JP2008045213A - LiCoO2の堆積 - Google Patents
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 92
- 229910032387 LiCoO2 Inorganic materials 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 156
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 102
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 63
- 229910012851 LiCoO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 197
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021450 lithium metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 7
- 229910012820 LiCoO Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 185
- 239000010408 film Substances 0.000 description 110
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910012305 LiPON Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 24
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 20
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 13
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 241000233805 Phoenix Species 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007966 Li-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008295 Li—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010406 interfacial reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001988 small-angle X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
【解決手段】LiCoO2層を堆積する前に、基板16を約200℃までの温度に予備加熱する。次にLiCoO2を含むスパッタターゲット12にパルスDC電力を印加し、ターゲット12と対向する位置に配置された基板16上にLiCoO2層を形成する。さらに、短時間の急速熱アニールプロセスを行う。
【選択図】図1
Description
本発明は、薄膜固体電池に関し、特定的には、電池を製造するためにLiCoO2の膜および層を堆積することに関する。
固体薄膜電池は、典型的には、膜が協同して電圧を発生するように基材上に薄膜をスタッキングすることにより形成される。薄膜としては、典型的には、電流コレクター、カソード、アノード、および電解質が挙げられる。薄膜は、スパッタリングや電気メッキをはじめとするいくつかの堆積プロセスを利用して堆積可能である。本出願に好適な基板は、慣例的には、LiCoO2膜を結晶化させるために空気中で最大約2時間にわたり少なくとも700℃までの少なくとも1つの高温アニールプロセスに耐えることのできる高温材料である。そのような基板は、適切な構造特性および材料特性を有する任意の好適な材料、たとえば、半導体ウェーハ、金属シート(たとえばチタンもしくはジルコニウムのシート)、セラミックス(たとえばアルミナ)、またはLiCoO2の存在下における後続の高温処理に耐えることのできる他の材料でありうる。これらの材料は、これらの温度サイクル時、電池に利用されるほとんどの材料との有意な界面反応を起こす可能性がある。
本発明によれば、パルスdc物理気相堆積プロセスによるLiCoO2層の堆積が提供される。そのような堆積により、所望の<101>方位を有するLiCoO2の結晶性層の低温高堆積速度堆積を提供することが可能である。堆積のいくつかの実施形態は、固体再充電可能Li電池のカソード層として利用しうるLiCoO2膜の高速度堆積の必要性に対処するものである。本発明に係るプロセスの実施形態によれば、LiCoO2層を結晶化させるために慣例的に必要とされる高温(>700℃)アニール工程を省略することが可能である。
本発明の実施形態によれば、LiCoO2膜は、パルスdc物理気相堆積(PVD)プロセスにより基板上に堆積される。Kimらの文献などとは対照的に、本発明のいくつかの実施形態に係るLiCoO2膜は、金属核生成下側膜やバリヤー下側膜を用いることなく堆積時約220℃程度の低い基板温度で基板上に堆積された結晶性LiCoO2膜を提供する。堆積されたままの状態の結晶性LiCoO2膜は、下側貴金属膜を用いることなく5分間程度の短い時間で約700℃でアニールすることにより非常に高い結晶性の状態に容易に熟成することが可能である。そのほか、貴金属膜上に位置決めした場合、堆積されたままの状態の結晶性膜は、さらに大きく低減された温度、たとえば、400〜500℃程度の低い温度でアニールして、より低温の基板上で固体電池の堆積、アニール、および作製を提供することが可能である。
Claims (36)
- 反応器内に基板を配置することと、
少なくとも不活性ガスを該反応器内に通して流動させることと、
LiCoO2を含むスパッターターゲットにパルスDC電力を印加することと、
該ターゲットを該基板に対向するように位置決めすることと、
LiCoO2の層を該基板上に形成させることと、
該基板およびLiCoO2層に急速熱アニールを適用することと、
を含む、LiCoO2層の堆積方法。 - 前記急速熱アニール工程を、十分に低い温度と十分に短い時間とで行うことにより十分に低い熱収支をもたらし、この熱収支が低温基板材料に該材料を溶融することなく適用される、請求項1に記載の方法。
- 前記基板が、少なくとも一部分に、シリコン、ポリマー、ガラス、セラミックス、ステンレス鋼、および金属からなる群から選択される材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記急速熱アニールプロセスがさらに、前記LiCoO2層を約10分間未満の時間にわたって約700℃未満の温度までアニールすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板上に白金層を堆積することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板上に導電層を堆積することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板にRFバイアスを印加すると同時に前記スパッターターゲットにパルスDC電力を印加することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記LiCoO2層が、少なくとも一部に、結晶性構造を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記LiCoO2層が、少なくとも一部に、結晶性構造と、(101)面の好ましい結晶方位とを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記LiCoO2層が、少なくとも一部に、結晶性構造と、(003)面の好ましい結晶方位とを含む、請求項1に記載の方法。
