JP5327671B2 - 発光性遷移金属錯体 - Google Patents

Description

本発明は、遷移金属錯体からなる励起発光素子用の蛍光体あるいは燐光体、及びその製造方法、ならびにそれを用いた発光素子に関する。

本発明は、ＬＥＤ等に用いる発光素子として好適な蛍光体あるいは燐光体に関する。

本発明に係る蛍光体あるいは燐光体は、ＬＥＤ用発光体素子として提供することができ、また、他の照明用途や、表示デバイス分野でも、液晶のバックライトやＣＲＴ用の発光体にも応用することができる。さらに、ＦＥＤ（電界放射型ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ）、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などの電子表示デバイスにも応用できる。

ＬＥＤ用の発光体としては、無機化合物の固体（粉末）からなる発光体が用いられている（例えば、特許文献１参照。）が、ポリマー性樹脂中に発光体を練り込んで樹脂組成物とし、その樹脂組成物を励起光発光素子部の上に塗布、モールドして製造することから、発光体がポリマー性樹脂などの部材への親和性が高く、加工が容易で、溶剤に溶解して塗布するなど形状変化の自由度の高さを有する有機性の発光体が望まれている。

特開２００４−６３２３９号公報 特開２００５−２５５７７３号公報 特開２００６−１９３５７３号公報

本発明の目的は、遷移金属錯体からなる励起発光素子用の蛍光体あるいは燐光体を提供することにある。

そこで本発明者らは、かかる状況下、上記の課題を解決すべく、遷移金属錯体からなる発光体について鋭意検討した結果、ある種の有機性配位子に、特定の遷移金属元素が４配位結合した遷移金属錯体が、紫外線で励起され発光することを見出すに至った（特許文献２及び３参照。）。

さらに、遷移金属錯体からなる発光体についての研究を進めた結果、式（１）で示される構造を有することを特徴とする発光性遷移金属錯体が、特長ある発光特性を示し、特に２配位結合の遷移金属錯体が有用な発光特性を有する蛍光体あるいは燐光体であることを見出した。

（１）
（式（１）中、Ｍは、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｐｔ、Ｐｄの遷移金属イオンのいずれかであり、配位基Ｌ_１またはＬ_２は、Ｘあるいは、Ｍに配位しているＹとＺを有する複素環で、その複素環は縮環構造を形成していてもいなくても良い。Ｘはハロゲン化物イオンまたは対アニオンＣｌＯ_４ ^―、ＰＦ_６ ^―、ＢＦ_４ ^―
、ＣＦ_３ＳＯ_３ ^―、Ｂ（Ｃ_６Ｈ_５)_４ ^―のいずれかであるが、Ｌ_１およびＬ_２が共にＸであることはない。ＹはＮ、Ｓ、Ｐ、Ｏの原子である。Ｚは −ＣＲ^３＝ＣＲ^４−, −Ｎ＝ＣＲ^５−, −ＮＲ^６−, または−Ｏ−である。ここで、Ｌ_ｎがＸの場合は、Ｌ_ｎに結合するｌｉｎｋｅｒがなくてもよい。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６は水素原子、もしくは炭素数１から２０の範囲の有機基である。Ｒ^１は水素原子、ハロゲン原子もしくは炭素数１から２０の範囲の有機基であり、Ｒ²は水素原子、ハロゲン原子もしくは炭素数１から２０の範囲の有機基である。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６のうちいずれかが縮環構造を形成する場合、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６のうち２つ以上が互いに連結して環を形成しても良い。ｌｉｎｋｅｒは、炭素原子数が１から２０の範囲の直鎖または分岐のアルキレン基であり、該アルキレン基中の１つもしくは隣接しない２つ以上のメチレン基は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝Ｎ−のいずれか１つ以上で置き換えられてもよく、該アルキレン基中の水素原子は、ハロゲン原子で置き換えられてもよい。ｂａｓｅｍｅｎｔは、炭素数が１から３０の範囲の炭化水素基かまたはＮ、Ｓ、Ｐ、Ｏからなる群より選ばれる１種以上を含有し炭素数が１から３０の範囲のヘテロ化合物残基を表す。Ｔ_ｎは、ｂａｓｅｍｅｎｔに結合するｎ個の有機基であって、炭素原子数が１から２０の範囲の直鎖または分岐のアルキル基であり、該アルキル基中のメチレン基および水素原子は上記ｌｉｎｋｅｒの場合と同様に置換されてもよい。ｎは０以上５以下の整数である。複数個のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ｌｉｎｋｅｒ、ｂａｓｅｍｅｎｔが存在する場合、これらは互いに独立である。）

本発明の発光素子用遷移金属錯体は、２〜３配位結合した錯体であり、従来の遷移金属錯体とは異なる発光特性を有することから有用な発光素子として使用することができるのみならず、該配位子が有機物からなるので形状を自由に変化させて素子に設置することができ、工業的にきわめて有用なものとなる。

発光性遷移金属錯体の基本構造を示す図である。 １，３，５−トリス（２−（６−メチル−２−ピリジニル）エチル）−２，４，６−トリエチルベンゼン（Ｃｏｍ−１）と塩素原子を配位子とする２配位銅錯体の立体構造式を示す図である。 １，３，５−トリス（２−（２−ピリジニル）エチル）−２，４，６−トリエチルベンゼンと塩素原子を配位子とする２配位銅錯体の立体構造式を示す図である。 １，３，５−トリス（２−（６−メチル−２−ピリジニル）エチル）−２，４，６−トリエチルベンゼン（Ｃｏｍ−１）と塩素原子を配位子とする２配位銅錯体の発光特性を示す図である。

以下に本発明について詳しく説明する。本発明は、式（１）で示される構造を有することを特徴とする発光性遷移金属錯体が、特長ある発光特性を有する蛍光体あるいは燐光体である。

（１）
（式（１）中、Ｍは、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｐｔ、Ｐｄの遷移金属イオンのいずれかであり、配位基Ｌ_１またはＬ_２は、Ｘあるいは、Ｍに配位しているＹとＺを有する複素環で、その複素環は縮環構造を形成していてもいなくても良い。Ｘはハロゲン化物イオンまたは対アニオンＣｌＯ_４ ^―、ＰＦ_６ ^―、ＢＦ_４ ^―
、ＣＦ_３ＳＯ_３ ^―、Ｂ（Ｃ_６Ｈ_５)_４ ^―のいずれかであるが、Ｌ_１およびＬ_２が共にＸであることはない。ＹはＮ、Ｓ、Ｐ、Ｏの原子である。Ｚは −ＣＲ^３＝ＣＲ^４−, −Ｎ＝ＣＲ^５−, −ＮＲ^６−, または−Ｏ−である。ここで、Ｌ_ｎがＸの場合は、Ｌ_ｎに結合するｌｉｎｋｅｒがなくてもよい。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６は水素原子、もしくは炭素数１から２０の範囲の有機基である。Ｒ^１は水素原子、ハロゲン原子もしくは炭素数１から２０の範囲の有機基であり、Ｒ²は水素原子、ハロゲン原子もしくは炭素数１から２０の範囲の有機基である。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６のうちいずれかが縮環構造を形成する場合、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６のうち２つ以上が互いに連結して環を形成しても良い。ｌｉｎｋｅｒは、炭素原子数が１から２０の範囲の直鎖または分岐のアルキレン基であり、該アルキレン基中の１つもしくは隣接しない２つ以上のメチレン基は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝Ｎ−のいずれか１つ以上で置き換えられてもよく、該アルキレン基中の水素原子は、ハロゲン原子で置き換えられてもよい。ｂａｓｅｍｅｎｔは、炭素数が１から３０の範囲の炭化水素基かまたはＮ、Ｓ、Ｐ、Ｏからなる群より選ばれる１種以上を含有し炭素数が１から３０の範囲のヘテロ化合物残基を表す。Ｔ_ｎは、ｂａｓｅｍｅｎｔに結合するｎ個の有機基であって、炭素原子数が１から２０の範囲の直鎖または分岐のアルキル基であり、該アルキル基中のメチレン基および水素原子は上記ｌｉｎｋｅｒの場合と同様に置換されてもよい。ｎは０以上５以下の整数である。複数個のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ｌｉｎｋｅｒ、ｂａｓｅｍｅｎｔが存在する場合、これらは互いに独立である。）

式（１）中の配位基Ｌ_ｎは、ＸあるいはＹとＺを有する複素環構造を示し、その複素環と縮環構造を形成していてもいなくても良い。前記Ｘは、ハロゲン化物イオンであるＦ^―、Ｃｌ^―、Ｂｒ^―、Ｉ^―、または対アニオンＣｌＯ_４ ^―、ＰＦ_６ ^―、ＢＦ_４ ^―
、ＣＦ_３ＳＯ_３ ^―、Ｂ(Ｃ_６Ｈ_５)４ ^―より選ばれる１種以上が好ましく、Ｃｌ^―種が最も好ましい。

前記ＸがＭに配位する数は、０個または１個であり、Ｌ_ｎがＸの場合には、ｌｉｎｋｅｒはなくてもよい。

式（１）中のＭが、２配位結合する銅イオンである場合には、特異的に配位子と銅および配位子が、ほぼ直線上に配列する特性がある。

前記のＹとＺを有する複素環構造は、具体的には、ピロール、インドール、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ビピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、フェナントロリン等が挙げられ、また含窒素複素環には、酸素原子を含む複素環でもよく、オキサゾール、オキサゼン、オキサジン、さらに、硫黄原子を含むものでもよく、チアゾール、ベンゾチアゾールなどを挙げられる。
これら各複素環に結合している任意の水素原子が別の置換基Ｒ^１またはＲ^２が結合していてもよい。

置換基Ｒ^１またはＲ^２としては、フッ素基、（−Ｆ）、塩素基（−Ｃｌ）、臭素基（−Ｂｒ）、ヨウ素基（−Ｉ）、メチル基（−ＣＨ_３）、エチル基（−ＣＨ_２ＣＨ_３）、プロピル基（−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）、イソプロピル基（−ＣＨ（ＣＨ_３）_２）、ｔ−ブチル基（-Ｃ（ＣＨ_３）_３）、ジメチルアミノ基（−Ｎ（ＣＨ_３）_２）、メトキシ基（−ＯＣＨ_３）等が挙げられる。

なかでも、含窒素複素環化合物の中でも６−メチルピリジン残基がＬ_ｎとして最も好ましい。

式（１）におけるｌｉｎｋｅｒは、炭素原子数が１から２０の範囲の直鎖または分岐のアルキレン基であり、該アルキレン基中の１つもしくは隣接しない２つ以上のメチレン基は、−O−、−CO−、−O−CO−、−CH=CH−、−C≡C−、−N=N−のいずれか１つ以上で置き換えられてもよく、該アルキレン基中の水素原子は、ハロゲン原子で置き換えられてもよい。該アルキレン基の炭素原子数は、１から１５が好ましく、１から１０がより好ましく、１から５がさらに好ましい。最も好ましくは２であり、エチレン基である。ただし、式（１）におけるＬ_ｎがＸの場合には、ｌｉｎｋｅｒはなくてもよい。

式（１）においてｂａｓｅｍｅｎｔに結合しているｎ個のＴ_ｎは互いに独立に、Ｔ_ｎは炭素原子数が１から２０の範囲の直鎖または分岐のアルキル基であり、該アルキル基中のメチレン基および水素原子は上記ｌｉｎｋｅｒの場合と同様に置換されてもよい。アルキル基の炭素原子数は、１から１５が好ましく、１から１０がより好ましく、１から５がさらに好ましい。最も好ましくは２の場合であり、すなわちＴ_ｎがエチル基の場合である。

Ｔ_ｎ中のｎは、ｂａｓｅｍｅｎｔに結合する有機基Ｔの数であり、０以上５以下の範囲の整数である。ｎが０の場合、Ｔは水素原子を意味する。ｎは、２以上６以下の範囲が好ましく、最も好ましくは３である。

