JPS62266732A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS62266732A JPS62266732A JP10946586A JP10946586A JPS62266732A JP S62266732 A JPS62266732 A JP S62266732A JP 10946586 A JP10946586 A JP 10946586A JP 10946586 A JP10946586 A JP 10946586A JP S62266732 A JPS62266732 A JP S62266732A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は垂直磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。
る。
従来、垂直磁気記録方式による高密度磁気記録を実現さ
せる材料として有力なものにＣｏＣｒ合金膜メッキ法等
によって製造され、ａ性層が連続体であるために記録密
度の飛躍的な向上が期待されている。
せる材料として有力なものにＣｏＣｒ合金膜メッキ法等
によって製造され、ａ性層が連続体であるために記録密
度の飛躍的な向上が期待されている。
しかしながら、こうして得られる磁性層は、一般に、耐
久性に乏しく実用化へのネックになっていた。
久性に乏しく実用化へのネックになっていた。
垂直磁気記録方式の実用化に対する研究によって、ＲＦ
スノｆツタ法またＨＲＦマグネトロンス・やツタ法を用
い、ス・ぐツタ圧力を２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ以下
とすることにより、耐久性についてかなりの改善が得ら
れることが判明した。
スノｆツタ法またＨＲＦマグネトロンス・やツタ法を用
い、ス・ぐツタ圧力を２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ以下
とすることにより、耐久性についてかなりの改善が得ら
れることが判明した。
しかしながら、ＲＦス・ぐツタ法はもちろんのこと、Ｒ
Ｆマグネトロンス・ぐツタ法は、同じ電力のＤＣＣマグ
ネトロンスミ４ツタに比べ、スパッタ速度が遅くかつ装
置が複雑になるので、量産性及び信頼性に問題がある。
Ｆマグネトロンス・ぐツタ法は、同じ電力のＤＣＣマグ
ネトロンスミ４ツタに比べ、スパッタ速度が遅くかつ装
置が複雑になるので、量産性及び信頼性に問題がある。
一方、ＤＣマグネトロンスパッタ法によって得られるＣ
ｏＣｒ膜はＲＦマグネトロンス／Ｐツタ法によって得ら
れたＣｏＣｒ膜に比べ機械的特性に劣るという欠点があ
った。
ｏＣｒ膜はＲＦマグネトロンス／Ｐツタ法によって得ら
れたＣｏＣｒ膜に比べ機械的特性に劣るという欠点があ
った。
本発明は、これらの欠点を除去するため、高いス／ｊツ
タレートを維持しつつ、 ＣｏＣｒ膜の機械的特性を劣
化させない垂直磁気記録媒体の製造方法を提供すること
を目的とする。
タレートを維持しつつ、 ＣｏＣｒ膜の機械的特性を劣
化させない垂直磁気記録媒体の製造方法を提供すること
を目的とする。
ＤＣマグネトロンスノぐツタ法のスノやツタ速度ハＲＦ
マグネトロンス／ｅツタ法に比べ同一電力の場合、２〜
４倍程度になる。
マグネトロンス／ｅツタ法に比べ同一電力の場合、２〜
４倍程度になる。
ＲＦマグネトロンスノ平ツタ法におケルノぐワークスの
原因は＋ ＲＦ ’＆ｔＬ源内及びマツチングボックス
内にお論で熱に変換されたもの以外に、基板及び基板ホ
ルダーで消費されるエネルギーがある。
原因は＋ ＲＦ ’＆ｔＬ源内及びマツチングボックス
内にお論で熱に変換されたもの以外に、基板及び基板ホ
ルダーで消費されるエネルギーがある。
本発明者は、 ＲＦマグネトロンス・ぞツタ法とＤＣマ
グネトロンス・ぐツタ法におけるＣｏＣｒ膜の機械的強
度の違いは、基板でのＲＦ／４’ワーの消費の有無によ
るものと考え、ＤＣマグネトロンスパッタ法における基
板ホルダーにＲＦバイアスを印加したところ、小さなＲ
Ｆ ／４’ワーにおいてもＣｏＣｒ ｋの機械的強度の
改善が見られ、ＲＦマグネトロンス・ｅツタ法によって
得られたものと同等なものが得られた。
グネトロンス・ぐツタ法におけるＣｏＣｒ膜の機械的強
度の違いは、基板でのＲＦ／４’ワーの消費の有無によ
るものと考え、ＤＣマグネトロンスパッタ法における基
板ホルダーにＲＦバイアスを印加したところ、小さなＲ
Ｆ ／４’ワーにおいてもＣｏＣｒ ｋの機械的強度の
改善が見られ、ＲＦマグネトロンス・ｅツタ法によって
得られたものと同等なものが得られた。
本発明は、この事実にもとづいてなされたものである。
即ち１本発明は、ＤＣマグ、ネトロンスｉ： ７ 夕法
によって垂直磁気記録媒体を製造する方法にお−で、基
板ホルダーにＲＦバイアスを印加することを特徴とする
ものである。
によって垂直磁気記録媒体を製造する方法にお−で、基
板ホルダーにＲＦバイアスを印加することを特徴とする
ものである。
なお、このＲＦバイアスを印加することによ」。
て、ＤＣマでネトロンスパッタ法によって形成されるＣ
ｏＣｒ膜の機械的強度がＲＦ’マグネトロンス／’９ツ
タ法による場合と同程度に改善されることにりいて、こ
のメカニズムは未だ不明である。しか（５゜ながら、Ｒ
Ｆバイアスにより、基板上における、−・ぐツタ粒子の
易動度が増し、膜質が変化したたｙ・と推定される。
ｏＣｒ膜の機械的強度がＲＦ’マグネトロンス／’９ツ
タ法による場合と同程度に改善されることにりいて、こ
のメカニズムは未だ不明である。しか（５゜ながら、Ｒ
Ｆバイアスにより、基板上における、−・ぐツタ粒子の
易動度が増し、膜質が変化したたｙ・と推定される。
以下１本発明の実施例について説明する。
第１図は９本発明を実施するためのスパッタ装置の概略
を示す図である。第１図を参照して１．ターゲ９ノド１
．ＤＣス／母ツタ゛成源２．基板４．および基板ホルダ
３で９通常のＤＣマグネトロンスパッタ装装置構成され
ている。ここでは９本発明の実施のために、基板ホルダ
３へＲＦバイアスを与えるため、ＲＦバイアス蒐源５が
設けられている。
を示す図である。第１図を参照して１．ターゲ９ノド１
．ＤＣス／母ツタ゛成源２．基板４．および基板ホルダ
３で９通常のＤＣマグネトロンスパッタ装装置構成され
ている。ここでは９本発明の実施のために、基板ホルダ
３へＲＦバイアスを与えるため、ＲＦバイアス蒐源５が
設けられている。
く例１〉
第１図に示す装置において、ポリエステルフィルムから
なる基板４を装着し、ＲＦバイアス電源５の投入ノｔワ
ーをＯ〜３００ＶＩ／ｊで変化させ、その時のＣｏＣｒ
膜の機械的特性を比較した。
なる基板４を装着し、ＲＦバイアス電源５の投入ノｔワ
ーをＯ〜３００ＶＩ／ｊで変化させ、その時のＣｏＣｒ
膜の機械的特性を比較した。
く例２〉
比較例として９例１と同一条件において、ＲＦノマイア
スを加えることなく、ＲＦマグネトロンスパッタ法によ
り作成したＣｏＣｒ膜の機械的特性を調べた。
スを加えることなく、ＲＦマグネトロンスパッタ法によ
り作成したＣｏＣｒ膜の機械的特性を調べた。
例１．及び夕１１２によって得られたＲＦバイアスの投
入・？ワーと機械的特性との関係を第２図に示す。
入・？ワーと機械的特性との関係を第２図に示す。
なお、第２図において、縦軸のひっかき強さは膜のひっ
かきテストにより測定した限界荷重を、バイアス屯源が
１５０Ｖのときの値を１として、相対値で表わしたもの
である。
かきテストにより測定した限界荷重を、バイアス屯源が
１５０Ｖのときの値を１として、相対値で表わしたもの
である。
＠２図から明らかなように、５０〜１５０Ｗ（’；・投
入）母ワーでＲＦマグネトロンスノξツタで得られたｃ
ｏｃｒ膜にほぼ等しい機械的特性か得られた。
入）母ワーでＲＦマグネトロンスノξツタで得られたｃ
ｏｃｒ膜にほぼ等しい機械的特性か得られた。
以上述べた様に本発明によれば、ＲＦス・ぐツタ法に比
し量産性信頼性に優れているＤＣマグネトロンス・ｅツ
タ方式により高ｈスノやツタ速度を維持しつつ１機械的
特性の良好なｓ性層を備えた垂直磁気記録媒体を得るこ
とができる。
し量産性信頼性に優れているＤＣマグネトロンス・ｅツ
タ方式により高ｈスノやツタ速度を維持しつつ１機械的
特性の良好なｓ性層を備えた垂直磁気記録媒体を得るこ
とができる。
第１図は本発明に用いる装置の概略図である。−第２図
は本発明によって得られた磁性層のＲＦバイアスの入射
−やワーと機械的特性（ひっかき強さ）との関係を従来
のＤＣス・ぐツタ法によって得たものを比較例として示
した図である。 ｌ：マグネトロンターケ０ソト、２：ＤＣスノ母ツタ屯
源、３：基板ホルダー、４：基板、５ニーＲＦバイアス
′眠源。 ′：へ） ７ｈＩ＋Ｉ＋ｔｔｑｍｒ１ｎｓム、＊−ｉ−。 第２図 Ｒ「バイアス電源 （Ｗ、１
は本発明によって得られた磁性層のＲＦバイアスの入射
−やワーと機械的特性（ひっかき強さ）との関係を従来
のＤＣス・ぐツタ法によって得たものを比較例として示
した図である。 ｌ：マグネトロンターケ０ソト、２：ＤＣスノ母ツタ屯
源、３：基板ホルダー、４：基板、５ニーＲＦバイアス
