JP5558225B2 - 方向性結合器 - Google Patents
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Description
して入射方向へ戻る信号の反射係数をA33exp(jθ33),前記第4ポート側から前記第3ポート側へ通過する信号の伝送係数をA34exp(jθ34),結合用貫通孔を介して前記第1ポート側から前記第4ポート側へ通過する信号の伝送係数をA41exp(jθ41)とし、前記第1および第2の導波管型高周波線路における管内波長をλgとすると、前記所定の間隔Lは、L=(θ/π+n)λg/2 (0<θ<π,nは0または自然数)を満たすとともに、θは、C1=A31exp(jθ31),C2=A21A31A34exp{j(θ21+θ31+θ34−2θ)},C3=A21A11A32exp{j(θ21+θ11+θ32−2θ)},C4=A41A33A34exp{j(θ41+θ33+θ34−2θ)},C5=A41A13A32exp{j(θ41+θ13+θ32−2θ)}で示される5つのベクトルC1,C2,C3,C4およびC5が互いに打ち消し合うような値に設定されていることを特徴とするものである。
(実施の形態の第1の例)
図1は本発明の実施の形態の第1の例の方向性結合器を模式的に示す斜視図である。
ート51側から第4ポート54側へ通過する信号の伝送係数をK41=A41exp(jθ41)とし、第1および第2の導波管型高周波線路10,20における管内波長をλgとしたときに、高周波信号の伝播方向において、第1の結合用貫通孔41と第2の結合用貫通孔42との間隔(高周波信号の伝播方向における第1の結合用貫通孔41が形成された領域の中心と第2の結合用貫通孔42が形成された領域の中心との間隔)Lが、
L=(θ/π+n)λg/2 (0<θ<π,nは0または自然数)
を満たすとともに、θは、
C1=A31exp(jθ31)
C2=A21A31A34exp{j(θ21+θ31+θ34−2θ)}
C3=A21A11A32exp{j(θ21+θ11+θ32−2θ)}
C4=A41A33A34exp{j(θ41+θ33+θ34−2θ)}
C5=A41A13A32exp{j(θ41+θ13+θ32−2θ)}
で示される5つのベクトルC1,C2,C3,C4,C5が互いに打ち消し合うような値に設定されていることから、第1ポート51から入力されて複数の伝播ルートを経て第3ポート53へ向かう高周波信号が互いに打ち消し合って、第3ポート53から出力される高周波信号が充分に小さくなるため、方向性の優れた方向性結合器を得ることができる。この効果が得られる理由について以下に説明する。
位相を算出する。図2に示した第1の信号伝播ルートは、第1ポート51から入射した後に、第1の結合用貫通孔41を第1ポート51側から第3ポート53側へ通過して第3ポート53に至るルートである。この信号伝播ルートを通過する高周波信号の大きさおよび位相は、第1の結合用貫通孔41を介して第1ポート51側から第3ポート53側へ通過する信号の伝送係数をK31=A31exp(jθ31)とすると、B1=A31exp{j(θ31−2π・2L1/λg)}と表すことができる。ここで、λgは第1および第2の導波管型高周波線路10,20における管内波長である。また、A31は第1の結合用貫通孔41を介して第1ポート51側から第3ポート53側へ通過することによる高周波信号の大きさの変化を示し、θ31は第1の結合用貫通孔41を介して第1ポート51側から第3ポート53側へ通過することによる高周波信号の位相の変化を示す。そして、−2π・2L1/λgは、高周波信号が第1および第2の導波管型高周波線路10,20内をそれぞれ距離L1だけ伝播することによる位相変化を示している。なお、第1および第2の導波管型高周波線路10,20内を伝播することによる高周波信号の大きさの変化は充分に小さいため無視している。
2π・2L1/λg)}と表すことができる。
C1=A31exp(jθ31)
C2=A21A31A34exp{j(θ21+θ31+θ34−2θ)}
C3=A21A11A32exp{j(θ21+θ11+θ32−2θ)}
C4=A41A33A34exp{j(θ41+θ33+θ34−2θ)}
C5=A41A13A32exp{j(θ41+θ13+θ32−2θ)}
図8は本発明の実施の形態の第2の例の方向性結合器を模式的に示す斜視図である。なお、本例においては前述した第1の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。
