JP5343134B2 - モード偏波変換器 - Google Patents

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Description

本発明は、モード偏波変換器に関する。
高い周波数で使用される伝送路の1つにTE10モードの導波管がある。TE10モードの導波管は、断面が矩形状であり、長短辺の長さに制約がある。これに対して、設計の自由度を高めるため、導波管の長辺と短辺とを自由に変更する偏波変換が望まれている。
このような90°偏波できるモード変換器として、第1の矩形導波管のうち幅広の両管壁に2個の第2の矩形導波管の幅の狭い管壁を左右対称に接続した構成が、例えば特公昭34−10718号公報に開示されている。しかしながら、この文献に記載されたモード変換器では、変換部分の構成が大きくなってしまう。
そのため、変換部分の構成を小型にしたモード偏波変換器が望まれていた。
本発明の実施形態に係るモード偏波変換器は、高周波信号の伝送方向に対して直交する面方向において、断面形状が第1方向に延びる短辺と、前記第1方向に直交する第2方向に延びる長辺とで形成される矩形状の第1の導波構造体、該第1の導波構造体の前記伝送方向に位置し、前記面方向において、断面形状が第3方向に延びる短辺と、前記第3方向に直交する第4方向に延びる長辺とで形成される矩形状の第2の導波構造体、および、前記第1の導波構造体の前記矩形と前記第2の導波構造体の矩形とに中心を合わせて位置し、且つ前記第1の導波構造体と前記第2の導波構造体との間に接続されており、前記面方向において、前記第1方向と前記第3方向との間の第5方向に短辺が延びている矩形状の結合孔を有する変換構造体を含み、該変換構造体は、複数の誘電体層が積層される第3誘電体と、該第3誘電体を挟む一対の第3導体層と、該一対の第3導体層を電気的に接続する第3導体が、伝送する高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記伝送方向に配列されている2列の第3導体群と、前記断面において前記2列の第3導体群の間に配置され、前記複数の誘電体層の層ごとに第4導体を階段状にずらして2列に配置されている第4導体群とを含み、前記2列の第3導体群および前記2列の第4導体群で囲まれる領域が前記結合孔に相当する
本発明の実施形態によれば、小型のモード偏波変換器を提供することができる。
本発明のモード偏波変換器の第1の実施形態の概略構成を示す斜視図である。 図1に示したモード偏波変換器を分解し、斜視した図である。 図1に示したモード偏波変換器の備える変換構造体の概略構成を示す図である。 図1に示したモード偏波変換器の電磁界解析結果を示す図である。 図1に示したモード偏波変換器の周波数特性を示す線図である。 本発明のモード偏波変換器の第2の実施形態の概略構成を示す斜視図である。 図6に示したIIV−IIV線に沿った断面図である。 図6に示したIIIV−IIIV線に沿った断面図である。 図6に示したIX−IX線に沿った断面図である。 図6に示したモード偏波変換器の電磁界解析結果を示す図である。 図6に示したモード偏波変換器の周波数特性を示す線図である。 本発明のモード偏波変換器の第3の実施形態の概略構成を示す斜視図である。 図12に示したXIII−XIII線に沿った断面図である。 図13に示した図の一部構成を省略した図である。 図12に示したXV−XV線に沿った断面図である。 図15に示した図の一部構成を省略した図である。 図12に示したXVII−XVII線に沿った断面図である。 図17に示した図の一部構成を省略した図である。
以下、本発明のモード偏波変換器の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面において同様の箇所には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
(第1の実施形態)
図1〜4は、本発明のモード偏波変換器の一例として第1の実施形態を示した図である。図1〜4に示したモード偏波変換器10は、第1の導波構造体20と、第2の導波構造体30と、変換構造体40とを含んでいる。本実施形態では、第1の導波構造体20および第2の導波構造体として導波管を採用している。第1の導波構造体20、第2の導波構造体30、および変換構造体40は、高周波信号を伝送する伝送方向に沿って一列に接続されている。この第2の導波構造体30は、第1の導波構造体の伝送方向の延長線上に位置している。この変換構造体40は、第1の導波構造体20と、第2の導波構造体30との間に接続されている。ここでは、高周波信号の伝送方向を矢印Zの順方向として図示している。
第1の導波構造体20は、高周波信号を伝送する機能を担っている。この第1の導波構造体20は、高周波信号の伝送する方向に延びている。この第1の導波構造体20は、内部に高周波信号が伝播する伝播部を有している。この伝播部は、高周波信号の伝送方向に対して直交する面方向における断面の形状が矩形状をしている。本実施形態では、第1の導波構造体20として、TE10モードで電磁波が伝送される導波管を採用している。このTE10モードの第1の導波構造体20では、第1方向が電界方向に対応し、第2方向が磁界方向に対応しており、第1方向と第2方向とが直交している。第1の導波構造体20は、第1方向に沿った辺20aの長さaが第2方向に沿った辺20bの長さbよりも短くなっている。以降では、辺20aを短辺とし、辺20bを長辺とする。ここでは、第1方向を矢印Xの順方向として図示し、第2方向を矢印Yの順方向として図示している。また、第1方向および第2方向は、高周波信号の伝送方向に直交している。ここで、伝送方向に対して直交する面方向とは、第1方向および第2方向で規定されるXY面方向である。
第2の導波構造体30は、高周波信号を伝送する機能を担っている。この第1の導波構造体20は、高周波信号の伝送方向に延びている。この第2の導波構造体30は、内部に高周波信号が伝播する伝播部を有している。この伝播部は、高周波信号の伝送方向に対して直交する面方向における断面の形状が矩形状をしている。本実施形態では、第2の導波構造体30として、TE10モードで電磁波が伝送される導波管を採用している。このTE10モードの第2の導波構造体30は、第3方向が電界方向に対応し、第4方向が磁界方向に対応している。この第2の導波構造体30は、第4方向に沿った辺30aの長さaが第3方向に沿った辺30bの長さbよりも長くなっている。以降では、辺30aを長辺とし、辺30bを短辺とする。本実施形態では、第1の導波構造体20と第2の導波構造体30とで電磁波の偏波方向が直交するように配置されている。第3方向は第1方向と直交し、第2方向に沿っており、第4方向は第2方向と直交し、第1方向に沿っている。また、XY平面でみたときに、第1の導波構造体20が幅広であるとすると、第2の導波構造体30は幅狭となるように配置されている。
変換構造体40は、高周波信号の偏波方向の変換に寄与する。この変換構造体40は、第1の導波構造体20と、第2の導波構造体30との間に接続されている。本実施形態の変換構造体40は、矢印Zの逆方向側の一端が第1の導波構造体20の一端20cに接続され、矢印Zの順方向側の一端が第2の導波構造体30の一端30cに接続されている。これらの一端20c,30cは、高周波信号の伝送方向に直交しており、XY面方向に広がっている。
この変換構造体40は、結合孔40aを有している。この結合孔40aは、第1の導波構造体20および第2の導波構造体30と電磁気的に結合している。このモード偏波変換器10では、第1の導波構造体20の伝播部の中心、第2の導波構造体30の伝播部の中心、および結合孔40aの変換構造体40は、中心を合わせるように配置されている。ここで、中心とは、XY面方向における中心をいう。この結合孔40aは、矢印Zの逆方向に見て、第1の導波構造体20の一端0c、および第2の導波構造体30の一端30cに面した伝播部が重なっている領域40dの内に設けられている。この領域40dは、各辺が第1方向または第2方向に沿っており、各辺の長さがaの正方形状となっている。この正方形状の領域40dは、結合孔40aのXY面方向における中心に位置している。第1の導波構造体20の電界方向と、第2の導波構造体30の電界方向とが直交している本実施形態では、正方形状の領域40dの各辺に対して45°の角度で傾いて結合孔40aが形成されている。つまり、結合孔40aの長さは、正方形状の領域40dの対角線の長さであるa×√2よりも短くなっている。この正方形状を、図3では破線で示している。この結合孔40aは、高周波信号を通過させることができるように、電磁気的に開口していればよい。例えば、この結合孔40aに誘電体が設けられていてもよい。誘電体を結合孔40aに設けることによって、結合孔40aの幅を短くすることができる。
この結合孔40aは、矩形状をしており、第5方向に沿った辺40bの長さが第6方向に沿った辺40cの長さよりも短くなっている。以降では、辺40bを短辺とし、辺40cを長辺とする。この結合孔40aの短辺40bは、第1の導波構造体20の短辺20aの延びる第1方向、および第2の導波構造体30の短辺20bの延びる第3方向に対して傾いている。この結合孔40aの短辺40bが延びる第5方向は、第1方向と、第3方向との間の方向を向いている。ここで、「間の方向」とは、任意の点を軸にして、第1の方向から第3の方向へと方向の向きを回転させる際に、当該回転の過程で向く方向のいずれかをいう。
