JPH02238356A - 半導体単結晶インゴットの判定方法 - Google Patents
半導体単結晶インゴットの判定方法Info
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- JPH02238356A JPH02238356A JP1060551A JP6055189A JPH02238356A JP H02238356 A JPH02238356 A JP H02238356A JP 1060551 A JP1060551 A JP 1060551A JP 6055189 A JP6055189 A JP 6055189A JP H02238356 A JPH02238356 A JP H02238356A
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- CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-(2,6-diethylphenyl)-n-(methoxymethyl)acetamide;2,6-dinitro-n,n-dipropyl-4-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1N(COC)C(=O)CCl.CCCN(CCC)C1=C([N+]([O-])=O)C=C(C(F)(F)F)C=C1[N+]([O-])=O CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体単結晶インゴットの良否を非破壊によ
って判定する半導体単結晶インゴットの判定方法に関す
る。
って判定する半導体単結晶インゴットの判定方法に関す
る。
［従来の技術］
従来、シリコン単結晶インゴット等の半導体単結晶イン
ゴットの良否は、インゴットの状態で判定することがで
きず、インゴットからサンプルを切り出して転位．不純
物等による点欠陥、積層欠陥等の欠陥密度を測定して判
定している。
ゴットの良否は、インゴットの状態で判定することがで
きず、インゴットからサンプルを切り出して転位．不純
物等による点欠陥、積層欠陥等の欠陥密度を測定して判
定している。
［課題を解決するための手段］
しかしながら、，ト記従来の判定方法は、いわゆる破壊
検査によるものであり、製品のロスが生じて歩留まりの
低下をもたらす問題がある．一方、Ｘ線や超音波等を用
いたＣＴ（別算断層撮影）により、非破壊で金属やセラ
ミ・ノクスバルクのクラック等を断層映像に写し出す技
術が知られているが、クラック等のマクロ的な解析しか
行われていなかった。
検査によるものであり、製品のロスが生じて歩留まりの
低下をもたらす問題がある．一方、Ｘ線や超音波等を用
いたＣＴ（別算断層撮影）により、非破壊で金属やセラ
ミ・ノクスバルクのクラック等を断層映像に写し出す技
術が知られているが、クラック等のマクロ的な解析しか
行われていなかった。
そこで、本発明は、転位、点欠陥等のミクロ的な欠陥の
良否の判定を非破壊で行い得る半導体単結晶インゴット
の判定方法の提供を目的とする。
良否の判定を非破壊で行い得る半導体単結晶インゴット
の判定方法の提供を目的とする。
［発明が解決し、・ようとｒる課題］
前記課題を解決するため、本発明は、半導体単結晶イン
ゴットの所要断面に超音波を透過させて伝搬時間又は速
度のＣＴ画素データを求めると共に、このＣＴ画素デー
タから予め求められている良好な半導体単結晶インゴッ
トの断面の超音波の伝搬時間又は速度のＣＴ画素データ
を減算し、所要断面の相対的な伝搬時間又は速度のＣＴ
画像を求め、その相対的な時間又は速度分布が許容範囲
内にあるか否かによって半導体単結晶インゴットの良否
を判定する方法である。
ゴットの所要断面に超音波を透過させて伝搬時間又は速
度のＣＴ画素データを求めると共に、このＣＴ画素デー
タから予め求められている良好な半導体単結晶インゴッ
トの断面の超音波の伝搬時間又は速度のＣＴ画素データ
を減算し、所要断面の相対的な伝搬時間又は速度のＣＴ
画像を求め、その相対的な時間又は速度分布が許容範囲
内にあるか否かによって半導体単結晶インゴットの良否
を判定する方法である。
［作 用］
上記手段においては、転位、点欠陥、積層欠陥等のミク
ロ的な欠陥の良否がインゴットの破壊を伴うことなく行
われる。
ロ的な欠陥の良否がインゴットの破壊を伴うことなく行
われる。
［実施例］
以下、木発明の一実施例を図面と共に説明する。
まず、第１図に示すように、ボロンを添加したシリコン
単結晶インゴット１ （［１００］、直径１２５ｍｍ、
長さ９０＋ｎｍ）を水中に浸漬し、その所定間隔（１５
１１１１１１）の複数の断面Ａ．Ｂ，Ｃ，Ｄ．Ｅに超音
波（５門ｔｌｚ）を透過させてそれぞれの伝搬時間のＣ
Ｔ画素データ（７９Ｘ ７９）をＴｉｍｅ ｏｆ ｆｌ
ｉｇｈｔによる超音波ＣＴの原理（ Ｙ．Ｔｏｍｉｋａ
ｗａ， Ｙ．Ｉｗａｓｅ， Ｋ． Ａｒｉｔａａｎｄ
Ｈ． Ｙａｍａｄａ：”Ｎｏｎ−ｄｅｓｔｒｕｃｔｉｖ
ｅ Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎｏｆ ａ Ｗｏｏｄｅｎ Ｐ
ｏｌｅ Ｕｓｉｎｇ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ Ｃｏｍｐ
ｕｔｅｄＴｏｍｏｇｒａｐｈｙ． ， ＩＥＥＥ ｖｏ
ｌ． ＵＦＦＣ−３３， Ｎｏ．４．Ｊｕｌｙｌ９８６
．）に基づいて測定した。
単結晶インゴット１ （［１００］、直径１２５ｍｍ、
長さ９０＋ｎｍ）を水中に浸漬し、その所定間隔（１５
１１１１１１）の複数の断面Ａ．Ｂ，Ｃ，Ｄ．Ｅに超音
波（５門ｔｌｚ）を透過させてそれぞれの伝搬時間のＣ
Ｔ画素データ（７９Ｘ ７９）をＴｉｍｅ ｏｆ ｆｌ
ｉｇｈｔによる超音波ＣＴの原理（ Ｙ．Ｔｏｍｉｋａ
ｗａ， Ｙ．Ｉｗａｓｅ， Ｋ． Ａｒｉｔａａｎｄ
Ｈ． Ｙａｍａｄａ：”Ｎｏｎ−ｄｅｓｔｒｕｃｔｉｖ
ｅ Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎｏｆ ａ Ｗｏｏｄｅｎ Ｐ
ｏｌｅ Ｕｓｉｎｇ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ Ｃｏｍｐ
ｕｔｅｄＴｏｍｏｇｒａｐｈｙ． ， ＩＥＥＥ ｖｏ
ｌ． ＵＦＦＣ−３３， Ｎｏ．４．Ｊｕｌｙｌ９８６
．）に基づいて測定した。
ここで、上記超音波ＣＴの原理とは、第２図に示すよう
に、被検体であるインゴット１を探触子２の送波器２ａ
と受波器２ｂとの間に挿入し、第３図に示すように、送
波器２ａを固定する一方、受波器２ｂを送波器２ａとの
挟角が２０＠〜１８０”となるように２０゜毎に移動し
て両者間の超音波の伝搬時間を９個測定する。ついで、
第４図に示すように、今度は送波器２ａも移動させ、１
０゜毎に０°〜３５０′の３６点について第３図に示し
た操作を繰り返して９×３６個の伝搬時間を測定する。
に、被検体であるインゴット１を探触子２の送波器２ａ
と受波器２ｂとの間に挿入し、第３図に示すように、送
波器２ａを固定する一方、受波器２ｂを送波器２ａとの
挟角が２０＠〜１８０”となるように２０゜毎に移動し
て両者間の超音波の伝搬時間を９個測定する。ついで、
第４図に示すように、今度は送波器２ａも移動させ、１
０゜毎に０°〜３５０′の３６点について第３図に示し
た操作を繰り返して９×３６個の伝搬時間を測定する。
このようにして得られた扇形（ｆａｎ） ビーム形式の
９×３６個のデータでは、ＣＴの画像構成には不十分で
あるので、次に示す補間法を取ることによりデータ数の
増加を計る。すなわち、第５図に示すように、データＡ
とデータＢとのなす角の２等分線によって補間されたも
のを、データＣとして付け加える。それから、第３図、
第４図に示した測定方法による扉形ビーム形式のデータ
から、平行成分のデータを集め第６図に示すような平行
（ｐａｒａｌｌｅｌ）ビーム形式の投影データを得る。
９×３６個のデータでは、ＣＴの画像構成には不十分で
あるので、次に示す補間法を取ることによりデータ数の
増加を計る。すなわち、第５図に示すように、データＡ
とデータＢとのなす角の２等分線によって補間されたも
のを、データＣとして付け加える。それから、第３図、
第４図に示した測定方法による扉形ビーム形式のデータ
から、平行成分のデータを集め第６図に示すような平行
（ｐａｒａｌｌｅｌ）ビーム形式の投影データを得る。
しかし、この投影データは、間隔が不均一であるので、
データ間の比をとって補間し、第７図に示すように、等
間隔の投影データ（３δ方向Ｘ７９個）にする。さらに
、この３６方向の投影データを逆投影し、７９ｘ７９画
素の像、っまりＣＴ画像を得る。
データ間の比をとって補間し、第７図に示すように、等
間隔の投影データ（３δ方向Ｘ７９個）にする。さらに
、この３６方向の投影データを逆投影し、７９ｘ７９画
素の像、っまりＣＴ画像を得る。
上記原理に基づ＜ＣＴ画素データを直接逆没影して得ら
れた前記シリコン単結晶インゴット１の各断面Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ，Ｅ（７）ＣＴ画像は、第８図、第９図、第１０
図、第１１図及び第１２図に示すようになった。各ＣＴ
画像のそれぞれの画素は、伝搬時間が大から小（追速が
小がら大）へ、紫Ｐ，青Ｂ，緑Ｇ，黄Ｙ，赤Ｒの順に色
分けして示されており、各色は、全断面の伝搬時間の最
大値（音速最小）を基準としたしきい値（％）で表され
、紫Ｐ（７０％）．青Ｂ （７７．５％）．緑Ｇ（８５
％），黄Ｙ（９５％），赤Ｒ （１００％）とされてい
る。各図のＣＴ画像は、第１２図を除いて青色の部分が
リング状に分布するというほとんど同じ特徴を示してい
る。
れた前記シリコン単結晶インゴット１の各断面Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ，Ｅ（７）ＣＴ画像は、第８図、第９図、第１０
図、第１１図及び第１２図に示すようになった。各ＣＴ
画像のそれぞれの画素は、伝搬時間が大から小（追速が
小がら大）へ、紫Ｐ，青Ｂ，緑Ｇ，黄Ｙ，赤Ｒの順に色
分けして示されており、各色は、全断面の伝搬時間の最
大値（音速最小）を基準としたしきい値（％）で表され
、紫Ｐ（７０％）．青Ｂ （７７．５％）．緑Ｇ（８５
％），黄Ｙ（９５％），赤Ｒ （１００％）とされてい
る。各図のＣＴ画像は、第１２図を除いて青色の部分が
リング状に分布するというほとんど同じ特徴を示してい
る。
従って、ＣＴ画素データを直接逆投影して得られたＣＴ
画像によっては、シリコン単結晶インゴット１の良否は
判定困難であると考えられる。
画像によっては、シリコン単結晶インゴット１の良否は
判定困難であると考えられる。
ついで、同一ロットの他のシリコン単結晶イレゴットか
ら切り出されたテストビースのエッチビット測定によっ
て一番エッチピット数の少なかった断面Ａを基準とし、
断面Ｂ，Ｃ，Ｄ，ＥのＣＴ画素データから断面ＡのＣＴ
画素データを減算し、断面Ｂ，Ｃ，Ｄ．Ｈの相対的な伝
搬時間（伝搬速度）のＣＴ画像を求めたところ、第１３
図、第１４図、第１５図及び第１６図に示すようになっ
た。各ＣＴ画像は、相対時間が大から小（相対速度が小
がら大）へ、紫Ｐ （０．１４７６（ＭＡＸ） 〜０．
１０００μｓ）．青Ｂ （ ０．１０００ 〜０．０５
００μｓ） ，緑Ｇ （０．０５００〜０．００００ｇ
ｓ） ，黄Ｙ （ ０．００００〜− ０．０２００μ
ｓ） ，赤Ｒ （ − ０．０２００ 〜− ０．０４
８１μＳ（ＭＩＮ））の順に色分けして示されている。
ら切り出されたテストビースのエッチビット測定によっ
て一番エッチピット数の少なかった断面Ａを基準とし、
断面Ｂ，Ｃ，Ｄ，ＥのＣＴ画素データから断面ＡのＣＴ
画素データを減算し、断面Ｂ，Ｃ，Ｄ．Ｈの相対的な伝
搬時間（伝搬速度）のＣＴ画像を求めたところ、第１３
図、第１４図、第１５図及び第１６図に示すようになっ
た。各ＣＴ画像は、相対時間が大から小（相対速度が小
がら大）へ、紫Ｐ （０．１４７６（ＭＡＸ） 〜０．
１０００μｓ）．青Ｂ （ ０．１０００ 〜０．０５
００μｓ） ，緑Ｇ （０．０５００〜０．００００ｇ
ｓ） ，黄Ｙ （ ０．００００〜− ０．０２００μ
ｓ） ，赤Ｒ （ − ０．０２００ 〜− ０．０４
８１μＳ（ＭＩＮ））の順に色分けして示されている。
第１３図の相対的な時間分布は、緑Ｇと黄Ｙで大部分が
占められて変化が小さく、おおよそ平滑な像が得られ、
断面Ｂは、断面Ａと同程度のエッチピット発生状態であ
ると推察できる。又、第１４図及び第１５図の相対的な
時間分布は、青Ｂと赤Ｒが現れ、断面Ｃ，Ｄには、断面
Ａよりも画素における音速が遅い部分（青）と速い部分
（赤）のあることがわかる。更に、第１６図の相対的な
時間分布は、青Ｂと赤Ｒがリング状に現れ、断面Ｅは、
断面Ｃ．Ｄよりも断面Ａと異なっていることがわかる。
占められて変化が小さく、おおよそ平滑な像が得られ、
断面Ｂは、断面Ａと同程度のエッチピット発生状態であ
