JP6169908B2 - 静電破壊保護回路 - Google Patents
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Claims (3)
- 静電破壊保護用バイポーラトランジスタからなる静電破壊保護素子であって、
半導体基板上に形成された前記静電破壊保護用バイポーラトランジスタのコレクタの一部を構成する一導電型の第1の半導体領域と、
該第1の半導体領域及び前記半導体基板上に形成され、前記第1半導体領域より不純物濃度の低い一導電型の第2の半導体領域と、
前記第1の半導体領域に接続し、前記第2の半導体領域表面に引き出される前記コレクタの一部を構成する一導電型の第3の半導体領域と、
前記第2の半導体領域上に形成され、前記静電破壊保護素子用バイポーラトランジスタのベース領域を構成する逆導電型の第4の半導体領域と、
前記第4の半導体領域上に形成され、前記静電破壊保護用バイポーラトランジスタのエミッタを構成する一導電型の第5の半導体領域と、
前記第4の半導体領域上に形成され、かつ前記第4の半導体領域より不純物濃度の高い逆導電型の第6の半導体領域と、
前記第5の半導体領域に接続するエミッタ電極と、前記第6の半導体領域に接続するベース電極と、前記第3の半導体領域に接続するコレクタ電極とを備えた静電破壊保護回路において、
前記第3の半導体領域の前記第4の半導体領域側に、前記第3の半導体領域より不純物濃度の低い一導電型の第8の半導体領域を備え、
前記第1の半導体領域は、少なくとも前記コレクタ電極側に配置された第1の領域と前記第2の半導体領域に接触する第2の領域に分離していると共に、
前記第1の領域、前記第2の領域、前記半導体基板及び前記第8の半導体領域によって囲まれ、前記第1の領域及び前記第8の半導体領域より不純物濃度の低い一導電型の第9の半導体領域を備えていることを特徴とする静電破壊保護回路。 - 請求項1記載の静電破壊保護回路において、
前記第1の半導体領域の前記第2の領域は、少なくともさらに第3の領域に分離していると共に、前記第2の領域、前記半導体基板及び前記第8の半導体領域によって囲まれ、前記第2の領域及び前記第8の半導体領域より不純物濃度の低い一導電型の第10の半導体領域を備えていることを特徴とする静電破壊保護回路。 - 請求項1または2いずれか記載の静電破壊保護回路において、
前記第5の半導体領域より前記コレクタ領域側の前記第4の半導体領域内に、前記第4の半導体領域より不純物濃度の高い逆導電型の第11の半導体領域を備えたことを特徴とする静電破壊保護回路。
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