JP5496599B2

JP5496599B2 - Insulation inspection device and insulation inspection method

Info

Publication number: JP5496599B2
Application number: JP2009247658A
Authority: JP
Inventors: 誉下平; 隆弘清水
Original assignee: Hioki EE Corp
Current assignee: Hioki EE Corp
Priority date: 2009-10-28
Filing date: 2009-10-28
Publication date: 2014-05-21
Anticipated expiration: 2029-10-28
Also published as: JP2011095035A

Description

本発明は、複数の検査ポイントのうちの一部を高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に他の一部を他方の電位に接続した状態において電気的パラメータを測定して絶縁状態を検査する絶縁検査装置および絶縁検査方法に関するものである。 The present invention provides insulation by measuring an electrical parameter in a state where a part of a plurality of inspection points is connected to one of a high potential and a low potential and the other part is connected to the other potential. The present invention relates to an insulation inspection apparatus and an insulation inspection method for inspecting a state.

検査対象基板に形成された複数の導体パターンの絶縁状態を検査する絶縁検査方法として、各導体パターン毎に少なくとも１箇所の検査ポイントを規定して、相互に絶縁されているべき導体パターン上の各検査ポイントの間の絶縁状態を個別的に検査する総当たりスキャン方式の検査方法（以下、「総当たりスキャン検査」ともいう）が知られている。しかしながら、この総当たりスキャン検査では、検査すべき導体パターンの数が多数の検査対象基板については、絶縁状態を検査する検査ポイントの組合わせの数が非常に多くなる。したがって、総当たりスキャン検査では、１枚の検査対象基板を検査するのに要する時間が非常に長くなっている。このため、検査時間の短縮を図り得る各種の絶縁検査方法が提案されている。 As an insulation inspection method for inspecting the insulation state of a plurality of conductor patterns formed on a substrate to be inspected, at least one inspection point is defined for each conductor pattern and each conductor pattern to be insulated from each other is defined. A brute force scan type inspection method (hereinafter also referred to as “brute force scan inspection”) for individually inspecting the insulation state between inspection points is known. However, in this round-robin scan inspection, the number of combinations of inspection points for inspecting the insulation state becomes very large for a substrate to be inspected with a large number of conductor patterns to be inspected. Therefore, in the brute force scan inspection, the time required to inspect one inspection target substrate is very long. Therefore, various insulation inspection methods that can shorten the inspection time have been proposed.

例えば、特開２０００−１９３７０２号公報に従来の検査方法として開示されている絶縁検査方法（以下、「第１の従来検査方法」ともいう）では、図４に示すように、一例として、検査ポイントＰ−１〜Ｐ−１０（以下、区別しないときには「検査ポイントＰ」ともいう）までの１０箇所の検査ポイントＰを有する検査対象基板について、第１検査から第９検査までの９回の検査処理によって絶縁状態を検査することが可能となっている。なお、同図および後に参照する図５〜７では、検査ポイントＰ−１〜Ｐ−１０をその検査ポイント番号で表している。 For example, in an insulation inspection method (hereinafter also referred to as “first conventional inspection method”) disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-193702 as a conventional inspection method, as shown in FIG. Nine inspection processes from the first inspection to the ninth inspection on the inspection target substrate having ten inspection points P up to P-1 to P-10 (hereinafter also referred to as “inspection points P” when not distinguished). It is possible to inspect the insulation state. In FIG. 5 and FIG. 5 to be referred to later, inspection points P-1 to P-10 are represented by their inspection point numbers.

この場合、第１検査においては、検査ポイントＰ−１を高電位接続部（同公報における「正極」：以下、「Ｈ電位」ともいう）に接続すると共に、検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０の９箇所を低電位接続部（同公報における「負極」：以下、「Ｌ電位」ともいう）に接続して検査用電圧を印加した状態において、Ｈ電位およびＬ電位の間を流れる電流を測定する。この際に、検査ポイントＰ−１と、検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０のうちのいずれかとの間に絶縁不良箇所が存在するときには、検査用電圧の印加によってＨ電位およびＬ電位の間を比較的大きな電流が流れる。したがって、測定された電流値が基準値を超えているときには、検査ポイントＰ−１と、検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０のうちのいずれかとの間に絶縁不良箇所が存在すると検査される。一方、検査ポイントＰ−１と、検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０との間に絶縁不良箇所が存在しないときには、検査用電圧を印加した際にＨ電位およびＬ電位の間を流れる電流の値がほぼ０となる。したがって、測定された電流値が基準値以下のときには、検査ポイントＰ−１と、検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０との間が正常に絶縁されていると検査される。 In this case, in the first inspection, the inspection point P-1 is connected to a high potential connection portion ("positive electrode" in the same publication: hereinafter also referred to as "H potential"), and the inspection points P-2 to P-10. The current flowing between the H potential and the L potential is measured in a state where the nine points are connected to a low potential connection portion (“negative electrode” in the same publication: hereinafter also referred to as “L potential”) and a test voltage is applied. To do. At this time, when there is an insulation failure location between the inspection point P-1 and any one of the inspection points P-2 to P-10, the inspection voltage is applied between the H potential and the L potential. A relatively large current flows. Therefore, when the measured current value exceeds the reference value, it is inspected that there is an insulation failure point between the inspection point P-1 and any one of the inspection points P-2 to P-10. On the other hand, when there is no defective insulation point between the inspection point P-1 and the inspection points P-2 to P-10, the value of the current flowing between the H potential and the L potential when the inspection voltage is applied. Becomes almost zero. Therefore, when the measured current value is equal to or less than the reference value, it is inspected that the inspection point P-1 and the inspection points P-2 to P-10 are normally insulated.

また、第２検査においては、第１検査においてＨ電位に接続した検査ポイントＰ−１を除く検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０の９箇所を対象として第１検査と同様の検査処理が実行される。具体的には、第２検査においては、検査ポイントＰ−２をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−３〜Ｐ−１０の８箇所をＬ電位に接続して検査用電圧を印加し、その状態において測定される電流値に基づいて絶縁状態の良否が検査される。さらに、第３検査においては、第１検査および第２検査においてＨ電位に接続した検査ポイントＰ−１，Ｐ−２を除く検査ポイントＰ−３〜Ｐ−１０の８箇所を対象として第１検査および第２検査と同様の検査処理が実行される。具体的には、第３検査においては、検査ポイントＰ−３をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−４〜Ｐ−１０の７箇所をＬ電位に接続して検査用電圧を印加し、その状態において測定される電流値に基づいて絶縁状態の良否が検査される。 In the second inspection, the same inspection process as the first inspection is performed on nine inspection points P-2 to P-10 excluding the inspection point P-1 connected to the H potential in the first inspection. The Specifically, in the second inspection, the inspection point P-2 is connected to the H potential, the inspection points P-3 to P-10 are connected to the L potential, and the inspection voltage is applied. The quality of the insulation state is inspected based on the current value measured in that state. Further, in the third inspection, the first inspection is performed on eight inspection points P-3 to P-10 excluding inspection points P-1 and P-2 connected to the H potential in the first inspection and the second inspection. And the inspection process similar to the second inspection is executed. Specifically, in the third inspection, the inspection point P-3 is connected to the H potential, the seven inspection points P-4 to P-10 are connected to the L potential, and the inspection voltage is applied. The quality of the insulation state is inspected based on the current value measured in that state.

このように、第１の従来検査方法では、１０箇所の検査ポイントＰのうちの１箇所をＨ電位に接続すると共に、その１箇所の検査ポイントＰとは異なる複数の検査ポイントＰをＬ電位に共通接続した状態において検査用電圧を印加して電流値を測定することで、Ｈ電位に接続した検査ポイントＰと、Ｌ電位に接続した複数の検査ポイントＰとの間の絶縁状態を一括して検査することが可能となっている。これにより、前述した総当たりスキャン検査と比較して、１枚の検査対象基板を検査するのに要する検査処理回数を少数回とすることができる結果、検査時間が短縮される。 Thus, in the first conventional inspection method, one of the ten inspection points P is connected to the H potential, and a plurality of inspection points P different from the one inspection point P are set to the L potential. By measuring the current value by applying the inspection voltage in the common connection state, the insulation state between the inspection point P connected to the H potential and the plurality of inspection points P connected to the L potential is collectively displayed. It is possible to inspect. As a result, compared to the brute force scan inspection described above, the number of inspection processes required for inspecting one inspection target substrate can be reduced to a small number of times, resulting in a reduction in inspection time.

一方、下記の非特許文献１には、検査時間の短縮を図り得る検査方法の一例として、バルクショート方式の絶縁検査方法（以下、「第２の従来検査方法」ともいう）が開示されている。この第２の従来検査方法では、図６に示すように、一例として、検査ポイントＰ−１〜Ｐ−１０の１０箇所の検査ポイントＰを有する検査対象基板について、第１検査から第１０検査までの１０回の検査処理によって絶縁状態を検査することが可能となっている。 On the other hand, the following Non-Patent Document 1 discloses a bulk short type insulation inspection method (hereinafter also referred to as “second conventional inspection method”) as an example of an inspection method capable of shortening the inspection time. . In the second conventional inspection method, as shown in FIG. 6, as an example, for a substrate to be inspected having 10 inspection points P of inspection points P-1 to P-10, from the first inspection to the tenth inspection. It is possible to inspect the insulation state by the ten inspection processes.

この場合、第２の従来検査方法における第１検査においては、上記の第１の従来検査方法における第１検査と同様にして、検査ポイントＰ−１をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０の９箇所をＬ電位に接続して検査用電圧を印加し、その状態において測定される電流値に基づいて絶縁状態の良否が検査される。また、第２の従来検査方法における第２検査においては、第１の従来検査方法における第２検査とは異なり、検査ポイントＰ−１〜Ｐ−１０のすべてを対象として第１検査と同様の検査処理が実行される。具体的には、第２検査においては、検査ポイントＰ−２をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−１，Ｐ−３〜Ｐ−１０の９箇所をＬ電位に接続して検査用電圧を印加し、その状態において測定される電流値に基づいて絶縁状態の良否が検査される。さらに、第３検査においては、検査ポイントＰ−３をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−１，Ｐ−２，Ｐ−４〜Ｐ−１０の９箇所をＬ電位に接続して検査用電圧を印加し、その状態において測定される電流値に基づいて絶縁状態の良否が検査される。 In this case, in the first inspection in the second conventional inspection method, the inspection point P-1 is connected to the H potential in the same manner as the first inspection in the first conventional inspection method, and the inspection point P- Nine locations 2 to P-10 are connected to the L potential and a test voltage is applied, and the quality of the insulation state is inspected based on the current value measured in that state. Further, in the second inspection in the second conventional inspection method, unlike the second inspection in the first conventional inspection method, the same inspection as the first inspection is performed on all inspection points P-1 to P-10. Processing is executed. Specifically, in the second inspection, the inspection point P-2 is connected to the H potential, and the inspection points P-1, P-3 to P-10 are connected to the L potential to connect the inspection voltage. And the quality of the insulation state is inspected based on the current value measured in that state. Further, in the third inspection, the inspection point P-3 is connected to the H potential, and nine inspection points P-1, P-2, P-4 to P-10 are connected to the L potential for inspection. A voltage is applied, and the quality of the insulation state is checked based on the current value measured in that state.