ると推察できる。又、第１４図及び第１５図の相対的な
時間分布は、青Ｂと赤Ｒが現れ、断面Ｃ，Ｄには、断面
Ａよりも画素における音速が遅い部分（青）と速い部分
（赤）のあることがわかる。更に、第１６図の相対的な
時間分布は、青Ｂと赤Ｒがリング状に現れ、断面Ｅは、
断面Ｃ．Ｄよりも断面Ａと異なっていることがわかる。
次に、第１７図に示すように、前記シリコン単結晶イン
ゴット１を、上述した断面Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを含むよ
うに、ヘッド側から所要距離（ ７ ｍｍ）離れた位置
でカットすると共に、以下、所定の間隔（ １５ｍｍ）
でカットして所要枚数（７枚）のサンプルＳｌ． Ｓ２
． Ｓ３． Ｓ４． ５５， ５８． ５７を得、その
中の所定厚さ（ １５ｍｍ）のサンプル（Ｓ２．５３，
Ｓ４， Ｓ５，Ｓ６）を【１１１１面がでるようにカ
ットし（第１８図（ａ） ， （ｂ）参照）、所要本数
（５本）のテストビースＴＡ， ＴＢ， ＴＣ， Ｔｏ
， ＴＣを得た。各テストピースＴＡ． Ｔｏ， Ｔｃ
， ＴＤ， ＴＥの上記断面Ａ， ＢＣ，Ｄ，Ｅを含
む切断面Ｃ，をＪＩＳに基づく方法によってエッチング
した後、第１９図に示すように、半径ｒ全長（８２．５
ｍｍ）の４７５ μｔｎの幅のエリャａ．を走査してエ
ッチビットをカウントし、又、第２０図に示すように、
中心から（ｒ−２）ｍｍ， ０．８（ｒ −２ ） ｍ
ｍ， ０．４（ｒ − ２ ） ｍｍの位置及び中心の
９５０ μｍＸ９５０ｕｍのエリャａ２＋ ａ３＋ ａ
４及びａ，を走査してエッチビットをカウントしたとこ
ろ、エッチビット密度は、それぞれ、第１表、第２表並
びに第２１図、第２２図（平方ｃｍ当りに換算）に示す
ようになり、ＣＴ画像を示す第１３図、第１４図、第１
５図、第１６図に対応してエッチビット密度も大きくな
っていることがわかる。
ゴット１を、上述した断面Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを含むよ
うに、ヘッド側から所要距離（ ７ ｍｍ）離れた位置
でカットすると共に、以下、所定の間隔（ １５ｍｍ）
でカットして所要枚数（７枚）のサンプルＳｌ． Ｓ２
． Ｓ３． Ｓ４． ５５， ５８． ５７を得、その
中の所定厚さ（ １５ｍｍ）のサンプル（Ｓ２．５３，
Ｓ４， Ｓ５，Ｓ６）を【１１１１面がでるようにカ
ットし（第１８図（ａ） ， （ｂ）参照）、所要本数
（５本）のテストビースＴＡ， ＴＢ， ＴＣ， Ｔｏ
， ＴＣを得た。各テストピースＴＡ． Ｔｏ， Ｔｃ
， ＴＤ， ＴＥの上記断面Ａ， ＢＣ，Ｄ，Ｅを含
む切断面Ｃ，をＪＩＳに基づく方法によってエッチング
した後、第１９図に示すように、半径ｒ全長（８２．５
ｍｍ）の４７５ μｔｎの幅のエリャａ．を走査してエ
ッチビットをカウントし、又、第２０図に示すように、
中心から（ｒ−２）ｍｍ， ０．８（ｒ −２ ） ｍ
ｍ， ０．４（ｒ − ２ ） ｍｍの位置及び中心の
９５０ μｍＸ９５０ｕｍのエリャａ２＋ ａ３＋ ａ
４及びａ，を走査してエッチビットをカウントしたとこ
ろ、エッチビット密度は、それぞれ、第１表、第２表並
びに第２１図、第２２図（平方ｃｍ当りに換算）に示す
ようになり、ＣＴ画像を示す第１３図、第１４図、第１
５図、第１６図に対応してエッチビット密度も大きくな
っていることがわかる。
第１表
第２表
従って、シリコン単結晶インゴットの良品と判定された
断面の超音波の伝搬時間又は伝搬速度のＣＴ画素データ
を予め求めておき、このＣＴ画素データを、同様なイン
ゴットの所望断面のＣＦ画素データから差し引き、所望
断面の超音波の相対的な伝搬時間又は伝搬速度のＣＴ画
像を求め、その相対的な時間又は速度分布が任意に設定
される許容範囲内にあるか否かによって、つまり相対的
な時間分布が０．０５００〜−０．０２００ｕＳ内にあ
るか否かなどの任意の臨界値を設定することによってそ
の断面の良否が判定できることがわかる。
断面の超音波の伝搬時間又は伝搬速度のＣＴ画素データ
を予め求めておき、このＣＴ画素データを、同様なイン
ゴットの所望断面のＣＦ画素データから差し引き、所望
断面の超音波の相対的な伝搬時間又は伝搬速度のＣＴ画
像を求め、その相対的な時間又は速度分布が任意に設定
される許容範囲内にあるか否かによって、つまり相対的
