JP5377016B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
11 緩衝層
12 n型MgZnO層
13 発光層
14 p型MgZnO層
15 透光性電極
16 p側電極パッド
17 素子区画溝
18 n側電極パッド
20 デバイス層
30 スクライブツール
Claims (13)
- ウルツ鉱型の結晶構造を有する半導体層を含む半導体装置の製造方法であって、
ウルツ鉱型の結晶構造を有し、少なくとも−c面側の主面である第1基板主面に対して結晶c面がa軸の回りに所定角度傾いたc面オフ基板を用意する工程と、
前記c面オフ基板の+c面側の主面である第2基板主面上に前記半導体層を形成する工程と、
前記第1基板主面を、前記a軸と直交するm軸に沿った第1スクライブラインの各々に沿ってスクライブする第1スクライブ工程と、
前記第1基板主面を、前記a軸に沿った第2スクライブラインの各々に沿ってスクライブする第2スクライブ工程と、を含み、
前記第1スクライブ工程において、前記第1基板主面は、前記結晶c面の前記第1基板主面に対する傾きの方向に対応した方向にスクライブされ、
前記第1スクライブ工程において、前記第1基板主面は、前記結晶c面と前記第1基板主面とが近接していく方向にスクライブされ、
前記第1スクライブ工程において、前記第1基板主面に前記第1スクライブラインの各々に沿ったスクライブ溝を形成し、
前記第2スクライブ工程において、前記c面オフ基板と前記半導体層とを含む積層構造体を前記第2スクライブラインの各々に沿ったm面で劈開するとともに前記第1スクライブラインの各々に沿ったa面で劈開することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2スクライブ工程において、前記第1スクライブ工程におけるスクライブ方向の終端側から始端側に向かう方向にスクライブラインをシフトさせて前記第2スクライブラインの各々に沿ってスクライブすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- ウルツ鉱型の結晶構造を有する半導体層を含む半導体装置の製造方法であって、
ウルツ鉱型の結晶構造を有し、少なくとも−c面側の主面である第1基板主面に対して結晶c面がa軸の回りに所定角度傾いたc面オフ基板を用意する工程と、
前記c面オフ基板の+c面側の主面である第2基板主面上に前記半導体層を形成する工程と、
前記第1基板主面を、前記a軸と直交するm軸に沿った第1スクライブラインの各々に沿ってスクライブする第1スクライブ工程と、
前記第1基板主面を、前記a軸に沿った第2スクライブラインの各々に沿ってスクライブする第2スクライブ工程と、を含み、
前記第1スクライブ工程において、前記第1基板主面は、前記結晶c面の前記第1基板主面に対する傾きの方向に対応した方向にスクライブされ、
前記第1スクライブ工程において、前記第1基板主面は、前記結晶c面と前記第1基板主面とが近接していく方向にスクライブされ、
前記第1スクライブ工程において、前記第1基板主面に前記第1スクライブラインの各々に沿ったスクライブ溝を形成し、
前記第2スクライブ工程において、前記第1基板主面に前記第2スクライブラインの各々に沿ったスクライブ溝を形成し、
前記第2基板主面側から前記第2スクライブラインの前記スクライブ溝に対応するライン上の各々に沿って応力を印加して、前記c面オフ基板と前記半導体層とを含む積層構造体を前記第1および第2スクライブラインに沿ったa面およびm面で劈開するブレイキング工程を更に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ブレイキング工程において、前記第1スクライブ工程におけるスクライブ方向の終端側から始端側に向かう方向にブレイキングラインをシフトさせて前記第2スクライブラインの前記スクライブ溝に対応するライン上の各々に沿って応力を印加することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1スクライブ工程の前に、前記第1基板主面を研磨する研磨工程を更に含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨工程において、前記第1基板主面は、二乗平均表面粗さ(RMS)が20nm以下となるように研磨されることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2スクライブ工程におけるスクライブ速度は、前記第1スクライブ工程における前記スクライブ速度よりも遅いことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1および第2スクライブ工程におけるスクライブは、スクライブ方向前方に平坦面を有するヒールポイントツールを用いて行われることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1スクライブ工程の前に前記第1および第2スクライブラインに沿って前記半導体層の表面から前記c面オフ基板の内部に達する素子区画溝を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記c面オフ基板の前記第1基板主面に対する前記結晶c面の傾きの角度θは、0°<θ≦5°の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記c面オフ基板および前記半導体層は、ZnO系半導体からなることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- ウルツ鉱型の結晶構造を有する半導体層を含む半導体装置の製造方法であって、
ウルツ鉱型の結晶構造を有するc面基板を用意する工程と、
前記c面基板の+c面側の主面である第2基板主面上に前記半導体層を形成する工程と、
前記c面基板の−c面側の主面である第1基板主面に対して前記c面基板の結晶c面がa軸の回りに所定角度傾くように前記第1基板主面を角度研磨する工程と、
前記第1基板主面を、前記a軸と直交するm軸に沿った第1スクライブラインの各々に沿ってスクライブする第1スクライブ工程と、
前記第1基板主面を、前記a軸に沿った第2スクライブラインの各々に沿ってスクライブする第2スクライブ工程と、を含み、
前記第1スクライブ工程において、前記第1基板主面は、前記結晶c面の前記第1基板主面に対する傾きの方向に対応した方向にスクライブされることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1スクライブ工程において、前記第1基板主面は、前記結晶c面と前記第1基板主面とが近接していく方向にスクライブされることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
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