JP2008003085A - 半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出する方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】厚さ1cm〜100cmのインゴットブロック1における平坦面6が、流体状結合媒体3を介して結合された超音波ヘッド2により走査される。超音波ヘッド2は各測定点x,yごとに、インゴットブロック1の平坦面6に向けて超音波パルス8を発生し、インゴットブロック1から発せられた超音波パルスのエコーを時間に依存して記録する。平坦面6のエコー9と、この面とは反対側の平坦面7のエコー11と、場合によっては生じる別のエコー10が検出され、この別のエコー10から、インゴットブロック1における機械的欠陥4のポジションxp,yp,zpが求められる。
【選択図】図2
Description
a)半導体インゴットを製造するステップと、
b)半導体インゴットを長さ1cm〜100cmの複数のインゴットブロックに切り分けるステップと、
d)各インゴットブロックにおける機械的欠陥のポジションを求め、ここで各欠陥のポジションを、ステップf)において実施すべき切断面に対し平行な平面内の座標xp,ypと、この平面に対し垂直な座標zpとによって一義的に規定するステップと、
f)上記のインゴットブロックを厚さ0.2〜2mmの多数の半導体ウェハに切断するステップと、
h)機械的欠陥が検出されたポジションを含む半導体ウェハを取り除くステップ
を有している。
2 超音波ヘッド
3 流体状の結合媒体
4 機械的欠陥
5 外周面
6,7 端面
8〜11 エコー
12 制御ユニット(コンピュータ)
13 モニタ
14 高周波発生器
Claims (19)
- 半導体材料から成るインゴットブロック(1)の機械的欠陥(4)を検出する方法において、
前記インゴットブロック(1)は、少なくとも1つの平坦な面(6)と、該面(6)に対し垂直に測定された1cm〜100cmの厚さを有しており、
前記インゴットブロック(1)の平坦な面(6)は少なくとも1つの超音波ヘッド(2)により走査され、該超音波ヘッド(2)は、流体状の結合媒体(3)を介して前記インゴットブロック(1)の平坦な面(6)に結合されており、
該超音波ヘッド(2)は各測定点(x,y)ごとに、前記インゴットブロック(1)の平坦な面(6)に向けて配向された少なくとも1つの超音波パルス(8)を発生し、前記インゴットブロック(1)から発せられた超音波パルスのエコーを時間に依存して記録し、
前記平坦な面(6)のエコー(9)、該平坦な面(6)とは反対側に位置する前記インゴットブロック(1)の面(7)のエコー(11)、ならびに場合によっては生じる別のエコー(10)が検出され、該別のエコー(10)から、インゴットブロック(1)における機械的欠陥(4)のポジション(xp,yp,zp)が求められることを特徴とする、
インゴットブロック(1)の機械的欠陥(4)を検出する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記平坦な面(6)に対し垂直に測定された厚さは1cm〜50cmであることを特徴とする方法。 - 請求項1または2記載の方法において、
前記インゴットブロック(1)は単結晶半導体材料から成ることを特徴とする方法。 - 請求項1から3のいずれか1項記載の方法において、
機械的欠陥(4)のポジション(zp)は、前記インゴットブロック(1)の外周面(5)上に垂直に配置された基準面(16)に対し相対的にz方向で求められ、
該基準面(16)は前記インゴットブロック(1)のくさび形状態には依存せず、
前記基準面(16)の位置は、前記平坦な面(6)と、前記外周面(5)上に同様に垂直に配置され少なくとも1つの超音波ヘッド(2)が存在するスキャン平面(17)との間の最大間隔(zmax)により定義されることを特徴とする方法。 - 複数の半導体ウェハを製造する方法において、
a)半導体インゴットを製造するステップと、
b)該半導体インゴットを1cm〜100cmまでの長さをもつ複数のインゴットブロックに分割するステップと、
d)各インゴットブロックごとに機械的欠陥のポジションを求め、各欠陥のポジションを、ステップf)で実施すべき切断の切断面に対し平行な面内の座標xp,ypと、該面に対し垂直である座標zpとにより一義的に決定するステップと、
f)前記インゴットブロックを厚さ0.2mm〜2mmの複数の半導体ウェハに切断するステップと、
h)機械的欠陥が検出されたポジションを含む半導体ウェハを抜き出すステップ
を上記順序で有することを特徴とする、
複数の半導体ウェハを製造する方法。 - 請求項5記載の方法において、
前記半導体インゴットは単結晶半導体材料から成ることを特徴とする方法。 - 請求項6記載の方法において、
前記単結晶半導体材料から成る半導体インゴットの製造をステップa)においてチョクラルスキー法による引き上げ法によって行うことを特徴とする方法。 - 請求項5から7のいずれか1項記載の方法において、
前記ステップb)において製造されたインゴットブロックは1cm〜50cmの長さを有することを特徴とする方法。 - 請求項5から8のいずれか1項記載の方法において、
ステップb)で製造されたインゴットブロックは実質的に直線的円筒形状を有しており、ステップb)の後、付加的なステップc)において前記インゴットブロックの外周面が研削されることを特徴とする方法。 - 請求項5から9のいずれか1項記載の方法において、
ステップd)における各インゴットブロックごとの機械的欠陥ポジション特定は、請求項1記載の方法によって実施されることを特徴とする方法。 - 請求項5から10のいずれか1項記載の方法において、
ステップd)における各インゴットブロックごとの機械的欠陥ポジション特定は、前記インゴットブロックの一方の側を赤外線で照射し、透過した赤外線の強度を該インゴットブロックの他方の側で測定することによって実施されることを特徴とする方法。 - 請求項5から11のいずれか1項記載の方法において、
ステップd)とステップf)の間に設けられた付加的なステップe)において、機械的欠陥各々のポジションのz座標が前記インゴットブロックにマークされ、ステップf)後にマークをもつ半導体ウェハがステップh)において抜き出されることを特徴とする方法。 - 請求項5から12のいずれか1項記載の方法において、
ステップd)の後に設けられた付加的なステップe)において、機械的欠陥ポジションのz座標と、ステップf)で実施された切断の位置とから、少なくとも1つの機械的欠陥を有する半導体ウェハが特定され、該半導体ウェハがステップh)において抜き出されることを特徴とする方法。 - 請求項5から13のいずれか1項記載の方法において、
ステップd)の後に設けられた付加的なステップe)において、機械的欠陥ポジションのz座標と、ステップf)で実施された切断の位置とから、少なくとも1つの機械的欠陥を有する半導体ウェハが特定され、
該半導体ウェハおよび所定数の隣り合う半導体ウェハが付加的なステップg)において個別に機械的欠陥について検査され、
ステップh)において、前記ステップg)で機械的欠陥がみつかったすべての半導体ウェハが抜き出されることを特徴とする方法。 - 走査型超音波顕微鏡において、
x,y平面に位置する少なくとも1つの平坦面(6)を備えた検査すべきインゴットブロック(1)のための保持装置と、
超音波信号を発生および検出するための少なくとも2つの超音波ヘッド(2)と、
該少なくとも2つの超音波ヘッド(2)がx,y方向で移動不可能に取り付けられている第1の取り付け装置と、
前記超音波ヘッド(2)をx、y平面に対し垂直なz方向で前記保持装置に対し相対的に移動させることのできる位置調節装置と、
前記取り付け装置と前記保持装置を互いに相対的にx,y方向で移動させることのできる走行装置と、
該走行装置と前記位置調節装置を制御する制御ユニット(12)と、
前記超音波ヘッド(2)により検出された超音波信号を処理する評価ユニットが設けられていることを特徴とする、
走査型超音波顕微鏡。 - 請求項15記載の走査型超音波顕微鏡において、
超音波ヘッド(2)各々のために1つの位置調節装置が設けられており、該位置調節装置により各超音波ヘッド(2)は、x,y平面に対し垂直なz方向で他の超音波ヘッド(2)とは独立して前記取り付け装置に対し相対的に移動可能であることを特徴とする走査型超音波顕微鏡。 - 請求項15または16記載の走査型超音波顕微鏡において、
別の取り付け装置が設けられており、該別の取り付け装置に少なくとも2つの別の超音波ヘッド(2)が第1の取り付け装置と同様に取り付けられており、
該少なくとも2つの別の超音波ヘッド(2)は、超音波ヘッド(2)を備えた前記の2つの取り付け装置双方の間に前記インゴットブロック(1)を配置できるように設けられていて、
該インゴットブロック(1)は第1の平坦な平面(6)を通して、第1の取り付け装置に取り付けられた超音波ヘッド(2)により検査され、かつ前記第1の平坦な面(6)に対し平行な第2の平面(7)を通して、第2の取り付け装置に取り付けられた超音波ヘッド(2)により検査されることを特徴とする走査型超音波顕微鏡。 - 請求項15から17のいずれか1項記載の走査型超音波顕微鏡において、
前記超音波ヘッド(2)は、僅かに集束する超音波ヘッドまたは集束しない超音波ヘッドであることを特徴とする、走査型超音波顕微鏡。 - 請求項1から4のいずれか1項記載の方法において、
前記超音波パルス(8)は集束されないかまたはごく僅かに集束されることを特徴とする方法。
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DE102006032431A DE102006032431B4 (de) | 2006-06-22 | 2006-07-13 | Verfahren und Vorrichtung zur Detektion von mechanischen Defekten in einem aus Halbleitermaterial bestehenden Stabstück |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010090640A Division JP5331745B2 (ja) | 2006-06-22 | 2010-04-09 | 半導体ウェハを製造する方法 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009157105A1 (ja) * | 2008-06-27 | 2009-12-30 | 日本エレクトロセンサリデバイス株式会社 | シリコンウエーハの欠陥検査装置及びその欠陥検査方法 |
JP2011099723A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Hitachi Cable Ltd | 超音波検査方法 |
JP2011519026A (ja) * | 2008-04-24 | 2011-06-30 | インスティトゥート フュル アクストミクロスコピー ドクター クラマー ゲーエムベーハー | 半導体材料内部の欠陥を非破壊的に検出する方法及び装置 |
