JP5397369B2 - 半導体発光素子、該半導体発光素子の製造方法および該半導体発光素子を用いたランプ - Google Patents
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Description
10、31 基板
11 n型GaN層(n型半導体層)
12 発光層
13 p型GaN層(p型半導体層)
14 正極(透光性電極)
15 正極ボンディングパッド
16 負極
30 窒化ガリウム系化合物半導体層
32 GaN下地層(n型半導体層)
33 n型GaNコンタクト層(n型半導体層)
34 n型AlGaNクラッド層(n型半導体層)
35 発光層
36 p型AlGaNクラッド層(p型半導体層)
37 p型GaNコンタクト層(p型半導体層)
40 ランプ
本発明に係る半導体発光素子では、p型半導体層13の上に、透明電極14(正極)として、インジウムとガリウムからなる酸化物の透明導電膜、あるいは、インジウムとガリウムとスズからなる酸化物の透明導電膜が形成される(図1)。
本発明の透明導電膜のうち、インジウムとガリウムからなる酸化物の透明導電膜中のガリウムの含有量は、Ga/(In+Ga)原子数比で0.10〜0.35の範囲であることが好ましい。
上記透明導電膜の膜厚は、低比抵抗で、高透過率なものとするために、10nm〜10000nmの範囲とすることが好ましく、100nm〜1000nmの範囲とすることがより好ましい。さらに、生産コストの観点から、上記透明導電膜の膜厚は1000nm以下であることが好ましい。
本発明に係る半導体発光素子における透明電極は、後述するアニール処理を経ることにより、450nm付近の波長領域において85%以上、より好ましくは90%以上の透過率を有し、かつ、400nm付近の波長領域において80%以上、より好ましくは85%以上の透過率を有する。このように、本発明の半導体発光素子は、紫外領域(350〜420nm)のみならず、青色領域(400〜450nm)においても、効率的な発光特性を有する。
(透明導電膜の成膜)
次に、透明電極の製造、すなわち、p型半導体層上への、インジウムとガリウムからなる酸化物の透明導電膜、あるいは、インジウムとガリウムとスズからなる酸化物の透明導電膜の形成方法について説明する。
このようにして成膜された非晶質状態の上記透明導電膜は、p型半導体層上の透明電極を形成する領域である正極形成領域を除く領域が、周知のフォトリソグラフィー法およびエッチングを用いることによりパターニングされ、正極形成領域にのみ形成された状態とされる。
本発明においては、上記インジウムとガリウムからなる酸化物の透明導電膜、あるいは、インジウムとガリウムとスズとを含む酸化物からなる透明導電膜をパターニングした後、200℃〜480℃の範囲の温度でアニール処理を行う。
なお、本発明の半導体発光素子の構造は、上述のように、p型半導体層13の上に透明電極14が形成される構造の半導体発光素子一般に適用され、その構造は何ら限定されるものではない。すなわち、本発明は、上記構造の公知の半導体発光素子に広く適用されるものである。ただし、本発明の理解のために、本発明が適用される半導体発光素子の一般的な構造について、以下、簡潔に言及する。
基板10には、サファイア単結晶(Al2O3;A面、C面、M面、R面)、スピネル単結晶(MgAl2O4)、ZnO単結晶、LiAlO2単結晶、LiGaO2単結晶、MgO単結晶等の酸化物単結晶、Si単結晶、SiC単結晶、GaAs単結晶、AlN単結晶、GaN単結晶およびZrB2等のホウ化物単結晶などの公知の基板材料を何ら制限なく用いることができる。
化合物半導体層としては、窒化ガリウム系化合物半導体層、セレン化亜鉛系化合物半導体、リン化ガリウム系化合物半導体、リン化インジウム系化合物半導体、あるいはヒ化ガリウム系化合物半導体などが好ましいが、特に窒化ガリウム系化合物半導体が好適である。
負極16は、上記透明導電膜の形成、あるいは形成およびアニール処理後、例えば、p型半導体層13、発光層12、およびn型半導体層11の一部をエッチング除去することにより露出されたn型半導体層11上に設けられる(図1、図2)。負極としては、例えば、Ti/Auからなるものなど各種組成および構造が周知であり、これら周知の負極を何ら制限なく用いることができる。
正極である上記透明導電膜層上の一部には、回路基板またはリードフレーム等との電気接続のための正極ボンディングパッドが設けられる。正極ボンディングパッドは、Au、Al、NiおよびCu等の材料を用いた各種構造が周知であり、これら周知の材料、構造のものを何ら制限なく用いることができる。また、正極ボンディングパッドの厚さは、100〜1000nmの範囲内であることが好ましい。また、ボンディングパッドの特性上、厚さが大きい方が、ボンダビリティーが高くなるため、正極ボンディングパッドの厚さは300nm以上とすることがより好ましい。さらに、製造コストの観点から500nm以下とすることが好ましい。
上記透明導電膜からなる透明電極(正極)の酸化を防ぐために、正極ボンディングパッドの形成される領域を除く上記透明導電膜上の全領域を覆うように、保護層を成膜するとさらによい。
本発明の半導体発光素子は、例えば、当業者周知の手段を用いて、透明カバーを設けてランプを構成することができる。また、本発明の半導体発光素子と、蛍光体を有するカバーとを組み合わせることにより、白色のランプを構成することもできる。
(窒化ガリウム系化合物半導体層の製造)
窒化ガリウム系化合物半導体層を以下に示すようにして製造した。
次に、得られた窒化ガリウム系化合物半導体層を用いて、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。まず、HFおよびHClを用いて、窒化ガリウム系化合物半導体層のp型GaNコンタクト層の表面を洗浄し、該p型GaNコンタクト層上に、DCマグネトロンスパッタリングにより膜厚220nmのインジウムとガリウムからなる酸化物の透明導電膜を成膜した。
このようにして得られた半導体発光素子(チップ)を、リードフレーム上に載置し、金(Au)線でリードフレームと結線した。そして、プローブ針による通電により、半導体発光素子の電流印加値20mAにおける順方向電圧(駆動電圧:Vf)を測定した。また、一般的な積分球で発光出力(Po)および発光波長を測定した。
窒化ガリウム系化合物半導体層のp型GaNコンタクト層上に形成する透明導電膜をインジウムとガリウムとスズからなる酸化物の透明導電膜に変更したこと、ならびに上記透明導電膜のパターニング後のアニール処理の温度を400℃としたこと、アニール処理に先立ち炉内を1Pa以下になるよう真空引きを行った後、純度4Nの高純度窒素ガスを流したことを除き、実施例1と同様に半導体発光素子を作製した。
窒化ガリウム系化合物半導体層のp型GaNコンタクト層上に形成する透明導電膜をインジウムとガリウムとスズからなる酸化物の透明導電膜に変更したこと、ならびに上記透明導電膜のパターニング後のアニール処理の雰囲気を真空とし、また温度を400℃としたことを除き、実施例1と同様に半導体発光素子を作製した。
アニール処理のガスに窒素と水素との混合ガスを使用したこと、ならびにアニール処理の温度を450℃に変更したことを除き、実施例3と同様に半導体発光素子を作製した。なお、アニール処理直後のGITO5膜は、450nmの波長領域における透過率は90%以上で、400nm付近の波長領域における透過率が90%以上、表面抵抗は7Ω/□であった。また、実施例3同様、アニール処理後のXRDの測定の結果、GITO5膜は結晶化していることが確認された。また、得られた半導体発光素子は、400nm付近の波長領域に発光波長を有しており、Vfは3.15V、Poは17mWという非常に良好な値を示した。
透明導電膜のスパッタリングに、ガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.10の酸化物焼結体ターゲットを使用したこと、ならびに上記透明導電膜のパターニング後のアニール処理の温度を220℃としたことを除き、実施例1と同様に半導体発光素子を作製した。
透明導電膜のスパッタリングに、ガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.20の酸化物焼結体ターゲットを使用したこと、ならびに上記透明導電膜のパターニング後のアニール処理の温度を300℃としたことを除き、実施例1と同様に半導体発光素子を作製した。
透明導電膜のスパッタリングに、ガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.35の酸化物焼結体ターゲットを使用したこと、ならびに上記透明導電膜のパターニング後のアニール処理の温度を450℃としたことを除き、実施例1と同様に半導体発光素子を作製した。
窒化ガリウム系化合物半導体層のp型GaNコンタクト層上に形成する透明導電膜をインジウムとガリウムとスズからなる酸化物の透明導電膜に変更したこと、ならびに上記透明導電膜のパターニング後のアニール処理の温度を300℃としたことを除き、実施例1と同様に半導体発光素子を作製した。
窒化ガリウム系化合物半導体層のp型GaNコンタクト層上に形成する透明導電膜をインジウムとガリウムとスズからなる酸化物の透明導電膜に変更したこと、ならびに上記透明導電膜のパターニング後のアニール処理の温度を480℃としたことを除き、実施例1と同様に半導体発光素子を作製した。
アニール処理の温度を500℃で行ったことを除き、実施例2と同様に半導体発光素子を作製した。なお、アニール処理後のGITO15膜は、450nmの波長領域における透過率は85%以上で、400nm付近の波長領域における透過率がおよそ80%以上、表面抵抗が21Ω/□程度の特性にとどまった。また、得られた半導体発光素子は、400nm付近の波長領域に発光波長を有しており、Vfは3.4V、Poは11mWであり、良好な値を得ることはできなかった。
窒化ガリウム系化合物半導体層のp型GaNコンタクト層上に形成する透明導電膜をIZO膜に変更したこと、ならびにIZO膜のパターニング後のアニール処理の温度を600℃としたことを除き、実施例2と同様に半導体発光素子を作製した。ここで、IZO膜のスパッタリングでは、酸化亜鉛の含有量が10.7重量%の酸化物焼結体ターゲットを使用した。
実施例1、実施例5、実施例6、および実施例7の結果より、適当な温度範囲でアニール処理したインジウムとガリウムからなる酸化物の透明導電膜は、非晶質であるが、青色の波長領域での透過率が高く、表面抵抗も低いことが明らかとなった。また、正極として用いた半導体発光素子も青色の波長領域で優れた発光特性を示すことが明らかである。
Claims (17)
- 少なくともp型半導体層を含む化合物半導体層と、前記p型半導体層上に設けられた透明電極とを備える半導体発光素子であって、
前記透明電極が、インジウムとガリウムからなる酸化物の透明導電膜により形成されており、前記透明導電膜のガリウム含有量が、Ga/(In+Ga)原子数比で0.10以上0.35未満であり、かつ、該透明導電膜が非晶質であり、
前記透明導電膜が、450nm付近の波長領域において85%以上、400nm付近の波長領域において80%以上の透過率を有し、かつ、表面抵抗が20Ω/□以下であることを特徴とする、半導体発光素子。 - 前記透明導電膜が、非晶質膜中に、ガリウムが固溶した酸化インジウム相のみからなる微結晶が晶出した構造を備える、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 少なくともp型半導体層を含む化合物半導体層と、前記p型半導体層上に設けられた透明電極とを備える半導体発光素子であって、前記透明電極が、インジウムとガリウムとスズからなる酸化物の透明導電膜により形成されており、前記透明導電膜のガリウム含有量が、Ga/(In+Ga+Sn)原子数比で0.02〜0.30であり、スズの含有量が、Sn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.01〜0.11であり、かつ、該透明導電膜が結晶化しており、
前記透明導電膜が、450nm付近の波長領域において85%以上、400nm付近の波長領域において80%以上の透過率を有し、かつ、表面抵抗が20Ω/□以下であることを特徴とする、半導体発光素子。 - 前記透明導電膜が、ガリウムが固溶した酸化インジウム相のみによって構成されている、請求項3に記載の半導体発光素子。
- 前記化合物半導体層が、少なくとも350nm〜500nmの範囲に発光波長を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記化合物半導体層が、窒化ガリウム系化合物半導体層である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記透明導電膜の厚さが10nm〜1000nmである、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記透明電極上に保護層が形成されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 少なくともp型半導体層を含む化合物半導体層と、前記p型半導体層上に設けられた透明電極とを備える、請求項1、2、および、これらを引用する請求項5〜8のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
ガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.10以上0.35未満であって、ビックスバイト型構造のIn 2 O 3 相が主たる結晶相となり、その中にβ−Ga 2 O 3 型構造のGaInO 3 相、またはGaInO 3 相と(Ga,In) 2 O 3 相が平均粒径5μm以下の結晶粒として微細に分散している酸化物焼結体をターゲットとして、スパッタリング法により、前記p型半導体層上に、非晶質状態のインジウムとガリウムからなる酸化物を成膜して、透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜に対して200℃〜480℃の温度でアニール処理を行う工程と、
を含む、半導体発光素子の製造方法。 - 少なくともp型半導体層を含む化合物半導体層と、前記p型半導体層上に設けられた透明電極とを備える、請求項3、4、および、これらを引用する請求項5〜8のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
ガリウムの含有量がGa/(In+Ga+Sn)原子数比で0.02〜0.30であり、かつ、スズの含有量がSn/(In+Ga+Sn)原子数比で0.01〜0.11であって、ビックスバイト型構造のIn 2 O 3 相が主たる結晶相となり、その中にβ−Ga 2 O 3 型構造のGaInO 3 相、またはGaInO 3 相と(Ga,In) 3 O 3 相が平均粒径5μm以下の結晶粒として微細に分散している酸化物焼結体をターゲットとして、スパッタリング法により、前記p型半導体層上に、非晶質状態のインジウムとガリウムとスズからなる酸化物を成膜して、透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜に対して200℃〜480℃の温度でアニール処理を行う工程と、
を含む、半導体発光素子の製造方法。 - 前記透明導電膜が、前記アニール処理により、前記透明導電膜に微結晶を生成させ、かつ、その非晶質状態が維持される、請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記透明導電膜が、前記アニール処理により、前記透明導電膜を結晶化する、請求項10に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記アニール処理を行う前に、前記透明導電膜をパターニングする工程をさらに備える、請求項9〜12のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記アニール処理を、酸素を含まない雰囲気中で行う、請求項9〜13のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記アニール処理を、真空雰囲気中、窒素雰囲気中、あるいは窒素と水素の混合ガス雰囲気中で行う、請求項9〜14のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記アニール処理の後、前記透明導電膜極に保護層を積層する工程をさらに備える、請求項9〜15のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1〜16のいずれか一項に記載の半導体発光素子が用いられている、ランプ。
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