspected as good without executing the second process of the Lc time, and the (Lc-1) times When the insulation state is inspected as defective only once in the second process, the inspection target of the second process of the Lc is inspected as defective without executing the second process of the Lc. During the inspection process, the second process is performed twice without executing the third process for the inspection group in which the number of times of the second process in which the insulation state is inferior during the second inspection process is only two. Before A condition that the insulation state of the one inspection point connected to the other potential is inspected as defective and that the number of times of the second process in which the insulation state is inferior in the second inspection process is three or more. An insulation inspection apparatus that performs the third process on the inspection group that satisfies the above.
前記Ｎ箇所の検査ポイントをＭａ箇所の当該検査ポイントおよびＭｂ箇所の当該検査ポイント（ＭａおよびＭｂは、Ｍａ＋Ｍｂ＝Ｎとの条件を満たす整数）に分けて当該Ｍａ箇所の検査ポイントを前記一方の電位に接続すると共に当該Ｍｂ箇所の検査ポイントを前記他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｍａ箇所の検査ポイントおよび当該Ｍｂ箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第１処理をｌｏｇ２（Ｍａ＋Ｍｂ）＝Ｍｃ（端数切り上げ）との条件を満たすＭｃ回実行する第１検査処理と、前記Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したときにいずれの当該第１処理において不良と検査したかに基づいてＬａ箇所の検査ポイント（Ｌａは、２以上Ｎ以下の整数）が属する検査グループを規定して当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちのＬｂ箇所の検査ポイント（Ｌｂは、（Ｌａ−１）との条件を満たす整数）を前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌｂ箇所以外の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｌｂ箇所の検査ポイントおよび当該１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第２処理を当該検査グループ毎に２Ｍｄ＝Ｌｃ（Ｍｄは、前記第１検査処理において絶縁状態が不良と検査した前記第１処理の回数）との条件を満たすＬｃ回以下のＬｄ回実行する第２検査処理と、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記検査グループを対象として前記Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの１箇所の検査ポイントを前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの他の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該１箇所の検査ポイントおよび当該他の１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第３処理を当該検査グループ毎にＬａ（Ｌａ−１）／２＝Ｋａとの条件を満たすＫａ回以下のＫｂ回実行する第３検査処理とを実行して前記Ｎ箇所の検査ポイントの絶縁状態を検査する際に、前記第２検査処理時には、１回目から（Ｌｃ−１）回目までの（Ｌｃ−１）回の前記第２処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときにＬｃ回目の前記第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を良好と検査すると共に、当該（Ｌｃ−１）回の第２処理のうちの１回だけにおいて絶縁状態が不良と検査したときに当該Ｌｃ回目の第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を不良と検査し、前記第３検査処理時には、前記第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記第２処理の回数が２回だけの前記検査グループを対象として前記第３処理を実行することなく当該２回の第２処理において前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイント同士の絶縁状態が不良と検査すると共に、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した当該第２処理の回数が３回以上との条件を満たす前記検査グループを対象として前記第３処理を実行する絶縁検査方法。 A part of N inspection points from 1 to N (N is an integer of 2 or more) is connected to one of a high potential and a low potential, and among the N inspection points. In the state where the other part is connected to the other potential, the electrical parameter between the inspection point connected to the one potential and the inspection point connected to the other potential is measured and the measured electricity An insulation inspection method for inspecting an insulation state of each inspection point based on a physical parameter,
The N inspection points are divided into Ma inspection points and Mb inspection points (Ma and Mb are integers satisfying the condition Ma + Mb = N), and the Ma inspection points are divided into the one potential. And inspecting the insulation state between the inspection point at the Ma location and the inspection point at the Mb location based on the electrical parameter measured in a state where the inspection point at the Mb location is connected to the other potential. When the insulation process is inspected as defective in any of the first inspection process that executes Mc times satisfying the condition of log 2 (Ma + Mb) = Mc (rounded up) and the first process of Mc times. Inspection points at La locations based on which of the first processes is inspected as defective (La is an integer of 2 or more and N or less) The inspection group to which the inspection group belongs is defined, and the inspection point at Lb among the inspection points at the La location (Lb is an integer satisfying the condition of (La-1)) is set to one of the high potential and the low potential. Insulation between the inspection point at the Lb location and the inspection point at the one location based on the electrical parameter measured in a state where one inspection point other than the Lb location is connected to the other potential. The second process for inspecting the state is equal to or less than Lc times satisfying the condition of 2 Md = Lc (Md is the number of times of the first process in which the insulation state is inspected in the first inspection process) for each inspection group. Of the inspection points at the La locations, the second inspection process to be performed Ld times and the inspection group that has been inspected to have a poor insulation state during the second inspection process. Measurement was performed in a state where one inspection point was connected to one of the high potential and the low potential and the other one of the La inspection points was connected to the other potential. Based on the electrical parameters, a third process for inspecting the insulation state between the one inspection point and the other one inspection point is La (La-1) / 2 = Ka for each inspection group. When the insulation state of the N inspection points is inspected by performing a third inspection process that is executed Ka times or less, which satisfies the above condition, from the first time (Lc-1 ) When the insulation state is inspected to be good in all of the (Lc-1) times of the second processing up to the first time, the Lc time of the second processing is not performed without executing the Lc time of the second processing. When the object is inspected as good and the insulation state is inspected as defective in only one of the (Lc-1) second processes, the Lc second process is performed without executing the Lc second process. The inspection target of the second process is inspected as defective, and at the time of the third inspection process, the inspection group in which the insulation process is inspected at the time of the second inspection process and the number of times of the second process is only two is targeted. Inspecting that the insulation state of the one inspection point connected to the other potential is defective in the two second treatments without executing the third treatment, and the insulation state during the second inspection treatment. An insulation inspection method for executing the third process for the inspection group that satisfies the condition that the number of times of the second process inspected as defective is three or more.
前記Ｎ箇所の検査ポイントをＭａ箇所の当該検査ポイントおよびＭｂ箇所の当該検査ポイント（ＭａおよびＭｂは、Ｍａ＋Ｍｂ＝Ｎとの条件を満たす整数）に分けて当該Ｍａ箇所の検査ポイントを前記一方の電位に接続すると共に当該Ｍｂ箇所の検査ポイントを前記他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｍａ箇所の検査ポイントおよび当該Ｍｂ箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第１処理をｌｏｇ２（Ｍａ＋Ｍｂ）＝Ｍｃ（端数切り上げ）との条件を満たすＭｃ回実行する第１検査処理と、前記Ｍｃ回の第１処理のいずれかにおいて絶縁状態が不良と検査したときにいずれの当該第１処理において不良と検査したかに基づいてＬａ箇所の検査ポイント（Ｌａは、２以上Ｎ以下の整数）が属する検査グループを規定して当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちのＬｂａ箇所以下のＬｂｂ箇所の検査ポイント（Ｌｂａは、（Ｌａ−１）との条件を満たす整数）を前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌｂａ箇所以外の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該Ｌｂｂ箇所の検査ポイントおよび当該１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第２処理を当該検査グループ毎に２Ｍｄ＝Ｌｃ（Ｍｄは、前記第１検査処理において絶縁状態が不良と検査した前記第１処理の回数）との条件を満たすＬｃ回以下のＬｄ回実行する第２検査処理と、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記検査グループを対象として前記Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの１箇所の検査ポイントを前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該Ｌａ箇所の検査ポイントのうちの他の１箇所の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した前記電気的パラメータに基づいて当該１箇所の検査ポイントおよび当該他の１箇所の検査ポイントの間の絶縁状態を検査する第３処理を当該検査グループ毎にＬａ（Ｌａ−１）／２＝Ｋａとの条件を満たすＫａ回以下のＫｂ回実行する第３検査処理とを実行して前記Ｎ箇所の検査ポイントの絶縁状態を検査する際に、前記第２検査処理時には、絶縁状態が良好と検査した前記第２処理時に前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイントを当該１箇所の検査ポイントが属する前記検査グループを対象としてその後に実行する前記第２処理時に前記一方の電位に接続することなく絶縁状態を検査すると共に、１回目から（Ｌｃ−１）回目までの（Ｌｃ−１）回の前記第２処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときにＬｃ回目の前記第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を良好と検査すると共に、当該（Ｌｃ−１）回の第２処理のうちの１回だけにおいて絶縁状態が不良と検査したときに当該Ｌｃ回目の第２処理を実行することなく当該Ｌｃ回目の第２処理の検査対象を不良と検査し、前記第３検査処理時には、前記第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した前記第２処理の回数が２回だけの前記検査グループを対象として前記第３処理を実行することなく当該２回の第２処理において前記他方の電位に接続した前記１箇所の検査ポイント同士の絶縁状態が不良と検査すると共に、当該第２検査処理時に絶縁状態が不良と検査した当該第２処理の回数が３回以上との条件を満たす前記検査グループを対象として前記第３処理を実行する絶縁検査方法。 A part of N inspection points from 1 to N (N is an integer of 2 or more) is connected to one of a high potential and a low potential, and among the N inspection points. In the state where the other part is connected to the other potential, the electrical parameter between the inspection point connected to the one potential and the inspection point connected to the other potential is measured and the measured electricity An insulation inspection method for inspecting an insulation state of each inspection point based on a physical parameter,
The N inspection points are divided into Ma inspection points and Mb inspection points (Ma and Mb are integers satisfying the condition Ma + Mb = N), and the Ma inspection points are divided into the one potential. And inspecting the insulation state between the inspection point at the Ma location and the inspection point at the Mb location based on the electrical parameter measured in a state where the inspection point at the Mb location is connected to the other potential. When the insulation process is inspected as defective in any of the first inspection process that executes Mc times satisfying the condition of log 2 (Ma + Mb) = Mc (rounded up) and the first process of Mc times. Inspection points at La locations based on which of the first processes is inspected as defective (La is an integer of 2 or more and N or less) The inspection point to which the inspection group belongs is defined, and inspection points at Lbb locations below the Lba location among the inspection points at the La location (Lba is an integer satisfying the condition of (La-1)) are set to the high potential and the low potential. The inspection point at the Lbb location and the inspection point at the one location based on the electrical parameter measured in a state where one inspection point other than the Lba location is connected to the other potential while being connected to any one potential 2 Md = Lc (Md is the number of times of the first process in which the insulation state is inspected in the first inspection process) for each inspection group. The second inspection process executed Ld times less than Lc times, and the La for the inspection group in which the insulation state is inspected to be defective during the second inspection process. One inspection point among the inspection points at one place is connected to one of the high potential and the low potential, and the other inspection point among the inspection points at the La place is connected to the other potential. A third process for inspecting the insulation state between the one inspection point and the other one inspection point based on the electrical parameter measured in the state of being connected to La for each inspection group 1) When performing the second inspection process to inspect the insulation state of the N inspection points by performing a third inspection process that is executed Ka times or less Ka times that satisfy the condition of / 2 = Ka, The one inspection point connected to the other potential at the time of the second process inspected that the insulation state is good is targeted to the inspection group to which the one inspection point belongs. In the second process to be executed thereafter, the insulation state is inspected without being connected to the one potential, and in all the (Lc-1) times of the second process from the first time to the (Lc-1) time. When inspecting that the insulation state is good, the inspection target of the second process of the Lc time is inspected as good without executing the second process of the Lc time, and the second process of the (Lc-1) time is performed. When the insulation state is inspected as defective only once, the inspection target of the Lc second process is inspected as defective without executing the Lc second process, and during the third inspection process, The second process is performed in the second process without performing the third process for the test group in which the number of times of the second process in which the insulation state is inferior in the second test process is only two. Connected to potential The inspection group that inspects that the insulation state between the one inspection point is defective and satisfies the condition that the number of times of the second process in which the insulation state is inferior during the second inspection process is three times or more is satisfied. An insulation inspection method for executing the third process as a target.
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