KR100749710B1 - 안테나의 제조방법 및 안테나의 제조디바이스 - Google Patents
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Abstract
nm 오더로 안테나를 제조할 수 있는 제조방법과 제조디바이스. 컴퓨터 패턴 묘화 디바이스 (9) 내에 미리 저장되어 있는 3D 위치 데이터 및 빔의 조사 위치, 조사 방향, 및 조사 시간에 기초하여 빔을 조사하고, 안테나 (3) 는 빔 여기 반응을 이용하여 CVD 프로세스에 의해 제조된다.
빔 조사, 공중배선, 미소 입체 구조물
Description
본 발명은 집속 (集束) 이온 빔 (focused-ion-beam ; FIB) 과 같은 빔 여기 반응을 이용하여, 기판 표면 또는 3차원 (3D) 구조에서 전도체를 성장시켜 nm 오더로 직경을 갖는 공중배선의 제조방법 및 그 공중배선의 제조장치에 관한 것이다.
2차원 (2D) 나노프로세싱 기술은 반도체 제조 공정에 대한 연구와 개발의 진보와 함께 급속도로 발전되어 왔고, 결과적으로 EB (Electron beam; 전자 빔) 또는 FIB(Focused Ion Beam; 집속 이온 빔) 을 이용한 10nm 리소그래피가 가능하게 되어, 이번에는, 예를 들어 단일전자 트랜지스터 (비특허 문헌 1 및 2 참조) 와 같은 50nm 이하의 게이트 길이를 갖는 초 박막 MOS 디바이스 또는 10nm 수준의 양자 효과 디바이스와 같은 제조에 응용된다. 이런 방식으로, 2D 나노프로세싱 기술은 연구 및 개발 수준에서 실제적으로 성취를 이루고 있다. 나노프로세싱 기술의 미래 연구 및 개발은 2차원에서 3차원으로의 다차원화 프로세싱에 목적이 있으며, 결과적으로 다기능화, 고성능을 목적으로 하고 있고, 아직 실현되지 않은 새로운 기능을 가진 디바이스에 대한 연구와 개발을 요구하고 있다.
2D 제조의 경우와 마찬가지로, 높은 분해능 (high resolution) 을 가진 FIB 또는 EB를 이용하여, nm 오더 구조의 제조가 필수적이다. FIB를 이용한 필러 (pillar), 또는 월 (wall) 형상구조의 형성 또는 EB 를 이용한 필드 이미터 또는 포토닉 결정 구조 (photonic crystal structure) 의 제조법이 보고되고 있다 (비특허 문헌 3 및 4 참조). 그러나, 지금까지 보고된 위에 서술된 기술들은 임의의 3D 구조의 제조를 실현하는 것은 아니다.
따라서, 본 발명자는 FIB-CVD (집속 이온 빔-화학적 기상 증착) 를 이용하여 아직 실현되지는 않았지만, 100nm 이하의 크기를 갖는 임의의 3D 구조의 제조를 실현할 수 있는 기술을 개발하였다 (특허 문헌 1 및 비특허 문헌 5를 참조).
[특허 문헌 1]
미심사 일본 특허 공개공보 제 2001-107252호 (페이지 3-4, 도 1)
[비특허 문헌 1]
에스. 마수이 그리고 와이. 오키아이, 나노테크놀로지, 7, 247 (1996년도)
[비특허 문헌 2]
에스, 마수이, IEEE의 회보, 85, 629 (1997년도)
[비특허 문헌 3]
에이치, 더블유, 쿱스, 일본. J. Appl. 물리학, 파트 1 33, 7099 (1994년도)
[비특허 문헌 4]
피. 지. 브라우너, 국제 마이크로프로세서 협회의 회보, 1991년도, p309
[비특허 문헌 5]
에스. 마수이, 케이. 카이토, 제이. 후지타, 엠. 코무로, 케이. 칸다, 그리고 와이, 하루야마, J. Vac. Sci. Technol., B18, 3168 (2000년도)
발명의 개시
2D 묘화기술은 전자 디바이스 집적화를 위하여는 한계가 있기 때문에, 3D 공간 내에 nm 오더의 배선을 제조하도록 요구되고 있다.
또한, nm 오더의 공중배선이 마이크로코일 (microcoil) 과 같은 마이크로 전자공학의 디바이스의 배선을 위해서 필수적이다.
본 발명은 nm 오더의 공중배선을 제조할 수 있도록, 공중배선의 제조 방법과 그 제조장치를 제공하도록 의도된다.
상기 목적을 성취하기 위하여, 본 발명은,
[1] 공중배선의 제조 방법에 있어서, 빔 여기 반응을 이용하기 위하여 컴퓨터 제어 묘화 디바이스에 미리 기억시켜 둔 3차원 위치 데이터와 빔의 조사 위치, 조사 방향, 및 조사 시간에 기초하여 빔을 조사함으로써 CVD 프로세스를 이용하여 공중배선을 제조하는 공중배선의 제조 방법.
[2] [1]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 빔 여기 반응은 액체금속이온 소스를 이용하여 집속 이온빔에 의하여 야기되는, 공중배선의 제조방법.
[3] [1]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 공중배선은 공간에서 임의로 제조되는, 공중배선의 제조방법.
[4] [1]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 단일의 소스 가스가 제조를 위한 소스 가스로서 이용되는, 공중배선의 제조방법.
[5] [1]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 공중배선 특성은 소스 가스와 상이한 소스 가스의 혼합 가스를 사용하여 제어되는, 공중배선의 제조방법.
[6] [1]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 반응 가스 소스를 선택하여 금속, 반도체 또는 절연체 공중배선을 형성하는, 공중배선의 제조방법.
[7] [1]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 전자 디바이스는 상기 공중배선으로 접속되는, 공중배선의 제조방법.
[8] [7]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 전자 디바이스는 저항, 캐패시터, 또는 인덕터인, 공중배선의 제조방법.
[9] [8]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 저항, 캐패시터, 또는 인덕터에 적합한 반응 가스 재료는 저항, 캐패시터, 또는 인덕터 각각에 대응하는 반응 가스 공급 제어를 달성하기 위해서 선택되는, 공중배선의 제조방법.
[10] [7]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 반도체 재료는 집속 이온 빔 주입에 의해 공중배선 내로 국소적으로 도핑되는, 공중배선의 제조방법.
[11] [8]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 반도체 재료는 도핑 가스 대기 내에 전자 빔 조사에 의해 상기 공중배선 내로 국소적으로 도핑되는, 공중배선의 제조방법.
[12] [1]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 반도체 디바이스를 CVD 방법을 이용하여 공중배선 내에 고정되어지도록 레이저 또는 정전기 머니풀레이터 (electrostatic manipulator) 를 이용하여 공중배선으로 이동시키는, 공중배선의 제조방법.
[13] [12]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, CVD 방법은 집속 이온 빔 CVD 방법 또는 전자 빔 CVD 방법인, 공중배선의 제조방법.
[14] [1]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 3차원 정보 네트워크가 전자/이온 빔 여기 프로세스에 의해 국소 공간내에 구성되는, 공중배선의 제조방법.
[15] [1]에 따른 공중배선의 제조 방법으로서, 크로스 바 (crossbar) 회로가 공중배선에 의해 형성되는, 공중배선의 제조방법.
[16] 공중배선의 제조장치로서, 미소 입체 구조물; 미소 입체 구조물의 영역에 영향을 미치기 위한 반응 가스와 빔 여기 반응 수단; 3차원 위치 데이터에 따라서 빔 여기 반응 수단으로부터의 빔을 제어하기 위한 컴퓨터 제어 묘화 디바이스를 구비하고, 빔 여기 반응을 이용함으로써 CVD 프로세스를 이용하여 미리 설계된 공중배선을 제조하는 공중배선의 제조 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 집속 이온 빔에 의한 공중배선의 제조 장치의 모식도이다.
도 2는 탄소 기본 소스로서 페난트렌 (C14H10) 을 이용하여 3D 나노배선을 제조하는 실시예 (실시예 1) 를 도시하는 도이다.
도 3은 탄소 기본 소스로서 페난트렌 (C14H10) 을 이용하여 3D 나노배선을 제조하는 실시예 (실시예 2) 를 도시하는 도이다.
도 4는 배선의 가지 (branch) 부분의 TEM 관측을 통하여 얻어진 도이다.
도 5는 공중배선의 전기특성 평가를 위한 장치의 배치도 및 측정 데이터의 일례를 도시하는 도이다.
도 6은 공중배선의 원소분석의 모식도 및 공중배선의 스펙트럼의 EDX 원소분석 결과를 보여주는 그래프이다.
도 7은 원소분석 및 전기적 특성 평가의 결과를 보여주는 표이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 집속 이온 빔에 의한 공중배선의 제조장치의 모식도이다.
도 9는 본 발명의 실시형태에 따른 크로스바 (clossbar) 구조로 성장시킨 공중배선의 SIM 이미지이다.
도 10은 본 발성의 실시형태에 따른 브릿지 모양으로 제조된 DLC 공중배선의 SIM 이미지이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에 따른 병렬 코일 모양의 DLC 공중배선의 SIM 이미지이다.
본 발명을 실시하기 위한 최선의 양태
본 발명의 실시형태가 이하에서 상세하게 설명된다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 집속 이온 빔에 의한 공중배선의 제조 장치의 모식도이다.