本実施形態の変換構造体40は、高周波信号の伝送方向に対して直交する面方向における断面が正方形状になっている。この正方形の2組の対辺は、第1方向と第2方向とに延びている。この変換構造体40の4辺として、第1の導波構造体20の長辺部分の外周部の長さを採用している。このような形状とすることで、変換構造体40を介して高周波信号が漏れるのを抑えることができる。また、この変換構造体40は、第1の導波構造体20の長辺20bおよび第2の導波構造体30の長辺20aと同等の大きさであることから、面方向へのはみ出しを抑えることができる。これらにより、損失を抑えつつ、小型化を図ることができる。
変換構造体40の高周波信号の伝送方向における長さに制限はない。この変換構造体40の中を伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2よりも変換構造体40の長さを短くすることで、定在波の発生の近傍で損失が変動するのを防ぐことができる。
このように、モード偏波変換器10では、第1の導波構造体20と第2の導波構造体30との間に変換構造体40を配置されている。第1の導波構造体20の伝播部を伝搬してきた高周波信号は、当該伝播部から変換構造体40の結合孔40aに入るときに偏波面が変換される。また、この結合孔40aで偏波面が変更された高周波信号は、結合孔40aを通過し、第2の導波構造体30の伝播部に入るときに変換される。このようにして、第1の導波構造体20を伝播する高周波信号は、変換構造体40を通じて偏波面が変換されて、第2の導波構造体30を伝播する。これによって、TE10モードで伝播する高周波信号の偏波面が、この変換構造体40によって変換損失が低い状態で90°偏波変換される。
なお、第1の導波構造体20、第2の導波構造体30、および変換構造体40は、伝送する高周波信号を伝送できれば、特に限定されない。例えば、伝播部および結合孔40aが中空であっても、誘電体が設けられていてもよい。また、第1の導波構造体20および第2の導波構造体30の伝播部、ならびに変換構造体40は、周囲を金属で囲むことによって、高周波信号が外部に漏れるのを低減することができる。
(第1の実施例)
上述の構成を採用するモード偏波変換器の電磁界分布についてシミュレーションした結果を図4に示した。図4に示した結果から、伝送する高周波信号の電磁界分布を第1の導波構造体20と第2の導波構造体30とで90°変換できることが確認できた。このシミュレーションにおいては、短辺20a,30bの長さを0.45mmとし、長辺20b,30aの長さを0.9mmとし、変換構造体40の高周波信号の伝送方向における長さを0.4mmとし、結合孔40aの幅を0.3mm、長さを0.9mmとした。第1の導波構造体20および第2の導波構造体30の伝播部の内部、ならびに変換構造体40の結合孔40aの内部に誘電体を設けた。この誘電体の比誘電率を9.4とし、比透磁率を1とした。伝送する高周波信号の周波数を76.5GHzとした。上述の数値条件では、高周波信号が誘電体中を伝搬する際の波長λgが約1.8mmとなる。変換構造体40の高周波信号の伝送方向における長さは、λgの0.22倍である。つまり、本実施例のモード偏波変換器では、高周波信号の1波長よりも短い長さであっても偏波できることを確認できた。
次に、上述と同様の数値条件で、周波数特性をシミュレーションした結果を図5に示した。図5において、縦軸は高周波信号の伝送損失(単位:dB)を示し、横軸は周波数を示している。また、実線は透過特性を示し、破線は反射特性を示している。図5に示した特性では、変換構造体40における第1の導波構造体20側をポート1とし、第2の導波構造体30側をポート2としている。この図5では、ポート1からポート2側への透過特性S21、ポート2からポート1側への透過特性S12、ポート1に入力されポート1で反射される反射特性S11、およびポート2に入力されポート2で反射されるS22について示している。
図5に示した結果から、このモード偏波変換器は、77〜78GHzの高周波信号に対して、損失が少なく、帯域の広い伝送特性を有することが確認できた。
(第2の実施形態)
図6〜9は、本発明のモード偏波変換器の他の例として第2の実施形態を示した図である。図6〜9に示したモード偏波変換器10Aは、第1の導波構造体20に代えて第1の導波構造体20Aを採用し、第2の導波構造体30に代えて第2の導波構造体30Aを採用し、変換構造体40に代えて変換構造体40Aを採用している。モード偏波変換器10Aの各構成は、図1に示したモード偏波変換器10の各構成と同様の位置に配置されている。本実施形態の第1の導波構造体20A、第2の導波構造体30A、および変換構造体40Aとして、積層型の導波構造体を採用している。以下、モード偏波変換器10Aの各構成について説明する。
第1の導波構造体20Aは、第1誘電体21、一対の第1導体層22,23、および第1導体群24,25を有している。この第1の導波構造体20Aでは、第1導体層22,23および第1貫通導体群24,25が導波管の管壁に相当するものとして機能する。本実施形態の第1誘電体21は、複数の第1誘電体層211〜216が第1方向に順次積層されて形成されている。
この第1誘電体層211〜216の間に一対の第1導体層22,23が配置されている。一対の第1導体層22,23は、X方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。ここでは、一対の第1導体層22,23のうち、矢印Xの順方向側に位置するものを第1導体層22とし、矢印Xの逆方向側に位置するものを第1導体層23とする。第1導体層22は第1誘電体層211と第1誘電体層212との間に配置され、第1導体層23は第1誘電体層215と第1誘電体層216との間に配置されている。一対の第1導体層22,23は、伝送方向に沿って長くなっており、X方向において長さaの間隔で離隔している。この一対の第1導体層22,23の距離が、第1の導波構造体20Aの伝播部の第1方向に沿った長さとなる。
一対の第1導体層22,23は、第1導体群24,25を介して電気的に接続されている。この第1導体群24,25は、Y方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。ここでは、一対の第1導体群24,25のうち、矢印Yの順方向側に位置するものを第1導体群24とし、矢印Yの逆方向側に位置するものを第2導体群35としている。各第1導体群24,25は、第1導体がZ方向に沿って配列されて構成されている。第1導体群24,25を構成する第1導体は、第1の導波構造体20Aを伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置される。第1導体の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。2列の第1導体群24,25を構成する第1導体の各々は、第1誘電体層212〜215の貫通孔の内に設けられ、当該第1誘電体層212〜215を貫通している。2列の第1導体群24,25は、Y方向において長さbの間隔で離隔している。この一対の第1貫通導体群22,23の距離が、第1の導波構造体20Aの伝播部の第2方向に沿った長さとなる。
第2の導波構造体30Aは、第2誘電体31、一対の第2導体層32,33、および第2導体群34,35を有している。この第2の導波構造体30Aでは、第2導体層32,33および第2貫通導体群34,35が導波管の管壁に相当するものとして機能する。本実施形態の第2誘電体31は、複数の第2誘電体層311〜316が第1方向に順次積層されて形成されている。
この第2誘電体層311の上面および第2誘電体層316の下面に、一対の第2導体層32,33が配置されている。一対の第2導体層32,33は、X方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。ここでは、一対の第2導体層32,33のうち、矢印Xの順方向側に位置するものを第2導体層32とし、矢印Xの逆方向側に位置するものを第2導体層33とする。第2導体層32は第2誘電体層311の上面に配置され、第2導体層33は第2誘電体層316の下面に配置されている。一対の第2導体層32,33は、伝送方向に沿って長くなっており、X方向において長さbの間隔で離隔している。この一対の第2導体層32,33の距離が、第2の導波構造体30Aの伝播部の第1方向に沿った長さbとなる。
一対の第2導体層32,33は、第2導体群34,35を介して電気的に接続されている。この第2導体群34,35は、Y方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。ここでは、一対の第2導体群34,35のうち、矢印Yの順方向側に位置するものを第2導体群34とし、矢印Yの逆方向側に位置するものを第2導体群35としている。各第2導体群34,35は、第2導体がZ方向に沿って配列されて構成されている。第2導体群34,35を構成する第2導体は、第2の導波構造体30Aを伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置される。第2導体の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。2列の第2導体群34,35を構成する第2導体の各々は、第2誘電体層311〜316の貫通孔の内に設けられ、当該第2誘電体層311〜316を貫通している。2列の第2導体群34,35は、Y方向において長さbの間隔で離隔している。この一対の第2貫通導体群32,33の距離が、第2の導波構造体30Aの伝播部の第2方向に沿った長さとなる。
変換構造体40Aは、第3誘電体41、一対の第3導体層42,43、第3導体群44,45、および第4導体群46を有している。この変換構造体40Aでは、第3導体層42,43および第3貫通導体群44,45が導波管の管壁に相当するものとして機能する。また、この変換構造体40Aでは、第4導体群46が結合孔40aに相当するものとして機能する。本実施形態の第3誘電体41は、複数の第3誘電体層411〜416が第1方向に順次積層されて形成されている。
この第3誘電体層411の上面および第3誘電体層416の下面に、一対の第3導体層42,43が配置されている。一対の第3導体層42,43は、X方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。ここでは、一対の第3導体層42,43のうち、矢印Xの順方向側に位置するものを第3導体層42とし、矢印Xの逆方向側に位置するものを第3導体層43とする。第3導体層4は第誘電体層11の上面に配置され、第3導体層43は第3誘電体層416の下面に配置されている。一対の第3導体層42,43は、伝送方向に沿って長くなっており、X方向において長さbの間隔で離隔している。第3導体層42は第2導体層32に接続され、第3導体層43は第2導体層33に接続されている。また、第3導体層42は第1導体層22に第3導体群44,45を介して電気的に接続され、第3導体層43は、第1導体層23に第3導体群44,45を介して電気的に接続されている。
一対の第3導体層42,43は、第3導体群44,45を介して電気的に接続されている。この第3導体群44,45は、Y方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。ここでは、一対の第3導体群44,45のうち、矢印Yの順方向側に位置するものを第3導体群44とし、矢印Yの逆方向側に位置するものを第3導体群45としている。各第3導体群44,45は、第3導体がZ方向に沿って配列されて構成されている。第3導体群44,45を構成する第3導体は、変換構造体40Aを伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置される。第3導体の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。2列の第3導体群44,45を構成する第3導体の各々は、第3誘電体層411〜416の貫通孔の内に設けられ、当該第3誘電体層411〜416を貫通している。2列の第3導体群44,45は、Y方向において長さbの間隔で離隔している。
この2列の第3導体群44,45の間には、第4導体群46が設けられている。第4導体群46を構成する第4導体の各々は、第3誘電体層411〜416の層ごとに階段状にずらして2列に配置されている。各列の第4導体の各々は、第2方向にずらして配置されている。この変換構造体40Aでは、階段状にずらして配置した第4導体群46および第3導体群44,45を、変換構造体40における結合孔40aに相当するものとして機能させている。つまり、この変換構造体40Aでは、2列の第4導体および2列の第3導体で囲まれる領域が結合孔40aに相当するものとして機能している。各列の第4導体は、伝送する高周波信号の1/2波長以下の間隔をあけて配置される。第4導体の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。この2列の第4導体は、結合孔40aの幅の分だけ離れて設けられている。
この実施形態では、第1方向と第3方向とが直交しているので、第4導体群46を構成する第4導体の各々は、45°の勾配を有する階段状にずらして2列に配置されている。ここで、「45°の勾配を有する階段状にずらして配置する」とは、個々の第4導体の底面の中心を結んだ仮想線の傾きが45°となるように配置することをいう。
(第2の実施例)
上述の構成を採用するモード偏波変換器の電磁界分布についてシミュレーションした結果を図10に示した。図10に示した結果から、伝送する高周波信号の電磁界分布を第1の導波構造体20Aと第2の導波構造体30Aとで90°変換できることが確認できた。このシミュレーションにおいては、第1導体層22,23の間隔および第2導体群34,35の2列の間隔を0.45mmとし、第1導体群24,25の2列の間隔および第2導体層32,33の間隔を0.9mmとし、結合構造体40Aの高周波信号の伝送方向における長さを0.8mmとし、第4導体群46の2列の間隔を0.29mmとし、第4導体の各列の長さを0.77mmとし、第1〜第4導体の直径を0.1mmとした。第1誘電体21および第2誘電体31、および第3誘電体41の比誘電率をアルミナセラミックスに相当する9.4とし、比透磁率を1とした。伝送する高周波信号の周波数を76.5GHzとした。上述の数値条件では、高周波信号が誘電体中を伝搬する際の波長λgが約1.8mmとなる。変換構造体40の高周波信号の伝送方向における長さは、λgの0.22倍である。つまり、本実施例のモード偏波変換器では、高周波信号の1波長よりも短い長さであっても偏波できることを確認できた。
次に、上述と同様の数値条件で、周波数特性をシミュレーションした結果を図11に示した。図11において、縦軸は高周波信号の伝送損失(単位:dB)を示し、横軸は周波数を示している。また、実線は通過特性を示し、破線は反射特性を示している。変換構造体40Aにおける第1の導波構造体20A側をポート1とし、第2の導波構造体30A側をポート2としている。この図11では、ポート1からポート2側への透過特性S21、ポート2からポート1側への透過特性S12、ポート1に入力されポート1で反射される反射特性S11、およびポート2に入力されポート2で反射されるS22について示している。
図11に示した結果から、このモード偏波変換器は、77〜78GHzの高周波信号に対して、損失が少なく、帯域の広い伝送特性を有することを確認できた。また、図5に示した例に比べ、通過帯域が広いフィルタとすることができることを確認できた。
(第3の実施形態)
図12〜18は、本発明のモード偏波変換器の他の例として第2の実施形態を示した図である。図12〜18に示したモード偏波変換器10Bは、第1の導波構造体20に代えて第1の導波構造体20Bを採用し、第2の導波構造体30に代えて第2の導波構造体30Bを採用し、変換構造体40に代えて変換構造体40Bを採用している。モード偏波変換器10Bの各構成は、図1に示したモード偏波変換器10の各構成と同様の位置に配置されている。本実施形態の第1の導波構造体20B、第2の導波構造体30B、および変換構造体40Bとして、積層型の導波構造体を採用している。以下、モード偏波変換器10Bの各構成について説明する。
第1の導波構造体20Bは、複数の第1誘電体21B、複数の第1導体層22B、および複数の第1導体群24Bを有している。この第1の導波構造体20Bでは、第1導体層22Bおよび第1貫通導体群24Bが導波管の管壁に相当するものとして機能する。本実施形態では、第1導体層22Bおよび第1貫通導体群24Bで囲まれている領域が伝播部となる。本実施形態の第1誘電体21Bは、複数の第1誘電体層21Bが高周波信号の伝送方向に順次積層されて形成されている。
複数の第1誘電体層21Bの各々の間には、第1導体層22Bが配置されている。複数の第1導体層22Bは、各々がXY面方向に広がっており、伝送方向に配列されている。この複数の第1導体層22Bは、第1の導波構造体20Bを伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置されている。複数の第1導体層22Bの間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。複数の第1導体層22Bの各々には、伝播孔22Baが設けられている。この伝播孔22Baは、第1方向に沿った辺の長さが第2方向に沿った辺の長さよりも短くなっている。各第1導体層22Bの伝播孔22Baは、伝送方向に並んで配置されている。
複数の第1導体層22Bは、第1導体群24Bを介して各々が電気的に接続されている。第1導体群24Bを構成する第1導体の各々は、第1誘電体層21Bの貫通孔の内に設けられ、当該第1誘電体層21Bを貫通している。複数の第1導体241Bは、矢印Zの順方向から見て、伝播孔22Baの周囲を囲んで配置されている。
第2の導波構造体30Bは、複数の第2誘電体31B、複数の第2導体層32B、および複数の第2導体群34Bを有している。この第2の導波構造体30Bでは、第2導体層32Bおよび第2貫通導体群34Bが導波管の管壁に相当するものとして機能する。本実施形態では、第2導体層32Bおよび第2貫通導体群34Bで囲まれている領域が伝播部となる。本実施形態の第2誘電体31Bは、複数の第2誘電体層31Bが高周波信号の伝送方向に順次積層されて形成されている。
複数の第2誘電体層31Bの各々の間には、第2導体層32Bが配置されている。複数の第2導体層32Bは、各々がXY面方向に広がっており、伝送方向に配列されている。この複数の第2導体層32Bは、第2の導波構造体30Bを伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置されている。複数の第2導体層32Bの間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。複数の第2導体層32Bの各々には、伝播孔32Baが設けられている。この伝播孔32Baは、第2方向に沿った辺の長さが第1方向に沿った辺の長さよりも短くなっている。各第2導体層32Bの伝播孔32Baは、伝送方向に並んで配置されている。
複数の第2導体層32Bは、第2導体群34Bを介して各々が電気的に接続されている。第2導体群34Bを構成する第2導体の各々は、第2誘電体層31Bの貫通孔の内に設けられ、当該第2誘電体層31Bを貫通している。複数の第2導体341Bは、矢印Zの順方向から見て、伝播孔32Baの周囲を囲んで配置されている。
変換構造体40Bは、第3誘電体41B、一対の第3導体層42B,43B、および第3導体群44Bを有している。第3誘電体層41Bの上面および下面には、一対の第3導体層42B,43Bが配置されている。ここでは、一対の第3導体層42B,43Bのうち、矢印Zの順方向側に位置するものを第3導体層42Bとし、矢印Xの逆方向側に位置するものを第3導体層43Bとする。一対の第3導体層42B,43Bは、各々がXY面方向に広がっており、伝送方向に並んでいる。第3導体層42Bは第1導体群24Bに接続され、第3導体層43Bは第2導体群34Bに接続されている。一対の第1導体層22Bは、変換構造体40Bを伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置されている。一対の第3導体層42Bの間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。
一対の第3導体層42B,43Bの各々には、伝播孔42Ba,43Baが設けられている。この伝播孔42Ba,43Baは、第1方向に沿った辺の長さが第2方向に沿った辺の長さよりも短くなっている。第3導体層42B,43Bの伝播孔42Ba,43Baは、伝送方向に並んで配置されている。この伝播孔42Ba,43Baは、矩形状をしており、第5方向に沿った辺の長さが第6方向に沿った辺の長さbよりも短くなっている。以降では、短い方の辺を短辺とし、長い方の辺を長辺とする。この伝播孔42Ba,43Baの短辺は、第1の導波構造体20Bの短辺の延びる第1方向、および第2の導波構造体30Bの短辺の延びる第3方向に対して傾いている。この伝播孔42Ba,43Baの短辺が延びる第5方向は、第1方向と、第3方向との間の方向を向いている。このモード偏波変換器10Bでは、第1の導波構造体20Bの伝播孔22Ba、第2の導波構造体30Bの伝播孔32Ba、および変換構造体40Bの伝播孔42Ba,43Baは、各々の中心を合わせるように配置されている。ここで、中心とは、XY面方向における中心をいう。この伝播孔42Ba,43Baは、矢印Zの逆方向に見て、第1の導波構造体20Bの伝播部、および第2の導波構造体30の伝播部が重なっている領域の内側に設けられている。この領域は、各辺が第1方向または第2方向に沿っており、各辺の長さがaの正方形状となっている。この正方形状を図3では、破線で示している。
一対の第3導体層42B,43Bは、第3導体群44Bを介して電気的に接続されている。第3導体群44Bを構成する第3導体441Bの各々は、第3誘電体41Bの貫通孔の内に設けられ、当該第3誘電体41Bを貫通している。複数の第3導体441Bは、矢印Zの順方向から見て、伝播孔42Baの周囲を囲んで配置されている。
この変換構造体40では、第3導体群44Bで囲まれ、一対の第3導体層42B,43Bの伝播孔42Ba,43Baを両端とする領域が結合孔として機能する。この結合孔は、第1の導波構造体20Bの伝播部および第2の導波構造体30Bの伝播部と電磁気的に結合している。
本実施形態では、第1誘電体21B、第2誘電体32B、および第3誘電体42Bは、XY面方向における断面が正方形状になっている。この正方形の2組の対辺は、第1方向と第2方向とに延びている。このような形状とすることで、変換構造体40Bを介して高周波信号が漏れるのを抑えることができる。また、この変換構造体40Bは、第1の導波構造体20Bおよび第2の導波構造体30Bと同等の大きさであることから、面方向へのはみ出しを抑えることができる。これらにより、損失を抑えつつ、小型化を図ることができる。
以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の要旨から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
第1,3の実施形態では、結合孔40a,40Baの断面形状を矩形としているが、角に丸みを帯びた形状などのように、厳密な矩形でなくてもよい。
第2の実施形態では、第1の導波構造体20Aと、第2の導波構造体30Aと、変換構造体40Aとが別体として構成されている。これらの構造体20A,30A,40Aは、部分的に一体的に形成されていてもよい。例えば第1誘電体層211〜216、第2誘電体層311〜316、および第3誘電体層411〜416の各層が一体的に形成されていてもよい。また、第1導体層22,23、第2導体層32,33、および第3導体層42,43の各層が一体的に形成されていてもよい。
第2の実施形態では、複数の第1導体は各々が独立して一対の第1導体層22,23を電気的に接続し、複数の第2導体は各々が独立して一対の第2導体層32,33を電気的に接続し、かつ複数の第3導体は各々が独立して一対の第3導体層42,43を電気的に接続している。これらの第1〜第3導体は、各導体が互いに電気的に接続されていてもよい。

Claims (10)

  1. 高周波信号の伝送方向に対して直交する断面の形状が、第1方向に延びる一対の短辺と、前記第1方向に直交する第2方向に延びる一対の長辺とで形成される第1伝搬部を有する第1の導波構造体、
    該第1の導波構造体の前記伝送方向の延長線上に位置し、前記断面の形状が、第3方向に延びる一対の短辺と、前記第3方向に直交する第4方向に延びる一対の長辺とで形成される第2伝搬部を有する第2の導波構造体、および、
    前記第1伝搬部と前記第2伝搬部とに中心を合わせて位置し、且つ前記第1の導波構造体と前記第2の導波構造体との間に接続されており、前記断面において前記第1方向と前記第3方向との間の第5方向に短辺が延びている矩形状の結合孔を有する変換構造体を具備し、
    該変換構造体は、
    複数の誘電体層が積層される第3誘電体と、
    該第3誘電体を挟む一対の第3導体層と、
    該一対の第3導体層を電気的に接続する第3導体が、伝送する高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記伝送方向に配列されている2列の第3導体群と、
    前記断面において前記2列の第3導体群の間に配置され、前記複数の誘電体層の層ごとに第4導体を階段状にずらして2列に配置されている第4導体群とを含み、
    前記2列の第3導体群および前記2列の第4導体群で囲まれる領域が前記結合孔に相当する、モード偏波変換器。
  2. 前記変換構造体は、前記高周波信号の前記伝送方向における長さが、伝送する高周波信号の波長以下である、請求項1に記載のモード偏波変換器。
  3. 前記伝送方向に見たときに、前記変換構造体は、前記第1の導波構造体の前記一対の長辺および前記第2の導波構造体の前記一対の長辺で囲まれる領域内に位置している、請求項1または2に記載のモード偏波変換器。
  4. 前記伝送方向に見たときに、前記第1方向と前記第3方向とが直交している、請求項1から3のいずれかに記載のモード偏波変換器。
  5. 前記伝送方向に見たときに、前記第5方向が前記第1方向に45°の角度で交わっている、請求項4に記載のモード偏波変換器。
  6. 前記第1の導波構造体は、
    第1誘電体と、
    該第1誘電体を挟む一対の第1導体層と、
    該一対の第1導体層を電気的に接続する第1導体が、伝送する高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記伝送方向に配列されている2列の第1導体群とを含む、請求項1から5のいずれかに記載のモード偏波変換器。
  7. 前記第2の導波構造体は、
    第2誘電体と、
    該第2誘電体を挟む一対の第2導体層と、
    該一対の第2導体層を電気的に接続する第2導体が、伝送する高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記伝送方向に配列されている2列の第2導体群とを含む、請求項1から6のいずれかに記載のモード偏波変換器。
  8. 前記第1の導波構造体は、
    複数の第1誘電体と、
    伝送する高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記複数の第1誘電体を挟んで前記伝送方向に配列され、前記高周波信号が伝搬する伝搬孔を有する複数の第1導体層と、
    該複数の第1導体層を電気的に接続する第1導体群とを含む、請求項1から5のいずれかに記載のモード偏波変換器。
  9. 前記第2の導波構造体は、
    複数の第2誘電体と、
    伝送する高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記複数の第2誘電体を挟んで前記伝送方向に配列され、前記高周波信号が伝搬する伝搬孔を有する複数の第2導体層と、
    該複数の第2導体層を電気的に接続する第2導体群とを含む、請求項1から6のいずれかに記載のモード偏波変換器。
  10. 前記変換構造体は、
    複数の第3誘電体と、
    伝送する高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記複数の第1誘電体を挟んで前記伝送方向に配列され、前記結合孔を有する複数の第3導体層と、
    該複数の第1導体層を電気的に接続する第3導体群とを含む、請求項1から7のいずれかに記載のモード偏波変換器。
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