JP2010175560A - 半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出する方法および装置 - Google Patents
半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出する方法および装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】厚さ1cm〜100cmのインゴットブロック1における平坦面6が、流体状結合媒体3を介して結合された超音波ヘッド2により走査される。超音波ヘッド2は各測定点x,yごとに、インゴットブロック1の平坦面6に向けて超音波パルス8を発生し、インゴットブロック1から発せられた超音波パルスのエコーを時間に依存して記録する。平坦面6のエコー9と、この面とは反対側の平坦面7のエコー11と、場合によっては生じる別のエコー10が検出され、この別のエコー10から、インゴットブロック1における機械的欠陥4のポジションxp,yp,zpが求められる。
【選択図】図2
Description
a)半導体インゴットを製造するステップと、
b)半導体インゴットを長さ1cm〜100cmの複数のインゴットブロックに切り分けるステップと、
d)各インゴットブロックにおける機械的欠陥のポジションを求め、ここで各欠陥のポジションを、ステップf)において実施すべき切断面に対し平行な平面内の座標xp,ypと、この平面に対し垂直な座標zpとによって一義的に規定するステップと、
f)上記のインゴットブロックを厚さ0.2〜2mmの多数の半導体ウェハに切断するステップと、
h)機械的欠陥が検出されたポジションを含む半導体ウェハを取り除くステップ
を有している。
2 超音波ヘッド
3 流体状の結合媒体
4 機械的欠陥
5 外周面
6,7 端面
8〜11 エコー
12 制御ユニット(コンピュータ)
13 モニタ
14 高周波発生器
Claims (15)
- 半導体材料から成るインゴットブロック(1)の機械的欠陥(4)を検出する方法において、
前記インゴットブロック(1)は、少なくとも1つの平坦な面(6)と、該面(6)に対し垂直方向で1cm〜100cmの厚さを有しており、
前記インゴットブロック(1)の平坦な面(6)は少なくとも1つの超音波ヘッド(2)により走査され、該超音波ヘッド(2)は、流体状の結合媒体(3)を介して前記インゴットブロック(1)の平坦な面(6)に結合されており、
該超音波ヘッド(2)は各測定点(x,y)ごとに、前記インゴットブロック(1)の平坦な面(6)に向けて配向された少なくとも1つの非集束の超音波パルス(8)を発生し、前記インゴットブロック(1)から発せられた超音波パルスのエコーを時間に依存して記録し、
前記平坦な面(6)のエコー(9)、該平坦な面(6)とは反対側に位置する前記インゴットブロック(1)の面(7)のエコー(11)、ならびに場合によっては生じる別のエコー(10)が検出され、該別のエコー(10)から、インゴットブロック(1)における機械的欠陥(4)のポジション(xp,yp,zp)が求められることを特徴とする、
インゴットブロック(1)の機械的欠陥(4)を検出する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記平坦な面(6)に対し垂直方向の厚さは1cm〜50cmであることを特徴とする方法。 - 請求項1または2記載の方法において、
前記インゴットブロック(1)は単結晶半導体材料から成ることを特徴とする方法。 - 請求項1から3のいずれか1項記載の方法において、
機械的欠陥(4)のポジション(zp)は、前記インゴットブロック(1)の外周面(5)上に垂直に配置された基準面(16)に対し相対的にz方向で求められ、
該基準面(16)は前記インゴットブロック(1)のくさび形状態には依存せず、
前記基準面(16)の位置は、前記平坦な面(6)と、前記外周面(5)上に同様に垂直に配置され少なくとも1つの超音波ヘッド(2)が存在するスキャン平面(17)との間の最大間隔(zmax)により定義されることを特徴とする方法。 - 複数の半導体ウェハを製造する方法において、
a)半導体インゴットを製造するステップと、
b)該半導体インゴットを1cm〜100cmまでの長さをもつ複数のインゴットブロックに分割するステップと、
d)各インゴットブロックごとに機械的欠陥のポジションを特定し、該機械的欠陥のポジションの特定を請求項1記載の方法に従い実施し、各欠陥のポジションを、ステップf)で実施すべき切断の切断面に対し平行な面内の座標xp,ypと、該面に対し垂直である座標zpとにより一義的に決定するステップと、
f)前記インゴットブロックを厚さ0.2mm〜2mmの複数の半導体ウェハに切断するステップと、
h)機械的欠陥が検出されたポジションを含む半導体ウェハを抜き出すステップ
を上記順序で有することを特徴とする、
複数の半導体ウェハを製造する方法。 - 請求項5記載の方法において、
前記半導体インゴットは単結晶半導体材料から成ることを特徴とする方法。 - 請求項6記載の方法において、
前記単結晶半導体材料から成る半導体インゴットの製造をステップa)においてチョクラルスキー法による引き上げ法によって行うことを特徴とする方法。 - 請求項5から7のいずれか1項記載の方法において、
前記ステップb)において製造されたインゴットブロックは1cm〜50cmの長さを有することを特徴とする方法。 - 請求項5から8のいずれか1項記載の方法において、
ステップb)で製造されたインゴットブロックは実質的に直線的円筒形状を有しており、ステップb)の後、付加的なステップc)において前記インゴットブロックの外周面が研削されることを特徴とする方法。 - 請求項5から9のいずれか1項記載の方法において、
ステップd)とステップf)の間に設けられた付加的なステップe)において、機械的欠陥ポジション各々のポジションのz座標が前記インゴットブロックにマークされ、ステップf)後にマークをもつ半導体ウェハがステップh)において抜き出されることを特徴とする方法。 - 請求項5から10のいずれか1項記載の方法において、
ステップd)の後に設けられた付加的なステップe)において、機械的欠陥ポジションのz座標と、ステップf)で実施された切断の位置とから、少なくとも1つの機械的欠陥を有する半導体ウェハが特定され、該半導体ウェハがステップh)において抜き出されることを特徴とする方法。 - 請求項5から11のいずれか1項記載の方法において、
ステップd)の後に設けられた付加的なステップe)において、機械的欠陥ポジションのz座標と、ステップf)で実施された切断の位置とから、少なくとも1つの機械的欠陥を有する半導体ウェハが特定され、
該半導体ウェハおよび所定数の隣り合う半導体ウェハが付加的なステップg)において個別に機械的欠陥について検査され、
ステップh)において、前記ステップg)で機械的欠陥がみつかったすべての半導体ウェハが抜き出されることを特徴とする方法。 - 走査型超音波顕微鏡において、
x,y平面に位置する少なくとも1つの平坦面(6)を備えた検査すべきインゴットブロック(1)のための保持装置と、
非収束の超音波信号を発生および検出するための少なくとも2つの超音波ヘッド(2)と、
該少なくとも2つの超音波ヘッド(2)がx,y方向で移動不可能に取り付けられている第1の取り付け装置と、
前記超音波ヘッド(2)をx、y平面に対し垂直なz方向で前記保持装置に対し相対的に移動させることのできる位置調節装置と、
前記取り付け装置と前記保持装置を互いに相対的にx,y方向で移動させることのできる走行装置と、
該走行装置と前記位置調節装置を制御する制御ユニット(12)と、
前記超音波ヘッド(2)により検出された超音波信号を処理する評価ユニットが設けられていて、
各インゴットブロックごとに機械的欠陥のポジションが請求項1記載の方法に従い特定されることを特徴とする、
走査型超音波顕微鏡。 - 請求項13記載の走査型超音波顕微鏡において、
超音波ヘッド(2)各々のために1つの位置調節装置が設けられており、該位置調節装置により各超音波ヘッド(2)は、x,y平面に対し垂直なz方向で他の超音波ヘッド(2)とは独立して前記取り付け装置に対し相対的に移動可能であることを特徴とする走査型超音波顕微鏡。 - 請求項13または14記載の走査型超音波顕微鏡において、
別の取り付け装置が設けられており、該別の取り付け装置に少なくとも2つの別の超音波ヘッド(2)が第1の取り付け装置と同様に取り付けられており、
該少なくとも2つの別の超音波ヘッド(2)は、超音波ヘッド(2)を備えた前記の2つの取り付け装置双方の間に前記インゴットブロック(1)を配置できるように設けられていて、
該インゴットブロック(1)は第1の平坦な平面(6)を通して、第1の取り付け装置に取り付けられた超音波ヘッド(2)により検査され、かつ前記第1の平坦な面(6)に対し平行な第2の平面(7)を通して、第2の取り付け装置に取り付けられた超音波ヘッド(2)により検査されることを特徴とする走査型超音波顕微鏡。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006028650.2 | 2006-06-22 | ||
DE102006028650 | 2006-06-22 | ||
DE102006032431.5 | 2006-07-13 | ||
DE102006032431A DE102006032431B4 (de) | 2006-06-22 | 2006-07-13 | Verfahren und Vorrichtung zur Detektion von mechanischen Defekten in einem aus Halbleitermaterial bestehenden Stabstück |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007159543A Division JP2008003085A (ja) | 2006-06-22 | 2007-06-15 | 半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出する方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010175560A true JP2010175560A (ja) | 2010-08-12 |
JP5331745B2 JP5331745B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=38721275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010090640A Active JP5331745B2 (ja) | 2006-06-22 | 2010-04-09 | 半導体ウェハを製造する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5331745B2 (ja) |
CN (1) | CN101093212B (ja) |
DE (1) | DE102006032431B4 (ja) |
TW (1) | TWI356165B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7952187B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-05-31 | General Electric Company | System and method of forming a wafer scale package |
DE102008002832B4 (de) | 2008-04-24 | 2010-12-09 | Institut für Akustomikroskopie Dr. Krämer GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur zerstörungsfreien Detektion von Defekten im Inneren von Halbleitermaterial |
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DE202009018526U1 (de) | 2009-10-15 | 2011-12-09 | Institut für Akustomikroskopie Dr. Krämer GmbH | Vorrichtung zur zerstörungsfreien Inspektion des Inneren von Bauteilen und Transducer hierfür |
DE102009044254A1 (de) | 2009-10-15 | 2011-05-05 | Institut für Akustomikroskopie Dr. Krämer GmbH | Vorrichtung zur zerstörungsfreien Inspektion des Inneren von Bauteilen und Transducer hierfür |
WO2012117088A1 (de) | 2011-03-03 | 2012-09-07 | Institut für Akustomikroskopie Dr. Krämer GmbH | Vorrichtung zur zerstörungsfreien inspektion des inneren von bauteilen |
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2006
- 2006-07-13 DE DE102006032431A patent/DE102006032431B4/de active Active
-
2007
- 2007-06-15 TW TW96121736A patent/TWI356165B/zh active
- 2007-06-22 CN CN2007101120477A patent/CN101093212B/zh active Active
-
2010
- 2010-04-09 JP JP2010090640A patent/JP5331745B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101093212A (zh) | 2007-12-26 |
DE102006032431A1 (de) | 2007-12-27 |
DE102006032431B4 (de) | 2011-12-01 |
TW200801508A (en) | 2008-01-01 |
JP5331745B2 (ja) | 2013-10-30 |
CN101093212B (zh) | 2011-02-16 |
TWI356165B (en) | 2012-01-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100507 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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