도에서, 참조 번호 1은 Si 기판을 나타내고, 참조 번호 2는 증착 구조물로서 DLC (Diamond Like Carbon; 다이아몬드 형 탄소) 필러, 참조 번호 3은 DLC 필러 (2) 상에 접속되고, 폭을 가지고 있는 공중배선을 나타내고, 참조번호 4는 반응가스로서 페난트렌 가스 (녹는 점 : 99℃, 끓는 점 :340℃) 를 주입하는 가스 노즐, 참조번호 5는 반응가스로서 페난트렌 가스, 참조번호 6은 FIB 장치, 참조번호 7은 FIB, 참조번호 8은 FIB (7) 의 조사방향, 참조번호 9는 컴퓨터 제어 묘화 디바이스 (computer controlled drawing device) 이고, 이 컴퓨터 제어 묘화 디바이스 (9) 는 CPU (중앙처리유닛; 9A), 인터페이스 (9B 및 9D), 3D 위치데이터, 빔의 조사위치, 조사방향, 및 조사 시간을 미리 기억시켜 둔 메모리 (9C), 입/출력 디바이스 (9E), 및 표시 디바이스 (9F) 를 제공한다.
여기에서, 반응 가스로서 이용되는 페난트렌 가스 (5) 의 기상 (phase) 중에서, 집속 이온빔 (FIB ;7) 에 의한 빔 여기 반응을 이용하여 DLC 필러 (2) 에 접속되는, 폭을 가진 공중배선 (3) 을 성장시킬 수 있다.
여기에서 설명되는 실시형태에서, Ga+ 집속이온빔장치 (세이코 인스트루먼스 사: SMI9200) 를 이용하여, 탄소 계열 가스 (페난트렌 : C14H10) 의 기상 중에서 여기 반응에 의해 특정 폭을 갖는 공중배선 (3) 을 제조했다. 증착 물질은 라만 분광에 의해 다이아몬드 형 탄소 (DLC) 인 것으로 확인되었다.
Ga+ 이온의 에너지는 30keV 이고, 조사 이온 전류는 1pA~1nA 정도이다. Ga+ FIB를 반응가스 (5) 의 대기 중에서 Si 기판 (1) 상에 조사하면, 조사 위치상에 흡수된 반응가스 분자가 분해되어, 비결정질의 (amorphous) 탄소가 성장한다. 반응 가스로 이용되는 페난트렌 가스 (5) 는 녹는 점 99℃, 끓는 점 340℃인 방향족 탄화수소화합물이다. 이것을 약 70~80℃으로 가열하여 얻어지는 증기를 가스노즐 (4) 의 팁 (tip) 으로부터 Si 기판으로 주입한다. 장치의 진공도는 약 1×10-5 Pa 이고, 비결정질의 탄소의 성장 중의 샘플 챔버에서 평균 가스 압력은 약 5×10-5 Pa 이다.
Ga+ 가 본 발명에서 FIB로 이용되지만, 여기에 한정되지 않고, 임의의 액체금속 이온 소스, 예를 들면, Au+ 또는 Si+ 를 이용할 수도 있다.
또한, FIB 에 의한 3D 공중배선의 제조원리를 설명한다.
FIB 조사에 의한 화학 기상 증착은, 기판이나 성장 구조의 표면에 흡착하는 반응가스 분자가 2차 전자에 의해 분해, 증착되는 것으로 프로세싱된다. 일반적으로, 이온빔이 조사되면, 1차 이온이 기판이나 증착물 중으로 관통할 때, 강성/비강성 산란의 상호작용 프로세스로 2차 전자가 방출된다. 30keV 의 Ga+ 이온의 경우, 그 범위는 약 20nm 이다.
즉, 이온빔조사 위치에서 반경 약 20nm 내의 범위에서 1차 이온이 산란되고, 그 산란 영역에서 2차 전자가 방출된다. 기판 표면상으로 방출된 비교적 에너지가 낮은 2차 전자는, 그 반응단면적이 크기 때문에, 즉시 흡착가스 분자에 잡혀져, 그 반응가스분자를 분해하는 2차 전자에 의해 비결정질 탄소가 성장한다.
이 프로세스에서, 이온빔의 조사위치를 고정하여 두고, 빔 방향으로 비결정 질 탄소의 필러가 성장된다. 여기에서, 빔조사 위치를 약간 횡방향으로 이동시키면, 2차 전자의 발생영역도 동시에 이동된다. 즉, 이동 방향 (도 1에서는 우측) 의 필러 쪽 표면상에서 2차 전자의 양이 증가함으로써, 횡방향으로 가지 모양의 비결정질 탄소의 성장이 시작된다. 이 프로세스에서, Ga+ 이온 범위가 짧기 때문에 산란하는 1차 이온은 확장하는 비결정질 탄소의 가지를 통과하지 않는다.