JP2011227018A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-10 | Hitachi Cable Ltd | 半導体単結晶中の欠陥検査方法 |
JP2018093086A (ja) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010040856A1 (de) * | 2010-09-16 | 2012-03-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung einer Orientierung eines innerhalb eines mechanischen Bauteils bestehenden Defektes |
US11327050B2 (en) * | 2018-02-20 | 2022-05-10 | Intel Corporation | Mechanical failure monitoring, detection, and classification in electronic assemblies |
DE102019104430B4 (de) * | 2019-02-21 | 2024-04-18 | Koenig & Bauer Ag | Vorrichtung zum Prüfen von zumindest einem Prüfkörper |
KR102340109B1 (ko) * | 2019-10-29 | 2021-12-17 | 주식회사 쎄닉 | 잉곳성장용기 측정장치 및 잉곳성장용기 측정방법 |
KR102176423B1 (ko) * | 2020-04-22 | 2020-11-09 | 주식회사 휘찬정밀 | 그라파이트 전극 제조방법 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4919940B1 (ja) | 1970-02-02 | 1974-05-21 | ||
US4028933A (en) | 1974-02-15 | 1977-06-14 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford Junior University | Acoustic microscope |
DE2504988C2 (de) | 1974-02-15 | 1984-08-23 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University, Stanford, Calif. | Akustisches Mikroskop |
DE2936882C2 (de) | 1979-09-12 | 1985-03-21 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Prüfeinrichtung zur Feststellung und Analyse von Materialfehlern |
US4524622A (en) | 1982-07-20 | 1985-06-25 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Method and apparatus of ultrasonic flaw detection |
JPS5917154A (ja) | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Kobe Steel Ltd | 超音波法による欠陥の検出方法 |
JPS5960354A (ja) | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Toshiba Corp | 超音波探傷装置 |
JPS61241659A (ja) | 1985-04-19 | 1986-10-27 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 検査装置 |
JPS63121748A (ja) | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 超音波探傷装置 |
JPH02238356A (ja) | 1989-03-13 | 1990-09-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体単結晶インゴットの判定方法 |
JPH04328460A (ja) | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Canon Inc | 超音波映像装置 |
KR100278807B1 (ko) | 1998-05-01 | 2001-01-15 | 신덕교 | 웨이퍼 검사 시스템 |
US6047600A (en) | 1998-08-28 | 2000-04-11 | Topaz Technologies, Inc. | Method for evaluating piezoelectric materials |
US6112738A (en) * | 1999-04-02 | 2000-09-05 | Memc Electronics Materials, Inc. | Method of slicing silicon wafers for laser marking |
GB2373329B (en) | 2000-05-05 | 2003-03-05 | Acoustical Tech Sg Pte Ltd | Acoustic microscope |
US6439054B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-08-27 | Honeywell International Inc. | Methods of testing sputtering target materials |
US6460414B1 (en) | 2000-11-17 | 2002-10-08 | Sonoscan, Inc. | Automated acoustic micro imaging system and method |
JP2002340865A (ja) | 2001-05-15 | 2002-11-27 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 鋼塊の等軸晶評価方法 |
JP4092946B2 (ja) * | 2002-05-09 | 2008-05-28 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにシリコン単結晶の製造方法 |
US6825487B2 (en) * | 2002-07-30 | 2004-11-30 | Seh America, Inc. | Method for isolation of wafer support-related crystal defects |
JP4247007B2 (ja) | 2003-01-31 | 2009-04-02 | 富士通株式会社 | 半導体ウエハの評価方法および半導体装置の製造方法 |
JP3861833B2 (ja) | 2003-03-14 | 2006-12-27 | 株式会社日立製作所 | 超音波検査方法及び装置 |
JP4322620B2 (ja) * | 2003-06-17 | 2009-09-02 | 株式会社東芝 | 3次元超音波画像化装置 |
JP4396640B2 (ja) | 2004-02-03 | 2010-01-13 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法及び半導体インゴットの切断位置決定システム |
JP2006045007A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | シリコン単結晶の品質評価方法 |
DE102006005448B4 (de) | 2005-04-11 | 2011-02-10 | Pva Tepla Analytical Systems Gmbh | Akustisches Rastermikroskop und Autofokus-Verfahren |
-
2007
- 2007-05-15 SG SG200703478-8A patent/SG138524A1/en unknown
- 2007-06-15 JP JP2007159543A patent/JP2008003085A/ja active Pending
- 2007-06-19 US US11/764,854 patent/US8038895B2/en active Active
- 2007-06-21 KR KR1020070061291A patent/KR100904693B1/ko active IP Right Grant
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011519026A (ja) * | 2008-04-24 | 2011-06-30 | インスティトゥート フュル アクストミクロスコピー ドクター クラマー ゲーエムベーハー | 半導体材料内部の欠陥を非破壊的に検出する方法及び装置 |
WO2009157105A1 (ja) * | 2008-06-27 | 2009-12-30 | 日本エレクトロセンサリデバイス株式会社 | シリコンウエーハの欠陥検査装置及びその欠陥検査方法 |
JP2010008392A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Nippon Electro Sensari Device Kk | ウエーハ欠陥検査装置 |
US8654191B2 (en) | 2008-06-27 | 2014-02-18 | Nippon Electro-Sensory Devices Corporation | Defect inspection device and defect inspection method for silicon wafer |
JP2011099723A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Hitachi Cable Ltd | 超音波検査方法 |
JP2011227018A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-10 | Hitachi Cable Ltd | 半導体単結晶中の欠陥検査方法 |
JP2018093086A (ja) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8038895B2 (en) | 2011-10-18 |
KR20070121592A (ko) | 2007-12-27 |
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