このように、この第２の従来検査方法では、１０箇所の検査ポイントＰのうちの１箇所をＨ電位に接続すると共に、その１箇所の検査ポイントＰを除く他のすべての検査ポイントＰをＬ電位に共通接続した状態において検査用電圧を印加して電流値を測定することで、Ｈ電位に接続した検査ポイントＰと、Ｌ電位に接続した各検査ポイントＰとの間の絶縁状態を一括して検査することが可能となっている。これにより、前述した総当たりスキャン検査と比較して、１枚の検査対象基板を検査するのに要する検査処理回数を少数回とすることができる結果、検査時間が短縮される。 Thus, in the second conventional inspection method, one of the ten inspection points P is connected to the H potential, and all other inspection points P except for the one inspection point P are set to L. By measuring the current value by applying a test voltage in a state commonly connected to the potential, the insulation state between the test point P connected to the H potential and each test point P connected to the L potential is integrated. Can be inspected. As a result, compared to the brute force scan inspection described above, the number of inspection processes required for inspecting one inspection target substrate can be reduced to a small number of times, resulting in a reduction in inspection time.

特開２０００−１９３７０２号公報（第３頁、第１１図）JP 2000-193702 A (page 3, FIG. 11)

編集委員長原靖彦、「高密度実装における検査技術・装置ハンドブック」、社団法人国際都市コミュニケーションセンター編集事務局、２００１年９月１日、ｐ．８７−８８Editor-in-Chief Akihiko Hara, “Inspection Technology and Equipment Handbook for High-Density Mounting”, International Urban Communication Center Editorial Office, September 1, 2001, p. 87-88

ところが、上記の第１の従来検査方法および第２の従来検査方法には、以下の問題点が存在する。まず、第１の従来検査方法では、一例として、検査ポイントＰ−２，Ｐ−６の間、および検査ポイントＰ−３，Ｐ−７の間の２箇所に絶縁不良が生じていたときに、図４に示すように、９回の検査処理のうちの第２検査および第３検査の２回において絶縁状態が不良と検査される。しかしながら、第１の従来検査方法では、第２検査および第３検査の２回において絶縁状態が不良であるとの検査結果から、検査対象基板が不良品であると特定することができるものの、この検査結果に基づいて、いずれの検査ポイントＰ，Ｐの間に絶縁不良が生じているかを特定することができない。このため、第１の従来検査方法では、絶縁不良箇所を特定する必要があるときに、絶縁状態が不良であると検査した検査処理の対象の検査ポイントＰについて、その絶縁状態を個別的に検査する個別検査を実行する必要がある。 However, the first conventional inspection method and the second conventional inspection method have the following problems. First, in the first conventional inspection method, as an example, when insulation failure occurs in two places between inspection points P-2 and P-6 and between inspection points P-3 and P-7, As shown in FIG. 4, the insulation state is inspected as defective in the second inspection and the third inspection in the nine inspection processes. However, in the first conventional inspection method, although the inspection result that the insulation state is defective in the second inspection and the third inspection can be identified as a defective product, Based on the inspection result, it cannot be specified which of the inspection points P, P has an insulation failure. For this reason, in the first conventional inspection method, when it is necessary to specify the location of the insulation failure, the insulation state is individually inspected for the inspection point P to be inspected that the insulation state is defective. It is necessary to perform individual inspections.

具体的には、図５に示すように、前述した第２検査の検査対象である検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０については、検査ポイントＰ−２をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−３〜Ｐ−１０のうちの１つをＬ電位に順次切り替えて接続した状態において検査用電圧を印加し、測定される電流値に基づいて絶縁状態をそれぞれ検査する（個別検査における第１検査から第８検査までの８回の検査処理）。これにより、第４検査において検査ポイントＰ−２，Ｐ−６間に絶縁不良が生じていると検査される。また、前述した第３検査の検査対象である検査ポイントＰ−３〜Ｐ−１０については、検査ポイントＰ−３をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−４〜Ｐ−１０のうちの１つをＬ電位に順次切り替えて接続した状態において検査用電圧を印加し、測定される電流値に基づいて絶縁状態をそれぞれ検査する（個別検査における第９検査から第１５検査までの７回の検査処理）。これにより、第１２検査において検査ポイントＰ−３，Ｐ−７間に絶縁不良が生じていると検査される。 Specifically, as shown in FIG. 5, for the inspection points P-2 to P-10 that are inspection targets of the second inspection described above, the inspection point P-2 is connected to the H potential and the inspection point P A voltage for inspection is applied in a state where one of −3 to P−10 is sequentially switched to the L potential and connected, and the insulation state is inspected based on the measured current value (first inspection in individual inspection) To 8th inspection process). Thereby, it is inspected that an insulation failure has occurred between the inspection points P-2 and P-6 in the fourth inspection. For inspection points P-3 to P-10 that are inspection targets of the third inspection described above, the inspection point P-3 is connected to the H potential and one of the inspection points P-4 to P-10. The test voltage is applied in the state in which the two are sequentially switched to the L potential, and the insulation state is inspected based on the measured current value (7 inspections from the 9th inspection to the 15th inspection in the individual inspection). processing). Thereby, it is inspected that an insulation failure has occurred between the inspection points P-3 and P-7 in the twelfth inspection.

このように、第１の従来検査方法では、検査対象基板に絶縁不良箇所が存在するか否かを特定する一連の検査処理において絶縁不良箇所が存在すると検査された検査ポイントＰを対象として個別検査を実行することによって、絶縁不良箇所を特定することが可能となっている。しかしながら、例えば上記の例では、検査対象基板に絶縁不良箇所が存在するか否かを特定するのに要する検査回数が９回で、いずれの検査ポイントＰ，Ｐ間に絶縁不良が生じているかを特定するのに要する検査回数が１５回となっている。このため、第１の従来検査方法には、総当たりスキャン検査よりも検査時間が短縮されているものの、１枚の検査対象基板を検査するのに要する検査処理回数を一層低減して検査時間を短縮すべきとの要望がある。 As described above, in the first conventional inspection method, the individual inspection is performed on the inspection point P that is inspected as having an insulation failure location in a series of inspection processes for specifying whether or not the insulation failure location exists on the inspection target substrate. By executing the above, it is possible to identify the insulation failure location. However, in the above example, for example, the number of inspections required to specify whether or not there is an insulation failure location on the inspection target substrate is 9, and which inspection point P, P indicates which insulation failure has occurred. The number of inspections required for identification is 15 times. For this reason, the first conventional inspection method has a shorter inspection time than the round-robin scan inspection, but further reduces the number of inspection processes required to inspect one inspection target substrate, thereby reducing the inspection time. There is a request to shorten it.

一方、第２の従来検査方法では、一例として、検査ポイントＰ−２，Ｐ−６の間、および検査ポイントＰ−３，Ｐ−７の間の２箇所に絶縁不良が生じていたときに、図６に示すように、１０回の検査処理のうちの第２検査、第３検査、第６検査および第７検査の４回において絶縁状態が不良と検査される。この場合、この第２の従来検査方法では、第２検査、第３検査、第６検査および第７検査の４回において絶縁状態が不良であるとの検査結果に基づいて、上記の２箇所の絶縁不良箇所を特定することができない。しかしながら、１０回の検査処理のうちの絶縁状態が良好と検査された６回の検査処理時にＨ電位に接続していた検査ポイントＰについては、その他の９箇所の検査ポイントＰに対して絶縁状態が良好であることが確定しているため、これらの検査ポイントＰについては、個別検査の対象から除外して、絶縁状態が良好であることが確定していない検査ポイントＰだけを対象として個別検査を実行することが可能となっている。 On the other hand, in the second conventional inspection method, as an example, when insulation failure occurs in two places between the inspection points P-2 and P-6 and between the inspection points P-3 and P-7, As shown in FIG. 6, the insulation state is inspected as defective in four times of the second inspection, the third inspection, the sixth inspection, and the seventh inspection among the ten inspection processes. In this case, in the second conventional inspection method, based on the inspection result that the insulation state is poor in the second inspection, the third inspection, the sixth inspection, and the seventh inspection, It is not possible to identify the location of defective insulation. However, with respect to the inspection point P connected to the H potential at the time of six inspection processes in which the insulation state is inspected as good among the ten inspection processes, the insulation state is in relation to the other nine inspection points P. Since these are determined to be good, these inspection points P are excluded from the individual inspection targets, and only the inspection points P that have not been confirmed to be in good insulation are subjected to individual inspections. Can be executed.

具体的には、図７に示すように、絶縁状態が良好であることが確定している検査ポイントＰ−１，Ｐ−４，Ｐ−５，Ｐ−８〜Ｐ−１０を除き、絶縁状態が良好であることが確定していない検査ポイントＰ−２，Ｐ−３，Ｐ−６，Ｐ−７の４箇所を対象として、個別検査を実行する。この個別検査では、一例として、まず、検査ポイントＰ−２をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−３，Ｐ−６，Ｐ−７のうちの１つをＬ電位に順次切り替えて接続した状態において検査用電圧を印加し、測定される電流値に基づいて絶縁状態をそれぞれ検査する処理を３回実行する（個別検査における第１検査から第３検査までの３回の検査処理）。 Specifically, as shown in FIG. 7, the insulation state except for inspection points P-1, P-4, P-5, and P-8 to P-10, which are confirmed to be good insulation states. The individual inspections are performed on the four inspection points P-2, P-3, P-6, and P-7 that are not determined to be good. In this individual inspection, as an example, first, the inspection point P-2 is connected to the H potential, and one of the inspection points P-3, P-6, and P-7 is sequentially switched to the L potential and connected. The test voltage is applied in the state, and the process of inspecting the insulation state based on the measured current value is executed three times (three times of the test from the first test to the third test in the individual test).

次いで、検査ポイントＰ−３をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−６，Ｐ−７の一方をＬ電位に順次切り替えて接続した状態において検査用電圧を印加し、測定される電流値に基づいて絶縁状態をそれぞれ検査する処理を２回実行する（個別検査における第４検査および第５検査の２回の検査処理）。最後に、検査ポイントＰ−６をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−７をＬ電位に接続した状態において検査用電圧を印加し、測定される電流値に基づいて絶縁状態を検査する（個別検査における第６検査）。これにより、第２検査において検査ポイントＰ−２，Ｐ−６間に絶縁不良が生じていると検査され、第５検査において検査ポイントＰ−３，Ｐ−７間に絶縁不良が生じていると検査される。 Next, the inspection point P-3 is connected to the H potential, and the inspection voltage is applied in a state where one of the inspection points P-6 and P-7 is sequentially switched to the L potential and connected to obtain a measured current value. Based on this, the process of inspecting the insulation state is executed twice (two inspection processes of the fourth inspection and the fifth inspection in the individual inspection). Finally, the inspection point P-6 is connected to the H potential and the inspection voltage is applied in a state where the inspection point P-7 is connected to the L potential, and the insulation state is inspected based on the measured current value ( 6th inspection in individual inspection). Thereby, it is inspected that an insulation failure has occurred between the inspection points P-2 and P-6 in the second inspection, and an insulation failure has occurred between the inspection points P-3 and P-7 in the fifth inspection. Inspected.