図9は本発明の実施の形態の第3の例の方向性結合器を模式的に示す外観斜視図である。なお、図9においては、構造をわかりやすくするために誘電体基板の図示を省略するとともに、管壁用主導体層61の一部を取り除いた状態を示している。また、本例においては前述した第1の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。
の場合は1500℃〜1700℃程度、窒化アルミニウム質セラミックスの場合は1600℃〜1900℃程度のピーク温度で焼成することによって作製される。なお、金属粉末としては、誘電体基板21がガラスセラミックスの場合は銅,金または銀が、誘電体基板がアルミナ質セラミックスまたは窒化アルミニウム質セラミックスの場合にはタングステンまたはモリブデンが好適である。
本発明は前述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更,改良が可能である。
すグラフによれば、設計した中心周波数の76.5GHzに減衰極が形成されており、76.5GHzにおける減衰量は−50dBを超えており、良好な方向性が得られていることがわかる。
た。それ以外の条件は、上述した実施の形態の第1の例の方向性結合器のシミュレーションと同じとした。
果を図12に示す。図12に示すグラフによれば、減衰極は中心周波数の76.5GHzから大きく離れた88.5GHzに形成されており、中心周波数の76.5GHzにおける減衰量は−10dBにも及ばず、良好な方向性が得られていないことがわかる。なお、第1および第2の結合用貫通孔41,42の間隔Lを管内波長の3/4である4.617mmに設定した方向性結合器
の電気特性のシミュレーションも行ったが、減衰極は中心周波数の76.5GHzから大きく離れた81.5GHzに形成され、中心周波数の76.5GHzにおける減衰量は−10dBにも及ばず、良好な方向性は得られなかった。以上の結果により本発明の有効性が確認できた。
20:第2の導波管型高周波線路
30:管壁
41:第1の結合用貫通孔
42:第2の結合用貫通孔
51:第1ポート
52:第2ポート
53:第3ポート
54:第4ポート
Claims (2)
- 互いに平行に隣接して配置された、管内波長が等しい第1および第2の導波管型高周波線路と、該第1および第2の導波管型高周波線路の長さ方向に所定の間隔Lをあけて、前記第1および第2の導波管型高周波線路を隔てる管壁を貫通するように形成された、同一形状を有する第1および第2の結合用貫通孔とを備え、前記第1の導波管型高周波線路の両端がそれぞれ第1,第2ポートとなり、前記第2の導波管型高周波線路の両端がそれぞれ第3,第4ポートとなり、前記第1および第3ポートが同じ側に配置され、前記第2および第4ポートが同じ側に配置された方向性結合器であって、
前記第1および第2の結合用貫通孔の部位のそれぞれにおいて、前記第1ポート側から入射して結合用貫通孔の部位で反射して入射方向へ戻る信号の反射係数をA11exp(jθ11),結合用貫通孔を介して前記第3ポート側から前記第1ポート側へ通過する信号の伝送係数をA13exp(jθ13),前記第1ポート側から前記第2ポート側へ通過する信号の伝送係数をA21exp(jθ21),結合用貫通孔を介して前記第1ポート側から前記第3ポート側へ通過する信号の伝送係数をA31exp(jθ31),結合用貫通孔を介して前記第2ポート側から前記第3ポート側へ通過する信号の伝送係数をA32exp(jθ32),前記第3ポート側から入射して結合用貫通孔の部位で反射して入射方向へ戻る信号の反射係数をA33exp(jθ33),前記第4ポート側から前記第3ポート側へ通過する信号の伝送係数をA34exp(jθ34),結合用貫通孔を介して前記第1ポート側から前記第4ポート側へ通過する信号の伝送係数をA41exp(jθ41)とし、
前記第1および第2の導波管型高周波線路における管内波長をλgとすると、前記所定の間隔Lは、
L=(θ/π+n)λg/2 (0<θ<π,nは0または自然数)
を満たすとともに、θは、
C1=A31exp(jθ31)
C2=A21A31A34exp{j(θ21+θ31+θ34−2θ)}
C3=A21A11A32exp{j(θ21+θ11+θ32−2θ)}
C4=A41A33A34exp{j(θ41+θ33+θ34−2θ)}
C5=A41A13A32exp{j(θ41+θ13+θ32−2θ)}
で示される5つのベクトルC1,C2,C3,C4およびC5が互いに打ち消し合うような値に設定されていることを特徴とする方向性結合器。 - 前記第1および第2の導波管型高周波線路の横断面の形状が等しいことを特徴とする請求項1に記載の方向性結合器。
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Family Applications (1)
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