′眠源。 ′：へ） ７ｈＩ＋Ｉ＋ｔｔｑｍｒ１ｎｓム、＊−ｉ−。 第２図 Ｒ「バイアス電源 （Ｗ、１
Claims (1)
- １）ＤＣマグネトロンスパッタ法によって垂直磁気記録
媒体を製造する方法において、基板ホルダーにＲＦバイ
アスを印加することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10946586A JPS62266732A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10946586A JPS62266732A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62266732A true JPS62266732A (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=14510916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10946586A Pending JPS62266732A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62266732A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008045213A (ja) * | 2007-08-24 | 2008-02-28 | Symmorphix Inc | ＬｉＣｏＯ２の堆積 |
| JP2008523567A (ja) * | 2004-12-08 | 2008-07-03 | シモーフィックス，インコーポレーテッド | ＬｉＣｏＯ２の堆積 |
| JP2009187682A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Ulvac Japan Ltd | カソード電極の製造方法及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法 |
| TWI464282B (zh) * | 2006-12-12 | 2014-12-11 | Oerlikon Advanced Technologies Ag | 具有高能脈衝磁管噴濺之射頻基板偏壓 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5876429A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-09 | Toshiba Corp | 金属薄膜の形成方法 |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP10946586A patent/JPS62266732A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5876429A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-09 | Toshiba Corp | 金属薄膜の形成方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008523567A (ja) * | 2004-12-08 | 2008-07-03 | シモーフィックス，インコーポレーテッド | ＬｉＣｏＯ２の堆積 |
| TWI464282B (zh) * | 2006-12-12 | 2014-12-11 | Oerlikon Advanced Technologies Ag | 具有高能脈衝磁管噴濺之射頻基板偏壓 |
| TWI476289B (zh) * | 2006-12-12 | 2015-03-11 | Oerlikon Advanced Technologies Ag | 在高能脈衝磁管噴濺中之消弧及產生脈波 |
| JP2008045213A (ja) * | 2007-08-24 | 2008-02-28 | Symmorphix Inc | ＬｉＣｏＯ２の堆積 |
| JP2009187682A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Ulvac Japan Ltd | カソード電極の製造方法及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法 |
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