JP5276832B2 - ソルダーレジスト膜形成方法および感光性組成物 - Google Patents
ソルダーレジスト膜形成方法および感光性組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5276832B2 JP5276832B2 JP2007297037A JP2007297037A JP5276832B2 JP 5276832 B2 JP5276832 B2 JP 5276832B2 JP 2007297037 A JP2007297037 A JP 2007297037A JP 2007297037 A JP2007297037 A JP 2007297037A JP 5276832 B2 JP5276832 B2 JP 5276832B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- alkyl
- substituted
- photosensitive composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Description
(2)(メタ)アクリル酸などの不飽和カルボン酸と、それ以外の不飽和二重結合を有する化合物の1種類以上との共重合体に、グリシジル(メタ)アクリレートや3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレートなどのエポキシ基と不飽和二重結合を有する化合物や(メタ)アクリル酸クロライドを反応させることによって、エチレン性不飽和基をペンダントとして付加させることによって得られるカルボン酸含有感光性樹脂、
(3)グリシジル(メタ)アクリレートや3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート等のエポキシ基と不飽和二重結合を有する化合物と、それ以外の不飽和二重結合を有する化合物との共重合体に、(メタ)アクリル酸などの不飽和カルボン酸を反応させ、生成した二級の水酸基に多塩基酸無水物を反応させて得られるカルボン酸含有感光性樹脂、
(4)無水マレイン酸などの不飽和二重結合を有する酸無水物と、それ以外の不飽和二重結合を有する化合物との共重合体に、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートなどの水酸基と不飽和二重結合を有する化合物を反応させて得られるカルボン酸含有感光性樹脂、
(5)多官能エポキシ化合物と(メタ)アクリル酸などの不飽和モノカルボン酸を反応させ、生成した水酸基に飽和又は不飽和多塩基酸無水物を反応させて得られるカルボン酸含有感光性樹脂、
(6)ポリビニルアルコール誘導体などの水酸基含有ポリマーに、飽和又は不飽和多塩基酸無水物を反応させた後、生成したカルボン酸に一分子中にエポキシ基と不飽和二重結合を有する化合物を反応させて得られる水酸基含有のカルボン酸含有感光性樹脂、
(7)多官能エポキシ化合物と、(メタ)アクリル酸などの不飽和モノカルボン酸と、一分子中に少なくとも1個のアルコール性水酸基と、エポキシ基と反応するアルコール性水酸基以外の1個の反応性基を有する化合物(例えば、ジメチロールプロピオン酸など)との反応生成物に、飽和又は不飽和多塩基酸無水物を反応させて得られるカルボン酸含有感光性樹脂、
(8)一分子中に少なくとも2個のオキセタン環を有する多官能オキセタン化合物に(メタ)アクリル酸などの不飽和モノカルボン酸を反応させ、得られた変性オキセタン樹脂中の第一級水酸基に対して飽和又は不飽和多塩基酸無水物を反応させて得られるカルボン酸含有感光性樹脂、及び
(9)多官能エポキシ樹脂(例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂など)に不飽和モノカルボン酸(例えば、(メタ)アクリル酸など)を反応させた後、多塩基酸無水物(例えば、テトラヒドロフタル酸無水物など)を反応させて得られるカルボン酸含有感光性樹脂に、更に、分子中に1個のオキシラン環と1個以上のエチレン性不飽和基を有する化合物(例えば、グリシジル(メタ)アクリレートなど)を反応させて得られるカルボン酸含有感光性樹脂などが挙げられるが、これらに限定されるものでは無い。
R1は、水素原子、フェニル基(炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい)、炭素数1〜20のアルキル基(1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数2〜20のアルカノイル基またはベンゾイル基(炭素数が1〜6のアルキル基若しくはフェニル基で置換されていてもよい)を表し、
R2は、フェニル基(炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい)、炭素数1〜20のアルキル基(1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数2〜20のアルカノイル基またはベンゾイル基(炭素数が1〜6のアルキル基若しくはフェニル基で置換されていてもよい)を表し、
R3およびR4は、それぞれ独立に、炭素数1〜12のアルキル基またはアリールアルキル基を表し、
R5およびR6は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、または2つが結合した環状アルキルエーテル基を表し、
