JP5383500B2 - 高出力インパルス・マグネトロン・スパッタリング(hipims)を用いたrf基板バイアス - Google Patents
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Description
S1,S2;スイッチ
L,L2;コイル
Claims (26)
- マグネトロンのカソード上での電流密度を0.1と10A/cm2の間として、基板上にコーティングを形成するためにターゲットの高出力インパルス・スパッタリングを発生させるための装置であって、
前記マグネトロンに動作可能に接続された電源と、
前記電源及び前記マグネトロンに動作可能に接続された少なくとも一つのキャパシタと、
前記キャパシタを放電させることによって前記マグネトロンを充電させるために前記マグネトロンに前記電源を動作可能に接続し、前記マグネトロンに第1のパルスを供給するように構成された第1のスイッチと、
前記基板に動作可能に接続され、RF基板バイアスを印加するように構成されたRF電気的バイアス装置と
を備えた装置。 - 前記RF電気的バイアス装置に動作可能に接続されたチャックを更に備え、前記基板が前記チャック上に配置された請求項1記載の装置。
- 前記マグネトロンと前記チャックとの間の距離が20mm乃至100mmの間である請求項2記載の装置。
- 前記RF電気的バイアス装置と前記チャックとの間に配置されたマッチングユニットを更に備え、前記マッチングユニットは、前記基板及び/又は前記チャックでのプラズマのインピーダンスと前記基板のインピーダンスとをマッチングさせるように構成された請求項2記載の装置。
- 前記チャックに動作可能に接続されたRFセルフバイアスモニタ装置を更に備え、前記RFセルフバイアスモニタ装置は、前記RF電気的バイアス装置のセルフバイアスをモニタするように構成され、前記RF電気的バイアス装置はRF発生器である請求項2記載の装置。
- 前記RF電気的バイアス装置は、前記マグネトロン及び前記基板を収容するチャンバーへの20sccmを下回るアルゴンガス流速で、50Wを上回るロードを印加する請求項1記載の装置。
- 前記RF電気的バイアス装置は、前記マグネトロン及び前記基板を収容するチャンバーへの2×10−4乃至5×10−3mbarの範囲でのガス圧力で、50Wを上回るロードを印加する請求項1記載の装置。
- 前記少なくとも一つのキャパシタに動作可能に接続されたコイルと、
前記マグネトロンを放電させるために動作可能に接続され、第2のパルスにより前記マグネトロンを放電させるように構成された第2のスイッチと
を更に備えた請求項1記載の装置。 - 前記マグネトロンに動作可能に接続され、発生しているアークを検出するように構成された少なくとも一つの検出器と、
前記マグネトロンを放電させるために動作可能に接続され、前記少なくとも一つの検出器によりアークの発生が検出されると前記マグネトロンを放電させると共に前記アークの発生を抑制するように構成された第2のスイッチと
を更に備えた請求項1記載の装置。 - 前記第1のスイッチは、前記少なくとも一つの検出器による前記アークの検出に応答して制御される請求項9記載の装置。
- 前記少なくとも一つのキャパシタに動作可能に接続されたコイルを更に備え、
前記第2のスイッチは、前記コイルに沿った点に動作可能に接続され、前記第2のスイッチは、第2のパルスを供給するように構成された請求項9又は10の何れか1項記載の装置。 - マグネトロンのカソード上での電流密度を0.1と10A/cm2の間として、基板上にコーティングを形成するためにターゲットの高出力インパルス・スパッタリングを発生させるための装置であって、
前記マグネトロンに動作可能に接続された電源と、
前記電源及び前記マグネトロンに動作可能に接続された少なくとも一つのキャパシタと、
前記キャパシタを放電させることよって前記マグネトロンを充電させるために前記マグネトロンに前記電源を動作可能に接続し、前記マグネトロンに第1のパルスを供給するように構成された第1のスイッチと、
前記基板に動作可能に接続され、RF基板バイアスを印加するように構成されたRF電気的バイアス装置と、
前記RF電気的バイアス装置に動作可能に接続され、前記基板が配置されたチャックと、
前記少なくとも一つのキャパシタに動作可能に接続されたコイルと、
前記マグネトロンを放電させるために動作可能に接続され、前記コイルに沿った点に接続され、第2のパルスにより前記マグネトロンを放電させるように構成された第2のスイッチと、
前記マグネトロンに動作可能に接続され、発生しているアークを検出するように構成された少なくとも一つの検出器とを備え、
前記第1のスイッチ及び前記第2のスイッチは、前記少なくとも一つの検出器による前記アークの検出に応答して制御されて前記アークの発生を抑制する装置。 - マグネトロンのカソード上での電流密度を0.1と10A/cm2の間として、基板上にコーティングを形成するためにターゲットの高出力インパルス・スパッタリングを発生させるための装置であって、
前記マグネトロンを充電させるために、少なくとも1つのキャパシタを介して前記マグネトロンに動作可能に接続され、前記キャパシタを放電させることによって前記マグネトロンに第1のパルスを供給するように構成された電源と、
前記基板に動作可能に接続され、RFバイアスパルスにより前記マグネトロンを放電させるように構成されたRF電気的バイアス装置と、
前記電源と前記RF電気的バイアス装置に動作可能に接続され、前記第1のパルスの周波数と遅延時間を前記RFバイアスパルスに同期させるように構成された同期化装置と
を備えた装置。 - 前記電源は、前記第1のパルスのデューティ・サイクルを0.01%と20%の間とすると共に周波数を1Hz乃至20kHzの範囲として、前記第1のパルスを前記マグネトロンに供給するように構成された請求項13記載の装置。
- 前記電源は、前記第1のパルスのデューティ・サイクルを2%と50%の間として、前記第1のパルスを前記マグネトロンに供給するように構成された請求項13又は14の何れか1項記載の装置。
- 前記同期化装置は、遅延時間を0.1μs乃至500μsとして、前記第1のパルスの前に前記RFバイアスパルスを供給するように構成された請求項13記載の装置。
- マグネトロンのカソード上での電流密度を0.1と10A/cm2の間として、基板上にコーティングを形成するためパルスが印加される高出力インパルス・スパッタリングを発生させるための装置において基板バイアスを印加する方法であって、
電源から前記マグネトロンを充電させるために、前記電源及び前記マグネトロンに制御可能に接続された少なくとも1つのキャパシタを放電させることによって、第1のスイッチに第1のパルスを印加するステップと、
前記基板に動作可能に接続されたRF電気的バイアス装置からRF基板バイアスを印加するステップと
を含む方法。 - 前記マグネトロンの放電のためのプレ・イオン化のために、前記第1のパルスの期間で前記RF電気的バイアスを印可するステップを更に含む請求項17記載の方法。
- 堆積に先だって、前記基板をエッチング及び事前洗浄するために前記RF基板バイアスを印可するステップを更に含む請求項17又は18の何れか1項記載の方法。
- 前記基板に衝突するイオンのエネルギーを調整して前記基板に所望のコーティングを提供するために、前記RF基板バイアスの電圧を調整するステップを更に含む請求項17項記載の方法。
