JP5276751B2 - 静電チャック及びそれを含む基板処理装置 - Google Patents
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Description
これに、前記発熱層は前記発熱電極の対向する間で前記発熱電極を絶縁させる役割が非常に重要であるから高い電気抵抗性を有することになる。
また、本発明の他の目的は、前記の静電チャックを含む基板処理装置を提供することにある。
前記静電層は、上部に置かれる基板を固定するために静電力を発生する静電電極が配置されながら第1熱伝達係数を有する。前記発熱層は、前記静電層の下部に配置され、前記基板を加熱するための発熱電極が配置されながら前記第1熱伝達係数より高い第2熱伝達係数を有する。
前記工程チャンバは、基板を処理するための空間を提供する。前記ガス提供部は前記工程チャンバと連結されて、前記基板を処理するための工程ガスを前記工程チャンバの内部に提供する。前記静電チャックは、前記工程チャンバの内部に配置されて、前記工程ガスを介して処理される基板を支持して固定する。
そして、前記発熱層の上部表面は、前記静電層の下部表面と接触するように配置でき、前記発熱層の下部表面は、前記断熱層の上部表面と接触するように配置することができる。
図1及び図2を参照すれば、本発明の一実施例による静電チャック100は静電層200、発熱層300、断熱層400、及び支持本体500を含む。
発熱電極310は基板10を約0〜100℃に加熱するための約1〜100Ωの抵抗を有するように、厚さは約0.005〜0.3mm、幅は約0.5〜10mm、長さは約3〜30mで構成することができる。これに、発熱電極310は平面的に見た時、螺旋形状または凹凸形状にして均一に配置されることができる。
本実施例において、静電チャックは図1及び図2に図示した構成と同じ構成を有するので、同じ参照番号を使ってその重複される詳細な説明は省略する。
工程チャンバ700は、半導体素子またはディスプレイ素子のような集積回路素子を製造するために基板10を処理する空間を提供する。例えば、工程チャンバ700では基板10を対象にしてエッチング工程が遂行されることができる。この時、工程チャンバ700の内部はエッチング工程がより円滑に行われるように高真空状態が維持されることができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明の実施例はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものとされる。
Claims (9)
- 上部に置かれる基板を固定するために静電力を発生する静電電極が配置されながら第1熱伝達係数を有する静電層と、
前記静電層の下部に配置され、前記基板を加熱するための発熱電極が配置されながら前記第1熱伝達係数より高い第2熱伝達係数を有する発熱層と、を含み、
前記発熱層は、前記発熱電極と同じ厚さを有しながら前記発熱電極の側面を取り囲み、前記発熱層の上部表面は、前記静電層の下部表面と接触することを特徴とする静電チャック。 - 前記発熱層は、窒化アルミニウム(AlN)に酸化マグネシウム(MgO)、酸化イットリウム(Y2O3)、または、これらの混合物が含まれたセラミック物質からなることを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。
- 前記第2熱伝達係数は、150〜250W/(m・K)であることを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。
- 前記静電層は、1〜5mmの厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。
- 前記発熱層の下部に配置され、前記第1熱伝達係数より低い第3熱伝達係数を有する断熱層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。
- 前記断熱層は、0.05〜0.5mmの厚さを有することを特徴とする請求項5に記載の静電チャック。
- 前記断熱層は、その上部表面が前記発熱層の下部表面と接触する構造を有するように配置することを特徴とする請求項5に記載の静電チャック。
- 基板を処理するための空間を提供する工程チャンバと、
前記工程チャンバと連結され、前記基板を処理するための工程ガスを前記工程チャンバの内部に提供するガス提供部と、
前記工程チャンバの内部に配置され、前記工程ガスを介して処理される基板を支持しながら固定する静電チャックと、を含み、
前記静電チャックは、
上部に前記基板が置かれ、前記基板を固定するための静電力を発生する静電電極が配置されながら第1熱伝達係数を有する静電層と、
前記静電層の下部に配置され、前記基板を加熱するための発熱電極が配置されながら前記第1熱伝達係数より高い第2熱伝達係数を有する発熱層と、を含み、
前記発熱層は、前記発熱電極と同じ厚さを有しながら前記発熱電極の側面を取り囲み、前記発熱層の上部表面は、前記静電層の下部表面と接触することを特徴とする基板処理装置。 - 前記発熱層の下部表面は断熱層の上部表面と接触するように配置することを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
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