JP5382381B2 - メモリ回路、集積回路装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
トランジスタと、該トランジスタのソース及びドレインのいずれか一方に一端が接続された抵抗変化素子を備えるメモリセルを構成し、前記トランジスタとしての第1トランジスタ〜第Nトランジスタまでが順に直列接続されたN個の前記メモリセルを含むメモリブロックを含み、
前記第1トランジスタのソース及びドレインのいずれか他方は、ビット線に接続され、
直列接続された前記トランジスタの各ゲートは、それぞれ異なるワード線に接続され、
直列接続された前記トランジスタのソース及びドレインのいずれか一方は、それぞれ異なる前記抵抗変化素子を介して、それぞれ異なるプログラム線に接続され、
前記抵抗変化素子は、
2つの電極間に存在する複数のカーボンナノチューブを含み、相対的に低抵抗となる低抵抗状態と相対的に高抵抗となる高抵抗状態のいずれかの状態をとり、
前記2つの電極間に電圧及び電流が印加されていない場合には、前記高抵抗状態又は前記低抵抗状態を保持し、
前記2つの電極間に電圧及び電流が印加されることにより、前記高抵抗状態と前記低抵抗状態のいずれかの状態に変化する。
前記抵抗変化素子は、前記2つの電極間に印加される第1電圧及び第1電流による発熱により前記複数のカーボンナノチューブ間の距離が変化することによって前記低抵抗状態から前記高抵抗状態に変化し、前記2つの電極間に印加される第2電圧及び第2電流に基づくクーロン力により前記複数のカーボンナノチューブ間の距離が変化することによって前記高抵抗状態から前記低抵抗状態に変化してもよい。
前記第1電流は前記第2電流よりも大きくてもよい。
前記抵抗変化素子は、導電性のカーボンナノチューブを含んでもよい。
前記抵抗変化素子は、マルチウォールカーボンナノチューブよりもシングルウォールカーボンナノチューブを多く含んでもよい。
前記ビット線、前記ワード線及び前記プログラム線の少なくとも1つに電圧及び電流を印加することにより前記抵抗変化素子の前記2つの電極間に電圧及び電流を印加し、前記抵抗変化素子の状態を、前記低抵抗状態と前記高抵抗状態のいずれかの状態に変化させる制御回路を含んでもよい。
前記メモリブロックを複数含んでもよい。
複数の前記メモリブロックに含まれる第1トランジスタのうち少なくとも1つは、他のメモリブロックに含まれる第1トランジスタとは異なるビット線に接続されていてもよい。
複数の前記メモリブロックに含まれる第1トランジスタと前記ビット線とが電気的に接続するビット線コンタクトを有し、
複数の前記メモリブロックで1つの前記ビット線コンタクトを共有していてもよい。
これらのいずれかのメモリ回路を含む。
これらのいずれかのメモリ回路を含む。
1−1.回路構成
図1は、本実施形態に係るメモリ回路の回路構成例を示す回路図である。
上述したように、抵抗変化素子RC1〜RC4、RC11〜RC14、RC21〜RC24は、2つの電極間に存在する複数のカーボンナノチューブを含み、相対的に低抵抗となる低抵抗状態と相対的に高抵抗となる高抵抗状態のいずれかの状態をとる。すなわち、本実施形態における抵抗変化素子RC1〜RC4、RC11〜RC14、RC21〜RC24は、スイッチ素子として機能できる。
次に、本実施形態に係るメモリ回路2の動作例について説明する。なお、メモリ回路1についてもメモリ回路2と同様に動作する。
次に、本実施形態に係るメモリ回路の構造例及びその製造方法について説明する。図4〜図10は、本実施形態に係るメモリ回路の要部であるメモリブロックの第1構造例及びその製造方法を説明するための図である。図4〜図10のいずれにおいても、各図の(A)はメモリブロックの平面図、各図の(B)は同図の(A)での一点鎖線における断面図である。以下、シリコン基板上に本実施形態に係るメモリ回路のメモリブロックを製造する方法について説明する。
次に、本実施形態に係るメモリ回路の他の構造例及びその製造方法について説明する。図11〜図15は、本実施形態に係るメモリ回路の要部であるメモリブロックの第2構造例及びその製造方法を説明するための図である。図11〜図15のいずれにおいても、各図の(A)はメモリブロックの平面図、各図の(B)は同図の(A)での一点鎖線における断面図である。なお、第1構造例と共通する構成には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
上述の第1構造例及び第2構造例のメモリブロックにおいて、複数のメモリセルブロックで、ビット線BL1と第1トランジスタT1のn拡散層306とが電気的に接続する1つのビット線コンタクトBCを共有することもできる。図16(A)は、第1構造例のメモリブロックにおいて、2つのメモリセルブロックで1つのビット線コンタクトを共有した例、図16(B)は、第2構造例のメモリブロックにおいて、2つのメモリセルブロックで1つのビット線コンタクトを共有した例を示す断面図である。
図17は、本実施形態に係る集積回路装置の構成例である。本実施形態に係る集積回路装置500は、メモリ回路2と演算処理回路550とを含んで構成されている。メモリ回路2と演算処理回路550とは、同一の半導体基板上に形成されていてもよい。なお、メモリ回路2に代えて、メモリ回路1を含んで構成してもよい。
図18A〜図18Cは、本実施形態に係る電子機器の構成例である。図18Aはノートパソコン1000、図18Bは携帯電話2000、図18CはICレコーダ3000である。
Claims (10)
- トランジスタと、該トランジスタのソース及びドレインのいずれか一方に一端が接続された抵抗変化素子を備えるメモリセルを構成し、前記トランジスタとしての第1トランジスタ〜第Nトランジスタまでが順に直列接続されたN個の前記メモリセルを含むメモリブロックを含み、
前記第1トランジスタのソース及びドレインのいずれか他方は、ビット線に接続され、
直列接続された前記トランジスタの各ゲートは、それぞれ異なるワード線に接続され、
直列接続された前記トランジスタのソース及びドレインのいずれか一方は、それぞれ異なる前記抵抗変化素子を介して、それぞれ異なるプログラム線に接続され、
前記抵抗変化素子は、
2つの電極間に存在する複数のカーボンナノチューブを含み、相対的に低抵抗となる低抵抗状態と相対的に高抵抗となる高抵抗状態のいずれかの状態をとり、
前記2つの電極間に電圧及び電流が印加されていない場合には、前記高抵抗状態又は前記低抵抗状態を保持し、
前記2つの電極間に電圧及び電流が印加されることにより、前記高抵抗状態と前記低抵抗状態のいずれかの状態に変化し、
前記2つの電極間に印加される第1電圧及び第1電流による発熱により前記複数のカーボンナノチューブ間の距離が変化することによって前記低抵抗状態から前記高抵抗状態に変化し、前記2つの電極間に印加される第2電圧及び第2電流に基づくクーロン力により前記複数のカーボンナノチューブ間の距離が変化することによって前記高抵抗状態から前記低抵抗状態に変化する、メモリ回路。 - 請求項1に記載のメモリ回路において、
前記第1電流は前記第2電流よりも大きい、メモリ回路。 - 請求項1又は2に記載のメモリ回路において、
前記抵抗変化素子は、導電性のカーボンナノチューブを含む、メモリ回路。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載のメモリ回路において、
前記抵抗変化素子は、マルチウォールカーボンナノチューブよりもシングルウォールカーボンナノチューブを多く含む、メモリ回路。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載のメモリ回路において、
前記ビット線、前記ワード線及び前記プログラム線の少なくとも1つに電圧及び電流を印加することにより前記抵抗変化素子の前記2つの電極間に電圧及び電流を印加し、前記抵抗変化素子の状態を、前記低抵抗状態と前記高抵抗状態のいずれかの状態に変化させる制御回路を含む、メモリ回路。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載のメモリ回路において、
前記メモリブロックを複数含む、メモリ回路。 - 請求項6に記載のメモリ回路において、
複数の前記メモリブロックに含まれる第1トランジスタのうち少なくとも1つは、他のメモリブロックに含まれる第1トランジスタとは異なるビット線に接続されている、メモリ回路。 - 請求項6及び7のいずれかに記載のメモリ回路において、
複数の前記メモリブロックに含まれる第1トランジスタと前記ビット線とが電気的に接続するビット線コンタクトを有し、
複数の前記メモリブロックで1つの前記ビット線コンタクトを共有する、メモリ回路。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載のメモリ回路を含む、集積回路装置。
- 請求項1ないし8のいずれかに記載のメモリ回路を含む、電子機器。
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