な時間分布が０．０５００〜−０．０２００ｕＳ内にあ
るか否かなどの任意の臨界値を設定することによってそ
の断面の良否が判定できることがわかる。
なお、上記実施例においては、テストビースの良否を、
エッチビット測定による転位密度によったが、これに限
らず点欠陥、積層欠陥の密度等を基準にしてテストビー
スの良否を判定してもよい。
エッチビット測定による転位密度によったが、これに限
らず点欠陥、積層欠陥の密度等を基準にしてテストビー
スの良否を判定してもよい。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、転位、点欠陥、積層欠陥
等のミクロ的な欠陥の良否がインゴットの破壊を伴うこ
となく行われるので、従来のように製品のロスがなく歩
留まりを大幅に向上することができる。
等のミクロ的な欠陥の良否がインゴットの破壊を伴うこ
となく行われるので、従来のように製品のロスがなく歩
留まりを大幅に向上することができる。
図は本発明の一実施例を示すもので、第１図は超音波Ｃ
ＴによりＣＴ画素データを得るシリコン単結晶インゴッ
トにおける断面部位を示す斜視図、第２図、第３図，第
４図及び第５図，％ａ図．第７図はＣＴの原理、測定方
法及び画像構成の方法を示す説明図、第８図，第９図，
第】０図，第１１図及び第１２図はそれぞれシリコン単
結晶インゴットの各断面における超音波の伝搬時間のＣ
Ｔ画素データを直接逆没影したＣＴ画像、第１３図，第
１４図．第１５図及び第１６図はそれぞれ第８図に対す
る第９図，第１０図，第１１図及び第１２図の相対的な
伝搬時間のＣＴ画像、第１７図はシリコン単結晶インゴ
ットからサンプルを切り出す位置を示した斜視図で、第
１８図（ａ） ． （ｂ）はサンプルからテストビース
を切り出す位置を示した斜視図，側面図、第１９図及び
第２０図はそれぞれテストビースのエッチビット測定部
位を示した正面図、第２１図及び第２２図は上記各部｛
Ｑにおけるテストビースとエッチビット密度の関係図で
ある。 １・・・シリコン単結晶インゴット Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ・・・断面 出願人 東芝セラミックス株式会社 第 図 第 図 とＴ 〉１ 図 第 図 第 図 か曾 ３マ 図 ｄ１ 第 図 テＺ／−ど−λ 第 図 （ｃｍ ） テλ〆ｅ−”−，＜
ＴによりＣＴ画素データを得るシリコン単結晶インゴッ
トにおける断面部位を示す斜視図、第２図、第３図，第
４図及び第５図，％ａ図．第７図はＣＴの原理、測定方
法及び画像構成の方法を示す説明図、第８図，第９図，
第】０図，第１１図及び第１２図はそれぞれシリコン単
結晶インゴットの各断面における超音波の伝搬時間のＣ
Ｔ画素データを直接逆没影したＣＴ画像、第１３図，第
１４図．第１５図及び第１６図はそれぞれ第８図に対す
る第９図，第１０図，第１１図及び第１２図の相対的な
伝搬時間のＣＴ画像、第１７図はシリコン単結晶インゴ
ットからサンプルを切り出す位置を示した斜視図で、第
１８図（ａ） ． （ｂ）はサンプルからテストビース
を切り出す位置を示した斜視図，側面図、第１９図及び
第２０図はそれぞれテストビースのエッチビット測定部
位を示した正面図、第２１図及び第２２図は上記各部｛
Ｑにおけるテストビースとエッチビット密度の関係図で
ある。 １・・・シリコン単結晶インゴット Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ・・・断面 出願人 東芝セラミックス株式会社 第 図 第 図 とＴ 〉１ 図 第 図 第 図 か曾 ３マ 図 ｄ１ 第 図 テＺ／−ど−λ 第 図 （ｃｍ ） テλ〆ｅ−”−，＜
Claims (1)
- （１）半導体単結晶インゴットの所要断面に超音波を透
過させて伝搬時間又は速度のＣＴ画素データを求めると
共に、このＣＴ画素データから予め求められている良好
な半導体単結晶インゴットの断面の超音波の伝搬時間又
は速度のＣＴ画素データを減算し、所要断面の相対的な
伝搬時間又は速度のＣＴ画像を求め、その相対的な時間
又は速度分布が許容範囲内にあるか否かによって半導体
単結晶インゴットの良否を判定することを特徴とする半
導体単結晶インゴットの判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060551A JPH02238356A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 半導体単結晶インゴットの判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060551A JPH02238356A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 半導体単結晶インゴットの判定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02238356A true JPH02238356A (ja) | 1990-09-20 |
Family
ID=13145538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1060551A Pending JPH02238356A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 半導体単結晶インゴットの判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02238356A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005195594A (ja) * | 2003-12-29 | 2005-07-21 | General Electric Co <Ge> | 異方性材料の欠陥を検出する方法 |
| JP2009121977A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超音波探傷方法および超音波探傷装置 |
| JP2010175560A (ja) * | 2006-06-22 | 2010-08-12 | Siltronic Ag | 半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出する方法および装置 |
| US8038895B2 (en) | 2006-06-22 | 2011-10-18 | Siltronic Ag | Method and appartus for detection of mechanical defects in an ingot piece composed of semiconductor material |
| JP2012526275A (ja) * | 2009-05-05 | 2012-10-25 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板の完全性を判定するための非破壊的信号伝搬システムおよび方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5334387A (en) * | 1976-08-20 | 1978-03-30 | Gen Electric | Ultrasonic scanner |
| JPS58172545A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | Toshiba Corp | タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウム単結晶の分極検査方法 |
| JPS6039556A (ja) * | 1983-08-13 | 1985-03-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超音波診断方法 |
| JPS60249947A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-10 | 株式会社東芝 | 超音波ｃｔ装置 |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP1060551A patent/JPH02238356A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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