- 前記マグネトロンを放電させるために第2のスイッチに第2のパルスを印加するステップを更に含む請求項17記載の方法。
- 少なくとも一つのキャパシタが充電される、前記第1のスイッチについての比較的長いオフ時間を含む前記第1のパルスを確立するステップと
前記第2のパルスが前記第2のスイッチを活性化する前にコイルにエネルギーが蓄えられる比較的短いオン時間を含む前記第1のパルスを確立するステップとを含み、前記第2のスイッチの活性化は、前記マグネトロンの放電を引き起こす請求項21記載の方法。 - 前記第1のパルス及び前記第2のパルスは、第1のモードと第2のモードの間で周期的に変化し、
前記第1のモードは、キャパシタが充電される期間であって前記第1のスイッチについての比較的長いオフ時間と、前記第2のパルスが前記第2のスイッチを活性化する前にコイルにエネルギーを蓄えるために第1のスイッチが活性化されるときの比較的短いオン時間とを有する第1のパルスを含み、前記第2のスイッチの活性化は、前記マグネトロンの放電を引き起こし、
前記第2のモードは、前記マグネトロンに電圧を供給するために比較的長いオン時間のパルスを含む第1のパルスを含み、前記第2のパルスは1組の短いパルスである請求項21又は22の何れか1項記載の方法。 - 前記第1のパルスは、前記装置に電圧を供給するための比較的長いオン時間のパルスであり、前記第2のパルスは、1組の短いパルスである請求項21記載の方法。
- 少なくとも一つの検出器を用いてアークが発生していることを検出するステップと、前記アークの形成に応答して前記マグネトロンを放電させて前記アークの発生を抑制するために前記第2のスイッチを活性化するステップとを更に含む請求項21記載の方法。
- 請求項17乃至25の何れか1項記載の方法を含む、コーティングされた基板を製造するための方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101589450B (zh) | 2006-12-12 | 2013-08-28 | Oc欧瑞康巴尔斯公司 | 生成靶溅射以在衬底上产生涂层的设备和在其上实施电压脉冲的方法 |
EP1978542B1 (de) * | 2007-03-08 | 2010-12-29 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zum Unterdrücken von Bogenentladungen beim Betreiben eines Plasmaprozesses |
TWI398537B (zh) | 2008-04-03 | 2013-06-11 | Oc Oerlikon Balzers Ag | 濺鍍設備及用以製造金屬化結構的方法 |
JP5500794B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2014-05-21 | 株式会社アルバック | 電源装置 |
JP5429772B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2014-02-26 | 株式会社アルバック | 電源装置 |
ATE535629T1 (de) * | 2008-07-29 | 2011-12-15 | Sulzer Metaplas Gmbh | Gepulstes hochleistungs-magnetronsputterverfahren sowie hochleistungs-elektroenergiequelle |
DE112008003961A5 (de) * | 2008-08-01 | 2011-06-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung und Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas mit definiertem und stabilem Ionisierungszustand |
DE102008057286B3 (de) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur PVD-Beschichtung mit schaltbarer Biasspannung |
US11615941B2 (en) * | 2009-05-01 | 2023-03-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems |
US9287086B2 (en) * | 2010-04-26 | 2016-03-15 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method and apparatus for controlling ion energy distribution |
US20110005920A1 (en) * | 2009-07-13 | 2011-01-13 | Seagate Technology Llc | Low Temperature Deposition of Amorphous Thin Films |
US8956516B2 (en) * | 2009-08-31 | 2015-02-17 | Semicat, Inc. | System and apparatus to facilitate physical vapor deposition to modify non-metal films on semiconductor substrates |
US8936703B2 (en) * | 2009-08-31 | 2015-01-20 | Semicat, Inc. | Methods to fabricate non-metal films on semiconductor substrates using physical vapor deposition |
US8855336B2 (en) * | 2009-12-11 | 2014-10-07 | Qualcomm Incorporated | System and method for biasing active devices |
DE202010001497U1 (de) * | 2010-01-29 | 2010-04-22 | Hauzer Techno-Coating B.V. | Beschichtungsvorrichtung mit einer HIPIMS-Leistungsquelle |
US20120000767A1 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Primestar Solar, Inc. | Methods and apparatus of arc prevention during rf sputtering of a thin film on a substrate |
CN101838795B (zh) * | 2010-06-30 | 2011-07-20 | 哈尔滨工业大学 | 高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法 |
DE102010031568B4 (de) | 2010-07-20 | 2014-12-11 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Arclöschanordnung und Verfahren zum Löschen von Arcs |
DE102011117177A1 (de) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Verfahren zur Bereitstellung sequenzieller Leistungspulse |
DE102011115145A1 (de) * | 2011-09-27 | 2013-03-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Magnetronsputtern mit Ausgleich der Targeterosion |
US9416440B2 (en) * | 2011-09-30 | 2016-08-16 | Cemecon Ag | Coating of substrates using HIPIMS |
US9175382B2 (en) * | 2011-10-25 | 2015-11-03 | Intermolecular, Inc. | High metal ionization sputter gun |
EP2587518B1 (en) * | 2011-10-31 | 2018-12-19 | IHI Hauzer Techno Coating B.V. | Apparatus and Method for depositing Hydrogen-free ta C Layers on Workpieces and Workpiece |
EP2653583B1 (de) * | 2012-04-20 | 2021-03-10 | Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon | Beschichtungsverfahren zur Abscheidung eines Schichtsystems auf einem Substrat |
CN102938968B (zh) * | 2012-11-12 | 2015-05-27 | 西安交通大学 | 一种用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路 |
US20140217832A1 (en) * | 2013-02-06 | 2014-08-07 | Astec International Limited | Disconnect switches in dc power systems |
JP6239346B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-11-29 | 株式会社アヤボ | パルススパッタ装置 |
KR101440771B1 (ko) * | 2013-03-07 | 2014-09-17 | (주)화인솔루션 | 스퍼터 전원 장치 |
US10000843B2 (en) * | 2013-09-13 | 2018-06-19 | DePuy Synthes Products, Inc. | Coating process for non-conductive substrates and devices made from the coating process |
DE102013110883B3 (de) | 2013-10-01 | 2015-01-15 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Vorrichtung und Verfahren zur Überwachung einer Entladung in einem Plasmaprozess |
EP3077566A1 (en) | 2013-12-04 | 2016-10-12 | Oerlikon Advanced Technologies AG | Sputtering source arrangement, sputtering system and method of manufacturing metal-coated plate-shaped substrates |
CN103715070B (zh) * | 2013-12-30 | 2018-05-29 | 国家电网公司 | 一种带胶磁控溅射厚膜的方法 |
WO2015112661A1 (en) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | Isoflux Incorporated | Open drift field sputtering cathode |
EP2905801B1 (en) * | 2014-02-07 | 2019-05-22 | TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. | Method of monitoring the discharge in a plasma process and monitoring device for monitoring the discharge in a plasma |
EP3035365A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-22 | TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. | Method of detecting an arc occurring during the power supply of a plasma process, control unit for a plasma power supply, and plasma power supply |
WO2017003339A1 (en) * | 2015-07-02 | 2017-01-05 | Styervoyedov Mykola | Pulse generation device and method for a magnetron sputtering system |
TWI615494B (zh) * | 2016-07-05 | 2018-02-21 | 鍍製光學硬膜之封閉式高能磁控濺鍍裝置及其製造方法 | |
US10566177B2 (en) * | 2016-08-15 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Pulse shape controller for sputter sources |
EP3292877A1 (de) * | 2016-09-09 | 2018-03-14 | Universität Basel | Implantat oder osteosynthese und verfahren zu dessen herstellung |
US11094515B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-08-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sputtering apparatus and sputtering method |
US11094505B2 (en) * | 2017-07-07 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus, storage medium and substrate processing method |
EP3661685B1 (en) * | 2017-08-04 | 2024-06-26 | Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon | Tap drill with enhanced performance |
US20190088457A1 (en) * | 2017-09-19 | 2019-03-21 | Applied Materials, Inc. | Sync controller for high impulse magnetron sputtering |
US10763150B2 (en) | 2017-09-20 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | System for coupling a voltage to spatially segmented portions of the wafer with variable voltage |
US10510575B2 (en) | 2017-09-20 | 2019-12-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multiple embedded electrodes |
US10714372B2 (en) | 2017-09-20 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | System for coupling a voltage to portions of a substrate |
US10904996B2 (en) | 2017-09-20 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrically floating power supply |
US10811296B2 (en) | 2017-09-20 | 2020-10-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with dual embedded electrodes |
WO2019099925A1 (en) | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Advanced Energy Industries, Inc. | Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing |
JP7235761B2 (ja) | 2017-11-17 | 2023-03-08 | エーイーエス グローバル ホールディングス, プライベート リミテッド | プラズマ処理源および基板バイアスの同期パルス化 |
CN110416047B (zh) * | 2018-04-27 | 2021-03-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 射频阻抗匹配的方法及装置、半导体处理设备 |
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
CN108880512B (zh) * | 2018-06-22 | 2022-06-03 | 西北核技术研究所 | 一种高功率双指数脉冲脉宽连续调节电路及调节方法 |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
KR20210107716A (ko) | 2019-01-22 | 2021-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 펄스 전압 파형을 제어하기 위한 피드백 루프 |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
US10998209B2 (en) | 2019-05-31 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing platforms including multiple processing chambers |
JP2022541004A (ja) | 2019-07-12 | 2022-09-21 | エーイーエス グローバル ホールディングス, プライベート リミテッド | 単一制御型スイッチを伴うバイアス供給装置 |
US11043387B2 (en) | 2019-10-30 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
DE102020116157A1 (de) | 2020-06-18 | 2021-12-23 | Cemecon Ag. | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer Beschichtung sowie beschichteter Körper |
US11817331B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate holder replacement with protective disk during pasting process |
US11749542B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports |
EP3945541A1 (en) * | 2020-07-29 | 2022-02-02 | TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. | Pulsing assembly, power supply arrangement and method using the assembly |
US11462389B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system |
US11955324B2 (en) * | 2020-08-07 | 2024-04-09 | Jefferson Science Associates, Llc | High power pulse systems for surface processing |
CN112080728B (zh) * | 2020-08-12 | 2022-05-10 | 北京航空航天大学 | HiPIMS系统及减小HiPIMS放电电流延迟的方法 |
US11600507B2 (en) | 2020-09-09 | 2023-03-07 | Applied Materials, Inc. | Pedestal assembly for a substrate processing chamber |
DE102020124032A1 (de) | 2020-09-15 | 2022-03-17 | Cemecon Ag. | Beschichtungsvorrichtung und Beschichtungsverfahren mit unterteilten Pulsen |
US11610799B2 (en) | 2020-09-18 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11674227B2 (en) | 2021-02-03 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US20220399185A1 (en) | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US12002668B2 (en) | 2021-06-25 | 2024-06-04 | Applied Materials, Inc. | Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
GB202115616D0 (en) | 2021-10-29 | 2021-12-15 | Spts Technologies Ltd | PVD method and apparatus |
US11670487B1 (en) | 2022-01-26 | 2023-06-06 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply control and data processing |
US11942309B2 (en) | 2022-01-26 | 2024-03-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply with resonant switching |
US12046448B2 (en) | 2022-01-26 | 2024-07-23 | Advanced Energy Industries, Inc. | Active switch on time control for bias supply |
WO2023156117A1 (en) | 2022-02-18 | 2023-08-24 | Evatec Ag | Vacuum layer deposition apparatus and method of depositing a layer on a substrate, especially on a substrate comprising indentations in the surface to be coated |
US20230360898A1 (en) * | 2022-05-04 | 2023-11-09 | Starfire Industries Llc | Impulse power supply for compact system for coupling radio frequency power directly into radio frequency linacs |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11978613B2 (en) | 2022-09-01 | 2024-05-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Transition control in a bias supply |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62266732A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Tohoku Metal Ind Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
US4963239A (en) * | 1988-01-29 | 1990-10-16 | Hitachi, Ltd. | Sputtering process and an apparatus for carrying out the same |
US5241152A (en) * | 1990-03-23 | 1993-08-31 | Anderson Glen L | Circuit for detecting and diverting an electrical arc in a glow discharge apparatus |
JP3441746B2 (ja) * | 1992-11-09 | 2003-09-02 | キヤノン株式会社 | バイアススパッタ方法およびその装置 |
US5718813A (en) * | 1992-12-30 | 1998-02-17 | Advanced Energy Industries, Inc. | Enhanced reactive DC sputtering system |
US5892237A (en) * | 1996-03-15 | 1999-04-06 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure method and apparatus |
JP2835323B2 (ja) * | 1997-02-20 | 1998-12-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スパッタリング装置用電源装置 |
US5993613A (en) * | 1997-11-07 | 1999-11-30 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Method and apparatus for periodic polarity reversal during an active state |
JP3296292B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2002-06-24 | 松下電器産業株式会社 | エッチング方法、クリーニング方法、及びプラズマ処理装置 |
US6132575A (en) * | 1998-09-28 | 2000-10-17 | Alcatel | Magnetron reactor for providing a high density, inductively coupled plasma source for sputtering metal and dielectric films |
US6193855B1 (en) * | 1999-10-19 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Use of modulated inductive power and bias power to reduce overhang and improve bottom coverage |
US6344419B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-02-05 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-mode RF bias for sidewall coverage improvement |
