JP5389164B2 - ハイブリッドアミンリガンドを有する新規ルテニウム錯体、その調製及び用途 - Google Patents
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Description
Lは、次の群から選択されるリガンドである。
a)一般式PR1R2R3を有するモノホスフィン(R1、R2、R3は、同一又は異なって、炭素原子数が1〜6の脂肪族アルキル基又は芳香族基)、
b)一般式R5R6P-R4-PR7R8を有する二座ホスフィン(R4は、キラル又はアキラルであってもよい有機炭化水素骨格を表し、R5、R6、R7及びR8は、同一又は異なっていてもよく、炭素数が1〜10の脂肪族アルキル基又は芳香族基)
a)から選択される同一の単座ホスフィンリガンドの場合、mは2になり、b)から選択されるビスホスフィンの場合、mは1になり、
L'は、次の群(II〜V)から選択される二座ハイブリッドアミンリガンドであり、
R10、R11、R12は、独立して、水素又はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基であってもよく、それぞれ、12個以下の炭素原子を有し、アルキル基は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル、第三ブチル、ペンチル、ヘキシル、イソペンチル、シクロペンチル、シクロヘキシルを含む群から選択可能であり、アリール基は、フェニル、置換フェニルから選択可能であり、アリールアルキル基は、ベンジル、アルキル置換ベンジルから選択可能である。
C2対称のビス-Pリガンド(DIOP、BINAP、Cl-MeO-BIPHEP、SEGPHOS、PhanePHOS、DIPAMP、DuPHOS、BDPP、CHIRAPHOS、PPM、PYRPHOS)を用いた錯体の合成は、出発物質として化合物[RuCl2(ベンゼン)]、RuCl2(PPh3)3及びtrans-RuCl2(NBD)(py)2を用いる。この錯体は、文献中で公開されている手順に従って調製した。(Noyori, R.; Takeshi, O.; Hirohito, O.Shohei, H.; Takao, I. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 2675; Akotsi, O. M.; Metera, K.; Reid, R. D.; McDonald, R.; Bergens, S. H. Chirality 2000, 12, 514-522; BINAP = 2,2'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、DIOP = 4,5-ビス(ジフェニルホスフィノメチル)-2,2-ジメチル-1,3-ジオキソラン、Cl-MeO-BIPHEP = 5,5'-ジクロロ-6,6'-ジメトキシ-2,2'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビフェニル、
SEGPHOS = 5,5'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-4,4'-bi-1,3-ベンゾジオキソール、PhanePHOS = 4,12-ビス(ジフェニルホスフィノ)-[2.2]-パラシクロファン、DIPAMP = 1,2-ビス[(2-メトキシフェニル)(フェニル)ホスフィノ]エタン、Me-DuPHOS = 1,2-ビス((2S,5S)-2,5-ジメチルホスホラノ)ベンゼン、BDPP = 2,4-ビス(ジフェニルホスフィノ)ペンタン、CHIRAPHOS = ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、PYRPHOS = 3,4-ビス(ジフェニルホスフィノ)-ピロリジン、PPM = 4-(ジフェニルホスフィノ)-2-[(ジフェニルホスフィノ)メチル]-ピロリジン。C1対称のビス-Pリガンド(JosiPHOS、WalPHOS、MandyPHOS)を用いた錯体の合成は、出発物質として化合物RuCl2(PPh3)3を用いる。この化合物は、水和RuCl3とPPh3から容易に取得可能である(Steohenson, T. A.; Wilkinson, G. J. Inorg. Nucl. Chem. 1966, 28, 945-956; Josiphos = 1-[ジアリールフォスファノ]-2-[1-(diシクロヘキシルフォスファノ)エチル]フェロセン)。この錯体及びRuCl2[(R,S)-Josiphos](PPh3)は、文献中で公開されている手順に従って調製した(Baratta, W.; Ballico, M.; Chelucci, G.; Siega, K.; Rigo, P. Angew. Chem. Int. Ed. 2008, 47, 4362-4365)。モノクロライド錯体(11)は、(10)をEt3Nと反応させることによって調製した。その場(in situ)水素化で用いられる触媒前駆体は、[RuCl2BINAP(ピリジン)2、RuCl2DIOP(ピリジン)2、RuCl2(Josiphos)(ピリジン)2]であった。本発明の非限定的な例として、錯体(8-25)の合成と特性を詳細に示す。全ての合成は、アルゴン雰囲気下で、新たに蒸留した溶媒を用いて行った。
収率 12.3 mg (76%). 31P{1H} NMR (162 MHz, CDCl3, 20℃) δ 40.7 (d, 2J(P,P) = 42.6 Hz), 28.6 (d, 2J(P,P) = 42.6 Hz); MS(MALDI) m/z: 796.0 [M-Cl]+.
収率 17.3 mg (86%). 31P{1H} NMR (162 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ 48.8 (d, 2J(P,P) = 37.9 Hz), 29.8 (d, 2J(P,P) = 37.3 Hz).
3mlの脱ガス済みのトルエン中に錯体(10)(20mg、0.024mmol)及びEt3N(5.2μl、0.036mmol)を懸濁させた。60℃で2時間の攪拌を行った後、高真空下で溶媒除去を行った。5mlのCH2Cl2中に溶解させ、濾過した後、その体積を約0.5mlにまで減少させ、6mlのヘキサンを追加して錯体を沈殿させた。得られた固体をろ過により取り出し、3mlのエチルエーテルで二度洗浄し、真空下で乾燥させた。
収率 18.2 mg (94 %). 31P{1H} NMR (162 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ 39.6 (d, 2J(P,P) = 39.0 Hz), 23.8 (d, 2J(P,P) = 39.0 Hz).
収率 19 mg (71%). 31P{1H} NMR (121 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ (ppm) 49.58 (d, J = 38.7 Hz), 47.32 (d, J = 38.7 Hz); MS(MALDI) m/z: 884 [M-71]+.
3mlの脱ガス済みのDMF中に錯体[RuCl2(ベンゼン)]2(5.8mg、0.023mmol)及び(S)-PhanePHOS(13.5mg、0.023mmol)を懸濁させた。100℃で1時間の攪拌を行った後、高真空下で50℃で2時間溶媒除去を行った。(S)-Me-bimaH(3.7mg、0.023mmol)及び3mlの脱ガス済みのCH2Cl2加え、室温で5時間の攪拌を行った後、溶液の体積を約0.5mlにまで減少させ、6mlのヘキサンを追加して錯体を沈殿させた。得られた固体をろ過により取り出し、3mlのエチルエーテルで二度洗浄し、真空下で乾燥させた。.
収率 17.6 mg (84 %). 31P{1H} NMR (162 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ 47.26 (d, J = 31.0 Hz), 42.71 (d, J = 31.0 Hz).
3mlの脱ガス済みのDMF中に錯体[RuCl2(ベンゼン)]2(5.8mg、0.011mmol)及び(S)-SEGPHOS(14.1mg、0.023mmol)を懸濁させた。100℃で1時間の攪拌を行った後、高真空下で50℃で2時間溶媒除去を行った。(S)-Me-bimaH(3.7mg、0.023mmol)及び3mlの脱ガス済みのCH2Cl2を加え、室温で5時間の攪拌を行った後、溶液の体積を約0.5mlにまで減少させ、6mlのヘキサンを追加して錯体を沈殿させた。得られた固体をろ過により取り出し、3mlのエチルエーテルで二度洗浄し、真空下で乾燥させた。.
収率 15.4 mg (71%). 31P{1H} NMR (162 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ 46.90 (d, J = 36.3 Hz), 32.75 (d, J = 36.3 Hz).
3mlの脱ガス済みのDMF中に錯体[RuCl2(ベンゼン)]2(3.3mg、7μmol)及び(S)-Cl-MeO-BIPHEP(8.5mg、0.013mmol)を懸濁させた。100℃で1時間の攪拌を行った後、高真空下で50℃で2時間溶媒除去を行った。(S)-Me-bimaH(2.1mg、0.013mmol)及び3mlの脱ガス済みのCH2Cl2を加え、室温で5時間の攪拌を行った後、溶液の体積を約0.5mlにまで減少させ、6mlのヘキサンを追加して錯体を沈殿させた。得られた固体をろ過により取り出し、3mlのエチルエーテルで二度洗浄し、真空下で乾燥させた。
収率 11.7 mg (91 %). 31P{1H} NMR (162 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ 48.42 (d, J = 29.7 Hz), 46.18 (d, J = 29.7 Hz).
3mlの脱ガス済みのトルエン中に錯体RuCl2(PPh3)3(153mg、0.16mmol)を懸濁させた。室温で1時間の攪拌を行った後、(S)-Me-bimaH(26mg、0.16mmol)を加え、2時間の還流を行った。次に、溶液を約0.5mlにまで減少させ、5mlのヘキサンを追加して錯体を沈殿させた。ろ過によって固体を得て、真空下で揮発性物質の除去を行った。
収率 101 mg (71%). 31P{1H} NMR (121 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ 43.72, 45.34 ppm.
収率 74%. 31P{1H} NMR (121 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ42.80, 44.62 ppm.
3mlの脱ガス済みのDMF中に錯体[RuCl2(ベンゼン)]2(6.6mg、0.013mmol)及び(S)-BINAP(16.4mg、0.026mmol)を懸濁させた。100℃で1時間の攪拌を行った後、高真空下で50℃で2時間溶媒除去を行った。 (S)-Me-temaH(4.3mg、0.026mmol)及び3mlの脱ガス済みのCH2Cl2加え、室温で5時間の攪拌を行った後、溶液の体積を約0.5mlにまで減少させ、5mlのヘキサンを追加して錯体を沈殿させた。ろ過によって固体を得て真空下で乾燥させた。
収率 19 mg (86%). 31P{1H} NMR (121 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ (ppm) 47.61, 49.15.
収率 23.6 mg (71%). 31P{1H} NMR (121 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ (ppm) 47.5, 49.2.
3mlの脱ガス済みのDMF中に錯体[RuCl2(ベンゼン)]2(7.9mg、0.016mmol)及び(S)-BINAP(19.7mg、0.032mmol)を懸濁させた。100℃で1時間の攪拌を行った後、高真空下で50℃で2時間溶媒除去を行った。dimaH(4.2mg、0.032mmol)及び3mlの脱ガス済みのCH2Cl2を追加した後、その溶液を室温で5時間撹拌した。溶液の体積を約0.5mlにまで減少させ、5mlのヘキサンを追加して錯体を沈殿させた。ろ過によって最終固体を得て真空下で揮発性物質の除去を行った。
収率 19.2 mg (65%). 31P{1H} NMR (121 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ (ppm) 46.2, 48.6.
例1と同じ方法を用いる。
収率 71%. 31P{1H} NMR (121 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ (ppm) 63.51, 41.81.
例1と同じ方法を用いる。
収率 76%. 31P{1H} NMR (121 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ (ppm) 63.67, 40.04.
例2と同じ方法を用いる。
収率 87%. 31P{1H} NMR (162 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ 39.8 (d, J = 42.1 Hz), 26.3 (d, J = 42.1 Hz).
例2と同じ方法を用いる。
収率 82%. 31P{1H} NMR (162 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ 40.5 (d, J = 41.8 Hz), 27.9 (d, J = 41.8 Hz).
例2と同じ方法を用いる。
収率 88%. 31P{1H} NMR (162 MHz, CDCl3, 20 ℃) δ 39.9 (d, J = 43.2 Hz), 28.6 (d, J = 43.2 Hz).
例19: R-bimaH(7)を用いた典型的なその場水素化
正確に秤量した量のRuCl2[(R,S)-Josiphos](PPh3)(1.1mg、0.33mM)又はtrans-RuCl2(NBD)(py)2(1mg、0.33mM)、及びR-bimaH(7)(0.33mM)を事前に120℃でオーブン乾燥したSchlenk内に配置した。新たに蒸留したトルエン(2.8mL)を加え、その溶液中にArを5分間流すことによってその混合物の脱ガスを行い、その混合物を100℃で20分間攪拌した。室温にまで素早く冷却した後、アセトフェノン(0.12mL、S/C = 1000)を加えた。次に、その混合物を、事前に120℃でオーブン乾燥した、固体のKO-t-C4H9(7.3mg、20mM)及び磁気攪拌子を含む100mLグラスオートクレーブにAr下で加えた。4atmの圧力下で放出及び充填を素早く数サイクル行い、その後所望圧力に設定することによってH2を導入した。H2消費をモニターしながら、この溶液を25℃で激しく撹拌した。指定した反応時間の後、H2を放出し、粗生成物混合物の少量をキラルGCで解析し、フェニルエタノールの転換率及びeeを決定した。1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ 7.38-7.25 (m, 芳香族プロトン, 5H), 4.87 (q, J = 6.6 Hz, 1H), 2.03 (br, 1H), 1.48 (d, J = 6.6 Hz, 3H); GC: BETA-DEXTM 120 溶融シリカキャピラリーカラム (df = 0.25 m, 0.25 mm i.d., 30 m, Supelco); P = 100.3 kPa; T = 125 ℃; (R)-異性体のtR = 12.3 min; (S)-異性体のtR = 12.9 min. この結果を以下の表1に示した。
RuCl2(binap)(dmf)n(26)又はtrans-RuCl2[(R,S)-Josiphos](ピリジン)2[(R,S)-27]及びR-bimaHリガンド(R-7)からなる、その場生成された触媒によって触媒されたアセトフェノンの非対称水素化a
正確に秤量した量のRuCl2[(R,S)-Josiphos](PPh3)(1.1mg、0.33mM)又はtrans-RuCl2(NBD)(py)2(1mg、0.33mM)、及びR-bimaH(7)(0.33mM)事前に120℃でオーブン乾燥したSchlenk内に配置した。新たに蒸留したトルエン(2.8mL)加え、その溶液中にArを5分間流すことによってその混合物の脱ガスを行い、その混合物を100℃で20分間攪拌した。室温にまで素早く冷却した後、アセトフェノン(0.12mL、S/C = 1000)加えた。次に、その混合物を、事前に120℃でオーブン乾燥した、固体のKO-t-C4H9(7.3mg、20mM)、ホスフィン添加剤(例えばPPh3の場合、0.8mg、1mM)及び磁気攪拌子を含む100mLグラスオートクレーブにAr下で加えた。4atmの圧力下で放出及び充填を素早く数サイクル行い、その後所望圧力に設定することによってH2を導入した。H2消費をモニターしながら、この溶液を25℃で激しく撹拌した。指定した反応時間の後、H2を放出し、粗生成物混合物の少量をキラルGCで解析し、フェニルエタノールの転換率及びeeを決定した。その結果を以下の表2に示した。
trans-RuCl2[(R,S)-Josiphos](ピリジン)2[(R,S)-27]及びR-bimaHリガンド(R-7)からなる、その場生成された触媒によって触媒されたアセトフェノンの非対称水素化におけるホスフィン添加効果a
正確に秤量した量の(RS,S)-8(2.5mg、0.038mM)、固体のKO-t-C4H9(120mg、16.4mM)及びPPh3(60mg、3.4mM)を事前に120℃でオーブン乾燥した、磁気攪拌子を含む350mLオートクレーブ内に配置した内に配置し、高真空下に少なくとも20分間置いた後、アルゴンでパージした。新たに蒸留した溶媒(トルエンを35mL; t-BuOHを15mL)及び精製したアセトフェノン(15mL、1.9M、S/C = 50,000)を事前に乾燥させたSchlenk内に配置し、3サイクルの凍結及び解凍によって脱ガスを行い、それから、Ar雰囲気下でオートクレーブに加えた。20atmの圧力下で放出及び充填を素早く数サイクル行い、その後40atmに設定することによってH2を導入した。H2消費をモニターしながら、この溶液を25℃で激しく撹拌した。10時間後、H2を注意深く放出し、この溶液をシリカゲルの短いパッドを通過させ、減圧下で溶媒を除去した。粗生成物混合物をキラルGCで解析し、(S)-フェニルエタノールの転換率及びeeを決定した。GC: BETA-DEXTM 120 溶融シリカキャピラリーカラム (df = 0.25 m, 0.25 mm i.d., 30 m, Supelco); P = 100.3 kPa; T = 125 ℃; (R)-7aのtR = 12.3 min; (S)-7aのtR = 12.9 min(主要)。 転換率 >99%; ee = 97%.
例19で説明したものと同じプロセスを用いていくつかの芳香族ケトンの還元を行った。水素化条件及び結果を表3に示した。
RuCl2[(R,S)-Josiphos)][(S)-Me-bimaH)][(RS,S)-8]錯体aによって触媒された単純アリールケトンの非対称水素化
種々のホスフィン及び(S)-Me-bimaHを用いたアセトフェノン還元の結果を表4に示す。水素化の手順は、例19で説明したものと同じである。H2圧力は、常に8atmである。
表4.
1時間の水素化期間中での種々のキラルジホスファン及び(S)-Me-bimaHを用いたアセトフェノンのAHa
正確に秤量した量の(SS,S)-9(0.9mg、1μmol)、固体のKO-t-C4H9(6mg、0.05mmol)及びときどき誘導体[例:PPh3(0.3mg、1μmol)]を事前に120℃でオーブン乾燥させた、磁気攪拌子を含む350mLオートクレーブ内に配置し、高真空下に少なくとも20分間配置し、アルゴンでパージした。新たに蒸留した溶媒(トルエンを2.7mL; t-BuOHを0.3mL)及び精製したケトン(1mmol、S/C = 1,000)を事前に乾燥させたSchlenk内に配置し、3サイクルの凍結及び解凍によって脱ガスを行い、Ar雰囲気下でオートクレーブに加えた。20atmの圧力下で放出及び充填を素早く数サイクル行い、その後8atmに設定することによってH2を導入した。H2消費をモニターしながら、この溶液を25℃で激しく撹拌した。ある時間の経過後にH2を注意深く放出し、この溶液をシリカゲルの短いパッドを通過させ、減圧下で溶媒を除去した。粗生成物混合物を1HNMRで解析して、転換率及びキラルGCを決定し、又はHPLCで解析して、キラルアルコール生成物のeeを決定した。水素化の結果を表5に示す。
錯体(SS,S)-9を用いた芳香族基質のスクリーニング a
正確に秤量した量の(S,S)-18(2.9mg、3.0μmol)、固体のKO-t-C4H9(6mg、0.05mmol)を事前に120℃でオーブン乾燥磁気攪拌子を含む350mLオートクレーブ内に配置し、高真空下に少なくとも20分間配置し、アルゴンでパージした。新たに蒸留した溶媒(2-PrOH、3mL)及び精製したピナコロン(0.62g、6.0mmol、S/C = 2,000)を事前に乾燥させたSchlenk内に配置し、3サイクルの凍結及び解凍によって脱ガスを行い、Ar雰囲気下でオートクレーブに加えた。20atmの圧力下で放出及び充填を素早く数サイクル行い、その後8atmに設定することによってH2を導入した。H2消費をモニターしながら、この溶液を25℃で激しく撹拌した。ある時間(12h)の経過後にH2を注意深く放出し、この溶液をシリカゲルの短いパッドを通過させ、減圧下で注意深く溶媒を除去した。粗生成物混合物をキラルGCで解析した: CP-Chirasil-DEX CBカラム、P = 41kPa、T(カラム) = 60℃、T(injection) = 200℃、T(detector) = 200℃、(R)-異性体のtR = 17.2min、(S)-異性体のtR = 17.9min。 転換率が100%; eeが75%。
例26: (RS,S)-8を用いたアセトフェノンの非対称移動水素化
正確に秤量した量の(RS,S)-8(1.0mg、1μmol)及び固体のKO-t-C4H9(4.5mg、0.04mmol)を事前に120℃でオーブン乾燥した、磁気攪拌子を含む30mLのSchlenkチューブ内に配置し、高真空下に少なくとも20分間配置し、アルゴンでパージした。新たに蒸留した溶媒(i-PrOH、3mL)及び精製したアセトフェノン(0.12mL、1mmol、S/C = 1,000)を事前に乾燥させたSchlenk内に配置し、5分間バブリングすることによって脱ガスし、Ar雰囲気下で上記のSchlenkチューブに加えた。その溶液を80℃で12時間激しく撹拌し、この溶液をシリカゲルの短いパッドを通過させ、減圧下で溶媒を除去した。粗生成物混合物をキラルGCで解析し、(S)-フェニルエタノールの転換率及び鏡像体過剰率を決定した。GC:BETA-DEXTM 120溶融シリカキャピラリーカラム(df = 0.25m、0.25mm i.d.、30m、Supelco); P = 100.3 kPa; T = 125℃; (R)-異性体のtR = 12.3min; (S)-異性体のtR= 12.9min(主要)。 転換率 = 95%; ee = 15%.