R7およびR8は、それぞれ独立に、炭素数1〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、アリール基、またはハロゲン原子、アルキル基若しくはアルコキシ基で置換されたアリール基を表し、但し、R7およびR8の一方は、R−C(=O)−基(ここでRは、炭素数1〜20の炭化水素基)を表してもよい)。
R9は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜12のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、炭素数2〜12のアルカノイル基、炭素数2〜12のアルコキシカルボニル基(アルコキシル基を構成するアルキル基の炭素数が2以上の場合、アルキル基は1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、またはフェノキシカルボニル基を表し、
R10、R12は、それぞれ独立に、フェニル基(炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい)、炭素数1〜20のアルキル基(1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数2〜20のアルカノイル基またはベンゾイル基(炭素数が1〜6のアルキル基若しくはフェニル基で置換されていてもよい)を表し、
R11は、水素原子、フェニル基(炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい)、炭素数1〜20のアルキル基(1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数2〜20のアルカノイル基またはベンゾイル基(炭素数が1〜6のアルキル基若しくはフェニル基で置換されていてもよい)を表す)、並びに
下記一般式(VI)で表される化合物
R13およびR14は、それぞれ独立に、炭素数1〜12のアルキル基を表し、
R15、R16、R17、R18およびR19は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表し、および
MはO、SまたはNHを表し、並びに
mおよびnは0〜5の整数を表す)
が挙げられる。中でも、下記式(IV)で表される2−(アセチルオキシイミノメチル)チオキサンテン−9−オン、および式(V)で表される化合物がより好ましい。市販品としては、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のCGI−325、イルガキュアー OXE01、イルガキュアー OXE02等が挙げられる。これらのオキシムエステル系光重合開始剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
このような顔料(C)の適正な添加量は、感光性組成物の乾燥塗膜の405nmの波長における吸光度が、25μmあたり0.3〜0.6となる範囲であれば任意に添加することができ、例えば、カルボン酸含有樹脂(A)100質量部に対して0.01〜5質量部の範囲である。
攪拌機、温度計、環流冷却管、滴下ロート及び窒素導入管を備えた2リットルのセパラブルフラスコに、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、EOCN−104S、軟化点92℃、エポキシ当量=220g/当量)660g、溶媒としてカルビトールアセテート 421.3gおよびソルベントナフサ 180.6gを仕込み、90℃に加熱・攪拌し、溶解した。次に、一旦60℃まで冷却し、アクリル酸 216g、反応触媒としてトリフェニルホスフィン 4.0g、重合禁止剤のメチルハイドロキノン1.3gを加えて、100℃で12時間反応させ、酸価が0.2mgKOH/gの反応生成物を得た。これにテトラヒドロ無水フタル酸 241.7gを仕込み、90℃に加熱し、6時間反応させた。これにより、不揮発分=65質量%、固形分酸価=77mgKOH/g、二重結合当量(不飽和基1モル当たりの樹脂のg重量)=400g/当量、重量平均分子量=7,000のカルボン酸含有樹脂の溶液を得た。以下、このカルボン酸含有樹脂の溶液を、A−1ワニスと称す。
銅厚35μmの銅張基板をバフロール研磨後、水洗し、乾燥させた。その後、感光性組成物1をこの基板上にスクリーン印刷法により塗布し、80℃の熱風循環式乾燥炉で60分間乾燥させた。乾燥後、実施例1および2、並びに比較例1〜4の露光方法により、この乾燥ソルダーレジスト塗膜に露光した。露光パターンは、全面露光パターンを用いた。露光後、現像液として1質量%炭酸ナトリウム水溶液を用いて、30℃、0.2MPaで60秒間現像を行い、続いて、150℃で60分間、熱硬化を行った。
ライン/スペースが300μm/300μmの幅で、銅厚が70μmの回路パターン基板をそれぞれバフロール研磨後、水洗し、乾燥した。この回路パターン基板上に、感光性組成物1をスクリーン印刷法により塗布し、80℃の熱風循環式乾燥炉で30分間乾燥させた。乾燥後、実施例1および2、並びに比較例1〜4の露光方法を用いて、この乾燥塗膜に露光した。露光パターンは、上述したスペース部に、それぞれ順に30/40/50/60/70/80/90/100μmのラインを描画させるパターンを使用した。露光後、1.0質量部%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像を行うことによりソルダーレジストパターンを得た。続いて高圧水銀灯で1000mJ/cm2の露光量で紫外光を照射した後、60分間熱硬化させた。このとき、残存する最小ライン幅を硬化深度の評価とした。