GB0011838D0 (en) * | 2000-05-17 | 2000-07-05 | Astrazeneca Ab | Chemical compounds |
SE519931C2 (sv) * | 2000-06-19 | 2003-04-29 | Chemfilt R & D Ab | Anordning och förfarande för pulsad, starkt joniserad magnetronsputtering |
US6413382B1 (en) | 2000-11-03 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Pulsed sputtering with a small rotating magnetron |
CN1170000C (zh) * | 2001-04-20 | 2004-10-06 | 大连理工大学 | 一种等离子体增强非平衡磁控溅射方法 |
SE525231C2 (sv) * | 2001-06-14 | 2005-01-11 | Chemfilt R & D Ab | Förfarande och anordning för att alstra plasma |
KR100439475B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2004-07-09 | 삼성전자주식회사 | 금속층 적층방법 및 장치 |
EP1434336A4 (en) | 2001-09-28 | 2008-10-08 | Shibaura Mechatronics Corp | POWER SUPPLY FOR SPUTTER |
JP2004131839A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-04-30 | Applied Materials Inc | パルス化された電力によるスパッタリング堆積 |
US6808607B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-10-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | High peak power plasma pulsed supply with arc handling |
US7147759B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Zond, Inc. | High-power pulsed magnetron sputtering |
US20040112735A1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-06-17 | Applied Materials, Inc. | Pulsed magnetron for sputter deposition |
JP4497447B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2010-07-07 | 株式会社アルバック | パルス状直流スパッタ成膜方法及び該方法のための成膜装置 |
US7563748B2 (en) | 2003-06-23 | 2009-07-21 | Cognis Ip Management Gmbh | Alcohol alkoxylate carriers for pesticide active ingredients |
SE0302045D0 (sv) * | 2003-07-10 | 2003-07-10 | Chemfilt R & D Ab | Work piece processing by pulsed electric discharges in solid-gas plasmas |
JP2006528731A (ja) * | 2003-07-24 | 2006-12-21 | アドバンスド エナジー インダストリーズ, インコーポレイテッド | アークハンドリングによる高ピーク電力プラズマパルス電源 |
KR101001743B1 (ko) * | 2003-11-17 | 2010-12-15 | 삼성전자주식회사 | 헬리컬 자기-공진 코일을 이용한 이온화 물리적 기상 증착장치 |
JP4498000B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-07-07 | オリジン電気株式会社 | 電力供給装置 |
WO2006000020A1 (en) | 2004-06-29 | 2006-01-05 | European Nickel Plc | Improved leaching of base metals |
SE0402644D0 (sv) * | 2004-11-02 | 2004-11-02 | Biocell Ab | Method and apparatus for producing electric discharges |
JP2006269235A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
GB2425780B (en) * | 2005-04-27 | 2007-09-05 | Univ Sheffield Hallam | PVD coated substrate |
CN101589450B (zh) * | 2006-12-12 | 2013-08-28 | Oc欧瑞康巴尔斯公司 | 生成靶溅射以在衬底上产生涂层的设备和在其上实施电压脉冲的方法 |
-
2007
- 2007-12-12 CN CN2007800458427A patent/CN101589450B/zh active Active
- 2007-12-12 EP EP07857450.6A patent/EP2102888B1/en active Active
- 2007-12-12 EP EP07848082.9A patent/EP2102889B1/en active Active
- 2007-12-12 JP JP2009540762A patent/JP5259618B2/ja active Active
- 2007-12-12 US US11/954,490 patent/US8435389B2/en active Active
- 2007-12-12 WO PCT/EP2007/063787 patent/WO2008071734A2/en active Application Filing
- 2007-12-12 TW TW096147351A patent/TWI464282B/zh active
- 2007-12-12 KR KR1020097014495A patent/KR101447302B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-12 US US11/954,507 patent/US9355824B2/en active Active
- 2007-12-12 JP JP2009540761A patent/JP5383500B2/ja active Active
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