JP5288464B2 - 酸化亜鉛薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化亜鉛薄膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5288464B2 JP5288464B2 JP2008303132A JP2008303132A JP5288464B2 JP 5288464 B2 JP5288464 B2 JP 5288464B2 JP 2008303132 A JP2008303132 A JP 2008303132A JP 2008303132 A JP2008303132 A JP 2008303132A JP 5288464 B2 JP5288464 B2 JP 5288464B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- zinc oxide
- oxide thin
- substrate
- spray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
日本学術振興会透明酸化物光電子材料第166委員会編、透明導電膜の技術 改訂2版(2006)、p165〜173 K. Sorab, et al. Appl. Phys. Lett., 37(5), 1 September 1980 J. Aranovich, et al. J. Vac. Sci. Technol., 16(4), July/August 1979
[1]
有機溶媒に有機亜鉛化合物を溶解した溶液を、大気圧または加圧下、水が存在する雰囲気下、かつ300℃以下の基板温度で、基板表面にスプレー塗布して、酸化亜鉛薄膜を形成すること、
前記有機溶媒が、電子供与性を有する溶媒であること、
前記有機亜鉛化合物が、一般式(1)で表される化合物であること
R1−Zn−R1 (1)
(式中、R1は炭素数1〜7の直鎖または分岐したアルキル基である)
を特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。
[2]
前記溶液の有機亜鉛化合物濃度は、15質量%以下である[1]に記載の製造方法。
[3]
前記溶液のスプレー塗布は、塗布液をスプレーノズルより液滴の大きさが1〜30μmの範囲になるように吐出し、かつスプレーノズルと基板との距離を50cm以内として行う[1]または[2]に記載の製造方法。
[4]
スプレー塗布をする雰囲気温度が40℃以下である[1]〜[3]のいずれかに記載の製造方法。
[5]
前記有機亜鉛化合物は、R1が炭素数1、2、3、4、5、または6のアルキル基である化合物である[1]〜[4]のいずれかに記載の製造方法。
[6]
前記有機亜鉛化合物がジエチル亜鉛である[1]〜[4]のいずれかに記載の製造方法。
[7]
前記有機溶媒がジイソプロピルエーテルである[1]〜[6]のいずれかに記載の製造方法。
[8]
前記酸化亜鉛薄膜は、可視光線に対して80%以上の平均透過率を有する[1]〜[7]のいずれかに記載の製造方法。
前記有機溶媒が、電子供与性を有する溶媒であること、
前記有機亜鉛化合物が、一般式(1)で表される化合物であること
R1−Zn−R1 (1)
(式中、R1は炭素数1〜7の直鎖または分岐したアルキル基である)
を特徴とする。
塗布液の調製は窒素ガス雰囲気下で行い、溶媒は全て脱水および脱気して使用した。ジイソプロピルエーテル204.4gにジエチル亜鉛10.76gを加えた。十分攪拌した後ろ過することで塗布液を得た。
塗布液の調製は窒素ガス雰囲気下で行い、溶媒は全て脱水および脱気して使用した。ジイソプロピルエーテル204.4gにジエチル亜鉛21.49gを加えた。十分攪拌した後ろ過することで塗布液を得た。
エタノール、水の体積比が3:1である混合溶媒204.4gに酢酸亜鉛二水和物19.02gを加え、十分攪拌することで塗布液を得た。
実施例1で調製した塗布液に基板を浸漬した後に回収して、基板に塗布液を塗布した。基板上には、不透明な酸化亜鉛薄膜しか得られなかった。
ヘキサン204.3gにジエチル亜鉛10.76gを加えた。十分攪拌した後ろ過することで塗布液を得た。得られた塗布液を実施例1と同様の方法および条件で基板にスプレー塗布した。基板上には、不透明な酸化亜鉛薄膜しか得られなかった。
Claims (8)
- 有機溶媒に有機亜鉛化合物を溶解した溶液を、大気圧または加圧下、水が存在する雰囲気下、かつ300℃以下の基板温度で、基板表面にスプレー塗布して、酸化亜鉛薄膜を形成すること、
前記有機溶媒が、エーテル系溶媒であること、
前記有機亜鉛化合物が、一般式(1)で表される化合物であること
R1−Zn−R1 (1)
(式中、R1は炭素数1〜7の直鎖または分岐したアルキル基である)
を特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。 - 前記溶液の有機亜鉛化合物濃度は、15質量%以下である請求項1に記載の製造方法。
- 前記溶液のスプレー塗布は、塗布液をスプレーノズルより液滴の大きさが1〜30μmの範囲になるように吐出し、かつスプレーノズルと基板との距離を50cm以内として行う請求項1または2に記載の製造方法。
- スプレー塗布をする雰囲気温度が40℃以下である請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
- 前記有機亜鉛化合物は、R1が炭素数1、2、3、4、5、または6のアルキル基である化合物である請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法。
- 前記有機亜鉛化合物がジエチル亜鉛である請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法。
- 前記有機溶媒がジイソプロピルエーテルである請求項1〜6のいずれかに記載の製造方法。
- 前記酸化亜鉛薄膜は、可視光線に対して80%以上の平均透過率を有する請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008303132A JP5288464B2 (ja) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 酸化亜鉛薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008303132A JP5288464B2 (ja) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 酸化亜鉛薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010126402A JP2010126402A (ja) | 2010-06-10 |
