JP5331745B2 - 半導体ウェハを製造する方法 - Google Patents
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Description
a)半導体インゴットを製造するステップと、
b)半導体インゴットを長さ1cm〜100cmの複数のインゴットブロックに切り分けるステップと、
d)各インゴットブロックにおける機械的欠陥のポジションを求め、ここで各欠陥のポジションを、ステップf)において実施すべき切断面に対し平行な平面内の座標xp,ypと、この平面に対し垂直な座標zpとによって一義的に規定するステップと、
f)上記のインゴットブロックを厚さ0.2〜2mmの多数の半導体ウェハに切断するステップと、
h)機械的欠陥が検出されたポジションを含む半導体ウェハを取り除くステップ
を有している。
2 超音波ヘッド
3 流体状の結合媒体
4 機械的欠陥
5 外周面
6,7 端面
8〜11 エコー
12 制御ユニット(コンピュータ)
13 モニタ
14 高周波発生器
Claims (9)
- a)半導体インゴットを製造するステップと、
b)少なくとも1つの平坦な面(6)と、該面(6)に対し垂直方向に1cm〜100cmの厚さを有する複数のインゴットブロック(1)に前記半導体インゴットを分割するステップと、
d)各インゴットブロック(1)ごとに機械的欠陥のポジションを決定し、前記機械的欠陥のポジションを、前記平坦な面(6)に平行な面内の座標xp,ypと、前記平坦な面(6)に対し垂直である座標zpとによって特定し、前記インゴットブロック(1)の平坦な面(6)は少なくとも1つの超音波ヘッド(2)により走査され、該超音波ヘッド(2)は、流体状の結合媒体(3)を介して前記平坦な面(6)に結合されており、各測定点(x,y)ごとに、前記平坦な面(6)に向けて配向された少なくとも1つの非集束の超音波パルス(8)を発生し、前記インゴットブロック(1)から発せられた超音波パルスのエコーを時間に依存して記録し、前記平坦な面(6)のエコー(9)、該平坦な面(6)とは反対側に位置する前記インゴットブロック(1)の面(7)のエコー(11)、ならびに場合によっては生じる別のエコー(10)が検出され、該別のエコー(10)から、前記インゴットブロック(1)における前記機械的欠陥(4)のポジション(xp,yp,zp)が求められ、
f)前記インゴットブロック(1)を厚さ0.2mm〜2mmの複数の半導体ウェハに切断するステップと、
h)前記ステップf)において前記インゴットブロック(1)の切断を行う前に前記ステップd)において前記機械的欠陥のポジションが検出された半導体ウェハを抜き出すステップと、
を上記順序で有することを特徴とする、複数の半導体ウェハを製造する方法。 - 前記平坦な面(6)に対し垂直方向の前記インゴットブロック(1)の厚さは1cm〜50cmであることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記機械的欠陥(4)のポジション(zp)は、前記インゴットブロック(1)の外周面(5)に垂直な基準面(16)に対しz方向で求められ、
該基準面(16)は前記インゴットブロック(1)のくさび角度には依存せず、
前記基準面(16)の位置は、前記平坦な面(6)と、前記外周面(5)上に同様に垂直に配置され少なくとも1つの超音波ヘッド(2)が存在するスキャン平面(17)との間の最大間隔(zmax)により規定されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。 - 前記半導体インゴットは単結晶半導体材料から成ることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記単結晶半導体材料から成る前記半導体インゴットの製造を前記ステップa)においてチョクラルスキー法による引き上げ法によって行うことを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 前記ステップb)で製造された前記インゴットブロック(1)は実質的に直線的円筒形状を有しており、前記ステップb)の後、付加的なステップc)において前記インゴットブロック(1)の外周面が研削されることを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ステップd)と前記ステップf)の間に設けられた付加的なステップe)において、各々の前記機械的欠陥のポジションのz座標が前記インゴットブロック(1)にマークされ、前記ステップf)後にマークをもつ前記半導体ウェハが前記ステップh)において抜き出されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ステップd)の後に設けられた付加的なステップe)において、前記機械的欠陥のポジションのz座標と、前記ステップf)で実施された切断の位置とから、少なくとも1つの前記機械的欠陥を有する前記半導体ウェハが特定され、該半導体ウェハが前記ステップh)において抜き出されることを特徴とする、請求項1から7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ステップd)の後に設けられた付加的なステップe)において、前記機械的欠陥のポジションのz座標と、前記ステップf)で実施された切断の位置とから、少なくとも1つの前記機械的欠陥を有する前記半導体ウェハが特定され、
該半導体ウェハおよび所定数の隣り合う前記半導体ウェハが付加的なステップg)において個別に前記機械的欠陥について検査され、
前記ステップh)において、前記ステップg)で前記機械的欠陥が見つかったすべての前記半導体ウェハが抜き出されることを特徴とする、請求項1から8のいずれか1項に記載の方法。
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