JP5371165B2 - 双方向型二端子サイリスタ - Google Patents
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Description
上記課題を解決するための手段として、本発明は、第1導電型の半導体基板に、前記半導体基板の一方の面に露出させて形成してなる前記半導体基板とは反対型の第2導電型の第1の導電領域と、前記一方の面に露出させて形成すると共に前記第1の導電領域内に配列してなるN個(N≧2)の第1導電型の第2の導電領域と、前記第1の導電領域に隣接し前記第4の導電領域と前記半導体基板との接合を取り囲むように前記半導体基板側に形成してなり、前記半導体基板の不純物濃度より大きい不純物濃度の第1導電型の第3の導電領域と、前記半導体基板の前記一方の面に背向する他方の面に露出させて形成してなる第2導電型の第4の導電領域と、前記他方の面に露出させて形成すると共に前記第4の導電領域内に配列してなるN個の第1導電型の第5の導電領域と、前記第4の導電領域に隣接し前記第4の導電領域と前記半導体基板との接合を取り囲むように前記半導体基板側に形成してなり、前記半導体基板の不純物濃度より大きい不純物濃度の第1導電型の第6の導電領域とを設け、前記第2の導電領域及び前記第5の導電領域は、平面的に見て等間隔で交互に配置されるとともに同一形状で同一面積に形成されており、1番目の前記第2の導電領域は、平面的に見て2番目の前記第2の導電領域に近い側の端部及びその近傍部分が1番目の前記第5の導電領域と該第5の導電領域における所定の重ね幅で重なり合うように配置され、N番目の前記第5の導電領域は、平面的に見てN−1番目の前記第5の導電領域に近い側の端部及びその近傍部分がN番目の前記第2の導電領域と該第2の導電領域における所定の重ね幅で重なり合うように配置され、1番目以外の前記第2の導電領域は、平面的に見てそれらの両端部及びそれらの近傍部分がN個の前記第5の導電領域と該第5の導電領域における所定の重ね幅で重なり合うように配置され、N番目以外の前記第5の導電領域は、平面的に見てそれらの両端部及びそれらの近傍部分がN個の前記第2の導電領域と該第2の導電領域における所定の重ね幅で重なり合うように配置されてなることを特徴とするものとした。前記した構成においては、前記第3の導電領域及び前記第6の導電領域を設けたことにより、前記第1の導電領域をコレクタ、前記第3の導電領域、前記第6の導電領域、前記半導体基板の第3及び第6の導電領域を設けていない残余の領域からなるベース、前記第4の導電領域をエミッタとする第1のトランジスタのベース接地電流増幅率α1を増大させた。
図1に示される構造においては、半導体基板100の不純物濃度が小さいが、サージ防護素子で重要となる順方向のブレークオーバー電圧は、第1N型導電領域2と第3P型導電領域12で主に決定され、逆方向のブレークオーバー電圧は、第2N型導電領域3と第4P型導電領域13で主に決定され、半導体基板100の不純物濃度のばらつきに対して設計余裕度があるという製造上の利点がある。また、半導体基板100の不純物濃度のばらつきが大きいほど、半導体基板の価格は安くなるので製造コストを低減出来るという利点もある。第1P型導電領域4,5,6、第3P型導電領域12、第4P型導電領域13、第1N型導電領域2、第3N型導電領域3はエピタキシャル成長で形成することも出来る。
2 第1N型導電領域
3 第2N型導電領域
4 第1P型導電領域
5 第1P型導電領域
6 第1P型導電領域
7 第2P型導電領域
8 第2P型導電領域
9 第2P型導電領域
10 第1電極
11 第2電極
12 第3P型導電領域
13 第4P型導電領域
14 第3P型導電領域
15 第4P型導電領域
16 第3P型導電領域
17 第4P型導電領域
18 絶縁体
19 絶縁体
20 絶縁体
21 絶縁体
22 第1孔状導電領域
23 第1孔状導電領域
24 第1孔状導電領域
25 第1孔状導電領域
26 第1孔状導電領域
27 第2孔状導電領域
28 第2孔状導電領域
29 第2孔状導電領域
30 第2孔状導電領域
31 第2孔状導電領域
32 第1抵抗体
33 第1抵抗体
34 第1抵抗体
35 第2抵抗体
36 第2抵抗体
37 第2抵抗体
38 第3N型導電領域
39 第3N型導電領域
40 第3N型導電領域
41 第4N型導電領域
42 第4N型導電領域
43 第4N型導電領域
51 PNPN構造
52 PNPN構造
53 PNPN構造
54 PNPN構造
55 PNPN構造
56 PNPN構造
100 半導体基板
Claims (2)
- 第1導電型の半導体基板に、
前記半導体基板の一方の面に露出させて形成してなる前記半導体基板とは反対型の第2導電型の第1の導電領域と、
前記一方の面に露出させて形成すると共に前記第1の導電領域内に配列してなるN個(N≧2)の第1導電型の第2の導電領域と、
前記第1の導電領域に隣接し前記第1の導電領域と前記半導体基板との接合を取り囲むように前記半導体基板側に形成してなり、前記半導体基板の不純物濃度より大きい不純物濃度の第1導電型の第3の導電領域と、
前記半導体基板の前記一方の面に背向する他方の面に露出させて形成してなる第2導電型の第4の導電領域と、
前記他方の面に露出させて形成すると共に前記第4の導電領域内に配列してなるN個の第1導電型の第5の導電領域と、
前記第4の導電領域に隣接し前記第4の導電領域と前記半導体基板との接合を取り囲むように前記半導体基板側に形成してなり、前記半導体基板の不純物濃度より大きい不純物濃度の第1導電型の第6の導電領域とを設け、
前記第2の導電領域及び前記第5の導電領域は、平面的に見て等間隔で交互に配置されるとともに同一形状で同一面積に形成されており、
1番目の前記第2の導電領域は、平面的に見て2番目の前記第2の導電領域に近い側の端部及びその近傍部分が1番目の前記第5の導電領域と該第5の導電領域における所定の重ね幅で重なり合うように配置され、
N番目の前記第5の導電領域は、平面的に見てN−1番目の前記第5の導電領域に近い側の端部及びその近傍部分がN番目の前記第2の導電領域と該第2の導電領域における所定の重ね幅で重なり合うように配置され、
1番目以外の前記第2の導電領域は、平面的に見てそれらの両端部及びそれらの近傍部分がN個の前記第5の導電領域と該第5の導電領域における所定の重ね幅で重なり合うように配置され、
N番目以外の前記第5の導電領域は、平面的に見てそれらの両端部及びそれらの近傍部分がN個の前記第2の導電領域と該第2の導電領域における所定の重ね幅で重なり合うように配置されてなることを特徴とする双方向型二端子サイリスタ。
- 前記第3の導電領域及び前記第6の導電領域は、それぞれ前記半導体基板内に埋め込んで設けられることを特徴とする請求項1に記載の双方向型二端子サイリスタ。
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JP2001265787A JP5371165B2 (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 双方向型二端子サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2001265787A JP5371165B2 (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 双方向型二端子サイリスタ |
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Family Applications (1)
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JP2001265787A Expired - Fee Related JP5371165B2 (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 双方向型二端子サイリスタ |
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-
2001
- 2001-09-03 JP JP2001265787A patent/JP5371165B2/ja not_active Expired - Fee Related
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