JP5365152B2 - ホスファゼニウム塩の製造法 - Google Patents
ホスファゼニウム塩の製造法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5365152B2 JP5365152B2 JP2008292620A JP2008292620A JP5365152B2 JP 5365152 B2 JP5365152 B2 JP 5365152B2 JP 2008292620 A JP2008292620 A JP 2008292620A JP 2008292620 A JP2008292620 A JP 2008292620A JP 5365152 B2 JP5365152 B2 JP 5365152B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- general formula
- group
- phosphazenium salt
- solvent
- ketone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
で表されるグアニジン誘導体を反応させて得られる反応混合物から芳香族溶媒を除去し、得られる残渣をハロゲン化炭化水素溶媒と水により抽出することを特徴とする下記一般式(3)
で表されるホスファゼニウム塩の製造法。
核磁気共鳴スペクトル測定装置(日本電子製、商品名:GSX270WB)を用い、内部標準にテトラメチルシラン(TMS)及び重溶媒に重クロロホルムを用い測定した。
ガスクロマトグラフィー−質量分析装置(日本電子製、商品名:JMS−700)を用い、イオン化モードとしてFAB+を用いて測定を行った。
テトラキス(テトラメチルグアニジノ)ホスフォニウムクロライド:[(Me2N)2C=N]4P+ Cl−(Meはメチル基を表す。以下同様)の合成.
温度計、滴下ロート、冷却管及び磁気回転子を付した300mlの4つ口フラスコに窒素雰囲気下で五塩化リン4.01g(20.0mmol)を採った。以後の操作はすべて窒素雰囲気下で行った。60mlの脱水トルエン(和光純薬製)を加えてスラリー溶液とした。このスラリー溶液をドライアイス−アセトンにて−30℃に冷却したクーリングバスにつけて内温を−30℃とした後、強撹拌下に1,1,3,3−テトラメチルグアニジン22.2g(190mmol)を滴下ロートから1時間かけて滴下した。そのまま−30℃で1時間撹拌した後、クーリングバスをはずして室温までゆっくり昇温した。更にこのスラリー溶液を100℃で10時間加熱して白色のスラリー溶液を得た。室温まで冷却した後、スラリーを濾別し、濾過残渣をアセトン100mlで洗浄した。アセトン溶液を濃縮することにより、テトラキス(テトラメチルグアニジノ)ホスフォニウムクロリド:[(Me2N)2C=N]4P+ Cl−を9.6gの白色粉体として得た。1H−NMRより求めた純度は82%であり、収率は80.4%であった。生成物は、1H−NMR、GC−MSにより同定した。
化学シフト:2.83ppm(ホスファゼニウム塩由来のメチル基),2.91ppm(ホスフィンオキサイド由来のメチル基)。
m/z=487(テトラキス(テトラメチルグアニジノ)ホスフォニウムカチオンの分子量に一致。)、m/z=389(トリス(テトラメチルグアニジノ)ホスフィンオキサイドの分子量に一致。)。
実施例1で得られた純度96%の白色粉体の内、5.9gを100mlのクロロホルムに溶解した後、300mlの分液ロートに移し、100mlの水を加えて抽出操作を行った。クロロホルム相を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、クロロホルムを減圧下に除去して白色粉体5.5gを得た。この白色粉体の1H−NMRを測定した結果、ホスファゼニウム塩の純度は99%以上に向上しており、ホスファゼニウム塩の収率は97%であった。
化学シフト:2.83ppm(ホスファゼニウム塩由来のメチル基)。
温度計、滴下ロート、冷却管及び磁気回転子を付した300mlの4つ口フラスコに窒素雰囲気下で五塩化リン4.01g(20.0mmol)を採った。クロロベンゼン(40ml)を加え、クーリングバスにて内温を−30℃に冷却し、−30℃で攪拌されているのクロロベンゼン懸濁液に、乾燥窒素雰囲気下に、1,1,3,3−テトラメチルグアニジン18.8g(163.5mmol)を少量ずつ、0℃未満の反応温度が維持されるように加えた。発熱反応が終了した後に、反応混合物を室温にし、次いで、浴温度150℃で12時間保持した。
Claims (5)
- 不活性ガス雰囲気下、芳香族溶媒中で下記一般式(1)
で表される五ハロゲン化リンと下記一般式(2)
で表されるグアニジン誘導体を反応させて得られる反応混合物から芳香族溶媒を除去し、得られる残渣をジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、及び1,1,2−トリクロロエタンからなる群より選ばれる1種又は2種以上のハロゲン化炭化水素溶媒と水により抽出することを特徴とする下記一般式(3)
で表されるホスファゼニウム塩の製造法。 - 一般式(1)で表される五ハロゲン化リンと一般式(2)で表されるグアニジン誘導体を反応させて得られる反応混合物から芳香族溶媒を除去した後、この反応混合物をアセトン、メチルエチルケトン、及びジエチルケトンからなる群より選ばれる1種又は2種以上のケトン系溶媒で洗浄し、得られる洗浄液からケトン系溶媒を除去して、得られる残渣をハロゲン化炭化水素溶媒と水により抽出することを特徴とする請求項1に記載のホスファゼニウム塩の製造法。
- ハロゲン化炭化水素溶媒の使用量が、ケトン除去後に得られる濾過残渣1kgに対して5L〜20Lの範囲であることを特徴とする請求項2に記載のホスファゼニウム塩の製造法。
- 一般式(2)及び一般式(3)中の置換基R1及びR2が共にメチル基であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のホスファゼニウム塩の製造法。
- ケトン系溶媒の量が、濾過残渣1kgに対して5L〜20Lの範囲であることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれかに記載のホスファゼニウム塩の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008292620A JP5365152B2 (ja) | 2008-11-14 | 2008-11-14 | ホスファゼニウム塩の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008292620A JP5365152B2 (ja) | 2008-11-14 | 2008-11-14 | ホスファゼニウム塩の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010116379A JP2010116379A (ja) | 2010-05-27 |