A評価:設計幅通りの理想の状態、
B評価:耐現像性不足等による表面層の食われ発生、
C評価:アンダーカット状態、
D評価:ハレーション等による線太りが発生、
E評価:表面層の線太りとアンダーカットが発生
である。
表1に示す感光性組成物1をメチルエチルケトンで希釈し、キャリアフィルム上に塗布し、80℃の熱風乾燥機で30分加熱乾燥して、厚さ25μmの光硬化性・熱硬化性樹脂組成物層を形成し、その上にカバーフィルムを貼り合わせてドライフィルムを得た。その後、カバーフィルムを剥がし、パターン形成された銅箔基板に、得られたドライフィルムを熱ラミネートした。その後、表3に示す実施例1および2の条件で露光を実施し、キャリアフィルムを除去した後1wt%の炭酸ナトリウム水溶液で60秒間現像し画像を得た。さらに150℃の熱風乾燥機で60分加熱硬化を行い、試験基板を作製した。得られた硬化被膜を有する試験基板について、前述した試験方法及び評価方法にて、各特性の評価試験を行った。結果は表5の感光性組成物1の結果と同じであった。
1b…露光・現像後のソルダーレジスト膜
1c…基板
Claims (10)
- (A)カルボン酸含有樹脂、(B)光重合開始剤、および(C)顔料を含み、前記光重合開始剤(B)が、式(I)で表される基を有するオキシムエステル系光重合開始剤、式(II)で表される基を有するα−アミノアセトフェノン系光重合開始剤、および式(III)で表される基を有するアシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤から成る群から選択される1種以上の光重合開始剤であり、前記(A)カルボン酸含有樹脂100質量部に対して、(B)光重合開始剤が0.01〜30質量部の範囲内で、(C)顔料が0.01〜5質量部の範囲内で配合され、その露光前の乾燥塗膜が厚さ25μmあたり、355〜380nmの波長範囲において0.6〜1.2の吸光度を示し、且つ405nmの波長において0.3〜0.6の吸光度を示す感光性組成物を用い、この感光性組成物を基材に塗布し、揮発乾燥後、この乾燥塗膜に第1のレーザー光及び前記第1のレーザー光と波長の異なる第2のレーザー光を照射して、前記第1のレーザー光と第2のレーザー光の双方が照射されたパターン潜像を形成した後、アルカリ水溶液により現像することを特徴とするソルダーレジスト膜の形成方法。
R1は、水素原子、フェニル基(炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい)、炭素数1〜20のアルキル基(1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数2〜20のアルカノイル基またはベンゾイル基(炭素数が1〜6のアルキル基若しくはフェニル基で置換されていてもよい)を表し、
R2は、フェニル基(炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい)、炭素数1〜20のアルキル基(1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数2〜20のアルカノイル基またはベンゾイル基(炭素数が1〜6のアルキル基若しくはフェニル基で置換されていてもよい)を表し、
R3およびR4は、それぞれ独立に、炭素数1〜12のアルキル基またはアリールアルキル基を表し、
R5およびR6は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、または2つが結合した環状アルキルエーテル基を表し、
R7およびR8は、それぞれ独立に、炭素数1〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、アリール基、またはハロゲン原子、アルキル基若しくはアルコキシ基で置換されたアリール基を表し、但し、R7およびR8の一方は、R−C(=O)−基(ここでRは、炭素数1〜20の炭化水素基)を表してもよい)。 - 前記第1のレーザー光と第2のレーザー光の一方が、青紫レーザー光であることを特徴とする請求項1に記載のソルダーレジスト膜の形成方法。
- (A)カルボン酸含有樹脂、(B)光重合開始剤、および(C)顔料を含み、前記光重合開始剤(B)が、式(I)で表される基を有するオキシムエステル系光重合開始剤、式(II)で表される基を有するα−アミノアセトフェノン系光重合開始剤、および式(III)で表される基を有するアシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤から成る群から選択される1種以上の光重合開始剤であり、前記(A)カルボン酸含有樹脂100質量部に対して、(B)光重合開始剤が0.01〜30質量部の範囲内で、(C)顔料が0.01〜5質量部の範囲内で配合され、その露光前の乾燥塗膜が厚さ25μmあたり、355〜380nmの波長範囲において0.6〜1.2の吸光度を示し、且つ405nmの波長において0.3〜0.6の吸光度を示し、露光前の前記乾燥塗膜の厚さ25μmあたり、355〜380nmの波長範囲における最大吸光度と405nmの波長における吸光度の差が、0.3以上0.6未満であることを特徴とする、請求項1または2に記載のソルダーレジスト膜の形成方法に用いる感光性組成物。
R 1 は、水素原子、フェニル基(炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい)、炭素数1〜20のアルキル基(1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数2〜20のアルカノイル基またはベンゾイル基(炭素数が1〜6のアルキル基若しくはフェニル基で置換されていてもよい)を表し、
R 2 は、フェニル基(炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい)、炭素数1〜20のアルキル基(1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数2〜20のアルカノイル基またはベンゾイル基(炭素数が1〜6のアルキル基若しくはフェニル基で置換されていてもよい)を表し、
R 3 およびR 4 は、それぞれ独立に、炭素数1〜12のアルキル基またはアリールアルキル基を表し、
R 5 およびR 6 は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、または2つが結合した環状アルキルエーテル基を表し、
R 7 およびR 8 は、それぞれ独立に、炭素数1〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、アリール基、またはハロゲン原子、アルキル基若しくはアルコキシ基で置換されたアリール基を表し、但し、R 7 およびR 8 の一方は、R−C(=O)−基(ここでRは、炭素数1〜20の炭化水素基)を表してもよい)。 - 露光前の前記乾燥塗膜が25μmあたり、355nmの波長において0.6〜1.0の吸光度を示し、および405nmの波長において0.3〜0.5の吸光度を示し、且つ355nmの波長における吸光度と405nmの波長における吸光度の差が0.3以上0.5未満であることを特徴とする請求項3記載の感光性組成物。
- 前記式(I)で表される基を有するオキシムエステル系光重合開始剤が、式(V)の化合物を含むことを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の感光性組成物。
R9は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜12のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、炭素数2〜12のアルカノイル基、炭素数2〜12のアルコキシカルボニル基(アルコキシル基を構成するアルキル基の炭素数が2以上の場合、アルキル基は1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、またはフェノキシカルボニル基を表し、
R10、R12は、それぞれ独立に、フェニル基(炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい)、炭素数1〜20のアルキル基(1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数2〜20のアルカノイル基またはベンゾイル基(炭素数が1〜6のアルキル基若しくはフェニル基で置換されていてもよい)を表し、
R11は、水素原子、フェニル基(炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基若しくはハロゲン原子で置換されていてもよい)、炭素数1〜20のアルキル基(1個以上の水酸基で置換されていてもよく、アルキル鎖の中間に1個以上の酸素原子を有していてもよい)、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数2〜20のアルカノイル基またはベンゾイル基(炭素数が1〜6のアルキル基若しくはフェニル基で置換されていてもよい)を表す)。 - 前記顔料(C)が、フタロシアニンブルー系顔料を含むことを特徴とする請求項3〜6のいずれか一項に記載の感光性組成物。
- 分子中に2つ以上の環状エーテル基および/または環状チオエーテル基を有する熱硬化性成分(D)をさらに含むことを特徴とする請求項3〜7のいずれか一項に記載の感光性組成物。
- 厚さ15〜100μmの乾燥塗膜として適用されることを特徴とする請求項3〜8のいずれか一項に記載の感光性組成物。
- 請求項3〜9のいずれか一項に記載の感光性組成物を、キャリアフィルム上に塗布した後に乾燥して得られるドライフィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007297037A JP5276832B2 (ja) | 2006-11-15 | 2007-11-15 | ソルダーレジスト膜形成方法および感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006309098 | 2006-11-15 | ||
JP2006309098 | 2006-11-15 | ||
JP2007297037A JP5276832B2 (ja) | 2006-11-15 | 2007-11-15 | ソルダーレジスト膜形成方法および感光性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008146045A JP2008146045A (ja) | 2008-06-26 |
