JP5280385B2 - スイッチ装置、スイッチ装置のレイアウト設計方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 41
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
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- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
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Description
図1は、スイッチ装置10を備えたデジタル・アナログ変換器1の構成例を示す。このデジタル・アナログ変換器1は、電流ステアリング型デジタル・アナログ変換器(Current Streering D/A Converter)であり、ここでは、8個のビット値IN0,IN1,…,IN7によって表現されたデジタルコード(8ビットのデジタルコード)を出力電圧VOUTに変換する。デジタル・アナログ変換器1は、スイッチ装置10の他に、バイアス回路11と、65個の電流源IS1,IS2,IS3,…,IS65と、デコーダ12とを備える。
バイアス回路11は、基準電流IRに応じたバイアス電圧VB1,VB2を生成する。電流源IS1,IS2,IS3,…,IS65は、それぞれ、バイアス回路11からのバイアス電圧VB1,VB2に応じた出力電流I1,I2,I3,…,I65を供給する。また、電流源IS1,IS2は、8ビットのデジタルコードの下位2ビット(例えば、ビット値IN0,IN1)に対応し、電流源IS3,…,IS65は、デジタルコードの上位6ビット(例えば、ビット値IN2,…,IN7)に対応しており、出力電流I1,I2は、1/2ずつ重み付けされた電流値を有し、出力電流I 3 ,…,I 65は、同一の電流値を有する。例えば、出力電流I1の電流値が“I”であるとすると、出力電流I2の電流値は“2×I”であり、出力電流I 3 ,…,I 65の各々の電流値は“4×I”である。
デコーダ12は、ビット値IN0,IN1,…,IN7によって表現されたデジタルコードに応じて、65本の制御信号DP1,DP2,…,DP65および65本の制御信号DN1,DN2,…,DN65を出力する。制御信号DN1,DN2,…,DN65は、それぞれ、制御信号DP1,DP2,…,DP65の反転信号に相当する。
スイッチ装置10は、65個の電流源IS1,IS2,…,IS65(入力ノードNIN1,NIN2,…,NIN65)にそれぞれ対応する65個の差動スイッチSW1,SW2,…,SW65を備える。差動スイッチSW1,SW2,…,SW65の各々は、差動トランジスタT1,T2を含む。また、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65は、制御信号DP1,DP2,…,DP65および制御信号DN1,DN2,…,DN65にそれぞれ対応する。ここでは、差動トランジスタT1,T2は、Nチャネル型トランジスタによって構成されている。
差動スイッチSW1,SW2,…,SW65の差動トランジスタT1,T1,…,T1は、それぞれ、出力ノードOUTPに電気的に接続されたソースと、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65に対応する電流源IS1,IS2,…,IS65に電気的に接続されたドレインと、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65に対応する制御信号DP1,DP2,…,DP65が与えられるゲートとを有する。また、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65の差動トランジスタT1,T1,…,T1の各々のバックゲートには、接地電圧VSSが与えられている。出力ノードOUTPは、負荷抵抗を経由して接地ノード(接地電圧VSSが与えられるノード)に接続されている。
差動スイッチSW1,SW2,…,SW65の差動トランジスタT2,T2,…,T2は、それぞれ、出力ノードOUTNに電気的に接続されたソースと、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65に対応する電流源IS1,IS2,…,IS65に電気的に接続されたドレインと、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65に対応する制御信号DN1,DN2,…,DN65が与えられるゲートとを有する。また、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65の差動トランジスタT2,T2,…,T2の各々のバックゲートには、接地電圧VSSが与えられている。出力ノードOUTNは、接地ノードに接続されている。
例えば、デジタルコードのビット値(ビット値IN7,…,IN1,IN0)が“00001011”を示す場合、デコーダ12は、制御信号DP1,DP2,DP3,DP4および制御信号DN5,DN6…,DN65をハイレベル(例えば、電源電圧VDD)に設定し、制御信号DN1,DN2,DN3,DN4および制御信号DP5,DP6…,DP65をローレベル(例えば、接地電圧VSS)に設定する。これにより、差動スイッチSW1,SW2,SW3,SW4において、差動トランジスタT1がオン状態になるとともに差動トランジスタT2がオフ状態となり、差動スイッチSW5,SW6,…,SW65において、差動トランジスタT1がオフ状態になるとともに差動トランジスタT2がオン状態となる。その結果、出力ノードOUTPには、出力電流I1,I2,I3,I4の合計値(11×I)に応じた出力電圧VOUTが発生する。このようにして、デジタル・アナログ変換器1は、デジタルコードを出力電圧VOUTに変換する。
図2は、図1に示したスイッチ装置10のレイアウト例を示し、図3は、図2のIII−III線におけるスイッチ装置10の断面例を示している。なお、図2では、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65の差動トランジスタT1,T1,…,T1のゲートに制御信号DP1,DP2,…,DP65をそれぞれ供給するための配線、および差動スイッチSW1,SW2,…,SW65の差動トランジスタT2,T2,…,T2のゲートに制御信号DN1,DN2,…,DN65をそれぞれ供給するための配線については、図示を省略している。以降のレイアウト図(図4,図6〜図10,図12,図14)についても同様である。
図3のように、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65の各々において、差動トランジスタT1,T2のソース(2個のN+型拡散領域)および半導体基板SUB(P型基板)によってNPN型の寄生バイポーラトランジスタTPAが形成されている。また、差動トランジスタT1と差動トランジスタT2との間には、ガードリングGRが形成されているので、寄生バイポーラトランジスタTPAのベース電圧は、ガードリングGRに与えられた電圧(ここでは、接地電圧VSS)に維持されることになる。したがって、サージ電圧が印加されて出力ノードOUTPと出力ノードOUTNとの電圧差が大きくなった場合(例えば、出力ノードOUTPにサージ電圧が印加された場合)であっても、寄生バイポーラトランジスタTPAに電流が流れない(または、流れにくい)。
一方、図4のように、差動トランジスタT1と差動トランジスタT2とが隣接するように差動スイッチSW1,SW2,…,SW65が半導体基板SUBに配置されている場合、図5のように、差動スイッチSW2k−1,SW2k,SW2k+1の各々において寄生バイポーラトランジスタTPAが形成され、差動スイッチSW2k−1と差動スイッチSW2kとの間および差動スイッチSW2kと差動スイッチSW2k+1との間に寄生バイポーラトランジスタTPB,TPBが形成される。この場合、差動スイッチ間に形成される寄生バイポーラトランジスタTPBのエミッタおよびコレクタが互いに異なる出力ノードに電気的に接続されることになる。そのため、サージ電圧が印加されて出力ノードOUTPと出力ノードOUTNとの電圧差が大きくなった場合、寄生バイポーラトランジスタTPBに大電流が流れてしまう可能性がある。このように、寄生バイポーラトランジスタTPBの存在を無視することができないので、差動スイッチSW2k−1と差動スイッチSW2kとの間および差動スイッチSW2kと差動スイッチSW2k+1との間にも、ガードリングGRを形成しなければならない。または、差動スイッチSW2k−1,SW2k,SW2k+1との間に形成された寄生バイポーラトランジスタTPB,TPBに電流が流れない(または、流れにくくなる)ように、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65の間隔D1を広くしなければならない。
なお、図6のように、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65の各々において、差動トランジスタT1は、複数(ここでは、4個)の単位トランジスタT11,T11,…,T11によって構成されていても良いし、差動トランジスタT2は、複数(ここでは、4個)の単位トランジスタT21,T21,…T21によって構成されていても良い。図6では、単位トランジスタT11,T11,…,T11および単位トランジスタT21,T21,…,T21は、Nチャネル型トランジスタによって構成されている。
なお、図7のように、スイッチ装置10は、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65に加えて、差動スイッチSWA1,SWA2,…,SWA65をさらに備えていても良い。図7では、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65,SWA1,SWA2,…,SWA65は、X軸方向およびY軸方向をそれぞれ行方向および列方向とするn行m列(ここでは、2行65列)のマトリクス状に配置されている。
なお、図8のように、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65に含まれる差動トランジスタT1,T1,…,T1および差動トランジスタT2,T2,…,T2のゲート長方向は、X軸方向に一致していても良い。
また、図11のように、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65の各々に含まれる差動トランジスタT1,T2は、Pチャネル型トランジスタによって構成されていても良い。
また、図14のように、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65は、X軸方向において同一線上に並ぶように、X軸方向に配列され、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65に含まれる差動トランジスタT1,T1,…,T1および差動トランジスタT2,T2,…,T2は、Y軸方向において差動トランジスタT1,T1,…,T1および差動トランジスタT2,T2,…,T2がそれぞれ対向するように、X軸方向に配列されていても良い。
次に、スイッチ装置のレイアウト設計方法について説明する。なお、このレイアウト設計方法は、コンピュータ(例えば、パーソナル・コンピュータや、ワークステーションなど)がレイアウト設計プログラムを実行することによって実現されても良い。このレイアウト設計プログラムは、コンピュータで読み取り可能な記録媒体(例えば、ハードディスク,フレキシブルディスク,CD−ROM,DVDなど)に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行されても良い。また、このレイアウト設計プログラムは、インターネット等のネットワークを介して配布されたものであっても良い。
まず、差動トランジスタT1同士が隣接し、且つ、差動トランジスタT2同士が隣接するように、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65を配置する(例えば、図2,図6〜図10,図12,図14のように配置する)。ここで、差動トランジスタT1と差動トランジスタT2との間を遮るようにガードリングGRを配置しても良い。
次に、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65に含まれる差動トランジスタT1,T1,…,T1のソース(図12の場合は、ドレイン)および差動トランジスタT2,T2,…,T2のソース(図12の場合は、ドレイン)が出力ノードOUTPおよび出力ノードOUTNにそれぞれ電気的に接続されるように、配線を配置する。また、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65に含まれる差動トランジスタT1,T1,…,T1のドレイン(図12の場合は、ソース)および差動トランジスタT2,T2,…,T2のドレイン(図12の場合は、ソース)が入力ノードNIN1,NIN2,…,NIN65にそれぞれ電気的に接続されるように、配線を配置する。さらに、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65に含まれる差動トランジスタT1,T1,…,T1のゲートに制御信号DP1,DP2,…,DP65がそれぞれ与えられ、差動スイッチSW1,SW2,…,SW65に含まれる差動トランジスタT2,T2,…,T2のゲートに制御信号DN1,DN2,…,DN65がそれぞれ与えられるように、配線を配置する。
以上の説明において、デジタル・アナログ変換器1は、デジタルコードを単一の出力電圧VOUTに変換するものであっても良いし、デジタルコードを1対の出力電圧からなる差動電圧に変換するものであっても良い。この場合、出力ノードOUTNは、負荷抵抗を経由して接地ノードに接続されていても良い。
10 スイッチ装置
11 バイアス回路
IS1〜IS65 電流源
12 デコーダ
SW1〜SW65 差動スイッチ
T1,T2 差動トランジスタ
SUB 半導体基板
GR ガードリング
Claims (13)
- 半導体基板に形成された複数の差動スイッチを備え、
前記複数の差動スイッチの各々は、第1および第2の差動トランジスタを含み、
前記複数の差動スイッチの各々において、
前記第1の差動トランジスタのソースおよびドレインの一方は、第1の出力ノードに電気的に接続され、前記第1の差動トランジスタのソースおよびドレインの他方は、当該差動スイッチに対応する入力ノードに電気的に接続され、前記第1の差動トランジスタのゲートには、当該差動スイッチに対応する第1の制御信号が与えられ、
前記第2の差動トランジスタのソースおよびドレインの一方は、第2の出力ノードに電気的に接続され、前記第2の差動トランジスタのソースおよびドレインの他方は、当該差動スイッチに対応する入力ノードに電気的に接続され、前記第2の差動トランジスタのゲートには、当該差動スイッチに対応する第2の制御信号が与えられ、
前記複数の差動スイッチは、前記第1の差動トランジスタ同士が隣接し、且つ、前記第2の差動トランジスタ同士が隣接するように、前記半導体基板に配置されている
ことを特徴とするスイッチ装置。 - 請求項1において、
前記第1の差動トランジスタと前記第2の差動トランジスタとの間を遮るように、前記半導体基板に形成されたガードリングをさらに備える
ことを特徴とするスイッチ装置。 - 請求項1または2において、
前記複数の差動スイッチは、第1の方向に配列され、
前記複数の差動スイッチに含まれる第1および第2の差動トランジスタは、第2k番目の差動スイッチに含まれる第1の差動トランジスタが第2k−1番目の差動スイッチに含まれる第1の差動トランジスタに隣接するとともに第2k番目の差動スイッチに含まれる第2の差動トランジスタが第2k+1番目の差動スイッチに含まれる第2の差動トランジスタに隣接するように、前記第1の方向に配列される
ことを特徴とするスイッチ装置。 - 請求項1または2において、
前記複数の差動スイッチは、第1の方向および前記第1の方向に直交する第2の方向をそれぞれ行方向および列方向とするマトリクス状に配置され、
前記差動スイッチの各行において、当該行に属する差動スイッチに含まれる第1および第2の差動トランジスタは、第2k番目の差動スイッチに含まれる第1の差動トランジスタが第2k−1番目の差動スイッチに含まれる第1の差動トランジスタに隣接するとともに前記第2k番目の差動スイッチに含まれる第2の差動トランジスタが第2k+1番目の差動スイッチに含まれる第2の差動トランジスタに隣接するように、前記第1の方向に配列され、
前記差動スイッチの各列において、当該列に属する差動スイッチに含まれる第1および第2の差動トランジスタは、前記第1の方向において当該第1および第2の差動トランジスタがそれぞれ対向するように、前記第2の方向に配列される
ことを特徴とするスイッチ装置。 - 請求項3または4において、
前記複数の差動スイッチに含まれる第1および第2の差動トランジスタのゲート長方向は、前記第1の方向に直交する第2の方向に一致している
ことを特徴とするスイッチ装置。 - 請求項3または4において、
前記複数の差動スイッチに含まれる第1および第2の差動トランジスタのゲート長方向は、前記第1の方向に一致している
ことを特徴とするスイッチ装置。 - 請求項1〜6のいずれか1項において、
前記複数の差動スイッチの各々に含まれる第1の差動トランジスタおよび第2の差動トランジスタは、それぞれ、複数の第1の単位トランジスタおよび複数の第2の単位トランジスタによって構成され、
前記複数の差動スイッチの各々において、
前記複数の第1の単位トランジスタの各々のソースおよびドレインの一方は、前記第1の出力ノードに電気的に接続され、前記複数の第1の単位トランジスタの各々のソースおよびドレインの他方は、当該差動スイッチに対応する入力ノードに電気的に接続され、前記複数の第1の単位トランジスタの各々のゲートには、当該差動スイッチに対応する第1の制御信号が与えられ、
前記複数の第2の単位トランジスタの各々のソースおよびドレインの一方は、前記第2の出力ノードに電気的に接続され、前記複数の第2の単位トランジスタの各々のソースおよびドレインの他方は、当該差動スイッチに対応する入力ノードに電気的に接続され、前記複数の第2の単位トランジスタの各々のゲートには、当該差動スイッチに対応する第2の制御信号が与えられる
ことを特徴とするスイッチ装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項において、
前記複数の差動スイッチに含まれる第1および第2の差動トランジスタは、それぞれ、Nチャネル型トランジスタによって構成される
ことを特徴とするスイッチ装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項において、
前記複数の差動スイッチに含まれる第1および第2の差動トランジスタは、それぞれ、Pチャネル型トランジスタによって構成される
ことを特徴とするスイッチ装置。 - 請求項1または2において、
前記複数の差動スイッチは、第1の方向に配列され、
前記複数の差動スイッチに含まれる第1および第2の差動トランジスタは、第1の方向に直交する第2の方向において当該第1および第2の差動トランジスタがそれぞれ対向するように、前記第1の方向に配列される
ことを特徴とするスイッチ装置。 - 第1および第2の差動トランジスタをそれぞれが含む複数の差動スイッチを備えたスイッチ装置のレイアウトを設計する方法であって、
前記第1の差動トランジスタ同士が隣接し、且つ、前記第2の差動トランジスタ同士が隣接するように、前記複数の差動スイッチを配置するステップ(a)と、
前記複数の差動スイッチの各々において、前記第1の差動トランジスタのソースおよびドレインの一方が、第1の出力ノードに電気的に接続され、前記第1の差動トランジスタのソースおよびドレインの他方が、当該差動スイッチに対応する入力ノードに電気的に接続され、前記第1の差動トランジスタのゲートに、当該差動スイッチに対応する第1の制御信号が与えられ、前記第2の差動トランジスタのソースおよびドレインの一方が、第2の出力ノードに電気的に接続され、前記第2の差動トランジスタのソースおよびドレインの他方が、当該差動スイッチに対応する入力ノードに電気的に接続され、前記第2の差動トランジスタのゲートに、当該差動スイッチに対応する第2の制御信号が与えられるように、配線を配置するステップ(b)とを備える
ことを特徴とするレイアウト設計方法。 - 請求項11に記載のレイアウト設計方法をコンピュータに実行させるレイアウト設計プログラム。
- 請求項12に記載のレイアウト設計プログラムを格納する記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010023056A JP5280385B2 (ja) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | スイッチ装置、スイッチ装置のレイアウト設計方法 |
PCT/JP2010/006319 WO2011096028A1 (ja) | 2010-02-04 | 2010-10-26 | スイッチ装置、スイッチ装置のレイアウト設計方法 |
US13/565,374 US8476973B2 (en) | 2010-02-04 | 2012-08-02 | Switch device and layout design method for switch device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010023056A JP5280385B2 (ja) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | スイッチ装置、スイッチ装置のレイアウト設計方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011166203A JP2011166203A (ja) | 2011-08-25 |
JP2011166203A5 JP2011166203A5 (ja) | 2013-05-23 |
JP5280385B2 true JP5280385B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=44355057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010023056A Active JP5280385B2 (ja) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | スイッチ装置、スイッチ装置のレイアウト設計方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8476973B2 (ja) |
JP (1) | JP5280385B2 (ja) |
WO (1) | WO2011096028A1 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6344769B1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-02-05 | Oki Semiconductor | Precision differential switched current source |
JP2004208060A (ja) | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Renesas Technology Corp | D/aコンバータ |
JP2006019818A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Texas Instr Japan Ltd | 過渡応答特性を形成する方法および装置 |
US7215271B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-05-08 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for forming transient response characteristics |
US7294892B2 (en) * | 2005-05-27 | 2007-11-13 | Faraday Technology Corp. | Multi-transistor layout capable of saving area |
JP4756965B2 (ja) | 2005-09-13 | 2011-08-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 出力バッファ回路 |
JP2010171490A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Renesas Electronics Corp | 演算増幅器、半導体装置、及び表示装置 |
-
2010
- 2010-02-04 JP JP2010023056A patent/JP5280385B2/ja active Active
- 2010-10-26 WO PCT/JP2010/006319 patent/WO2011096028A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-08-02 US US13/565,374 patent/US8476973B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011096028A1 (ja) | 2011-08-11 |
US20120292718A1 (en) | 2012-11-22 |
US8476973B2 (en) | 2013-07-02 |
JP2011166203A (ja) | 2011-08-25 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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