JP5390135B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図2は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置100の平面図である。図3は、半導体装置100の上面に形成されているドレイン電極及び絶縁層(これらについては後述する。)を取去ったときの半導体装置100の平面図である。図4は、半導体装置100の、図2の一点鎖線4‐4における断面図である。
以下、セル160の製造方法について述べる。半導体装置100を構成するセル160は全て同時に作製される。
この様に、本実施の形態に係る半導体装置100は、複数のセル160によりスーパーセル120が形成され、複数のスーパーセル120により形成されている。これらセルのドレイン電極及びソース電極は共通のドレインボンディングパッド102及びソースボンディングパッド144にそれぞれ接続され、ゲート電極は共通のゲートボンディングパッド106に接続されている。したがってこれらセル160は一体となって動作し、大電力で動作することが可能となる。また、上記した構成により、いずれかのセル160において、ドレイン電極180、ソース電極182、及びゲート電極184のいずれかが断線したとしても、それらはリング状になっているか又は隣接するセル160の対応する電極に複数箇所で接続されているため、依然として動作可能であり、半導体装置100の全体としても影響を最低限にとどめて動作することができる。
図7を参照して、上記した実施の形態では、各セル160の長さLは100μm、である。この距離Lをセル160の長さと呼ぶ。セル160の、幅Wは30μm、ドレイン電極180の幅は5μm、ソース電極182の幅は3μm、ゲート電極184の幅は2μm、及びゲート電極184の外周からソース電極182の内周までの距離は6μm、ドレイン電極180の外周から、ゲート電極184の内周までの距離は5μmであった。しかし、本発明はそのような実施の形態には限定されず、用途に応じてこれらの長さを変化させてもよいことはいうまでもない。
第2の実施の形態に係る半導体装置は、第1の実施の形態に係る半導体装置100とほぼ同様の構成であるが、第1の実施の形態に係るセル160に代えて、ゲート引出電極がソース電極の上に形成されたセル410を含む点において、第1の実施の形態に係る半導体装置100と異なる。
以下、図21〜図23を参照して、セル410の製造方法について述べる。
図21(A)は、上面から参照した場合でのセル410の製造方法を工程順に示す図である。図21(A)に示すX‐X線は、図21(B)の断面図を切る断面線である。
本実施の形態に係るセル410は、第1の実施の形態に係るセル160とは、ゲート電極引出線をソース電極の下に通すか上に通すかという点でのみ異なっており、その他の点では同一である。したがって、第1の実施の形態に係る半導体装置100と同様、本実施の形態に係る半導体装置も、大電力で動作することが可能となる。ドレイン電極450、ソース電極452、及びゲート電極454はいずれもリング状となっているか、又は複数箇所で隣接するセルの対応する電極と電気的に接続されている。したがって、上記した構成により、いずれかのセル410において、ドレイン電極450、ソース電極452、及びゲート電極454のいずれかが断線したとしてもセル410は動作可能であり、スーパーセル全体としての動作にもほとんど影響はない。さらに、半導体装置全体の動作にも実質的に影響は生じない。
上記した本実施の形態では、各セルの平面形状は六角形状である。しかし、本発明はそのような実施の形態には限定されず、各セルの平面形状はどのようなものであってもよい。ただし、基板表面を効率的に使用するためには、セル間に使用されない領域が生じないほうがよい。したがって、効率の点からいうとセルを多角形状にすることが望ましい。その場合でも、例えばセルを三角形とすると、角部分に電界集中が生じ、デバイスが故障するおそれがある。電界集中を避けるためには、セル形状をなるべく円に近いものとすることがよく、その点では三角形より正方形が好ましく、正方形よりも六角形の方が好ましい。
上記した実施の形態では、基板104の表面の中央から外周にかけて順番に、ドレイン電極、ゲート電極及びソース電極が形成されていた。しかし、本発明はそのような実施の形態には限定されず、各電極をこれとは反対の順番で形成しても良い。その場合には、ソース電極は基板表面の絶縁体に形成された開口部を介してボンディングパッドに接続され、ドレイン電極は基板に形成されたバイアホールを介して基板裏面に形成されたドレインボンディングパッドに接続されることになる。
102,486 ドレインボンディングパッド
104 基板
106 ゲートボンディングパッド
120(120A,120B,120C,120D) スーパーセル
140 スーパーセル電極層
142 絶縁層
144 ソースボンディングパッド
146,484 金属膜
150 ソースバイアホール
152 ソース電極部
182,452 ソース電極
154,184,454 ゲート電極
160(160A,160B,160C,160D),410 セル
180,450 ドレイン電極
186,456 ゲート引出電極
188,458 第1の絶縁膜
190 金属層
142,200,202,480,482 絶縁膜
Claims (5)
- 主表面及び裏面を有する半導体基板と、
前記主表面上に素子形成領域を画定する開口部を有するように形成された第1の電極と、
前記主表面上の前記素子形成領域に、前記第1の電極と所定の間隔を隔てて形成された第2の電極と、
前記主表面上の前記素子形成領域に、前記第1の電極及び前記第2の電極の双方からそれぞれ所定の間隔を隔てて形成された第3の電極と、
各々が、前記第3の電極に接続された第1の端部を有し、前記第1の電極の一部に重畳するように形成された複数個の引出電極と、
前記複数個の引出電極の各々と、前記第1の電極との間に形成された絶縁膜とを含み、
前記第1の電極は、所定幅の帯状で、かつ前記素子形成領域が、各角が互いに等しい大きさの六角形を形成するように前記主表面上に形成され、
前記六角形は第1の組、第2の組、及び第3の組の、互いに平行な2辺からなり、前記六角形の頂点のうち、前記第2の組の2辺と前記第3の組の2辺とが交わる2点の間の距離は、前記第1の組の2辺の間の距離よりも長い、半導体装置。 - 前記複数個の引出電極はそれぞれ、前記第3の電極の、前記第1の電極の前記多角形の辺の中央に最も近い位置に接続されるように形成される、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数個の引出電極が形成された箇所の各々において、前記絶縁膜は前記第1の電極上に形成されており、かつ当該絶縁膜上に前記引出電極が形成されている、請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
- 主表面及び裏面を有する半導体基板と、
前記主表面を、互いに離隔した複数個の素子形成領域に区分するように前記主表面上に形成された第1の電極と、
前記複数個の素子形成領域の各々において、
前記主表面上の当該素子形成領域に、前記第1の電極と所定の間隔を隔てて形成された第2の電極と、
前記主表面上の当該素子形成領域に、前記第1の電極及び前記第2の電極の双方からそれぞれ所定の間隔を隔てて形成された第3の電極と、
各々が、前記第3の電極に接続された第1の端部と、隣接する前記素子形成領域中に形成された前記第3の電極に接続された第2の端部とを有するように形成された複数個の引出電極と、
前記複数個の引出電極の各々と、前記第1の電極との間に形成された絶縁膜とを含み、
前記第1の電極は、前記複数個の素子形成領域の各々が、各角が互いに等しい大きさの六角形を形成するように前記主表面上に形成され、
前記六角形は第1の組、第2の組、及び第3の組の、互いに平行な2辺からなり、前記六角形の頂点のうち、前記第2の組の2辺と前記第3の組の2辺とが交わる2点の間の距離は、前記第1の組の2辺の間の距離よりも長い、半導体装置。 - 前記第1、第2、及び第3の電極、並びに前記引出電極の上に形成され、前記第2の電極の上部を露出する開口部が形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第1の導電体層とをさらに含む、請求項4に記載の半導体装置。
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