- LiCoO2層が、約500Å〜約300Åの粒径を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記LiCoO2層を堆積する前に、前記基板を約200℃までの温度に予備加熱することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記LiCoO2層を堆積する前に、前記基板を予備加熱することをさらに含み、LiCoO2の堆積が有効な基板加熱を適用せずに生じる、請求項1に記載の方法。
- 前記基板上に酸化物層を堆積することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化物層が二酸化シリコン層を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記LiCoO2層を約1μm/時間超の速度で堆積することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記スパッターターゲットが、表面の約4cmを横切って測定したときに約500kΩ未満の抵抗を有するセラミックLiCoO2スパッターターゲットを含む、請求項1に記載の方法。
- 反応器内に基板を配置することと、
少なくとも不活性ガスを該反応器内に通して流動させることと、
リチウム金属酸化物を含むスパッターターゲットにパルスDC電力を印加することと、
該ターゲットを該基板に対向するように位置決めすることと、
該リチウム金属酸化物の層を前記基板上に形成させることと、
該基板およびリチウム金属酸化物層に急速熱アニールを適用すること
を含む、リチウム金属酸化物層の堆積方法。 - 前記急速熱アニール工程を、十分に低い温度と十分に短い時間とで行うことにより十分に低い熱収支をもたらし、この熱収支が低温基板材料に該材料を溶融することなく適用される、請求項18に記載の方法。
- 前記基板が、少なくとも一部分に、シリコン、ポリマー、ガラス、セラミックス、ステンレス鋼、および金属からなる群から選択される材料を含む、請求項18に記載の方法。
- 前記急速熱アニールプロセスがさらに、前記リチウム金属酸化物層を約10分間未満の時間にわたって約700℃未満の温度までアニールすることを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記基板上に白金層を堆積することをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記基板上に導電層を堆積することをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記基板にRFバイアスを印加すると同時に前記スパッターターゲットにパルスDC電力を印加することをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記リチウム金属酸化物層が、少なくとも一部に、結晶性構造を含む、請求項18に記載の方法。
- 前記リチウム金属酸化物層が、少なくとも一部に、結晶性構造と、(101)面の好ましい結晶方位とを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記リチウム金属酸化物層が、少なくとも一部に、結晶性構造と、(003)面の好ましい結晶方位とを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記リチウム金属酸化物層が、約500Å〜約300Åの粒径を有する、請求項18に記載の方法。
- 前記リチウム金属酸化物層を堆積する前に、前記基板を約200℃までの温度に予備加熱することをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記リチウム金属酸化物層を堆積する前に、前記基板を予備加熱することをさらに含み、リチウム金属酸化物の堆積が有効な基板加熱を適用せずに生じる、請求項18に記載の方法。
- 前記基板上に酸化物層を堆積することをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記酸化物層が二酸化シリコン層を含む、請求項31に記載の方法。
- 前記リチウム金属酸化物層を約1μm/時間超の速度で堆積することをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記スパッターターゲットが、表面の約4cmを横切って測定したときに約500kΩ未満の抵抗を有するセラミックリチウム金属酸化物スパッターターゲットを含む、請求項18に記載の方法。
- 第1の導体を用意する工程、
スパッターターゲットにパルスDC電力を印加すると同時に、該スパッターターゲットに対向するように位置決めされた基板にRFバイアス電力を印加することを含む、前記第1の導体上にLiCoO2層を堆積する工程、
前記LiCoO2層を急速熱アニールしてその平均粒径を少なくとも約500Åまで増大させる工程、
前記LiCoO2層上に電解質層を堆積する工程、および
前記電解質層上に電気化学的に活性な導体を堆積する工程
を含む、電池の製造方法。 - 2.0V超の電圧で、LiCoO2層面積1cm2当たり少なくとも25mA/cm2の電流を生じさせる能力を有する、請求項35に記載の方法によって製造された電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007218906A JP5129530B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | LiCoO2の堆積 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007218906A JP5129530B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | LiCoO2の堆積 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007545692A Division JP5095412B2 (ja) | 2004-12-08 | 2005-12-07 | LiCoO2の堆積 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008045213A true JP2008045213A (ja) | 2008-02-28 |
JP5129530B2 JP5129530B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=39179229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007218906A Expired - Fee Related JP5129530B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | LiCoO2の堆積 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5129530B2 (ja) |
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