JP5396673B2 - 投影露光装置、投影露光方法及び投影対物レンズ - Google Patents
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Description
中央作動波長λ>200nmを中心にした帯域幅△λ>10pmを有する波長帯域の紫外線を放出する光源と、
光源から光を受け取って、マスクのパターン上に送る照明放射光を成形する照明系と、
中央作動波長λ>200nmを中心にした帯域幅△λ>10pmを有する波長帯域の投影光によって、像側開口数NA>0.6で、マスクの構造を感光基板上に縮小結像するための投影対物レンズと、
を備えた投影露光装置であって、
投影対物レンズは、反射屈折投影対物レンズであって、投影対物レンズのひとみ面の領域内に配置された少なくとも1つの凹面鏡と、ひとみ面の近傍の、結像の周縁光線高さ(MRH)が主光線高さ(CRH)より大きい領域内で、凹面鏡のすぐ近くに配置された少なくとも1つの負レンズを有する負レンズ群とを含む、投影露光装置を提供する。
投影対物レンズの物体面の領域内にマスクを配置すること、
中央作動波長λ>200nmを中心にした帯域幅△λ>10pmを有する波長帯域の照明光でマスクを照明すること、及び
中央作動波長λ>200nmを中心にした帯域幅△λ>10pmを有する波長帯域の投影光によって、像側開口数NA>0.6で、マスクのパターンを縮小結像することであって、投影対物レンズのひとみ面の領域内に配置された少なくとも1つの凹面鏡と、ひとみ面の近傍の、結像の周縁光線高さ(MRH)が主光線高さ(CRH)より大きい領域内で、凹面鏡のすぐ近くに配置された少なくとも1つの負レンズを有する負レンズ群とを有する反射屈折投影対物レンズを使用して縮小結像すること、
を含む、投影露光方法に関する。
CHL1=0.008057,
CHV1=0.004255,
CHL2=0.030971,
CHV2=0.002446,
CHL3=0.022857,
CHV3=0.001818,
である。
v=(n−1)/(nλ2−nλ1)
で定義されるべきであり、ここで、λ1及びλ2<λ1は、アッベ数の計算に非常に重要な帯域幅を決定する異なった波長である。nλ1は、λ1で存在する屈折率である。XeFレーザの約351.1nmの波長範囲、かつ1nmの帯域幅では、これによってアッベ数v=2870、分散△n=nλ2−nλ1=1.661×1φ−4となる。FK5について同様に計算した値は、たとえばv=2956、△n=1.712×10−4である。フッ化カルシウム(CaF2)の場合の対応の値も比較のために明示すべきであり、それについて、v=3904、△n=1.143×10−4が当てはまる。合成融解石英及びFK5間の分散のわずかな違いは、これらの材料を光学系内で実質的に代替使用することができ、これらの2つの材料の組み合わせは、色補正に大きく寄与することができないことを示す。分散の違いにより、色補正のために石英ガラス又はFK5とCaFとの組み合わせを利用することもできるであろうが、これは、本発明の実施形態では必要ない。
Claims (48)
- 投影対物レンズの像面の領域内に配置された感光基板を、投影対物レンズの物体面の領域内に配置されたマスクのパターン像の少なくとも1つを用いて露光するための投影露光装置において、
中央作動波長λ>320nmを中心にした帯域幅△λ>100pmを有する波長帯域の紫外線を放出する光源と、
光源から光を受け取って、マスクのパターン上に送る照明放射光を成形する照明系と、
中央作動波長λ>200nmを中心にした帯域幅△λ>10pmを有する波長帯域の投影光によって、像側開口数NA>0.6で、マスクの構造を感光基板上に縮小結像するため投影対物レンズと、
を備えた投影露光装置であって、
投影対物レンズは、反射屈折投影対物レンズであって、投影対物レンズのひとみ面の領域内に配置された少なくとも1つの凹面鏡と、ひとみ面の近傍の、結像の周縁光線高さ(MRH)が主光線高さ(CRH)より大きい領域内で、凹面鏡のすぐ近くに配置された少なくとも1つの負レンズを有する負レンズ群とを含み、
投影対物レンズは、波長λ>320nmを含む設計波長帯域内の波長で少なくとも1つの焦点を有する、
投影露光装置。 - 負レンズ群の領域内で、周縁光線高さは、主光線高さの少なくとも2倍、少なくとも5倍、及び少なくとも10倍の少なくとも1つである、請求項1に記載の投影露光装置。
- 凹面鏡と、負レンズ群の少なくとも1つの負レンズとの間に、光学素子がまったく配置されていない、請求項1に記載の投影露光装置。
- 負レンズ群は、凹面鏡と同軸状に配置される、請求項1に記載の投影露光装置。
- 負レンズ群は、凹面鏡のすぐ近くに配置され、それにより、投影放射光が負レンズ群を、逆の放射方向で2回通過するようにした、請求項1に記載の投影露光装置。
- 負レンズ群は、単体負レンズからなる、請求項1に記載の投影露光装置。
- 負レンズ群は、少なくとも2つの負レンズを有する、請求項1に記載の投影露光装置。
- 負レンズ群は、少なくとも1つの発散メニスカスレンズを含む、請求項1に記載の投影露光装置。
- 負レンズ群は、少なくとも1つの回折光学素子を含む、請求項1に記載の投影露光装置。
- 負レンズ群の少なくとも1つの光学素子の直径及び屈折力は、負レンズ群の、色補正に対する過剰補正寄与の合計が、投影対物レンズの残りの光学素子の不足補正寄与の合計の少なくとも60%であるように設計される、請求項1に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズのすべてのレンズの少なくとも90%、又はすべてのレンズが、実質的に同一の分散を有する1つ又は複数の材料から作製され、使用材料の分散の差は、10%未満である、請求項1に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズのすべてのレンズの少なくとも90%が、同一材料から作製される、請求項1に記載の投影露光装置。
- 透明光学素子のすべてが、同一材料からなる、請求項1に記載の投影露光装置。
- 同一材料は、合成融解石英である、請求項13に記載の投影露光装置。
- 光源は、水銀灯を含む、請求項1に記載の投影露光装置。
- 光源は、XeFレーザである、請求項1に記載の投影露光装置。
- 光源は、少なくとも1つの発光ダイオード(LED)を含む、請求項1に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズの像面の領域内に配置された感光基板を、投影対物レンズの物体面の領域内に配置されたマスクのパターン像の少なくとも1つを用いて露光するための投影露光装置において、
中央作動波長λ>320nmを中心にした帯域幅△λ>100pmを有する波長帯域の紫外線を放出する光源と、
光源から光を受け取って、マスクのパターン上に送る照明放射光を成形する照明系と、
中央作動波長λ>200nmを中心にした帯域幅△λ>10pmを有する波長帯域の投影光によって、像側開口数NA>0.6で、マスクの構造を感光基板上に縮小結像するため投影対物レンズと、
を備えた投影露光装置であって、
投影対物レンズは、反射屈折投影対物レンズであって、投影対物レンズのひとみ面の領域内に配置された少なくとも1つの凹面鏡と、ひとみ面の近傍の、結像の周縁光線高さ(MRH)が主光線高さ(CRH)より大きい領域内で、凹面鏡のすぐ近くに配置された少なくとも1つの負レンズを有する負レンズ群とを含み、
投影対物レンズのすべてのレンズの少なくとも90%、又はすべてのレンズが、実質的に同一の分散を有する1つ又は複数の材料から作製され、使用材料の分散の差は、10%未満であり、
投影対物レンズは、波長λ>320nmを含む設計波長帯域内の波長で少なくとも1つの焦点を有する、
投影露光装置。 - 投影対物レンズのすべてのレンズの少なくとも90%が、同一材料から作製される、請求項18に記載の投影露光装置。
- 透明光学素子のすべては、同一材料からなる、請求項18に記載の投影露光装置。
- 同一材料は、合成融解石英である、請求項20に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズは、物体面及び像面間に少なくとも1つの中間像を形成するように構成される、請求項1に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズは、物体面及び像面間に正確に2つの中間像を形成するように構成される、請求項1に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズは、
物体面上に配置されたパターンを第1中間像に結像するように構成された第1対物レンズ部と、
第1中間像を第2中間像に結像するように構成された第2対物レンズ部と、
第2中間像を像面上に結像するように構成された第3対物レンズ部と、
を有する、請求項1に記載の投影露光装置。 - 第1対物レンズ部は、屈折対物レンズ部であり、第2対物レンズ部は、少なくとも1つの凹面鏡を含むカトプトリック又は反射屈折対物レンズ部であり、第3対物レンズ部は、屈折対物レンズ部である、請求項24に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズは、水銀g線、a線及びi線を含む設計波長帯域内の波長で少なくとも1つの焦点を有する、請求項1に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズの像面の領域内に配置された感光基板を、投影対物レンズの物体面の領域内に配置されたマスクのパターンの少なくとも1つの像で露光する投影露光方法であって、
投影対物レンズの物体面の領域内にマスクを配置すること、
中央作動波長λ>320nmを中心にした帯域幅△λ>100pmを有する波長帯域の照明光でマスクを照明すること、及び
中央作動波長λ>200nmを中心にした帯域幅△λ>10pmを有する波長帯域の投影光によって、像側開口数NA>0.6で、マスクのパターンを縮小結像することであって、投影対物レンズのひとみ面の領域内に配置された少なくとも1つの凹面鏡と、ひとみ面の近傍の、結像の周縁光線高さ(MRH)が主光線高さ(CRH)より大きい領域内で、凹面鏡のすぐ近くに配置された少なくとも1つの負レンズを有する負レンズ群とを有する反射屈折投影対物レンズを使用して縮小結像すること、
を含む、投影露光方法であって、
投影対物レンズは、波長λ>320nmを含む設計波長帯域内の波長で少なくとも1つの焦点を有する、
方法。 - 像面の領域内に配置された感光基板を物体面の領域内に配置されたマスクのパターンの少なくとも1つの縮小像で、中央作動波長λ>200nmを中心にした帯域幅△λ>10pmを有する波長帯域の紫外線によって、像側開口数NA>0.6で露光するように構成された複数の光学素子を有する投影対物レンズであって、
投影対物レンズは、反射屈折投影対物レンズであって、投影対物レンズのひとみ面の領域内に配置された少なくとも1つの凹面鏡と、ひとみ面の近傍の、結像の周縁光線高さ(MRH)が主光線高さ(CRH)より大きい領域内で、凹面鏡のすぐ近くに配置された少なくとも1つの負レンズを有する負レンズ群とを含み、
投影対物レンズは、中央作動波長λ>320nmを中心にした帯域幅△λ>100pmを有する波長帯域の紫外線で少なくとも1つの焦点を有するように構成される、
投影対物レンズ。 - 負レンズ群の領域内で、周縁光線高さは、主光線高さの少なくとも2倍、少なくとも5倍、及び少なくとも10倍の少なくとも1つである、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 凹面鏡と、負レンズ群の少なくとも1つの負レンズとの間に、光学素子がまったく配置されていない、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 負レンズ群は、凹面鏡と同軸状に配置される、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 負レンズ群は、凹面鏡のすぐ近くに配置され、それにより、投影放射光が負レンズ群を、逆の放射方向で2回通過するようにした、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 負レンズ群は、単体負レンズからなる、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 負レンズ群は、少なくとも2つの負レンズを有する、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 負レンズ群は、少なくとも1つの発散メニスカスレンズを含む、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 負レンズ群は、少なくとも1つの回折光学素子を含む、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 負レンズ群の少なくとも1つの光学素子の直径及び屈折力は、負レンズ群の、色補正に対する過剰補正寄与の合計が、投影対物レンズの残りの光学素子の不足補正寄与の合計の少なくとも60%であるように設計される、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズのすべてのレンズの少なくとも90%、又はすべてのレンズが、実質的に同一の分散を有する1つ又は複数の材料から作製され、使用材料の分散の差は、10%未満である、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズのすべてのレンズの少なくとも90%が、同一材料から作製される、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 透明光学素子のすべてが、同一材料からなる、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 同一材料は、合成融解石英である、請求項40に記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズは、物体面及び像面間に少なくとも1つの中間像を形成するように構成される、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズは、物体面及び像面間に正確に2つの中間像を形成するように構成される、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズは、
物体面上に配置されたパターンを第1中間像に結像するように構成された第1対物レンズ部と、
第1中間像を第2中間像に結像するように構成された第2対物レンズ部と、
第2中間像を像面上に結像するように構成された第3対物レンズ部と、
を有する、請求項28に記載の投影対物レンズ。 - 第1対物レンズ部は、屈折対物レンズ部であり、第2対物レンズ部は、少なくとも1つの凹面鏡を含むカトプトリック又は反射屈折対物レンズ部であり、第3対物レンズ部は、屈折対物レンズ部である、請求項44に記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズは、水銀g線、h線及びi線を含む設計波長帯域内の波長で少なくとも1つの焦点を有する、請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズの像面の領域内に配置された感光基板を、投影対物レンズの物体面の領域内に配置されたマスクのパターン像の少なくとも1つを用いて露光するための投影露光装置において、
中央作動波長λ>320nmを中心にした帯域幅△λ>100pmを有する波長帯域の紫外線を放出する光源と、
光源から光を受け取って、マスクのパターン上に送る照明放射光を成形する照明系と、 中央作動波長λ>320nmを中心にした帯域幅△λ>100pmを有する波長帯域の投影光によって、像側開口数NA>0.6で、マスクの構造を感光基板上に縮小結像するための投影対物レンズと、
を備えた投影露光装置であって、
投影対物レンズは、反射屈折投影対物レンズであって、少なくとも1つの凹面鏡を含み、
投影対物レンズのすべてのレンズの少なくとも90%、又はすべてのレンズが、実質的に同一の分散を有する1つ又は複数の材料から作製され、使用材料の分散の差は、10%未満である、投影露光装置。 - 像面の領域内に配置された感光基板を物体面の領域内に配置されたマスクのパターンの縮小像の少なくとも1つを用いて、中央作動波長λ>320nmを中心にした帯域幅△λ>100pmを有する波長帯域の紫外線によって、像側開口数NA>0.6で露光するように構成された複数の光学素子を有する投影対物レンズであって、
投影対物レンズは、反射屈折投影対物レンズであって、少なくとも1つの凹面鏡を含み、
投影対物レンズのすべてのレンズの少なくとも90%、又はすべてのレンズが、実質的に同一の分散を有する1つ又は複数の材料から作製され、使用材料の分散の差は、10%未満である、投影露光装置。
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US8064148B2 (en) * | 2008-04-15 | 2011-11-22 | Asml Holding N.V. | High numerical aperture catadioptric objectives without obscuration and applications thereof |
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Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US620978A (en) | 1897-07-30 | 1899-03-14 | Ludvvig schtjpmann | |
US5402267A (en) * | 1991-02-08 | 1995-03-28 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric reduction objective |
US5212593A (en) * | 1992-02-06 | 1993-05-18 | Svg Lithography Systems, Inc. | Broad band optical reduction system using matched multiple refractive element materials |
JPH0817719A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6512631B2 (en) * | 1996-07-22 | 2003-01-28 | Kla-Tencor Corporation | Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system |
WO1999052004A1 (fr) * | 1998-04-07 | 1999-10-14 | Nikon Corporation | Appareil et procede d'exposition a projection, et systeme optique reflechissant a refraction |
DE19939088A1 (de) * | 1998-08-18 | 2000-02-24 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung und -verfahren |
JP4717974B2 (ja) | 1999-07-13 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
US6600608B1 (en) | 1999-11-05 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective comprising two intermediate images |
EP1102100A3 (de) | 1999-11-12 | 2003-12-10 | Carl Zeiss | Katadioptrisches Objektiv mit physikalischem Strahlteiler |
EP1115019A3 (en) | 1999-12-29 | 2004-07-28 | Carl Zeiss | Projection exposure lens with aspheric elements |
TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
JP2001228401A (ja) | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
KR100783669B1 (ko) * | 2000-04-25 | 2007-12-07 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 바이어스에 의해 유도된 레티클 회절을 제거한 광학 축소시스템 |
DE10127227A1 (de) | 2001-05-22 | 2002-12-05 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
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