式（１）におけるｂａｓｅｍｅｎｔは、炭素数が１から３０の範囲の炭化水素基かまたはＮ、Ｓ、Ｐ、Ｏからなる群より選ばれる１種以上を含有し炭素数が１から３０の範囲のヘテロ化合物残基を表し、その価数は（ｎ＋３）価である。ｂａｓｅｍｅｎｔとしては、直鎖または分岐のアルキレン基、芳香族炭化水素ａ残基（ａ＝ｎ＋３）およびＮ、Ｓ、Ｐ、Ｏからなる群より選ばれる１種以上の原子を含有するヘテロ化合物のａ残基（ａ＝ｎ＋３）が挙げられる。前記アルキレン基としては、一般式、−（ＣＨ_２）_ｋ−（ｋは１以上３０以下）で示される直鎖または分岐の鎖状構造よりは環状構造を有するものが好ましく、具体的には、シクロヘキサンａ残基、アダマンタンａ残基などが挙げられる。前記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピレン、ペリレンなどが挙げられる。Ｎ、Ｓ、Ｐ、Ｏからなる群より選ばれる１種以上を有してなる前記ヘテロ化合物としては、ピリジン、フラン、チオフェンなどが挙げられる。これらの化合物の中で、芳香族炭化水素が好ましく、ベンゼンが最も好ましい。

配位子として、Ｌ_ｎ：６−メチルピリジン１残基、ｂａｓｅｍｅｎｔ：ベンゼン６残基、ｌｉｎｋｅｒ：エチレン基、Ｔ_ｎ：エチル基（ｎ＝３）の組み合わせからなる化合物が特長的な発光性を示すので、より好ましく、最も好ましくは、ｌｉｎｋｅｒのエチレン基がｂａｓｅｍｅｎｔのベンゼン環の１、３、５位に、Ｔのエチル基がｂａｓｅｍｅｎｔのベンゼン環の２、４、６位に結合しており、Ｌ_ｎの６−メチルピリジン１残基の２位にｌｉｎｋｅｒが結合している化合物（１，３，５−トリス（２−（６−メチル−２−ピリジニル）エチル）−２，４，６−トリエチルベンゼン：Ｃｏｍ−１）である。

Ｃｏｍ−１
Ｃｏｍ−１の化学式中のＭｅは、メチル基を示す。

本発明の蛍光体をなす遷移金属錯体においては、遷移金属イオンと配位子から構成される擬似一分子構造を構成してもよいが、配位子の配位結合部が分子の外側に向いて金属イオンと配位結合し、多次元発散型配位結合を形成してもよい。

次に、本発明の励起発光体の製造方法について説明する。
まず、本発明の発光体に用いる配位子は、次のようにして合成することができるが、合成方法はこれに限定されるものではない。

例えば、本発明の蛍光体をなすＬ_ｎとして最も好ましい化合物である１，３，５−トリス（２−（６−メチル−２−ピリジニル）エチル）−２，４，６−トリエチルベンゼンは、次のスキームに従って合成することができる。
１，３，５−トリエチルベンゼンをホルムアルデヒド、亜鉛、臭化水素酸、酢酸共存下において、９５℃で下記式（２）に従って反応させることにより、１，３，５−トリス（ブロモメチル）−２，４，６−トリエチルベンゼンを合成することができる（参考文献：
Ｃ．Ｗａｌｓｄｏｒｆｆ，ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｓ．，１９９６，（Ｓ）２８２，（Ｍ）１６０１-１６０９）。
（２）

そして、２，６−ジメチルピリジンをＴＨＦ中において、−８０℃でｎ−ブチルリチウムでメチル基をリチオ化し、これと、先に合成した１，３，５−トリス（ブロモメチル）−２，４，６−トリエチルベンゼンを下記式（３）に従って反応させることにより、目的とする１，３，５−トリス（２−（６−メチル−２−ピリジニル）エチル）−２，４，６−トリエチルベンゼンを合成することができる。
（３）

遷移金属錯体は、目的の遷移金属錯体を構成する配位子と金属塩のモル比が所定の比率になるように秤量し、金属塩と配位子をそれぞれ別々の溶剤（金属イオンにはアセトン、アセトニトリルなど、配位子には酢酸エチル、塩化メチレンなどを用いることができる。）に溶解し、液相拡散法により得て、結晶を調製することができる。また、例えば最少量のアセトニトリル等の溶剤に加熱溶解し、溶液を冷却させることによって、結晶性固体を得ることができる。また、過剰量の溶剤で溶解した後、極低温にするか、溶剤を蒸発させるか、または貧溶媒（例えばメタノールなど）を添加して溶解度を低下させるなどして、結晶性固体を得ることもできる。遷移金属イオンが酸化されやすい場合は、嫌気雰囲気下（例えば、グローブボックスを用いるなどしてＯ_２濃度が１体積ｐｐｍ未満で、Ｈ_２Ｏ濃度が１体積ｐｐｍ未満とすることができる。）で行うことが好ましい。ただし、例えば、遷移金属イオンが銅イオンであり、対アニオンが塩化物イオンの場合は、嫌気雰囲気でなくてもよい。このとき、銅イオン源としてＣｕＣｌを用いることができる。そして、得られた銅錯体の結晶は、ろ過によって取り出すことができ、洗浄してもよい。

本発明の遷移金属錯体を調製するための出発原料として用いる銅塩、配位性有機化合物、溶剤は高純度（９８％以上）であることが好ましい。
配位子の調製、または錯体の調製にはガラス管を含むガラス性の反応容器、またはグラスライニングした反応槽、攪拌媒体としては、フッ素樹脂コーティングした攪拌子、ガラス製、またはグラスライニングした攪拌翼を用いることができる。

本発明の発光体を構成する配位子の溶解は、室温から溶剤の沸点より２０℃高い温度範囲にて行うことができる。沸点より高い場合は、還流装置を取り付ける。

高分子（樹脂を含む）中に本発明の発光体を存在させるには、高分子溶液中に、遷移金属塩、配位子となる低分子の有機化合物を共存させ、溶剤を留去することで可能である。その他、遷移金属錯体を粉末にし、高分子中に混練して分散させることでも可能である。

遷移金属錯体の同定は、元素分析、質量分析、ＩＲ、ＵＶ−ｖｉｓ、蛍光測定、ＥＳＲ、ＸＲＤ、４軸、イオンプレート法などの構造解析装置を用いて、直接的または間接的に行うことが可能である。

さらに、上記方法にて得られる遷移金属錯体を、例えば、ボールミル、振動ミル、アトライター、ジェットミル等の工業的に通常用いられている粉砕装置を用いて粉砕することができる。また、分級し、粒度を揃えることができる。また、微粒化には、錯体溶液を静電噴霧やエマルジョン法などにより微小の液滴を調製し、乾燥してもよい。

本発明の遷移金属錯体からなる発光体は、例えば特開２００３−２７２５２７号公報に開示されている水銀フリー蛍光ランプなどに利用できる。ここで、発光体の塗布は、ガラスパイプ内に銅錯体からなる本発明の発光体の溶液を流し込んで乾燥させるかまたは、または発光体を溶剤に分散させたスラリーを塗布し、溶剤を乾燥することで、発光体層を形成する。その後、ガラスパイプ端部を封止、希ガス封入後、他端も封止して密閉する。その後、外部電極を形成することにより、水銀フリー蛍光ランプ（希ガスランプ）を製造することができる。

なお、本発明の発光体は、錯体の原料溶液や原料と樹脂の混合溶解液を各種基板へ展開することで、または、ゼオライト、ＭＣＭ−４１などのマイクロポーラス、メソポーラス材料内に浸潤させた後に、溶剤を留去、乾燥することで、細孔の表面に析出させ、薄膜を形成することが可能である。また、粘土鉱物やＬＢ膜の積層構造の中に錯体を存在させることも可能である。微粒子化した金属錯体は、非溶解性溶剤に分散の後、スピンコーター、アプリケーター、スクリーン印刷などで薄膜、厚膜の生成が可能である。このように本発明の発光体は有機物からなるので、形状を自由に変化させることができ、様々な部材へ導入することもできるなど、励起発光素子の設計に自由度を付与するものである。

本発明の発光体は、可視光、紫外線、真空紫外線、真空紫外線よりも短波長の光、電子注入、電界、熱、応力、超音波、電磁波以外の放射線の何れか１種以上の励起源により発光させることができるので、三波長型蛍光ランプなどの紫外線発光素子、ＬＥＤなどの紫外・可視励起発光素子、ＣＲＴなどの電子線励起発光素子、高分子ＬＥＤ、有機ＥＬなどの電子注入励起発光素子、フィルムバッチなどの電磁波以外の放射線による励起発光素子にも用いることができる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
得られた化合物の同定には以下の装置を使用した。
ＩＲスペクトル：島津製作所製 ＦＴＩＲ−８２００ＰＣ（ＫＢｒ錠剤法：固体試料をＫＢｒに分散し、ペレット化し測定）、ＵＶ−ｖｉｓスペクトル：Ｈｅｗｌｅｔｔ
Ｐａｃｋａｒｄ社製 ８４５３Ｐｈｏｔｏ ｄｉｏｄｅ ａｒｒａｙ分光光度計（固体試料を硫酸バリウムに分散し、試料基板に載せ、光の反射より、吸収を見る）、^１Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ
ＦＴ−ＮＭＲ（固体試料を重溶媒（重クロロホルム）に溶解し、測定）、マススペクトル：ＪＥＯＬ社製ＪＭＳ−７００Ｔ Ｔａｎｄｅｍ ＭＳ−ｓｔａｔｉｏｎ質量分析計、ＥＳＩ−ＭＳ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｓｐｒａｙ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒａ）、単結晶Ｘ線構造解析：リガク社製 ＲＡＸＩＳ−ＲＡＰＩＤイメージングプレート（０．２ｍｍ角程度の結晶をガラスファイバー上またはキャピラリー中にマウントし、Ｘ線を照射し、その回折像より、構造解析（ｔｅＸｓａｎ）を行った。）、発光特性：蛍光分光装置（ＪＯＢＩＮ ＹＶＯＮ社製 ＳＰＥＸ ＦＬＵＯＲＯＬＯＧ）を用いて測定した。

配位子 １，３，５−トリス（２−（６−メチル−２−ピリジニル）エチル）−２，４，６−トリエチルベンゼン（Ｃｏｍ−１）の調製
１００ｍＬ二口反応容器に回転子を入れ、二方コックとセプタムキャップを取り付け、容器全体を減圧乾燥し、二口反応容器内を窒素下に保った。２，６−ジメチルピリジン （１．６０ｇ、１４．９ｍｏｌ）、脱水 ＴＨＦ（４０ｍＬ）を加えて溶かした後、液体窒素を使ったアセトン浴を用いて反応系を−９４℃まで冷却した。次いでｎ−ブチルリチウム（９．６ｍＬ、１５．０ｍｍｏｌ）を加えた。溶液の色は赤褐色に変化し、冷アセトン浴を外して３時間程度放置した後、溶液の色は濃赤褐色に変化した。この溶液を、再びアセトン浴を用いて−９４℃
まで冷却し、１，３，５−トリス（ブロモメチル）−２，４，６−トリエチルベンゼン（２．０ｇ，４．５ｍｍｏｌ）の脱水ＴＨＦ溶液（４０ｍＬ）に溶かした溶液を、１０分間程度でゆっくりと滴下した。滴下後、この溶液を室温まで昇温して
１６時間撹拌した。次に、開放系にして反応を終了させ、溶媒をエバポレーターで留去した。得られた残渣に２８％アンモニア水（１０ｍＬ）と塩化メチレン（２５ｍＬ）を加えて撹拌し、脱塩を行った後、塩化メチレン層を集めた。さらにクロロホルム（２５ｍＬx３）で抽出した。エバポレーターで濃縮し、カラムクロマトグラフィー(充填剤：アルミナ，
展開溶媒:クロロホルム:ヘキサン＝１：２)で原点成分を除去した。さらにカラムクロマトグラフィー(充填剤：シリカゲル，展開溶媒酢酸エチル：クロロホルム＝１：１)により Ｒｆ ＝０．１８の成分を集めた。溶媒をエバポレーターで留去した後、減圧乾燥したところ、 収量２．０６ｇ、収率８７％で１，３，５−トリス（２−（６−メチル−２−ピリジニル）エチル）−２，４，６−トリエチルベンゼンを得た。
得られたものを同定した結果以下のとおりの分析値を得た。
ＩＲ(ＫＢｒ)：３０６０(ｓ，ｓｐ_２Ｃ−Ｈ), ２９６５， ２９２８， ２８７０（ｓ，ｓｐ_３Ｃ−Ｈ), １５９０(ｓ), １５７７（ｓ），１４５５(ｓ)，１３７５(ｍ) ｃｍ^-１
１Ｈ−ＮＭＲ(４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３) δ１．２１ (ｔ，９Ｈ，ＰｈＣＨ_２ＣＨ_３，Ｊ＝７．４Ｈｚ)，２．５８（ｓ，９Ｈ，６−ＣＨ_３−ｐｙ）２．７４（ｑ,６Ｈ,ＰｈＣＨ_２ＣＨ_３，Ｊ＝７．４ Ｈｚ)，２９４−３．０１（ｑ，１２Ｈ，ＰｈＣＨ_２ＣＨ_２，Ｊ＝６．３Ｈｚ)，６．９２(ｄ，３Ｈ，３−Ｈ−ｐｙ，Ｊ＝７６Ｈｚ)，７．００（ｄ，３Ｈ，５−Ｈ−ｐｙ，Ｊ＝７．６Ｈｚ)，７．４９（ｔ，３Ｈ，４−Ｈ−ｐｙ，Ｊ＝７．６Ｈz）
ＥＳＩ−ＭＳ(ｐｏｓ)：ｍ／ｚ ＝ ５２０．５(（Ｌ＋Ｈ）^＋)，ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_３６ Ｈ_４６Ｎ_３

配位子 １，３，５−トリス（１−メチル−２−イミダゾリルエチル）−２，４，６−トリエチルベンゼン（Ｃｏｍ−２）の調製
１００ｍＬ二口反応容器に回転子を入れ、二方コックとセプタムキャップを取り付け、容器全体を減圧乾燥し、二口反応容器内を窒素下に保った。二口反応容器を窒素下にして、脱水エタノール（８ｍＬ）、１，２−ジメチルイミダゾール（０．３５６ｇ，３．４２ｍｍｏｌ）、テトラメチルエチレンジアミン（０．５ｍＬ，３．４２ｍｍｏｌ）を加え攪拌した。液体窒素を使いアセトン浴を用いて反応系を−９４℃まで冷却した。
そして、ｎ−ブチルリチウム（２．４３ｍＬ，３．４２ｍｍｏｌ）を加えた。この時、溶液は黄色に変化した。１時間攪拌後、１，３，５−トリス（ブロモメチル）−２，４，６−トリエチルベンゼン（０．５０５ｇ，１．１５ｍｍｏｌ）を脱水ＴＨＦ溶液（４ｍＬ）に溶かした溶液を１０分間程度でゆっくり加えた。さらにＴＨＦ(４ｍＬ)で洗浄して加えた。黄色の溶液から徐々に白濁した。冷アセトン浴（−９４℃）は取り外し、油浴を用いて４０℃で一晩温めた。薄層クロマトグラフィー (展開溶媒：クロロホルム、Ｉ_２法で検出)で反応が進んでいることを確認した。ｎ−ブチルリチウムを蒸留水(２ｍＬ)で失活させた後、エバポレーターで蒸発乾固させ、ＣＨ_３ＣＮに溶解させて溶けない沈殿を吸引ろ過により取り除いた。そして、得られたろ液をエバポレーターで濃縮した。エチルエーテルを加えて１時間静置して、その後デカンテーションによりエチルエーテル層を除去し、エチルエーテルに溶ける成分を取り除いた。残渣として得られた淡黄色の油状物質に塩化メチレンを加え、塩化メチレンに可溶な成分を溶出した。集めた塩化メチレン層をエバポレーターで乾固させ、得られた淡黄色の粉末を集めて、収量０．４１３ｇ、収率７４％で１，３，５−トリス（１−メチル−２−イニダゾリルエチル）−２，４，６−トリエチルベンゼンを得た。
得られたものを同定した結果以下のとおりの分析値を得た。
ＩＲ(ＫＢｒ)：２９７０(ｓ), ２９３４(ｍ)， ２９０９(ｍ)，２８７２(ｍ，ｓｐ_３Ｃ−Ｈ), １６３６(ｓ), １５２９（ｍ），１４９６(ｓ)，１４６２(ｓ)， １４１５(ｍ)，１３７８(ｍ，Ｃ＝Ｃ，Ｃ＝Ｎ)，１２８３(ｍ) ｃｍ^-１
１Ｈ−ＮＭＲ(４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３) δ１．２２ (ｔ，９Ｈ，ＰｈＣＨ_２ＣＨ_３，Ｊ＝６．９６Ｈｚ)，２．６８ (ｑ，６Ｈ，ＰｈＣＨ_２ＣＨ_３，Ｊ＝７．５６Ｈｚ)，２．８７，３．１１（ｑ，１２Ｈ，ＰｈＣＨ_２ＣＨ_２，Ｊ＝８．６８Ｈｚ)，３．５１（ｓ, ９Ｈ, ＣＨ_３−Ｉｍ），６．８２、７．０１（ｄ,６Ｈ,４，５−Ｈ−Ｉｍ）
ＦＡＢ−ＭＳｍ／ｚ
＝ ４８７．４(（Ｍ＋Ｈ）^＋)，３９１．３(（Ｍ−ＣＨ_２Ｃ_４Ｎ_２Ｈ_５）^＋)，９６．１(（Ｃ_５Ｎ_２Ｈ_８）)
ＨＲＭＳ
ｍ／ｚ ＝ ４８７．３５４６（４８７．３５４９ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_３０ Ｈ_４３Ｎ_６）

配位子Ｃｏｍ−１及びＣｏｍ−２と銅イオンからなる銅錯体は再結晶法によって得た。

遷移金属錯体の発光輝度・スペクトルは、蛍光分光装置（ＪＯＢＩＮ ＹＶＯＮ社製 ＳＰＥＸ ＦＬＵＯＲＯＬＯＧ）を用い測定した。

得られた銅錯体をアルミナ基板上に塗布し、それを二枚の平面電極がある真空排気系に設置し、放電ガス（Ｘｅ５％−Ｎｅ９５％混合ガス）を充填し一定の圧力にする。平面電極に高周波電圧をかけ、放電させて、基板上の銅錯体と発光させて発光素子とした。

Ｃｏｍ−１及び塩素を配位子とする銅錯体の発光特性：

（図４）
蛍光スペクトル(反射)は、固体粉末サンプルをろ紙に付着させた試料を、積分球を装備したＳｈｉｍａｚｕ ＵＶ２５５０を用いて測定した。固体サンプルの燐光スペクトルは、ろ紙に付着させた試料をＪＡＳＣＯ ＦＰ−６３００を用いて測定した。
発光特性：図４に示すとおりの発光特性を得た。

Claims (3)

1. 式（１）：
   （式（１）中、
   Ｍは、２配位の銅イオンであり、
   配位基Ｌ₁またはＬ₂は、Ｘあるいは、Ｍに配位しているＹとＺを有する複素環であり、１価のピリジン残基または６−メチルピリジン残基で、その２位にｌｉｎｋｅｒが結合している。
   Ｘはハロゲン化物イオンまたは対アニオンＣｌＯ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＢＦ₄ ^-、ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-、Ｂ(Ｃ₆Ｈ₅)₄ ^-のいずれかであるが、Ｌ₁およびＬ₂が共にＸであることはない。
   ＹはＮの原子である。
   Ｚは −ＣＲ³＝ＣＲ⁴ −である。
   ここで、Ｌ_nがＸの場合は、Ｌ_nに結合するｌｉｎｋｅｒがなくてもよい。
   Ｒ³、Ｒ ⁴ は水素原子である。
   Ｒ¹はアルキル基であり、
   Ｒ²は水素原子である。
   ｌｉｎｋｅｒは、エチレン基である。
   ｂａｓｅｍｅｎｔは、６置換のベンゼン残基を表す。
   Ｔ_nは、ｂａｓｅｍｅｎｔのベンゼン環の２、４、６位に結合する３個のエチル基である。
   ｎは３であり、ｌｉｎｋｅｒのエチレン基がｂａｓｅｍｅｎｔのベンゼン環の１、３、５位に結合している。
   複数個のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴ 、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ｌｉｎｋｅｒ、ｂａｓｅｍｅｎｔが存在する場合、これらは互いに独立である。）
   で示される構造を有することを特徴とする発光性遷移金属錯体。
2. 前記式（１）において、Ｌ₁またはＬ₂のいずれか一方が塩化物イオンであり、そのＬ₁またはＬ₂にｌｉｎｋｅｒが結合していない請求項１に記載の発光性遷移金属錯体。
3. 請求項１または２に記載の発光性遷移金属錯体を用いてなる蛍光発光素子もしくは燐光発光素子。