JP5268043B2 - 極微小ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Description
このような微小な構造を基板上に形成する技術としては、特許文献1に 半導体超薄膜層に微細な加工を施して量子ドットを作製する方法に技術が示されている。
微細加工のためのエッチング用マスクに液滴エピタキシーでできる金属または半導体の微結晶を使う。本特許は量子ドットの作製手法について述べているが、電極層および配線については述べていない。
基板上への微細構造(メサ構造)の作成については上記のように幾つかの手段が公知である。
しかし、このような微小なダイオードに電気的なコンタクトをとるには、絶縁部分を通して上部電極と接続する技術が必要になるが、電子線リソグラフィーによるプロセスではメサと配線の正確な位置合わせが必要となる。そのため、高度な微細加工プロセスを使わずにメサ型の極微小ダイオードを提供することは不可能であった。
本手法は、Inなどの金属液滴をマスクにしたメサ構造形成技術と電子線誘起蒸着法によるナノメートル幅の配線作製技術を融合したもので、ナノ配線を成長表面に直接コンタクトをとり、上方に伸ばすことで、下側電極層との絶縁を可能にしたところに斬新さがある。そのため、任意の位置のメサに配線を施すことができ、メサと配線との位置合わせをすることなく上側の電極層にコンタクトをとることができる。
実施例4から、導電性のあるナノメートル幅の配線が作製されている。配線の品質は物理的なサイズや作製プロセスの改善(有機ガスの純度や種類)で向上可能である。
ナノメートル幅の配線を絶縁膜で埋め込むプロセスも可能であると考えている。 本技術は、共鳴トンネルダイオードの他に、ショットキーダイオード、発光ダイオードなどへの応用が期待できる。
ST1:半導体結晶成長装置を用いて、(1)SiドープGaAs基板、(2)下側電極層(SiドープGaAs基板)、(4)障壁層(AlAs)、(3)量子井戸(GaAs)、(4)障壁層(AlAs)、(2‘)上側電極層(SiドープGaAs)を順次重ねた二重障壁共鳴トンネル構造を作製後、その表面に金属(In)液滴(5)を形成する。(図1)
ST2:金属(In)液滴(5)をマスクとしてエッチングし、サブミクロンサイズのメサを作製する。(図2)
ST3:表面の金属(In)液滴(5)を塩酸で取り除く。(図3)
ST4:電子線誘起蒸着でメサ基板上に数十ナノメートル幅の配線(タングステン配線)(6)を作製する。(図4)
ST5:上側電極と下側伝導層を電気的に分離するために、絶縁膜(ポリイミド)(7)を形成する。(図5)
ST6:素子配置に併せ、絶縁膜(7)を配線上部だけエッチングして、配線(6)の上部を露出させる窪み(8)を形成する。(図6)
ST7:上側電極(金)(9)を通常の真空蒸着とリフトオフで作製する。(図7)
分子線エピタキシー装置を用い、Siド−プGaAs基板上に基板温度約570℃で、GaAs/AlAs二重障壁共鳴トンネル構造を作製する。その後、基板温度を200℃まで下げるとともに、砒素用バルブを閉じ、成長室の真空度(PB)が下がるのを待つ。PB =8´10−9Torr程度となったところで、Inセルシャッターのみ開け、In液滴を作製する。Inの照射総量は6´1020 m−2(InAsで100分子層相当)である。
今回の成長条件では、In液滴の大きさは幅約1.3ミクロン、高さ0.3ミクロンで、密度は1−2´1011 m−2であった。
そのIn液滴を形成した試料表面の原子間力顕微鏡(AFM)写真を図8に示す。
図9.リン酸:過酸化水素:水=3:1:75の割合で混ぜたエッチング液を用い、室温で5分30秒エッチングし、その後塩酸に20秒浸しIn液滴(5)を取り除いた。図9は液滴(5)を取り除いたメサ構造の走査電子顕微鏡写真である。
走査電子顕微鏡装置に前記ST3の状態の試料を入れ、有機ガスを局所的に供給し、電子線でガスを分解に、電子線が照射されたところに選択的に金属を堆積させる。この例では、収束した電子線をメサ構造上で止めておくことで、ナノスケール幅の極微細線が上方に成長していく。
図10は、電子線誘起蒸着で形成したナノ配線の例(走査電子顕微鏡写真)である。
(2)(2‘) SiドープGaAs層(n+-GaAs)
(3) 量子井戸
(4) 障壁層
(5) 液滴
(6) ナノ配線
(7) 絶縁膜
(8) 窪み
(9) 上側電極
Claims (4)
- 導電性半導体基板上に二重障壁層構造をもつサブミクロンサイズ以下の半導体素子が島状に配してなる極微小ダイオードの製造方法において、
最上層がGaAsである二重障壁共鳴トンネル構造を作製し、
前記最上層の作製後、真空状態を維持したまま前記最上層にIn液滴を形成し、
前記In液滴をマスクとしてエッチングすることにより、メサを形成し、
前記メサから上方に突出した金属の配線を形成する
ことを特徴とする極微小ダイオードの製造方法。 - 前記配線の金属はタングステンである、請求項1に記載の極微小ダイオードの製造方法。
- 前記配線を介して前記半導体素子を上部電極に接続する、請求項1または2に記載の極微小ダイオードの製造方法。
- 請求項1から3の何れかに記載の製造方法によって製造された極微小ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007059015A JP5268043B2 (ja) | 2007-03-08 | 2007-03-08 | 極微小ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008226918A JP2008226918A (ja) | 2008-09-25 |
JP5268043B2 true JP5268043B2 (ja) | 2013-08-21 |
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ID=39845227
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5268043B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3011383B1 (fr) * | 2013-09-30 | 2017-05-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de dispositifs optoelectroniques a diodes electroluminescentes |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9421138D0 (en) * | 1994-10-20 | 1994-12-07 | Hitachi Europ Ltd | Memory device |
JP3761319B2 (ja) * | 1997-05-21 | 2006-03-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP4120918B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2008-07-16 | 富士通株式会社 | 柱状カーボン構造物の選択成長方法及び電子デバイス |
JP3987922B2 (ja) * | 2002-09-27 | 2007-10-10 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ナノ構造の選択的形成方法 |
KR100749710B1 (ko) * | 2003-02-28 | 2007-08-16 | 도쿠리쓰교세이호징 가가쿠 기주쓰 신코 기코 | 안테나의 제조방법 및 안테나의 제조디바이스 |
JP2006123150A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | National Institute For Materials Science | 電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法 |
JP2006344906A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Seiko Epson Corp | 多層配線基板の製造方法、半導体装置の製造方法、及び電子デバイス |
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2007
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008226918A (ja) | 2008-09-25 |
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