このように、第２の従来検査方法では、検査対象基板に絶縁不良箇所が存在するか否かを特定する１０回の検査処理（バルクショート検査）において検査ポイントＰ−１〜Ｐ−１０の１０箇所のすべてを検査対象として検査することで、個別検査の検査対象とすべき検査ポイントＰの数を少数とすることが可能となっている。これにより、この第２の従来検査方法では、第１の従来検査方法について説明した例と同じ検査対象基板を検査する際に、検査対象基板に絶縁不良箇所が存在するか否かを特定するのに要する検査回数が１０回で、いずれの検査ポイントＰ，Ｐ間に絶縁不良が生じているかを特定するのに要する検査回数が６回となっている。このため、第２の従来検査方法では、第１の従来検査方法よりも小数回で検査対象基板の検査を完了することが可能となっている。 As described above, in the second conventional inspection method, 10 inspection points P-1 to P-10 are included in 10 inspection processes (bulk short inspection) for specifying whether or not there is an insulation failure location on the inspection target substrate. By inspecting all of the locations as inspection targets, the number of inspection points P that should be subject to individual inspection can be reduced to a small number. Thus, in the second conventional inspection method, when the same inspection target substrate as the example described for the first conventional inspection method is inspected, it is specified whether or not there is an insulation defect location on the inspection target substrate. The number of inspections required for the inspection is 10 times, and the number of inspections required for specifying which inspection point P, P has an insulation failure is 6 times. For this reason, in the second conventional inspection method, it is possible to complete the inspection of the inspection target substrate in a smaller number of times than in the first conventional inspection method.

しかしながら、第２の検査方法では、バルクショート検査における各検査処理において、Ｈ電位に接続した検査ポイントＰを次の検査処理時にＬ電位に接続する必要がある。この場合、バルクショート検査における各検査処理が完了した時点においては、Ｈ電位に接続した検査ポイントＰとＬ電位に接続した検査ポイントＰとの間に電位差が生じた状態（Ｈ電位に接続した検査ポイントＰに電荷が貯まった状態）となっている。このような状態のまま各検査ポイントＰのＨ電位およびＬ電位に対する接続態様を切り替えたときには、Ｈ電位に接続していた検査ポイントＰをＬ電位に切り替え接続した瞬間に接続切替え部（スイッチ）や検査対象基板（導体パターン）を大きな電流が流れることとなり、これに起因して、接続切替え部（スイッチ）や検査対象基板（導体パターン）が破損するおそれがある。したがって、第２の従来検査方法では、バルクショート検査における各検査処理の完了時点から次の検査処理を開始するまでの間に、Ｈ電位に接続した検査ポイントＰとＬ電位に接続した検査ポイントＰとの間に生じた電位差（Ｈ電位に接続した検査ポイントＰに貯まった電荷）をなくす処理が必須となっており、この処理に要する時間の分だけ、１枚の検査対象基板を検査するのに要する時間が長くなっているという問題点がある。 However, in the second inspection method, in each inspection process in the bulk short inspection, it is necessary to connect the inspection point P connected to the H potential to the L potential in the next inspection process. In this case, when each inspection process in the bulk short inspection is completed, a potential difference is generated between the inspection point P connected to the H potential and the inspection point P connected to the L potential (inspection connected to the H potential). The charge is accumulated at the point P). When the connection mode of each inspection point P with respect to the H potential and the L potential is switched in such a state, the connection switching unit (switch) or the switch is connected at the moment when the inspection point P connected to the H potential is switched to the L potential. A large current flows through the inspection target board (conductor pattern), which may cause damage to the connection switching unit (switch) and the inspection target board (conductor pattern). Therefore, in the second conventional inspection method, the inspection point P connected to the H potential and the inspection point P connected to the L potential between the completion of each inspection processing in the bulk short inspection and the start of the next inspection processing. It is essential to eliminate the potential difference (charge accumulated at the inspection point P connected to the H potential) between the two and the inspection substrate is inspected for the time required for this processing. There is a problem that the time required for the process becomes longer.

本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、各検査ポイントの間の絶縁状態を短時間で検査し得る絶縁検査装置および絶縁検査方法を提供することを主目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and a main object of the present invention is to provide an insulation inspection apparatus and an insulation inspection method capable of inspecting an insulation state between inspection points in a short time.

上記目的を達成すべく、請求項１記載の絶縁検査装置は、Ｎ箇所の検査ポイント（Ｎは、４以上の整数）のうちの１箇所を高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該１箇所を除く他の当該検査ポイントを他方の電位に接続した状態において当該一方の電位に接続した当該検査ポイントと当該他方の電位に接続した当該検査ポイントとの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該各検査ポイントの絶縁状態を検査する検査処理を、前記一方の電位に接続する前記検査ポイントを順次変更して当該一方の電位に未接続の当該検査ポイントが１箇所となるまで繰り返して実行すると共に既に実行した前記検査処理において前記絶縁状態が良好と検査したときに当該一方の電位に接続していた当該検査ポイントを検査対象から除外して２回目以降の当該検査処理を実行する検査部を備え、前記検査部は、既に実行した前記検査処理において前記絶縁状態が不良と検査したときに前記一方の電位に接続していた前記検査ポイントを前記他方の電位に接続して２回目以降の前記検査処理を実行し、かつ前記既に実行した検査処理において絶縁状態が不良との検査結果が存在したときには前記一方の電位に未接続の前記検査ポイントがなくなるまで当該検査処理を実行する。 To achieve the above object, the insulation inspection apparatus according to claim 1, (the N, 4 or more integer) test point of N points connecting one location to one of the potential of the high potential and low potential of the then the electrical parameters between the test points connected to the other of said test points except the one location to the other of the test point and the other potential connected to one of the potential the in a state connected to the potential co And inspecting the insulation state of each inspection point based on the measured electrical parameter, sequentially changing the inspection point connected to the one potential and not connecting to the one potential It is repeatedly executed until the inspection point becomes one place, and is connected to the one potential when it is inspected that the insulation state is good in the inspection processing already executed. Includes an inspection unit for executing exclusion to the second and subsequent the inspection process the test point from the test object, the inspection unit, the one when the insulation state is inspected and defective already at the inspection processing executed The inspection point that was connected to the potential is connected to the other potential, the inspection process is executed for the second and subsequent times, and when there is an inspection result that the insulation state is defective in the inspection process that has already been performed, The inspection process is executed until there is no inspection point that is not connected to one potential .

また、請求項２記載の絶縁検査装置は、請求項１記載の絶縁検査装置において、前記検査部が、Ｌ回の前記検査処理（Ｌは、３以上の整数）において絶縁状態が不良と検査したときに、当該不良と検査した検査処理時に前記他方の電位に接続したＬ箇所の検査ポイントのうちの１箇所を前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該１箇所の検査ポイント以外の１箇所を他方の電位に接続した状態において当該一方の電位に接続した当該検査ポイントと当該他方の電位に接続した当該検査ポイントとの間の電気的パラメータを測定すると共に当該測定した電気的パラメータに基づいて当該各検査ポイントの絶縁状態を検査する検査処理を、当該両検査ポイントの組合わせを変更して（Ｌ×（Ｌ−１）／２）回実行する。 Further, the insulation test apparatus according to claim 2, in insulation test apparatus according to claim 1, wherein the inspection unit is the test process L times (L is an integer of 3 or more) insulation state is examined as defective in Sometimes, one of the L inspection points connected to the other potential during the inspection process inspected as defective is connected to one of the high potential and the low potential, and In a state where one place other than the inspection point is connected to the other potential, the electrical parameter between the inspection point connected to the one potential and the inspection point connected to the other potential is measured and the measurement is performed. based on other electrical parameters of the inspection process for inspecting the insulation state of the respective test point, by changing the combination of the two inspection points (L × (L-1) / 2) execution times to The

また、請求項３記載の絶縁検査方法は、Ｎ箇所の検査ポイント（Ｎは、４以上の整数）のうちの１箇所を高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該１箇所を除く他の当該検査ポイントを他方の電位に接続した状態において当該一方の電位に接続した当該検査ポイントと当該他方の電位に接続した当該検査ポイントとの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該各検査ポイントの絶縁状態を検査する検査処理を、前記一方の電位に接続する前記検査ポイントを順次変更して当該一方の電位に未接続の当該検査ポイントが１箇所となるまで繰り返して実行すると共に既に実行した前記検査処理において前記絶縁状態が良好と検査したときに当該一方の電位に接続していた当該検査ポイントを検査対象から除外して２回目以降の当該検査処理を実行し、既に実行した前記検査処理において前記絶縁状態が不良と検査したときに前記一方の電位に接続していた前記検査ポイントを前記他方の電位に接続して２回目以降の前記検査処理を実行し、かつ前記既に実行した検査処理において絶縁状態が不良との検査結果が存在したときには前記一方の電位に未接続の前記検査ポイントがなくなるまで当該検査処理を実行する。 The insulating inspection method according to claim 3, wherein the inspection point N positions (N is an integer of 4 or more) the 1 to one portion in the co When connected to one of the potential of the high potential and low potential Measuring the electrical parameter between the inspection point connected to the one potential and the inspection point connected to the other potential in a state where the other inspection points except for the location are connected to the other potential In the inspection process for inspecting the insulation state of each inspection point based on the measured electrical parameter, the inspection point connected to the one potential is sequentially changed, and the inspection point not connected to the one potential is 1 The inspection point connected to the one potential when it was inspected that the insulation state was good in the inspection processing that was executed repeatedly until the location was reached And the second and subsequent inspection processes are performed, and the inspection point connected to the one potential when the insulation state is inspected in the inspection process already performed is When the inspection process for the second and subsequent times is executed by connecting to the potential of the first and there is an inspection result that the insulation state is defective in the already executed inspection process, there is no inspection point that is not connected to the one potential. The inspection process is executed until .

さらに、請求項４記載の絶縁検査方法は、請求項３記載の絶縁検査方法において、Ｌ回の前記検査処理（Ｌは、３以上の整数）において絶縁状態が不良と検査したときに、当該不良と検査した検査処理時に前記他方の電位に接続したＬ箇所の検査ポイントのうちの１箇所を前記高電位および前記低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に当該１箇所の検査ポイント以外の１箇所を他方の電位に接続した状態において当該一方の電位に接続した当該検査ポイントと当該他方の電位に接続した当該検査ポイントとの間の電気的パラメータを測定すると共に当該測定した電気的パラメータに基づいて当該各検査ポイントの絶縁状態を検査する検査処理を、当該両検査ポイントの組合わせを変更して（Ｌ×（Ｌ−１）／２）回実行する。 Moreover, the insulation inspection method according to claim 4, wherein, in the insulation inspection method according to claim 3, wherein said test process L times (L is an integer of 3 or more) when the insulated state is examined as defective in, the defective One of the L inspection points connected to the other potential at the time of the inspected inspection process is connected to one of the high potential and the low potential and one other than the one inspection point. In a state where the location is connected to the other potential, an electrical parameter between the inspection point connected to the one potential and the inspection point connected to the other potential is measured and based on the measured electrical parameter the inspection process for inspecting the insulation state of the respective test point Te, by changing the combination of the two inspection points (L × (L-1) / 2) run times.

請求項１記載の絶縁検査装置、および請求項３記載の絶縁検査方法では、Ｎ箇所の検査ポイントのうちの１箇所を高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に１箇所を除く他の検査ポイントを他方の電位に接続した状態において測定した電気的パラメータに基づいて各検査ポイントの絶縁状態を検査する検査処理を、一方の電位に接続する検査ポイントを順次変更して一方の電位に未接続の検査ポイントが１箇所となるまで繰り返して実行すると共に既に実行した検査処理において絶縁状態が良好と検査したときに一方の電位に接続していた検査ポイントを検査対象から除外して２回目以降の検査処理を実行し、既に実行した検査処理において絶縁状態が不良と検査したときに一方の電位に接続していた検査ポイントを他方の電位に接続して２回目以降の検査処理を実行し、かつ既に実行した検査処理において絶縁状態が不良との検査結果が存在したときには一方の電位に未接続の検査ポイントがなくなるまで検査処理を実行する。 Insulation inspection apparatus according to claim 1, and in the third aspect of the insulation test method, connecting one point of the test points of the N points to the high potential and low potential of one of the potential one place to co The inspection process for inspecting the insulation state of each inspection point based on the electrical parameters measured in the state where the other inspection points are connected to the other potential, and sequentially changing the inspection point connected to one potential Repeatedly executed until one inspection point is not connected to the potential, and the inspection point connected to one potential was excluded from the inspection object when the insulation state was inspected in the already executed inspection process. When the inspection process after the second time is executed and the insulation state is inspected as defective in the already executed inspection process, the inspection point connected to one potential is changed to the other Run the connection to second or subsequent test process position, and when the already insulated state in the inspection processing executed there were test results and failure execute examination process until there are no examination points not connected to one of the potential To do.

したがって、請求項１記載の絶縁検査装置、および請求項３記載の絶縁検査方法によれば、検査処理において、複数の検査ポイントと１箇所の検査ポイントとの間の絶縁状態を一括して検査することにより、第２の従来検査方法と同様にして総当たりスキャン検査よりも１枚の検査対象基板を検査するための検査回数を十分に低減して検査時間の短縮を図ることができるだけでなく、一方の電位に接続した検査ポイントと他方の電位に接続した検査ポイントとの間の絶縁状態が良好であると検査した検査処理に続いて実行する検査処理時において検査ポイント間に生じた電位差（電荷）をなくす処理が不要となる分だけ第２の従来検査方法よりも１枚の検査対象基板を検査するのに要する時間を短縮することができる。 Thus, the insulation inspection apparatus according to claim 1, and according to the insulation inspection method according to claim 3, wherein, in the inspection process, collectively insulated state between the test point of the plurality of test points and 1 point test As a result, in the same way as the second conventional inspection method, not only can the number of inspections for inspecting one inspection target substrate be sufficiently reduced, but also the inspection time can be shortened compared to the round-robin scan inspection. , A potential difference generated between the inspection points at the time of the inspection processing executed following the inspection processing inspected that the inspection state connected to one potential and the inspection point connected to the other potential is good. Compared to the second conventional inspection method, the time required for inspecting one inspection target substrate can be shortened by the amount that eliminates the process of eliminating (charge).

請求項２記載の絶縁検査装置、および請求項４記載の絶縁検査方法によれば、Ｌ回の検査処理において絶縁状態が不良と検査したときに、不良と検査した検査処理時に他方の電位に接続したＬ箇所の検査ポイントのうちの１箇所を高電位および低電位のいずれか一方の電位に接続すると共に１箇所の検査ポイント以外の１箇所を他方の電位に接続した状態において測定した電気的パラメータに基づいて各検査ポイントの絶縁状態を検査する検査処理を両検査ポイントの組合わせを変更して（Ｌ×（Ｌ−１）／２）回実行することにより、総当たりスキャン検査によって絶縁不良箇所を特定する構成および方法よりも、検査対象基板におけるいずれの検査対象ポイントに絶縁不良が生じているかを特定するのに要する検査回数を十分に低減して検査時間を十分に短縮することができる。 According to the insulation inspection apparatus according to claim 2 and the insulation inspection method according to claim 4, when the insulation state is inspected as defective in the L times of inspection processing, it is connected to the other potential during the inspection processing inspected as defective. Electrical parameters measured in a state where one of the L inspection points was connected to one of the high potential and the low potential and one other than the one inspection point was connected to the other potential. each test by running point of the inspection process for inspecting the insulation state by changing the combination of the two inspection points (L × (L-1) / 2) times, insulation failure by brute scan test based on Rather than the configuration and method of specifying the location, the number of inspections required to specify which inspection target point on the inspection target substrate has an insulation failure is sufficiently reduced. Inspection time can be shortened sufficiently.

絶縁検査装置１の構成を示す構成図である。1 is a configuration diagram showing a configuration of an insulation inspection device 1. 絶縁検査装置１による絶縁検査処理について説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the insulation test process by the insulation test apparatus. 絶縁検査装置１による絶縁検査処理について説明するための他の説明図である。It is another explanatory drawing for demonstrating the insulation test process by the insulation test apparatus. 第１の従来検査方法について説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating a 1st conventional test | inspection method. 第１の従来検査方法について説明するための他の説明図である。It is another explanatory view for explaining the first conventional inspection method. 第２の従来検査方法について説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the 2nd conventional test | inspection method. 第２の従来検査方法について説明するための他の説明図である。It is another explanatory view for explaining the second conventional inspection method.

以下、絶縁検査装置および絶縁検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, an embodiment of an insulation inspection apparatus and an insulation inspection method will be described with reference to the accompanying drawings.

図１に示す絶縁検査装置１は、複数の導体パターン（図示せず）が形成された検査対象基板２０を対象として、各導体パターン間の絶縁状態を検査可能に構成された検査装置の一例であって、テストヘッド２、測定部４、接続切替え部５、操作部６、表示部７、制御部８および記憶部９を備えて構成されている。テストヘッド２は、検査対象基板２０上に規定された複数の検査ポイントＰ−１〜Ｐ−Ｎ（以下、これらを区別しないときには「検査ポイントＰ」ともいう）に対してそれぞれ接触可能なプローブ３−１〜３−Ｎ（以下、これらを区別しないときには「プローブ３」ともいう）がプローブ保持部３ａによって保持された検査用治具であって、各プローブ３は、接続切替え部５を介して測定部４の高電位接続部（同図において「Ｈ」と記した部位：Ｈ電位）および低電位接続部（同図において「Ｌ」と記した部位：Ｌ電位）のいずれかに接続される。 An insulation inspection apparatus 1 shown in FIG. 1 is an example of an inspection apparatus configured to be able to inspect an insulation state between conductor patterns for an inspection target substrate 20 on which a plurality of conductor patterns (not shown) are formed. The test head 2, the measurement unit 4, the connection switching unit 5, the operation unit 6, the display unit 7, the control unit 8, and the storage unit 9 are provided. The test head 2 is a probe 3 that can contact each of a plurality of inspection points P- 1 to P-N (hereinafter also referred to as “inspection points P” when they are not distinguished) defined on the inspection target substrate 20. -1 to 3-N (hereinafter also referred to as “probe 3” when they are not distinguished from each other) are inspection jigs held by the probe holding unit 3 a, and each probe 3 is connected via the connection switching unit 5. It is connected to either the high potential connection part (part indicated by “H” in the figure: H potential) or the low potential connection part (part indicated by “L” in the figure: L potential) of the measurement unit 4. .

なお、実際の検査対象基板２０の検査時には、数百から数千箇所の検査ポイントＰを規定して数百から数千本のプローブ３を用いて絶縁検査が実行される。しかしながら、以下の説明においては、絶縁検査装置の構成および絶縁検査方法についての理解を容易とするために、第１の従来検査方法および第２の従来検査方法について説明したときの例示に合わせて、検査ポイントＰ−１〜Ｐ−１０の１０箇所（「Ｎ＝１０」の例）を対象として、プローブ３−１〜３−１０の１０本を用いて検査する例を挙げて説明する。この場合、検査対象基板２０には、前述した例示と同様にして、検査ポイントＰ−２，Ｐ−６の間、および検査ポイントＰ−３，Ｐ−７の間の２箇所に絶縁不良が生じているものとする。 In the actual inspection of the inspection target substrate 20, hundreds to thousands of inspection points P are defined, and insulation inspection is performed using hundreds to thousands of probes 3. However, in the following description, in order to facilitate understanding of the configuration of the insulation inspection apparatus and the insulation inspection method, in accordance with the example when the first conventional inspection method and the second conventional inspection method are described, A description will be given of an example in which ten probes 3-1 to 3-10 are inspected for 10 inspection points P-1 to P-10 (example of “N = 10”). In this case, in the substrate 20 to be inspected, insulation failure occurs in two places between the inspection points P-2 and P-6 and between the inspection points P-3 and P-7, as in the above-described example. It shall be.

測定部４は、図示しない検査電圧生成回路および電流測定回路を備えている。この測定部４は、後述するようにして、操作部６からの制御信号Ｓ２に従い、接続切替え部５によって検査電圧生成回路のＬ電位に接続された検査ポイントＰ（Ｌ電位に接続されたプローブ３が接触している検査ポイントＰ）と検査電圧生成回路のＨ電位に接続された検査ポイントＰ（Ｈ電位に接続されたプローブ３が接触している検査ポイントＰ）との間に検査用電圧（既知の一定電圧値）を印加した状態において、電流測定回路によってＨ電位およびＬ電位の間を流れる電流（電気的パラメータの一例）を測定し、その測定結果を測定データＤ２として制御部８に出力する。接続切替え部５は、複数の切換スイッチおよびスイッチ制御回路（図示せず）を備え、制御部８からの制御信号Ｓ１に従って、スイッチ制御回路が各切換スイッチを切替え制御することにより、各プローブ３を測定部４における検査電圧生成回路のＨ電位およびＬ電位のいずれかに接続するか、または、いずれにも接続しない（測定部４から切り離した状態の接続態様への切換制御する）。操作部６は、絶縁検査装置１の動作条件を設定するための各種の操作スイッチを備え、スイッチ操作に応じた操作信号を制御部８に出力する。表示部７は、制御部８の制御に従い、絶縁検査処理の進行状況や、検査対象基板２０についての検査結果を表示する。 The measurement unit 4 includes a test voltage generation circuit and a current measurement circuit (not shown). As will be described later, the measuring unit 4 is connected to the inspection point P (the probe 3 connected to the L potential) connected to the L potential of the inspection voltage generation circuit by the connection switching unit 5 in accordance with the control signal S2 from the operation unit 6. Between the inspection point P) and the inspection point P connected to the H potential of the inspection voltage generating circuit (the inspection point P where the probe 3 connected to the H potential is in contact). In a state where a known constant voltage value is applied, a current (an example of an electrical parameter) flowing between the H potential and the L potential is measured by a current measurement circuit, and the measurement result is output to the control unit 8 as measurement data D2. To do. The connection switching unit 5 includes a plurality of change-over switches and a switch control circuit (not shown), and the switch control circuit controls each change-over switch according to the control signal S1 from the control unit 8, whereby each probe 3 is controlled. Either connected to either the H potential or the L potential of the test voltage generation circuit in the measuring unit 4 or not connected to either (not controlled from the measuring unit 4). The operation unit 6 includes various operation switches for setting the operating conditions of the insulation inspection apparatus 1, and outputs an operation signal corresponding to the switch operation to the control unit 8. The display unit 7 displays the progress of the insulation inspection process and the inspection result of the inspection target substrate 20 under the control of the control unit 8.

制御部８は、絶縁検査装置１を総括的に制御する。具体的には、制御部８は、後述する絶縁検査処理を実行して検査対象基板２０の良否を検査すると共に、絶縁不良箇所が存在する検査対象基板２０については、いずれの導体パターン間（いずれの検査ポイントＰ間）に絶縁不良が生じているかを特定する。より具体的には、制御部８は、接続切替え部５に対して制御信号Ｓ１を出力して各プローブ３のうちの一部、または、すべてを測定部４のＨ電位およびＬ電位のいずれかに接続させると共に、測定部４に対して制御信号Ｓ２を出力して検査用電圧の出力、およびＨ電位とＬ電位との間を流れる電流の測定処理を実行させる。また、制御部８は、測定部４から出力された測定データＤ２に基づき、Ｈ電位に接続された検査ポイントＰとＬ電位に接続された検査ポイントＰとの間の絶縁状態が良好であるか否かを検査すると共に、その検査結果を検査結果データＤ３として記憶部９に記憶させる。 The control unit 8 comprehensively controls the insulation inspection apparatus 1. Specifically, the control unit 8 performs an insulation inspection process to be described later to inspect the quality of the inspection target substrate 20, and for the inspection target substrate 20 where an insulation failure location exists, between any conductor patterns (which Whether or not insulation failure occurs between the inspection points P) is specified. More specifically, the control unit 8 outputs a control signal S1 to the connection switching unit 5 so that a part or all of each probe 3 is either the H potential or the L potential of the measurement unit 4. And a control signal S2 is output to the measurement unit 4 to output a test voltage and measure a current flowing between the H potential and the L potential. Moreover, the control part 8 is based on the measurement data D2 output from the measurement part 4, and the insulation state between the inspection point P connected to the H potential and the inspection point P connected to the L potential is good. In addition, the inspection result is stored in the storage unit 9 as inspection result data D3.

記憶部９は、検査手順データＤ１および検査結果データＤ３などを記憶する。この場合、検査手順データＤ１は、一例として、検査対象基板２０の設計データ等に基づき、絶縁検査装置１以外の情報処理装置（パーソナルコンピュータ等）によって基本データが生成されると共に、一連の検査処理の検査結果（検査結果データＤ３）に基づいて制御部８によって追加生成される。なお、この絶縁検査装置１では、テストヘッド２、測定部４、接続切替え部５、制御部８および記憶部９が相俟って検査部を構成する。また、この絶縁検査装置１では、テストヘッド２および検査対象基板２０の少なくとも一方を他方に向けて移動させて各プローブ３を検査ポイントＰ（導体パターン）に接触させる移動機構（図示せず）を備えているが、絶縁検査装置の構成および絶縁検査方法についての理解を容易とするために、その図示および詳細な説明を省略する。 The storage unit 9 stores inspection procedure data D1, inspection result data D3, and the like. In this case, the inspection procedure data D1 is generated as basic data by an information processing apparatus (such as a personal computer) other than the insulation inspection apparatus 1 based on design data of the inspection target substrate 20 as an example, and a series of inspection processes. Are additionally generated by the control unit 8 based on the inspection result (inspection result data D3). In the insulation inspection apparatus 1, the test head 2, the measurement unit 4, the connection switching unit 5, the control unit 8, and the storage unit 9 constitute an inspection unit. In addition, in this insulation inspection apparatus 1, a moving mechanism (not shown) that moves at least one of the test head 2 and the inspection target substrate 20 toward the other to bring each probe 3 into contact with the inspection point P (conductor pattern). In order to facilitate understanding of the configuration of the insulation inspection apparatus and the insulation inspection method, the illustration and detailed description thereof are omitted.

この絶縁検査装置１では、操作部６の操作によって処理開始を指示されたときに、制御部８が、絶縁検査処理を開始する。この絶縁検査処理では、制御部８は、検査手順データＤ１に基づいて、まず、図示しない移動機構を制御してテストヘッド２の各プローブ３を検査対象基板２０の各検査ポイントＰ（各導体パターン）に接触させる。次いで、制御部８は、検査手順データＤ１に応じて接続切替え部５に制御信号Ｓ１を出力することにより、図２に示すように、各プローブ３と測定部４（Ｈ電位およびＬ電位）との接続状態を第１検査（１回目の検査処理）に応じた接続態様に切り替えさせる。この際に、接続切替え部５は、検査ポイントＰ−１に接触しているプローブ３−１をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０に接触しているプローブ３−２〜３−１０をＬ電位にそれぞれ接続する。 In this insulation inspection apparatus 1, when an instruction to start processing is given by operating the operation unit 6, the control unit 8 starts insulation inspection processing. In this insulation inspection process, the control unit 8 first controls a moving mechanism (not shown) based on the inspection procedure data D1 so that each probe 3 of the test head 2 is connected to each inspection point P (each conductor pattern) on the inspection target substrate 20. ). Next, the control unit 8 outputs a control signal S1 to the connection switching unit 5 in accordance with the inspection procedure data D1, thereby, as shown in FIG. 2, each probe 3 and the measurement unit 4 (H potential and L potential) The connection state is switched to a connection mode according to the first inspection (first inspection process). At this time, the connection switching unit 5 connects the probe 3-1 in contact with the inspection point P-1 to the H potential and the probe 3-2 in contact with the inspection points P-2 to P-10. ～3-10 to connect each to the L potential.

続いて、制御部８は、測定部４に制御信号Ｓ２を出力することにより、Ｈ電位およびＬ電位間に検査用電圧を印加させると共に、電流値を測定させる。これに応じて、測定部４から測定データＤ２が出力され、制御部８は、出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰの間に絶縁状態が不良の箇所（絶縁不良箇所）が存在するか否かを検査する。この際には、検査ポイントＰ−１と、検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０の９箇所との間に絶縁不良が生じていないため、検査用電圧を印加した際にＨ電位およびＬ電位の間を流れる電流の値がほぼ０となる。したがって、制御部８は、測定部４から出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰの間に絶縁不良箇所が存在しないと検査して検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。 Subsequently, the control unit 8 outputs a control signal S2 to the measurement unit 4, thereby applying a test voltage between the H potential and the L potential and measuring the current value. In response to this, the measurement data D2 is output from the measurement unit 4, and the control unit 8 has a poor insulation state between the inspection points P to be inspected based on the output measurement data D2 and the inspection reference value. It is inspected whether there is a location (insulation failure location). At this time, since there is no insulation failure between the inspection point P-1 and the nine inspection points P-2 to P-10, the H potential and the L potential are applied when the inspection voltage is applied. The value of the current flowing between them is almost zero. Therefore, based on the measurement data D2 output from the measurement unit 4 and the inspection reference value, the control unit 8 inspects that there is no insulation failure portion between the inspection points P to be inspected, and uses the inspection result data D3. Store in the storage unit 9.

次いで、制御部８は、検査手順データＤ１および第１検査の検査結果データＤ３に応じて接続切替え部５に対して測定部４に対する各プローブ３の接続態様を切り替えさせる。この際に、この絶縁検査装置１では、絶縁状態が良好と検査した検査処理時にＨ電位に接続した１箇所の検査ポイントＰをその後に実行する検査処理の検査対象から除外して、その検査ポイントＰを、その後に実行する検査処理においてＬ電位に接続することなく絶縁状態を検査する構成が採用されている。具体的には、この例では、絶縁状態が良好と検査された第１検査時にＨ電位に接続していた検査ポイントＰ−１については、第２検査以降においてＬ電位に接続することなく、検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０の９箇所だけを検査対象とする検査を実行する。したがって、制御部８は、第２検査（２回目の検査処理）において、検査手順データＤ１および第１検査の検査結果データＤ３に応じて接続切替え部５を制御して、検査ポイントＰ−２に接触しているプローブ３−２をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−３〜Ｐ−１０に接触しているプローブ３−３〜３−１０をＬ電位にそれぞれ接続させる。 Next, the control unit 8 causes the connection switching unit 5 to switch the connection mode of each probe 3 with respect to the measurement unit 4 in accordance with the inspection procedure data D1 and the inspection result data D3 of the first inspection. At this time, in this insulation inspection apparatus 1, one inspection point P connected to the H potential at the time of the inspection process in which the insulation state is in good condition is excluded from the inspection object of the inspection process to be executed thereafter, and the inspection point A configuration is employed in which the insulation state is inspected without connecting P to the L potential in an inspection process to be executed thereafter. Specifically, in this example, the inspection point P-1 that was connected to the H potential at the time of the first inspection in which the insulation state was inspected is good without being connected to the L potential after the second inspection. An inspection is performed with respect to only nine points P-2 to P-10. Therefore, in the second inspection (second inspection process), the control unit 8 controls the connection switching unit 5 according to the inspection procedure data D1 and the inspection result data D3 of the first inspection, to the inspection point P-2. the probes 3-2 in contact with connecting to H potential, Ru is connected probes 3-3～3-10 in contact with the inspection points P-3 to P-10 to L potential.

この際には、検査結果が良好であった直前の検査処理（この例では、第１検査）においてＨ電位に接続していた検査ポイントＰ−１が検査対象から除外されて、その後に実行する検査処理時にＬ電位に接続することなく絶縁状態が検査される。したがって、直前の検査処理においてＨ電位に接続した検査ポイントＰ−１とＬ電位に接続した検査ポイントＰ−２〜Ｐ−１０との間に生じた電位差（Ｈ電位に接続した検査ポイントＰ−１に貯まった電荷）をなくす処理を実行することなく各プローブ３の接続態様を切り替えたとしても、接続切替え部５や検査対象基板２０（導体パターン）に大きな電流が流れることがないため、制御部８は、直前の検査処理（第１検査）の完了直後にプローブ３の接続態様を直ちに切り替えさせる。 At this time, the inspection point P-1 connected to the H potential in the immediately preceding inspection process (in this example, the first inspection) in which the inspection result is good is excluded from the inspection object and executed thereafter. The insulation state is inspected without connecting to the L potential during the inspection process. Therefore, the potential difference (the inspection point P-1 connected to the H potential) generated between the inspection point P-1 connected to the H potential and the inspection points P-2 to P-10 connected to the L potential in the immediately preceding inspection process. Even when the connection mode of each probe 3 is switched without executing the process of eliminating the charge stored in the control unit, a large current does not flow through the connection switching unit 5 or the inspection target substrate 20 (conductor pattern). No. 8 immediately switches the connection mode of the probe 3 immediately after completion of the immediately preceding inspection process (first inspection).

なお、本例では、絶縁検査方法についての理解を容易とするために、検査ポイントＰ−１〜Ｐ−１０を有する検査対象基板２０において、検査ポイントＰ−２，Ｐ−６の間、および検査ポイントＰ−３，Ｐ−７の間の２箇所に絶縁不良が生じている状態を例に挙げて説明している。しかしながら、実際の検査対象基板２０においては、検査ポイントＰの数に対する絶縁不良箇所の数が極めて少なく、検査ポイントＰの大半が良好であるため、検査結果が良好であると検査した検査処理の次に実行する検査処理に先立って電位差（電荷）をなくす処理を不要とすることで、１枚の検査対象基板の検査に要する時間が十分に短縮される。 In this example, in order to facilitate understanding of the insulation inspection method, in the inspection target substrate 20 having the inspection points P-1 to P-10, between the inspection points P-2 and P-6, and the inspection The state where insulation failure has occurred in two places between points P-3 and P-7 is described as an example. However, in the actual inspection target substrate 20, the number of defective insulation points is extremely small with respect to the number of inspection points P, and most of the inspection points P are good. By eliminating the need for the process of eliminating the potential difference (charge) prior to the inspection process, the time required for inspecting one inspection target substrate is sufficiently shortened.

続いて、制御部８は、測定部４に制御信号Ｓ２を出力することにより、Ｈ電位およびＬ電位の間に検査用電圧を印加させると共に、電流値を測定させる。これに応じて、測定部４から測定データＤ２が出力され、制御部８は、出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰの間に絶縁状態が不良の箇所（絶縁不良箇所）が存在するか否かを検査する。この際には、検査ポイントＰ−２と、検査ポイントＰ−６との間に絶縁不良が生じているため、検査ポイントＰ−２と、検査ポイントＰ−３〜Ｐ−１０との間に検査用電圧を印加した際に、Ｈ電位およびＬ電位の間を比較的大きな電流が流れる。したがって、制御部８は、測定部４から出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰの間に絶縁不良箇所が存在すると検査して検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。 Subsequently, the control unit 8 outputs a control signal S2 to the measurement unit 4, thereby causing the test voltage to be applied between the H potential and the L potential and the current value to be measured. In response to this, the measurement data D2 is output from the measurement unit 4, and the control unit 8 has a poor insulation state between the inspection points P to be inspected based on the output measurement data D2 and the inspection reference value. It is inspected whether there is a location (insulation failure location). At this time, since an insulation failure has occurred between the inspection point P-2 and the inspection point P-6, the inspection is performed between the inspection point P-2 and the inspection points P-3 to P-10. When a working voltage is applied, a relatively large current flows between the H potential and the L potential. Therefore, based on the measurement data D2 output from the measurement unit 4 and the inspection reference value, the control unit 8 inspects that there is an insulation failure portion between the inspection points P to be inspected and stores the inspection result data D3. Store in unit 9.

次いで、制御部８は、検査手順データＤ１および第２検査の検査結果データＤ３に応じて接続切替え部５に対して測定部４に対する各プローブ３の接続態様を切り替えさせる。この際に、この絶縁検査装置１では、絶縁状態が不良と検査した検査処理時にＨ電位に接続した１箇所の検査ポイントＰについては、その後に実行する検査処理の検査対象から除外することなく、その検査ポイントＰをＬ電位に接続して絶縁状態を検査する構成が採用されている。具体的には、この例では、絶縁状態が不良と検査された第２検査時にＨ電位に接続していた検査ポイントＰ−２については、第３検査以降においも検査処理の対象に含めてＬ電位に接続する。このため、検査結果が不良であった直前の検査処理（この例では、第２検査）においてＨ電位に接続していた検査ポイントＰ−２が検査対象に含まれてＬ電位に接続されることとなる。したがって、制御部８は、直前の検査処理においてＨ電位に接続した検査ポイントＰ−２とＬ電位に接続した検査ポイントＰ−３〜Ｐ−１０との間に生じた電位差（Ｈ電位に接続した検査ポイントＰ−２に貯まった電荷）をなくす処理を実行した後に、プローブ３の接続態様を切り替えさせる。 Next, the control unit 8 causes the connection switching unit 5 to switch the connection mode of each probe 3 with respect to the measurement unit 4 in accordance with the inspection procedure data D1 and the inspection result data D3 of the second inspection. At this time, in this insulation inspection apparatus 1, without regard to one inspection point P connected to the H potential during the inspection process in which the insulation state is inferior, is excluded from the inspection target of the inspection process to be executed thereafter. A configuration is adopted in which the inspection point P is connected to the L potential to inspect the insulation state. Specifically, in this example, the inspection point P-2 connected to the H potential at the time of the second inspection in which the insulation state is inspected is also included in the inspection processing object after the third inspection. Connect to potential. For this reason, the inspection point P-2 connected to the H potential in the inspection process (in this example, the second inspection) immediately before the inspection result is defective is included in the inspection object and connected to the L potential. It becomes. Therefore, the control unit 8 has a potential difference (connected to the H potential) generated between the inspection point P-2 connected to the H potential and the inspection points P-3 to P-10 connected to the L potential in the immediately preceding inspection process. After executing the process of eliminating the charge accumulated at the inspection point P-2, the connection mode of the probe 3 is switched.

具体的には、制御部８は、電位差（電荷）をなくす処理を実行した後に、第３検査（３回目の検査処理）において、検査手順データＤ１および第２検査の検査結果データＤ３に応じて接続切替え部５を制御して、検査ポイントＰ−３に接触しているプローブ３−３をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−２，Ｐ−４〜Ｐ−１０に接触しているプローブ３−２，３−４〜３−１０をＬ電位にそれぞれ接続させる。続いて、制御部８は、Ｈ電位およびＬ電位の間に検査用電圧を印加させると共に、電流値を測定させた後に、測定部４から出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰの間に絶縁状態が不良の箇所（絶縁不良箇所）が存在するか否かを検査する。この際には、検査ポイントＰ−３と、検査ポイントＰ−７との間に絶縁不良が生じているため、検査ポイントＰ−３と、検査ポイントＰ−２，Ｐ−４〜Ｐ−１０との間に検査用電圧を印加した際に、Ｈ電位およびＬ電位の間を比較的大きな電流が流れる。したがって、制御部８は、測定部４から出力された測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、検査対象の検査ポイントＰの間に絶縁不良箇所が存在すると検査して検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。 Specifically, after executing the process of eliminating the potential difference (charge), the control unit 8 performs the third inspection (third inspection process) according to the inspection procedure data D1 and the inspection result data D3 of the second inspection. A probe that controls the connection switching unit 5 to connect the probe 3-3 that is in contact with the inspection point P-3 to the H potential and that is in contact with the inspection points P-2 and P-4 to P-10. 3-2 and 3-4 to 3-10 are respectively connected to the L potential. Subsequently, the control unit 8 applies a test voltage between the H potential and the L potential, and after measuring the current value, based on the measurement data D2 output from the measurement unit 4 and the test reference value. Then, it is inspected whether or not there is a location with a poor insulation state (insulation failure location) between inspection points P to be inspected. At this time, since an insulation failure occurs between the inspection point P-3 and the inspection point P-7, the inspection point P-3, the inspection points P-2, P-4 to P-10, and When a test voltage is applied during the period, a relatively large current flows between the H potential and the L potential. Therefore, based on the measurement data D2 output from the measurement unit 4 and the inspection reference value, the control unit 8 inspects that there is an insulation failure portion between the inspection points P to be inspected and stores the inspection result data D3. Store in unit 9.

この後、制御部８は、第４検査（４回目の検査処理）から第１０検査（１０回目の検査処理）の一連の検査において、絶縁不良箇所が存在しないと検査した検査処理時にＨ電位に接続した検査ポイントＰについては、その後の検査処理の検査対象から除外し、絶縁不良箇所が存在すると検査した検査処理時にＨ電位に接続した検査ポイントＰについては、その後の検査処理においても検査対象から除外することなくＬ電位に接続して絶縁状態を検査する。これにより、前述した総当たりスキャン検査や第１の従来検査方法よりも少なく、第２の従来検査方法と同じ１０回の検査処理によって検査対象基板２０に絶縁不良箇所が存在するか否かの検査が完了する。この場合、上記の例とは相違するが、１回目から９回目までの９回の検査処理のすべてにおいて絶縁状態が良好と検査したときには、制御部８は、第１の従来検査方法と同様にして、１０回目の検査処理（第１０検査）を実行することなく、検査対象基板２０が良品であると検査して検査結果を表示部７に表示させ、その検査対象基板２０についての一連の絶縁検査処理を終了する。 Thereafter, the control unit 8 is set to the H potential during the inspection process in which it is inspected that there is no insulation failure point in a series of inspections from the fourth inspection (the fourth inspection process) to the tenth inspection (the tenth inspection process). The connected inspection point P is excluded from the inspection target of the subsequent inspection process, and the inspection point P connected to the H potential at the time of the inspection process inspected if there is an insulation defect portion is also excluded from the inspection target in the subsequent inspection process. Without being excluded, the insulation state is inspected by connecting to the L potential. Thereby, it is less than the brute force scan inspection and the first conventional inspection method described above, and it is inspected whether or not there is an insulation defect location on the inspection target substrate 20 by the same ten inspection processes as the second conventional inspection method. Is completed. In this case, although different from the above example, when the insulation state is inspected in all nine inspection processes from the first to the ninth, the control unit 8 performs the same as in the first conventional inspection method. Thus, without executing the tenth inspection process (tenth inspection), the inspection target substrate 20 is inspected as a non-defective product, and the inspection result is displayed on the display unit 7. Exit the inspection process.

一方、絶縁不良箇所が存在する上記の例では、第２の従来検査方法と同様にして１０回の検査処理が実行され、この１０回の検査処理のうちの第２検査、第３検査、第６検査および第７検査の４回において、絶縁不良箇所が存在すると検査される（「Ｌ＝４」の例）。したがって、制御部８は、検査ポイントＰ−１〜Ｐ−１０のうちのいずれの間に絶縁不良が生じているかを特定するために、Ｌ×（Ｌ−１）／２＝４×（４−１）／２＝６回の個別検査を実行する。この際に、制御部８は、まず、上記の１０回の検査処理の各検査結果データＤ３に基づいて、個別検査用の検査手順データＤ１を生成する。この場合、この絶縁検査装置１による絶縁検査方法では、上記の１０回の検査処理のうちの絶縁状態が良好と検査された６回の検査処理時にＨ電位に接続していた検査ポイントＰについては、その他の検査ポイントＰに対して絶縁状態がそれぞれ良好であることが確定している。したがって、この絶縁検査装置１による絶縁検査方法では、前述した第２の従来検査方法と同様にして、絶縁状態が良好であることが確定している検査ポイントＰについては、個別検査の対象から除外して、絶縁状態が良好であることが確定していない検査ポイントＰだけを対象として個別検査を実行する。 On the other hand, in the above example where there is an insulation failure location, 10 inspection processes are executed in the same manner as the second conventional inspection method, and the second inspection, the third inspection of the 10 inspection processes, In four times of the sixth inspection and the seventh inspection, it is inspected that there is a defective insulation portion (example of “L = 4”). Therefore, the control unit 8 specifies L × (L−1) / 2 = 4 × (4-) in order to specify which of the inspection points P-1 to P-10 has an insulation failure. 1) / 2 = 6 individual inspections are executed. At this time, the control unit 8 first generates inspection procedure data D1 for individual inspection based on each inspection result data D3 of the ten inspection processes described above. In this case, in the insulation inspection method using the insulation inspection apparatus 1, the inspection point P connected to the H potential at the time of the six inspection processes in which the insulation state is inspected as good among the ten inspection processes described above. It has been determined that the insulation state is good with respect to the other inspection points P. Therefore, in the insulation inspection method using this insulation inspection apparatus 1, as in the second conventional inspection method described above, the inspection point P for which the insulation state is determined to be good is excluded from the individual inspection target. Then, the individual inspection is executed only for the inspection point P for which the insulation state is not determined to be good.

具体的には、制御部８は、記憶部９に記憶させた各検査結果データＤ３に基づき、絶縁状態が良好であると確定している検査ポイントＰを特定する。この際には、上記の第１検査、第４検査、第５検査、第８検査〜第１０検査の６回においてＨ電位に接続した検査ポイントＰ−１，Ｐ−４，Ｐ−５，Ｐ−８〜Ｐ−１０の６箇所が良好な検査ポイントＰとして特定される。次いで、制御部８は、図３に示すように、絶縁状態が良好であることが確定していない検査ポイントＰ−２，Ｐ−３，Ｐ−６，Ｐ−７の４箇所を対象として個別検査を実行するように検査手順データＤ１を生成して記憶部９に記憶させる。 Specifically, the control unit 8 specifies an inspection point P that is determined to be in a good insulation state based on each inspection result data D3 stored in the storage unit 9. At this time, the inspection points P-1, P-4, P-5, P connected to the H potential in the first inspection, the fourth inspection, the fifth inspection, and the eighth inspection to the tenth inspection described above. Six locations of −8 to P-10 are identified as good inspection points P. Next, as shown in FIG. 3, the control unit 8 individually targets four locations of inspection points P-2, P-3, P-6, and P-7 that have not been confirmed to be in a good insulation state. Inspection procedure data D1 is generated and stored in the storage unit 9 so as to execute the inspection.

続いて、制御部８は、検査手順データＤ１に基づいて接続切替え部５に制御信号Ｓ１を出力して、検査ポイントＰ−２（「Ｌ箇所の検査ポイントのうちの１箇所」の一例）をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−３（「Ｌ箇所のうちの１箇所の検査ポイント以外の１箇所」の一例）をＬ電位に接続させる。次いで、制御部８は、測定部４を制御してＨ電位およびＬ電位の間に検査用電圧を印加させると共に、電流値の測定を実行させる。また、制御部８は、測定部４から出力される測定データＤ２と検査用基準値とに基づき、Ｈ電位およびＬ電位の間（この例では、検査ポイントＰ−２，Ｐ−３間）に絶縁不良が生じていないと検査して、検査結果データＤ３を記憶部９に記憶させる。これにより、個別検査における第１検査が完了する。次いで、制御部８は、検査ポイントＰ−２をＨ電位に接続させた状態を維持しつつ、検査ポイントＰ−６，Ｐ−７（「Ｌ箇所のうちの１箇所の検査ポイント以外の１箇所」の他の一例）をＬ電位に順次切り替えて接続させた状態において検査用電圧を印加させ、測定部４から出力される測定データＤ２と検査用基準値とに基づいて絶縁状態をそれぞれ検査する処理を実行する（個別検査における第２検査および第３検査の実行）。 Subsequently, the control unit 8 outputs a control signal S1 to the connection switching unit 5 based on the inspection procedure data D1, and outputs an inspection point P-2 (an example of “one of L inspection points”). In addition to being connected to the H potential, the inspection point P-3 (an example of “one place other than one inspection point among the L places”) is connected to the L potential. Next, the control unit 8 controls the measurement unit 4 to apply a test voltage between the H potential and the L potential, and to execute a current value measurement. Further, the control unit 8 is between the H potential and the L potential (in this example, between the inspection points P-2 and P-3) based on the measurement data D2 output from the measurement unit 4 and the reference value for inspection. Inspection is made that there is no insulation failure, and inspection result data D3 is stored in the storage unit 9. Thereby, the 1st inspection in an individual inspection is completed. Next, the control unit 8 maintains the state where the inspection point P-2 is connected to the H potential, while the inspection points P-6 and P-7 ("one place other than one inspection point among the L places". In another example), the voltage for inspection is applied in the state of being sequentially switched to the L potential, and the insulation state is inspected based on the measurement data D2 output from the measurement unit 4 and the reference value for inspection. The process is executed (execution of the second inspection and the third inspection in the individual inspection).

続いて、制御部８は、検査ポイントＰ−３（「Ｌ箇所のうちの１箇所の検査ポイント以外の１箇所」の他の一例）をＨ電位に接続させると共に、検査ポイントＰ−６，Ｐ−７（「Ｌ箇所のうちの１箇所の検査ポイント以外の１箇所」の他の一例）をＬ電位に順次切り替えて接続させた状態において検査用電圧を印加させ、測定部４から出力される測定データＤ２と検査用基準値とに基づいて絶縁状態をそれぞれ検査する処理を実行する（個別検査における第４検査および第５検査の実行）。最後に、制御部８は、検査ポイントＰ−６（「Ｌ箇所のうちの１箇所の検査ポイント以外の１箇所」のさらに他の一例）をＨ電位に接続すると共に、検査ポイントＰ−７（「Ｌ箇所のうちの１箇所の検査ポイント以外の１箇所」のさらに他の一例）をＬ電位に接続させた状態において検査用電圧を印加させ、測定部４から出力される測定データＤ２と検査用基準値とに基づいて絶縁状態を検査する（個別検査における第６検査）。これにより、第２検査において検査ポイントＰ−２，Ｐ−６間に絶縁不良が生じていると検査され、第５検査において検査ポイントＰ−３，Ｐ−７間に絶縁不良が生じていると検査される。 Subsequently, the control unit 8 connects the inspection point P-3 (another example of “one place other than one inspection point out of the L places”) to the H potential and the inspection points P-6 and P. −7 (another example of “one of the L points other than the inspection point”) is sequentially switched to the L potential and connected, and the inspection voltage is applied and output from the measuring unit 4 A process of inspecting the insulation state based on the measurement data D2 and the reference value for inspection is executed (execution of the fourth inspection and the fifth inspection in the individual inspection). Finally, the control unit 8 connects the inspection point P-6 (“another example of one of the L points other than the inspection point”) to the H potential and the inspection point P-7 ( A test voltage is applied in a state where “another example of“ one of the L points other than the inspection point ”is connected” to the L potential, and the measurement data D2 output from the measurement unit 4 and the inspection The insulation state is inspected based on the reference value (the sixth inspection in the individual inspection). Thereby, it is inspected that an insulation failure has occurred between the inspection points P-2 and P-6 in the second inspection, and an insulation failure has occurred between the inspection points P-3 and P-7 in the fifth inspection. Inspected.

この場合、この絶縁検査装置１による絶縁検査方法では、第１の従来検査方法や第２の従来検査方法について説明した例と同じ検査対象基板２０を検査する際に、第２の従来検査方法と同様にして、検査対象基板２０に絶縁不良箇所が存在するか否かを特定するのに要する検査回数が１０回で、いずれの検査ポイントＰ，Ｐ間に絶縁不良が生じているかを特定するのに要する検査回数が６回となっている。この後、制御部８は、検査対象基板２０についての検査結果（この例では、検査ポイントＰ−２，Ｐ−６の間と、検査ポイントＰ−３，Ｐ−７の間との間に絶縁不良が生じている不良の検査対象基板２０であるとの検査結果）を表示部７に表示させ、この検査対象基板２０についての一連の絶縁検査処理を終了する。 In this case, in the insulation inspection method using the insulation inspection apparatus 1, when inspecting the same inspection target substrate 20 as the example described for the first conventional inspection method and the second conventional inspection method, Similarly, the number of inspections required to specify whether or not there is an insulation failure location on the inspection target substrate 20 is 10 times, and it is specified which inspection point P, P has an insulation failure. The number of inspections required for this is six. Thereafter, the control unit 8 insulates the inspection result for the inspection target substrate 20 (in this example, between the inspection points P-2 and P-6 and between the inspection points P-3 and P-7). An inspection result indicating that the defective inspection target substrate 20 is defective is displayed on the display unit 7, and a series of insulation inspection processes for the inspection target substrate 20 is completed.

この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、検査処理において、複数の検査ポイントＰとその他の１箇所の検査ポイントＰとの間の絶縁状態を一括して検査することにより、第２の従来検査方法と同様にして総当たりスキャン検査よりも１枚の検査対象基板２０を検査するための検査回数を十分に低減して検査時間の短縮を図ることができるだけでなく、Ｈ電位に接続した検査ポイントＰとＬ電位に接続した検査ポイントＰとの間の絶縁状態が良好であると検査した検査処理に続いて実行する検査処理時において検査ポイントＰ，Ｐ間に生じた電位差（電荷）をなくす処理が不要となる分だけ第２の従来検査方法よりも１枚の検査対象基板２０を検査するのに要する時間を短縮することができる。 Insulation inspection apparatus 1 of this, and according to the insulation inspection method according to insulation test apparatus 1, the inspection process, collectively insulated state between the test point P of the plurality of test points P and other one place inspection As a result, the inspection time can be shortened by sufficiently reducing the number of inspections for inspecting one inspection target substrate 20 as compared with the brute force scan inspection in the same manner as the second conventional inspection method. In addition, during the inspection process that is performed following the inspection process that is inspected that the inspection state P between the inspection point P connected to the H potential and the inspection point P connected to the L potential is good, the inspection point P is connected between the inspection points P and P. The time required for inspecting one inspection target substrate 20 can be shortened as compared with the second conventional inspection method by the amount that eliminates the process of eliminating the generated potential difference (charge).

また、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、Ｌ回（上記の例では、４回）の検査処理において絶縁状態が不良と検査したときに、不良と検査した検査処理時にＨ電位に接続した「Ｌ＝４」箇所の検査ポイントＰのうちの１箇所をＨ電位に接続すると共にその１箇所の検査ポイントＰ以外の１箇所の検査対象基板ＰをＬ電位に接続した状態において測定した電流値に基づいて１箇所の検査ポイントＰおよびその１箇所の検査ポイントＰ以外の１箇所の検査対象基板Ｐの間の絶縁状態を検査する検査処理を両検査ポイントＰ，Ｐの組合わせを変更して（Ｌ×（Ｌ−１）／２）回（この例では、６回）実行することにより、総当たりスキャン検査によって絶縁不良箇所を特定する構成および方法よりも、検査対象基板２０におけるいずれの検査対象ポイントＰに絶縁不良が生じているかを特定するのに要する検査回数（この例では、１６回）を十分に低減して検査時間を十分に短縮することができる。 In addition, according to the insulation inspection device 1 and the insulation inspection method by the insulation inspection device 1, when the insulation state is inspected to be defective in the inspection process L times (in the above example, four times), it is inspected as defective. One of the inspection points P at “L = 4” connected to the H potential during the inspection process is connected to the H potential, and one inspection target substrate P other than the one inspection point P is set to the L potential. Based on the current value measured in the connected state, the inspection process for inspecting the insulation state between one inspection point P and one inspection target substrate P other than the one inspection point P is performed at both inspection points P, By changing the combination of P and executing ( L × (L−1) / 2 ) times (in this example, 6 times), the configuration and method of specifying an insulation failure location by brute force scan inspection, Inspection vs. (In this example, 1 of 6) number of tests required to identify whether the insulation failure in any of the inspection target point P in elephant substrate 20 has occurred can be sufficiently shortened inspection time sufficiently reduced .

なお、絶縁検査装置の構成および絶縁検査方法は、上記の絶縁検査装置１の構成、およびその絶縁検査方法に限定されない。例えば、「Ｎ＝１０」箇所の検査ポイントＰのうちの９箇所以下の検査ポイントＰを高電位および低電位の他方の電位としてのＬ電位に接続すると共に、９箇所以外の１箇所の検査ポイントＰをいずれか一方の電位としてのＨ電位に接続した状態において電流値を測定して検査する構成および方法を例に挙げて説明したが、「Ｎ＝１０」箇所の検査ポイントＰのうちの９箇所以下の検査ポイントＰをＨ電位に接続すると共に、９箇所以外の１箇所の検査ポイントＰをＬ電位に接続した状態において電流値を測定して検査する構成および方法を採用することもできる。このような構成および方法を採用した場合においても、上記の絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法と同様の効果を奏することができる。 The configuration of the insulation inspection apparatus and the insulation inspection method are not limited to the structure of the insulation inspection apparatus 1 and the insulation inspection method thereof. For instance, while connection to "N = 10" inspection point P under nine following of the inspection points P point to the L potential as the other potential of the high potential and low potential, the inspection of one point other than the nine positions The configuration and method for measuring and inspecting the current value in a state where the point P is connected to the H potential as one of the potentials have been described as an example. Of the inspection points P at “N = 10”, the inspection point P under nine following while connected to H potential, also possible to use a construction and a method for inspecting and measuring a current value in the state where the inspection point P of one point other than the nine connected to L potential it can. Even when such a configuration and method are employed, the same effects as those of the insulation inspection apparatus 1 and the insulation inspection method by the insulation inspection apparatus 1 can be obtained.

また、検査処理が完了した後に、絶縁不良箇所を特定するための６回の個別検査を実行する例について説明したが、例えば、「Ｎ＝１０」箇所の検査ポイントＰのうちの３箇所が相互に短絡しているときには、「Ｎ＝１０」回の検査処理のうちの３回において絶縁状態が不良と検査される。この際には、不良と検査した３回の検査処理時にＨ電位に接続していた３箇所の検査ポイントＰを対象として、Ｌ×（Ｌ−１）／２＝３×（３−１）／２＝３回の個別検査を実行すればよい。同様にして、Ｎ回の検査処理のうちの「Ｌ＝５」回以上において絶縁状態が不良と検査したときには、Ｌ箇所の検査ポイントを対象として、（Ｌ×（Ｌ−１）／２）回の個別検査を実行すればよい。これにより、十分に少ない検査回数で絶縁不良箇所を特定することができる。 Further, after the inspection process is completed, an example has been described to perform six separate tests to identify the insulation defective portion, for example, three of the inspection points P of "N = 10" portion is When they are short-circuited with each other, the insulation state is inspected as defective in three of “N = 10” inspection processes. In this case, L × (L−1) / 2 = 3 × (3-1) / with respect to three inspection points P connected to the H potential at the time of three inspection processes inspected as defective. 2 = 3 individual inspections may be executed. Similarly, when the insulation state is inspected to be defective after “L = 5” times or more in N times of inspection processing, the inspection points at L locations are targeted ( L × (L−1) / 2 ) times. The individual inspection may be executed. Thereby, an insulation defect location can be specified with a sufficiently small number of inspections.

また、絶縁不良箇所の特定が不要の場合（検査対象基板２０が良品か不良品かを特定する検査だけでよい場合）には、検査処理が完了した時点において、その検査対象基板２０についての一連の絶縁検査処理を終了する構成および方法を採用することもできる。このような構成および方法を採用した場合においても、Ｈ電位に接続した検査ポイントＰとＬ電位に接続した検査ポイントＰとの間の絶縁状態が良好であると検査した検査処理に続いて実行する検査処理時において検査ポイントＰ，Ｐ間に生じた電位差（電荷）をなくす処理が不要となる分だけ第２の従来検査方法よりも１枚の検査対象基板２０を検査するのに要する時間を短縮することができる。 Also, in certain cases is unwanted poor insulation portion (if the inspection target board 20 may only inspect identifies whether good or defective), in the time when the inspection process is completed, for the inspection target board 20 It is also possible to employ a configuration and method for completing a series of insulation inspection processes. Even in the case of adopting such a configuration and method, the inspection process is executed following the inspection process in which the insulation state between the inspection point P connected to the H potential and the inspection point P connected to the L potential is good. The time required for inspecting one inspection target substrate 20 is reduced as compared with the second conventional inspection method by the amount that eliminates the need to eliminate the potential difference (charge) generated between the inspection points P and P during the inspection processing. can do.

１絶縁検査装置
３−１〜３−Ｎプローブ
４測定部
５接続切替え部
８制御部
９記憶部
２０検査対象基板
Ｄ１検査手順データ
Ｄ２測定データ
Ｄ３検査結果データ
Ｐ−１〜Ｐ−Ｎ検査ポイント
Ｓ１，Ｓ２制御信号 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulation inspection apparatus 3-1 to 3-N Probe 4 Measuring part 5 Connection switching part 8 Control part 9 Memory | storage part 20 Inspection object board | substrate D1 Inspection procedure data D2 Measurement data D3 Inspection result data P-1 to PN Inspection point S1 , S2 control signal

Claims

Test point of N points (N is an integer of 4 or more) high potential and the low one connection to the other of said test points except the one place on the co other potential to the potential of the potential one portion in Each of the inspection points based on the measured electrical parameter by measuring an electrical parameter between the inspection point connected to the one potential and the inspection point connected to the other potential. The inspection process for inspecting the insulation state is repeatedly executed until the inspection point connected to the one potential is sequentially changed and the inspection point that is not connected to the one potential becomes one place, and has already been executed. In the inspection process, when the insulation state is inspected to be good, the inspection point connected to the one potential is excluded from the inspection object, and the second and subsequent times. Includes an inspection unit for executing the inspection process,
The inspection unit connects the inspection point connected to the one potential when the insulation state is inspected as defective in the inspection processing already performed , and connects the inspection point to the other potential for the second and subsequent inspection processing. And an inspection apparatus that executes the inspection process until there is no inspection point that is not connected to the one potential when there is an inspection result that the insulation state is defective in the inspection process that has already been performed .

The inspection unit, the inspection process L times (L is an integer of 3 or more) when the insulated state is examined as defective in the inspection of the L locations connected to the other potential during inspection processing inspection and the defective One of the points is connected to one of the high potential and the low potential, and one of the points other than the one inspection point is connected to the other potential in a state of being connected to the other potential. the inspection process for inspecting the insulation state of the respective inspection point on the basis of the measured electrical parameter with measuring an electrical parameter between the inspection point which is connected to the test point and the other potential, The insulation inspection apparatus according to claim 1, wherein the insulation inspection apparatus is executed ( L × (L−1) / 2 ) times by changing the combination of both inspection points.

Test point of N points (N is an integer of 4 or more) high potential and the low one connection to the other of said test points except the one place on the co other potential to the potential of the potential one portion in Each of the inspection points based on the measured electrical parameter by measuring an electrical parameter between the inspection point connected to the one potential and the inspection point connected to the other potential. The inspection process for inspecting the insulation state is repeatedly executed until the inspection point connected to the one potential is sequentially changed and the inspection point that is not connected to the one potential becomes one place, and has already been executed. In the inspection process, when the insulation state is inspected to be good, the inspection point connected to the one potential is excluded from the inspection object, and the second and subsequent times. Run the inspection process,
Performing the second and subsequent inspection processes by connecting the inspection point connected to the one potential to the other potential when the insulation state is inspected to be defective in the inspection process already performed; and An insulation inspection method for executing an inspection process until there is no inspection point not connected to the one potential when an inspection result indicating that the insulation state is defective exists in the inspection process already performed .

L times of the inspection process (L is an integer of 3 or more) when the insulated state is examined as defective in, one of the test points of the L locations connected to the other potential during inspection processing inspection and the defective The inspection point connected to the one potential in a state where the location is connected to one of the high potential and the low potential and one location other than the one inspection point is connected to the other potential the inspection process for inspecting the insulation state of the respective inspection point on the basis of electrical parameters corresponding measured with measuring an electrical parameter between the inspection point which is connected to the other potential, the combination of the two inspection points The insulation inspection method according to claim 3, which is performed ( L × (L−1) / 2 ) times by changing