JP5365152B2 true JP5365152B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=42304263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008292620A Active JP5365152B2 (ja) | 2008-11-14 | 2008-11-14 | ホスファゼニウム塩の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5365152B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5776517B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2015-09-09 | 東ソー株式会社 | ハロゲン化イミノホスファゼニウムの製造方法 |
CN104497298B (zh) * | 2015-01-16 | 2017-02-22 | 江苏长华聚氨酯科技有限公司 | 制备低不饱和度、高分子量、高活性聚醚多元醇的方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006010034A1 (de) * | 2006-03-04 | 2007-09-06 | Degussa Ag | Stickstoff-haltige Phosphoniumsalze |
JP5663856B2 (ja) * | 2008-10-02 | 2015-02-04 | 東ソー株式会社 | ポリアルキレングリコール製造触媒、及びその製造方法、並びにそれを用いたポリアルキレングリコールの製造方法 |
-
2008
- 2008-11-14 JP JP2008292620A patent/JP5365152B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010116379A (ja) | 2010-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1423396B1 (en) | Synthesis of triphenylphosphonium quinols and quinones | |
JP5365152B2 (ja) | ホスファゼニウム塩の製造法 | |
AU2020248716A1 (en) | D-metyrosine compositions and methods for preparing same | |
US5801263A (en) | Process for preparing tertiary phosphines containing phosphinate or phosphonate groups, and novel tertiary phosphines containing phosphinate groups | |
JP5365151B2 (ja) | ホスファゼニウム塩の製造方法 | |
JP5776517B2 (ja) | ハロゲン化イミノホスファゼニウムの製造方法 | |
JP4464516B2 (ja) | ホスフィン・ボラン誘導体の製造方法 | |
KR20180126598A (ko) | 양이온성 실리콘(ii) 화합물 및 이의 제조 방법 | |
JP3748669B2 (ja) | ホスファゼニウムハライドの製造方法 | |
KR100889897B1 (ko) | 포스포로디아미디트의 제조방법 | |
JP4822651B2 (ja) | フェノール金属塩の製造方法 | |
CN114409706B (zh) | 一种苯基氢膦酸酯及其中间体的制备方法 | |
JP5283984B2 (ja) | 遷移金属化合物の製造方法 | |
JP6837883B2 (ja) | ジシアノアリール若しくはジシアノヘテロアリールの電子供与性基の二置換体の製造方法 | |
EA015300B1 (ru) | Синтез замещённых флуоренов | |
JP2008100951A (ja) | 2−シクロペンタデセノンの製造方法 | |
JP3748688B2 (ja) | テトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドの製造方法 | |
KR20230060027A (ko) | 비대칭형 포스페이트계 화합물의 제조방법 | |
JP6327073B2 (ja) | 水酸化イミノホスファゼニウム含有溶液の精製方法 | |
JP4526275B2 (ja) | テトラ置換ホスホニウムテトラキスアロイルオキシボレート及びその前駆体の製造方法 | |
JP6040747B2 (ja) | イミノホスファゼニウム炭酸水素塩及びその製造方法 | |
JP2009051787A (ja) | 大環状テトラホスホニウム塩及びその製造方法、並びに大環状ホスフィンテトラオキシドの製造方法 | |
JP5397907B2 (ja) | 光学活性リン化合物の製造方法 | |
CN115536702A (zh) | 膦酸二氟代烷基酯亚甲氧基五氟环三磷腈化合物及其制备 | |
JPH0555494B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111013 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130717 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130813 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130826 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5365152 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |