JP5357401B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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本実施の形態の半導体装置およびその製造工程を図面を参照して説明する。図1〜図14は、本発明の一実施の形態である半導体装置、例えばMISFET(Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)を有する半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
図19〜図23は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。上記図4の工程までは、上記実施の形態1とほぼ同様であるので、ここではその説明を省略し、上記図4に続く工程について説明する。
2 素子分離領域
3a p型ウエル
3b n型ウエル
4 ゲート絶縁膜
5a,5b ゲート電極
6a n−型半導体領域
6b p−型半導体領域
7 サイドウォール
8a n+型半導体領域
8b p+型半導体領域
9 金属シリサイド層
10,11,11a 絶縁膜
11b 積層膜
12 コンタクトホール
13,13c,13d プラグ
13a 導電性バリア膜
13b 主導体膜
14,15,16 絶縁膜
17 開口部
18 導電性バリア膜
19 主導体膜
20 配線
21,22,23,24 絶縁膜
30,31 開口部
32 導電性バリア膜
33 主導体膜
34 配線
101 部分
112 コンタクトホール
113 プラグ
114 絶縁膜
Qn,Qp MISFET
Claims (32)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の主面に形成された半導体素子と、
前記半導体基板の前記半導体素子が形成された前記主面上に形成された、シリコンと酸素とを含有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜に形成された第1開口部と、
前記第1開口部内に埋め込まれた第1導体部と、
前記第1絶縁膜上に形成された、シリコンと酸素とを含有する第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成された、シリコンと炭素とを含有する第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に形成された、シリコンと酸素とを含有する第4絶縁膜と、
前記第2、第3および第4絶縁膜に形成され、底部で前記第1導体部の少なくとも一部を露出する配線開口部と、
前記配線開口部に埋め込まれ、前記第1導体部と電気的に接続された第1配線と、
を有し、
前記第2絶縁膜は前記第1絶縁膜よりもSi原子の数密度が大きな膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第2絶縁膜はプラズマCVD法で形成された絶縁膜であり、
前記第1絶縁膜はプラズマCVD法で形成された絶縁膜ではないことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2記載の半導体装置において、
前記第1絶縁膜は、熱CVD法または塗布法で形成された絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1および第2絶縁膜は、シリコンと酸素とを主成分とすることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1絶縁膜は酸化シリコン膜であり、
前記第2絶縁膜は酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1絶縁膜は、O3−TEOS酸化膜またはSOG膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
フッ酸によるエッチング速度は、前記第1絶縁膜よりも前記第2絶縁膜の方が小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第3絶縁膜は、前記配線開口部を形成するために前記第4絶縁膜をエッチングする際のエッチングストッパ膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第3絶縁膜はSiC膜、SiCN膜またはSiCO膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第4絶縁膜は、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜よりも低い誘電率を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第3絶縁膜は、酸素含有量がシリコン含有量未満であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置において、
前記第4絶縁膜は、酸素含有量がシリコン含有量以上であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第4絶縁膜の誘電率は前記第3絶縁膜の誘電率よりも低いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第4絶縁膜は、シリコンと酸素と窒素とを含有していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第4絶縁膜の膜厚は、前記第2絶縁膜の膜厚よりも厚く、かつ前記第3絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1開口部は、前記第1絶縁膜に形成されているが、前記第2絶縁膜には形成されていないことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体素子はMISFETを含み、
前記半導体基板の前記主面上に、前記MISFETのゲート電極間を埋めるように、前記第1絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体素子はMISFETを含み、