JP5288464B2 true JP5288464B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=42327040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008303132A Active JP5288464B2 (ja) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 酸化亜鉛薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5288464B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019167669A1 (ja) | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 東ソー・ファインケム株式会社 | 酸化亜鉛薄膜形成用組成物及び酸化亜鉛薄膜の製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5515144B2 (ja) * | 2009-05-12 | 2014-06-11 | 東ソー・ファインケム株式会社 | ドープ酸化亜鉛薄膜形成用組成物及びドープ酸化亜鉛薄膜の製造方法 |
WO2010123030A1 (ja) | 2009-04-21 | 2010-10-28 | 東ソー・ファインケム株式会社 | ドープまたはノンドープの酸化亜鉛薄膜製造用組成物とそれを用いた酸化亜鉛薄膜の製造方法 |
WO2010131621A1 (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | 国立大学法人 宮崎大学 | ドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物、酸化亜鉛薄膜の製造方法、帯電防止薄膜、紫外線カット薄膜、透明電極薄膜 |
JP5756272B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2015-07-29 | 東ソー・ファインケム株式会社 | 酸化亜鉛薄膜製造用組成物およびドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物 |
JP5702259B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2015-04-15 | 東ソー・ファインケム株式会社 | 複合酸化物薄膜製造用組成物を用いた薄膜の製造方法 |
JP5892641B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2016-03-23 | 東ソー・ファインケム株式会社 | 酸化亜鉛薄膜製造方法、およびこの方法で製造した帯電防止薄膜、紫外線カット薄膜、透明電極薄膜 |
JP5702258B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2015-04-15 | 東ソー・ファインケム株式会社 | 複合酸化物薄膜製造用組成物 |
JP5756273B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2015-07-29 | 東ソー・ファインケム株式会社 | 酸化亜鉛薄膜製造用組成物およびドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物を用いた酸化亜鉛薄膜製造方法、およびこの方法で製造した帯電防止薄膜、紫外線カット薄膜、透明電極薄膜 |
JP5822449B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2015-11-24 | 東ソー・ファインケム株式会社 | 酸化亜鉛薄膜製造用組成物およびドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物 |
CN103153865B (zh) * | 2010-10-20 | 2016-04-27 | 东曹精细化工株式会社 | 氧化物薄膜制备用组合物及使用该组合物的氧化物薄膜的制备方法 |
JP5841156B2 (ja) | 2011-09-13 | 2016-01-13 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 酸化膜成膜方法および酸化膜成膜装置 |
JP5796202B2 (ja) | 2012-06-06 | 2015-10-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 透明電極およびその製造方法 |
CN108091414B (zh) * | 2017-12-13 | 2020-05-15 | 浙江海洋大学 | 一种银纳米线复合透明导电薄膜及其制备 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07182939A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Mitsubishi Materials Corp | 透明導電膜形成用組成物及び透明導電膜形成方法 |
JP2004256377A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nippon Shokubai Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
US7303631B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-12-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Selective growth of ZnO nanostructure using a patterned ALD ZnO seed layer |
US7192802B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-03-20 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | ALD ZnO seed layer for deposition of ZnO nanostructures on a silicon substrate |
JP5055747B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2012-10-24 | 大日本印刷株式会社 | 金属酸化物膜の製造方法 |
KR100825765B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2008-04-29 | 한국전자통신연구원 | 산화물계 나노 구조물의 제조 방법 |
-
2008
- 2008-11-27 JP JP2008303132A patent/JP5288464B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019167669A1 (ja) | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 東ソー・ファインケム株式会社 | 酸化亜鉛薄膜形成用組成物及び酸化亜鉛薄膜の製造方法 |
KR20200105693A (ko) | 2018-02-28 | 2020-09-08 | 토소 화인켐 가부시키가이샤 | 산화아연 박막 형성용 조성물 및 산화아연 박막의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010126402A (ja) | 2010-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5288464B2 (ja) | 酸化亜鉛薄膜の製造方法 | |
Park et al. | Highly reproducible large‐area perovskite solar cell fabrication via continuous megasonic spray coating of CH3NH3PbI3 | |
TWI555088B (zh) | 製造高效能與電安定之半導體金屬氧化物層的方法,此方法製造的層以及其應用 | |
CN102598160A (zh) | 透明导电膜的制造方法及透明导电膜、使用该透明导电膜的元件、透明导电基板以及使用该透明导电基板的器件 | |
CN105050808A (zh) | 层积体、阻隔膜及其制造方法 | |
WO2012011377A1 (ja) | ガスバリアフィルムの製造方法 | |
TWI543940B (zh) | A composition for producing an oxide film, and an oxide thin film using the same | |
JP5546154B2 (ja) | 酸化亜鉛薄膜製造用組成物とそれを用いた酸化亜鉛薄膜の製造方法 | |
KR102499194B1 (ko) | 다이알킬아연 부분가수분해물 함유 용액 및 이 용액을 이용하는 산화아연 박막의 제조방법 | |
JP5515144B2 (ja) | ドープ酸化亜鉛薄膜形成用組成物及びドープ酸化亜鉛薄膜の製造方法 | |
WO2010131621A1 (ja) | ドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物、酸化亜鉛薄膜の製造方法、帯電防止薄膜、紫外線カット薄膜、透明電極薄膜 | |
CN104752631B (zh) | 有机电致发光器件的封装结构及封装方法 | |
JP5641717B2 (ja) | ドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物とそれを用いたドープ酸化亜鉛薄膜の製造方法 | |
TWI753095B (zh) | 含二烷基鋅及二烷基鋅部分水解物之溶液及使用彼等溶液之氧化鋅薄膜之製造方法 | |
US10020327B2 (en) | Method for selective thin film deposition | |
CN110240721B (zh) | 一种π-共轭单体有机聚合物薄膜的制备方法 | |
TWI743025B (zh) | 含第2族元素之氧化鋅薄膜製造用組合物及其製造方法 | |
Behrouznejad | Reactive e-beam evaporated SnOx layer as an effective ETL for highly efficient spray-coated perovskite solar cells | |
JP5756273B2 (ja) | 酸化亜鉛薄膜製造用組成物およびドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物を用いた酸化亜鉛薄膜製造方法、およびこの方法で製造した帯電防止薄膜、紫外線カット薄膜、透明電極薄膜 | |
Kim | Parametric dependence of CsPbI2Br perovskite film growth using a mist chemical vapor deposition method | |
JP5756272B2 (ja) | 酸化亜鉛薄膜製造用組成物およびドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物 | |
JP2010059017A (ja) | チタン酸化物様膜作成用の溶液組成物および膜の製造方法 | |
Kumar et al. | Processing methods towards scalable fabrication of perovskite solar cells: A brief review. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130530 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5288464 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |