JP5303135B2 - ウェーハの加工装置 - Google Patents
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[1]半導体ウェーハ
図1の符号1は半導体ウェーハを示している。このウェーハ1の表面には、格子状の分割予定ラインによって複数の半導体チップ(半導体デバイス)2が区画されている。これら半導体チップ2の表面には、ICやLSI等の電子回路が形成されている。ウェーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)3が形成されている。
次に、図2を参照してダイシング装置10の構成ならびに動作を説明する。
ダイシング装置10は基台11を備えており、基台11の所定位置には、複数のウェーハ1が収容されたカセット12が着脱可能にセットされる。カセット内の1枚のウェーハは、取出し機構13によってダイシングフレーム6ごとカセット12から取り出され、ダイシングフレーム6とともに保持手段20に保持される。保持手段20は、表面が露出する状態にウェーハ1を保持する円盤状のチャックテーブル21と、チャックテーブル21の周囲に配設されてダイシングフレーム6を保持する複数のフレーム保持部30とから構成されている。
まず、チャックテーブル21を回転させて一方向に延びる各分割予定ラインをX方向と平行とし、トレイ42をY方向に適宜移動させてX方向に延びる1本の分割予定ラインのY方向位置をレーザ光線照射位置に定める。この状態から移動台41をX方向に移動させ、分割予定ラインがレーザ光線照射領域(レーザ照射部53の直下)に至ったら、レーザ照射部53からレーザ光線を照射する。移動台41とともにX方向に移動するウェーハ1の、1本の分割予定ラインに対してレーザ光線が照射され、その分割予定ラインがレーザ光線照射領域を逸脱した直後に、レーザ光線の照射を停止する。このようなレーザ光線照射動作を、X方向に延びる全ての分割予定ラインに対して行う。
以上がダイシング装置10の基本構成および動作であり、次に、本発明に係る一実施形態の保持手段20を説明する。上記のように、保持手段20はウェーハ1を保持するチャックテーブル21と、ダイシングフレーム6を保持する複数のフレーム保持部30とから構成されている。
2…半導体チップ
5…ダイシングテープ(粘着テープ)
6…ダイシングフレーム
10…ダイシング装置(加工装置)
20…保持手段
21…チャックテーブル
24…吸着面
30…フレーム保持部
31…ガイドロッド(ガイド部)
32…可動ピース(吸引機構)
33…吸着パッド
36…ロック機構
50…レーザ加工装置(加工手段、レーザ光線照射手段)
60…圧力計
Claims (2)
- リング状のフレームの内側に該フレームに粘着される粘着テープを介して保持されたウェーハを保持する保持手段と、
該保持手段に保持されたウェーハに加工を施す加工手段とを少なくとも備えたウェーハ加工装置であって、
前記保持手段は、
ベースと、該ベース上に着脱自在に重ねて装着され、前記ウェーハが載置されるとともに、該載置されたウェーハを吸引して保持する略水平な吸着面を有するテーブルプレートとを備えたチャックテーブルと、
該チャックテーブルの周囲に配設されて前記フレームを保持する複数のフレーム保持部とを具備し、
前記テーブルプレートは、前記ウェーハの径に応じた外径の異なるテーブルプレートが用意され、前記ベース上には、前記ウェーハの径に応じた外径を有するテーブルプレートが選択されて装着され、
前記フレーム保持部は、前記フレームを吸引して保持する吸着面を有する吸引機構と、前記チャックテーブルの前記吸着面と平行方向に延び、前記吸引機構を前記チャックテーブルに対して進退自在に支持するガイド部と、該ガイド部の任意の位置に前記吸引機構を係脱自在にロックさせるロック機構とを有し、
さらに前記吸引機構の前記吸着面が、ウェーハ加工時に、少なくとも前記フレームの厚さ分、前記チャックテーブルの前記吸着面よりも前記吸引方向に位置付けられるとともに、該吸引機構には、吸引時の圧力を測定することで該吸引機構への前記フレームの吸着状態を確認するための圧力計が設けられていることを特徴とするウェーハの加工装置。 - 前記加工手段が、前記ウェーハにレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの加工装置。
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