JP5276832B2 true JP5276832B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=39487065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007297037A Active JP5276832B2 (ja) | 2006-11-15 | 2007-11-15 | ソルダーレジスト膜形成方法および感光性組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5276832B2 (ja) |
KR (2) | KR20080044193A (ja) |
CN (1) | CN101192001B (ja) |
TW (1) | TW200844652A (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105159030A (zh) * | 2008-11-05 | 2015-12-16 | 东京应化工业株式会社 | 感光性树脂组合物和底材 |
TWI476541B (zh) * | 2009-03-24 | 2015-03-11 | Taiyo Holdings Co Ltd | Image forming method and photohardenable composition |
JP5559976B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2014-07-23 | 太陽ホールディングス株式会社 | 画像形成方法と光硬化画像、およびその方法に用いる光硬化性組成物 |
JP2010230721A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Fujifilm Corp | 感光性組成物、感光性フィルム、及び、永久パターン形成方法 |
CN103460132B (zh) * | 2011-04-08 | 2016-04-27 | 太阳油墨制造株式会社 | 感光性组合物、其固化皮膜以及使用了它们的印刷电路板 |
JP6003053B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2016-10-05 | 日立化成株式会社 | 半導体パッケージ用プリント配線板の保護膜用感光性樹脂組成物及び半導体パッケージ |
GB201223064D0 (en) * | 2012-12-20 | 2013-02-06 | Rainbow Technology Systems Ltd | Curable coatings for photoimaging |
WO2018159629A1 (ja) * | 2017-03-01 | 2018-09-07 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
CN110806682B (zh) * | 2019-12-05 | 2024-05-28 | 中山新诺科技股份有限公司 | 阻焊线路一体曝光的多光谱数字化曝光方法及系统 |
KR102210868B1 (ko) * | 2020-10-27 | 2021-02-02 | (주)샘씨엔에스 | 포토 공정을 이용한 세라믹 기판의 제조 방법 |
CN113099624A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-07-09 | 浙江欣旺达电子有限公司 | 一种线路板阻焊层的制作方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3742009B2 (ja) * | 1999-07-12 | 2006-02-01 | 太陽インキ製造株式会社 | アルカリ現像型光硬化性組成物及びそれを用いて得られる焼成物パターン |
CN100528838C (zh) * | 2001-06-11 | 2009-08-19 | 西巴特殊化学品控股有限公司 | 具有复合结构的肟酯光引发剂 |
JP2004133140A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | プリント配線板用着色樹脂組成物及びそれを用いたプリント配線板 |
TW200417294A (en) * | 2002-11-28 | 2004-09-01 | Taiyo Ink Mfg Co Ltd | Photo- and thermo-setting resin composition and printed wiring boards made by using the same |
US7622243B2 (en) * | 2003-09-24 | 2009-11-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive element, resist pattern formation method and printed wiring board production method |
JP2005128412A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 画像形成材及びそれを用いた画像形成方法 |
JP4489566B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2010-06-23 | 太陽インキ製造株式会社 | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、およびプリント配線板 |
JPWO2006004158A1 (ja) * | 2004-07-07 | 2008-04-24 | 太陽インキ製造株式会社 | 光硬化性・熱硬化性樹脂組成物とそれを用いたドライフィルム、及びその硬化物 |
JP4410134B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2010-02-03 | 日立ビアメカニクス株式会社 | パターン露光方法及び装置 |
JP2007058196A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-03-08 | Fujifilm Holdings Corp | 画像記録装置及び方法 |
JP2007033882A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Hitachi Via Mechanics Ltd | 露光装置及び露光方法並びに配線基板の製造方法 |
-
2007
- 2007-11-15 JP JP2007297037A patent/JP5276832B2/ja active Active
- 2007-11-15 TW TW096143195A patent/TW200844652A/zh unknown
- 2007-11-15 CN CN2007101872549A patent/CN101192001B/zh active Active
- 2007-11-15 KR KR1020070116548A patent/KR20080044193A/ko not_active Application Discontinuation
-
2010
- 2010-04-01 KR KR1020100029722A patent/KR101008424B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100038185A (ko) | 2010-04-13 |
CN101192001A (zh) | 2008-06-04 |
TW200844652A (en) | 2008-11-16 |
KR20080044193A (ko) | 2008-05-20 |
KR101008424B1 (ko) | 2011-01-14 |
TWI360022B (ja) | 2012-03-11 |
CN101192001B (zh) | 2012-01-11 |
JP2008146045A (ja) | 2008-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5117623B2 (ja) | 光硬化性・熱硬化性樹脂組成物及びその硬化物並びにそれを用いて得られるプリント配線板 | |
JP5276831B2 (ja) | 感光性組成物 | |
KR101324848B1 (ko) | 광 경화성·열 경화성 수지 조성물 및 그의 경화물 및 그것을 이용하여 얻어지는 인쇄 배선판 | |
JP5276832B2 (ja) | ソルダーレジスト膜形成方法および感光性組成物 | |
JP5567543B2 (ja) | 樹脂組成物及びその硬化物並びにそれを用いて得られるプリント配線板 | |
JP4827088B2 (ja) | アルカリ現像型ソルダーレジスト及びその硬化物並びにそれを用いて得られるプリント配線板 | |
KR101063048B1 (ko) | 알칼리 현상형 솔더 레지스트, 그의 경화물 및 그것을 이용하여 얻어지는 인쇄 배선판 | |
JP4975579B2 (ja) | 組成物、ドライフィルム、硬化物及びプリント配線板 | |
JP5384785B2 (ja) | 樹脂組成物及びその硬化物並びにそれを用いて得られるプリント配線板 | |
JP2011075678A (ja) | 感光性樹脂組成物及びその硬化物、並びにプリント配線板 | |
JP2011170369A (ja) | 光硬化性・熱硬化性樹脂組成物、硬化物及びプリント配線板 | |
JP5787516B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物とその硬化物、およびプリント配線板 | |
JP5193565B2 (ja) | 光硬化性樹脂組成物及びその硬化物パターン、並びに該硬化物パターンを具備するプリント配線板 | |
JP2009116110A (ja) | 光硬化性樹脂組成物及びその硬化物パターン、並びに該硬化物パターンを具備するプリント配線板 | |
JP5153304B2 (ja) | 感光性組成物 | |
JP5079310B2 (ja) | ソルダーレジスト露光用フォトツール及びそれを用いて露光処理されるソルダーレジストパターンの形成方法 | |
JP4827089B2 (ja) | アルカリ現像型ソルダーレジスト及びその硬化物並びにそれを用いて得られるプリント配線板 | |
JP2009116111A (ja) | 光硬化性樹脂組成物及びその硬化物パターン、並びに該硬化物パターンを具備するプリント配線板 | |
JP2008122843A (ja) | ソルダーレジスト露光用フォトツール及びそれを用いて露光処理されるソルダーレジストパターンの形成方法 | |
JP2008122845A (ja) | ソルダーレジストパターンの形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100917 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5276832 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |