JP5333893B2 - 複合半導体装置 - Google Patents
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Description
直流電源DCから入力される直流電力を、スイッチング素子Qを図示しない制御回路によりオン/オフ制御させることで、トランスTの一次巻線Pに印加する。
スイッチング素子Qがオンする間、トランスTの一次巻線Pに磁気エネルギーが蓄えられ、スイッチング素子Qがオフする間、二次巻線Sから磁気エネルギーを放出する。
放出された磁気エネルギーは、ダイオードD1と平滑コンデンサCとによって整流平滑化され、出力端子OUTを介して図示しない負荷に供給される。
図5は、SBDのIR温度特性の図であり、モリブデンMo及びパラジウムPdからなるショットキー電極を形成したときのIRを示し、SBDのIRが周囲温度に対して優れた線形性を有することを示す図である。
FRD11が、N型の第1半導体層1と、第1半導体層1上に島状に形成され、且つ、第1半導体層1とPN接合が形成されるP型の第2半導体層2と、第1半導体層1と第2半導体層2との各表面上に形成された絶縁膜4と、第2半導体層2上における絶縁膜4の開口部に形成され第2半導体層2と電気的に接続される第3電極7と、第1半導体層1と電気的に接続される第4電極8と、で構成され、
SBD12が、第1半導体層1と、第1半導体層1上に島状に形成されたP型の第3半導体層3と、第1半導体層1と第3半導体層3との各表面上に形成された絶縁膜4と、第1半導体層1及び第3半導体層3上における絶縁膜4の開口部に形成され且つ第1半導体層1との間にショットキー接合が形成される第1電極5と、第1半導体層1と電気的に接続される第4電極8と、で構成されている。
前記複数のセンサ素子領域は、前記半導体基体とショットキー接合を形成する第1電極を有する第1センサ素子と、前記第1電極と離間し、前記半導体基体とショットキー接合を形成し、周囲温度に対する漏れ電流が前記第1電極と異なる第2電極を有する第2センサ素子と、からなることを特徴とする。
さらに、上記課題を解決し上記目的を達成するために、請求項3に係る本発明の複合半導体装置は、低温領域と高温領域とでセンサ素子を切り替えて温度検出することを特徴とする。
FRD11が、240μm程度の厚みを有するN型の第1半導体層1と、第1半導体層1上に島状に形成され、且つ、第1半導体層1とPN接合が形成されるP型の第2半導体層2と、第1半導体層1と第2半導体層2との各表面上に形成された絶縁膜4と、第2半導体層2上における絶縁膜4の開口部に形成され第2半導体層2と電気的に接続される5〜8μm程度の厚みを有する第3電極7と、第1半導体層1上に形成され第1半導体層1と電気的に接続される第4電極8と、で構成され、
SBD12aが、第1半導体層1と、第1半導体層1上に島状に形成されたP型の第3半導体層3と、第1半導体層1と第3半導体3との各表面上に形成された絶縁膜4と、第1半導体層1及び第3半導体層3上における絶縁膜4の開口部に形成され、且つ、第1半導体層1との間にショットキー接合が形成される第1電極5と、第1半導体層1と電気的に接続される第4電極8と、で構成され、
SBD12bが、第1半導体層1と、第1半導体層1上に島状に形成されたP型の第3半導体層3と、第1半導体層1と第3半導体層3の各表面上に形成された絶縁膜4と、第1半導体層1上における絶縁膜4の開口部に形成され、且つ、第1半導体層1との間にショットキー接合が形成される第2電極6と、第1半導体層1と電気的に接続される第4電極8と、で構成され、
SBD12a、12bを構成する第1電極5及び第2電極6は、互いに離間して形成され、第1電極5はモリブデンMoからなり、第2電極6はパラジウムPdからなるように形成される。
なお、第1電極5と第2電極6とは第1半導体層1とショットキー接合を形成する材料で構成されているが、第1電極5と第2電極6とは周囲温度に対する漏れ電流が互いに異なるようにバリアハイトΦBが異なる材料から選択されている。ちなみに第1電極5及び第2電極6はモリブデンMo、パラジウムPd、バナジウムV、クロムCr、アルミニウムAl、プラチナPtのうちいずれかから選択される。
即ち、図4(a)に示すフォワード型におけるトランスTの二次巻線Sと並列に接続しても良い。あるいは、図4(b)に示すプッシュプル型におけるトランスTの二次巻線S1の一端と出力端子との間、および二次巻線S2の一端と出力端子との間に接続しても良い。あるいは、図4(c)に示す降圧チョッパ型におけるスイッチング素子Qを介して直流電源DCと並列に接続しても良い。このように様々なスイッチング電源における、発熱の大きい半導体素子と本発明の実施形態に係る複合半導体装置とを置き換えることで、応答の速い過熱保護が実現できる。
2 第2半導体層
3 第3半導体層
4 絶縁膜
5 第1電極
6 第2電極
7 第3電極
8 第4電極
9、9a、9b 伝熱板
11 FRD
12、12a、12b SBD
Claims (3)
- パワー半導体素子として機能する半導体素子領域と、前記半導体素子領域の温度上昇を検出するセンサとして機能する複数のセンサ素子領域と、を半導体基体に備えた複合半導体装置において、
前記複数のセンサ素子領域は、前記半導体基体とショットキー接合を形成する第1電極を有する第1センサ素子と、前記第1電極と離間し、前記半導体基体とショットキー接合を形成し、周囲温度に対する漏れ電流が前記第1電極と異なる第2電極を有する第2センサ素子と、からなることを特徴とする複合半導体装置。 - 第1電極はMoから構成され、第2電極はPdから構成されていることを特徴とする請求項1の複合半導体装置。
- 低温領域と高温領域とでセンサ素子を切り替えて温度検出することを特徴とする請求項1又は2の複合半導体装置。
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