前記MISFETを構成するソースまたはドレイン用の半導体領域の上面上またはゲート電極の上面上にニッケルシリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体基板上に複数の配線層が形成されており、
前記第1配線は、前記複数の配線層のうちの最下層の配線層からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1導体部は銅を含有せず、
前記第2絶縁膜は、酸化シリコン膜からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1導体部が銅を含み、
前記第2絶縁膜は、酸窒化シリコン膜からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1導体部の上面は、一部が前記第1配線と接し、他の一部上は、前記第2絶縁膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体基板の前記半導体素子が形成された前記主面上に形成された、前記第1絶縁膜とは異なる材料からなる第5絶縁膜を更に有し、
前記第1絶縁膜は前記第5絶縁膜上に形成され、
前記第1開口部は、前記第1および第5絶縁膜からなる積層膜に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体基板の前記主面上に、前記第1絶縁膜と前記第1絶縁膜の上部に部分的に形成された第6絶縁膜とからなる第1の積層膜が形成されており、
前記第1の積層膜は、上面が平坦化されており、
前記第1の積層膜の平坦化された前記上面では、前記第1絶縁膜が部分的に露出されており、
前記第1開口部は、前記第1の積層膜に形成され、
前記第2絶縁膜は、前記第1の積層膜上に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項24記載の半導体装置において、
前記第1導体部の上面に前記第1絶縁膜が隣接していることを特徴とする半導体装置。 - (a)半導体基板を準備する工程、
(b)前記半導体基板の主面に半導体素子を形成する工程、
(c)前記半導体基板の前記半導体素子が形成された前記主面上に、シリコンと酸素とを含有する第1絶縁膜を形成する工程、
(d)前記第1絶縁膜に第1開口部を形成する工程、
(e)前記第1開口部内に埋め込まれた第1導体部を形成する工程、
(f)前記第1導体部が埋め込まれた前記第1絶縁膜上に、シリコンと酸素とを含有する第2絶縁膜を形成する工程、
(g)前記第2絶縁膜上に、シリコンと炭素とを含有する第3絶縁膜を形成する工程、
(h)前記第3絶縁膜上に、シリコンと酸素とを含有する第4絶縁膜を形成する工程、
(i)前記第4絶縁膜をエッチングして、前記第4絶縁膜に配線開口部を形成する工程、
(j)前記配線開口部の底部の前記第3絶縁膜および前記第2絶縁膜をエッチングして、前記配線開口部の底部で前記第1導体部の上面の少なくとも一部を露出させる工程、
(k)前記配線開口部に埋め込まれ、前記第1導体部と電気的に接続された第1配線を形成する工程、
を有し、
前記第2絶縁膜は前記第1絶縁膜よりもSi原子の数密度が大きな膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項26記載の半導体装置の製造方法において、
前記(i)工程では、前記第3絶縁膜をエッチングストッパとして前記第4絶縁膜をエッチングして、前記第4絶縁膜に配線開口部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項27記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程では、熱CVD法または塗布法を用いて前記第1絶縁膜を形成し、
前記(f)工程では、プラズマCVD法を用いて前記第2絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項28記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1絶縁膜は、O3−TEOS酸化膜またはSOG膜であり、
前記第2絶縁膜は、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜であり、
前記第3絶縁膜はSiC膜、SiCN膜またはSiCO膜であり、
前記第4絶縁膜は、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜よりも低い誘電率を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項28記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1配線は、前記半導体基板上に形成される複数の配線層のうちの最下層の配線層であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項28記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程で形成された前記第1絶縁膜の上面は平坦ではなく、
前記(c)工程後で前記(d)工程前に、
(c1)前記第1絶縁膜上に第6絶縁膜を形成する工程、
(c2)前記第1および第6絶縁膜からなる第1の積層膜の上面を研磨して平坦化し、平坦化された前記第1の積層膜の上面で前記第1絶縁膜を部分的に露出させる工程、
を更に有し、
前記(d)工程では、前記第1の積層膜に前記第1開口部を形成し、
前記(f)工程では、前記第1導体部が埋め込まれた前記第1の積層膜上に、前記第2絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項31記載の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程では、前記第1の積層膜の上面の前記第1絶縁膜が露出した部分に重なる位置に、前記第1開口部が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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