三方停止弁に接続されたサンプルニードルを有するグラスオートクレーブ内で水素化を行った。正確に測定した量の(RS,S)-8、KO-t-C4H9及び(当てはまる場合には)PPh3を事前に120℃で乾燥させた、磁気攪拌子を含むグラスオートクレーブ内に配置し、高真空下に少なくとも5分間維持した後、アルゴンでパージした。所望の[(RS,S)-8]、[アセトフェノン]、S/C比、[PPh3]及び[KO-t-C4H9]が得られるように、事前に乾燥させたSchlenkチューブ内に正確に測定した量のアセトフェノン及び溶媒を配置した。反応混合物は、3サイクルの凍結及び解凍によって脱ガスを行い、Ar下でオートクレーブに加えた。必要な場合には、そのオートクレーブを所望の反応温度になるように事前に温められたオイルバス内に配置した。4atmの圧力下で放出及び充填を素早く数サイクル行い、その後所望圧力に設定することによってH2を導入した。攪拌及びタイミング(t = 0 min)を即座に開始した。指定時間のインターバル(t)で反応サンプルを得て(エーテルで満たしたGCサンプルチューブ中へ2滴)、基質消費の程度及びフェニルエタノールのeeをGCによって決定した。
--使用する溶媒は、次に示すものの内の少なくとも一つであってもよい: ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルキシレン、THF、CH2Cl2、Et2O、CH3OH、EtOH、iPrOH、nPrOH、nBuOH、iBuOH、tBuOH、MeCN、エチレングリコールジメチルエーテル、CHCl3、DMSO、DMFなど。
--使用する塩基は、tBuOK、tBuONa、tBuOLi、tBuOCs、NaOH、KOH、Cs2CO3、Na2CO3、K2CO3、NaHCO3、KHCO3、K3PO4、K2HPO3、KH2PO3、KF、NaH、KH、CaH2、Et3N、TMEDA、DABCO、DBU、ピリジンなどであってもよい。
--反応は、少量の水に耐える
--反応は、官能基を有する基質(例:エステル[-C(=O)O-]、アミン(NH2))に耐える。
--基質は、ヘテロ芳香族ケトンであってもよい。
--反応時間は、0.1-48時間であってもよく、H2圧力は、1-80atmであってもよい。
Claims (12)
- [RuLmL'XY]で表される一般式(I)を有する新規クラスのルテニウム錯体であって、
Xは、Cl、Br、I又は水素であり、Yは、Cl、Br、I、水素又はBH4であり、
Lは、次の群から選択されるリガンドであり、
a) 一般式R1R2R3Pを有するモノホスフィン(R1、R2、R3は、1〜10の炭素原子を有する脂肪族アルキル基又は芳香族基)、
b) 一般式R5R6P-R4-PR7R8を有する二座ホスフィン(R4は、キラル又はアキラルの有機炭化水素骨格であり、R5、R6、R7及びR8は、1〜10の炭素を有する脂肪族アルキル基又は芳香族基)、
同一の単座ホスフィンリガンドが群a)から選択される場合、mは2であり、ビスホスフィンがb)から選択される場合、mは1であり、
L'は、次の群(構造II〜構造V)から選択される二座ハイブリッドアミンリガンドであり、
R10、R11、R12は、独立して、水素又はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基であり、それぞれ、12以下の炭素原子を有し、アルキル基は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル、第三ブチル、ペンチル、ヘキシル、イソペンチル、シクロペンチル、及びシクロヘキシルからなる群から選択され、アリール基は、フェニル又は置換フェニルであり、アリールアルキル基は、ベンジル又はアルキル置換ベンジルであり、
Aは、アルキル、アルコキシ、又はアリール基であり、それぞれ1〜8の炭素原子を有し、Aは、独立して、水素、ハロゲン、ニトロ、アミノ、スルホン酸であり、nは、非置換芳香族環炭素数に等しい1〜6の整数であり、Aにおけるアルキル基は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三ブチル、イソペンチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フルオロメチル、及びトリフルオロメチルからなる群から選択され、Aにおけるアルコキシ基は、メトキシ、エトキシ、又は第3級ブトキシであり、Aにおけるアリール基は、フェニル、置換フェニル、ベンジル、又は置換ベンジルである、ルテニウム錯体。 - 前記リガンドX及びYは、trans又はcis配置である請求項1に記載のルテニウム錯体。
- 式(VI)[RuL2L'XY]において、
Lは、群a)から選択されたモノホスフィンリガンドであり、L'は、構造II、III、IV及びVで表された群から選択された二座ハイブリッドアミンリガンドであり、Xは、Cl、Br、I又は水素であり、Yは、Cl、Br、I、水素、又はBH4であり; X及びYリガンドは、前記ルテニウム錯体においてtrans又はcisである、請求項1に記載のルテニウム錯体。 - 式VII:[RuL1L'XY]において、
Lは、群b)から選択された二座ホスフィンリガンドであり、前記二座ホスフィンリガンドは、キラル又はアキラルであり、前記キラル二座ホスフィンリガンドは、次のリガンドから選択され: BINAP及びキラルビナフチル又は置換ビナフチル骨格を有するビスホスフィン、BIPHEP及びキラルビフェニル骨格を有するビスホスフィン、JOSIPHOS及びフェロセン又は置換フェロセン骨格を有するビスホスフィン、DIOP、NORPHOS,SKEWPHOS、CHIRAPHOS、PHANEPHOS;
L'は、構造II、III、IV及びVで表される二座ハイブリッドアミンリガンドであり;
Xは、Cl、Br、I又は水素であり、Yは、Cl、Br、I、水素、又はBH4であり; X及びYリガンドは、前記ルテニウム錯体においてtrans又はcisである、請求項1に記載のルテニウム錯体。
- 前記ルテニウム錯体は、20〜120℃の有機溶媒中でルテニウム化合物、ハイブリッド二座アミンリガンド、二座ホスフィン又は単座ホスフィンリガンドから0.5〜20時間で調製され、前記ルテニウム化合物、アミンリガンド、ビスホスフィン又はモノホスフィンリガンドのモル比は、1:1〜3:1〜5である、請求項1に記載のルテニウム錯体の調製方法。
- 前記錯体において、前記ルテニウム金属化合物は、Ru錯体又はその誘導体のハロゲナイドである、請求項5に記載の調製方法。
- 前記錯体において、
モノホスフィンリガンドが用いられる場合、遷移金属化合物、二座アミン及びモノホスフィンのモル比は、1:1〜3:1〜5である、請求項5に記載の調製方法。 - 前記錯体において、
二座ホスフィンリガンドが用いられる場合、遷移金属化合物、二座アミン及び二座ホスフィンリガンドのモル比は、1:1〜3:1〜3である、請求項5に記載の調製方法 - 単純ケトン、α位にアリール基又は不飽和アルキル基を有するケトン、α位にかさの大きいアルキル基を有するケトン、ジアリールケトン及びその誘導体、α位にヘテロ芳香族基を有するケトン、β-N,N-ジメチルアミノ-α-フェニルケトン及びその誘導体の触媒水素化における触媒としての、請求項1に記載のRu錯体の使用。
- 前記Ru錯体の触媒反応性及びエナンチオ選択性は、単純ケトンの非対称水素化において、いくつかの添加剤を加えることによってさらに高められる、その単純ケトンを水素化して第2級アルコールにする反応での、請求項9に記載された、触媒としての前記Ru錯体の使用。
- 前記添加剤は、単座第3級ホスフィン又は単座第3級アミンであり、前記ルテニウム金属に対する前記添加剤のモル比は、3〜1:1である、請求項10に記載された、触媒としての前記Ru錯体の使用。
- 単純ケトンの還元は、プロトン性又は非プロトン性溶媒、又はプロトン性及び非プロトン性溶媒の混合物中で行われ、前記プロトン性溶媒は、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、又は第3級ブタノールであり、前記非プロトン性溶媒は、トルエン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジクロロメタン、ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ジメチルスルホンアミド、又はN-メチルピロリジノンである、請求項9に記載された、触媒としての前記Ru錯体の使用。
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