즉, 비결정질 탄소의 가지의 팁으로부터 효율적으로 2차전자가 발생하고 가지의 팁에서 분해/증착반응이 계속되어서, 횡방향으로 오버행된 (overhung) 가지의 성장이 가능하게 된다. 따라서, 이온빔의 스캔속도와 성장속도를 제어하는 것으로, 상향 또는 횡 방향으로의 성장을 제어하고 하향방향으로도 성장을 제어하는 것이 실현될 수 있다.
탄소 기본 소스로서 페난트렌 (C14H10) 을 이용하여 제조한 3D 나노배선의 실시예를 도 2 (L, C, R 병렬 회로, 성장시간: 20분), 및 도 3 (L, C, R 필터 회로, 성장시간: 21분) 에서 보여준다. 배선 길이는 모두 약 100nm 이다.
제조한 3D 나노배선의 조성과 구조를 조사하기 위해서, (1) TEM-EDX 에 의해 관측을 실행했다. 도 4는 배선의 가지 부분을 200keV 이하에서 TEM 관측 결과를 도시한다. 이 결과로부터, 3D 나노배선 내부의 Ga 와 C 의 분포 및 위치를 특정할 수 있었다. 분석된 영역은 직경 20nm 이하였다.
또한, (2) 제조된 3D 나노배선의 전기특성을 조사하는 실험을 수행했다. 도 5는 공중배선의 전기특성을 평가하기 위한 장치의 배선도와 측정 데이터의 일례를 보여준다. 이 실험에서, 소스가스로서 페난트렌 가스와 함께, 배선의 저항률을 낮추기 위해 텅스텐카르보닐 (W(CO)6) 가스 (유기금속 기체) 를 동시에 공급시킨 혼합가스를 이용했다. 저항률의 측정 결과, 페난트렌 가스만을 이용하여 제조된 배선의 저항률은 100Ω㎝ 인데 반하여, 텅스텐카르보닐 가스를 동시에 공급하여 제조된 배선의 저항률은 0.02Ω㎝ 까지 내려갈 수 있다. 즉, 텅스텐카르보닐 가스를 공급하여, 1/10000 까지 감소된 저항률의 가변범위를 가지는 배선을 제조할 수 있다.
또한, 배선내의 저항률의 변화와 구조의 변화 사이의 관계를 명료하게 하기 위해, (3) 도 6에 도시된 바와 같이, SEM-EDX 전자 스폿 빔을 이용하여 배선 내부의 원소 함유량을 조사하는 실험을 수행했다. 측정의 결과, 텅스텐카르보닐 가스의 밀도를 증가시킴으로써, 금속 원소인 Ga 와 W 의 함유량이 증가하여, 3D 나노배선의 저항률이 감소하는 것을 보여준다. 도 7에는 SEM-EDX 로 측정한 저항률과 W 의 함유량과의 관계를 도시한다.
소스가스로서, 단일 소스가스를 이용하여 제조할 수 있다.
다른 소스가스를 소스가스와 혼합시킨 혼합 가스를 이용하여 공중배선의 특성을 제어할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 집속 이온빔에 의해 공중배선의 제조 장치의 모식도이다.
이 도에 있어서, 참조 번호 11은 기판, 12는 절연판, 13은 제조 중의 공중배선, 14는 반응가스로서의 페난트렌 가스 (녹는 점 :99℃, 끓는 점:340℃) 를 주입하는 가스 노즐, 15는 반응가스로서의 페난트렌 가스, 16은 FIB 장치, 17은 FIB, 18은 FIB (17) 의 조사방향, 19는 컴퓨터 제어 묘화 디바이스이고, 그 컴퓨터 제어 묘화 디바이스 (19) 는 CPU (중앙처리유닛 ;19A), 인터페이스 (19B 및 19D), 3D 위치 데이터, 빔의 조사 위치, 조사 방향, 및 조사 시간을 미리 기억시켜 둔 메모리 (19C), 입/출력 디바이스 (19E), 및 표시 디바이스 (19F) 를 나타내고 있다.
도 8에서 보면, 공중배선 (13) 은 컴퓨터 제어 묘화 디바이스 (19) 의 메모리 (19C) 에 미리 기억시켜 둔 3차원 위치 데이터 뿐만 아니라 빔의 조사위치, 조사방향, 조사시간에 기초하여 제조되어 있다.
도 9는 본 발명의 실시형태에 따른 크로스바 구조로 성장된 공중배선의 SIM (Scanning Ion Microscope) 이미지 (이온 마이크로스코픽 이미지) 이다.
DLC 배선에 의해, 배선 길이 100nm 의 크로스바 구조로 배선을 제조하고, 제조 조건은 ; 빔 전류 0.5pA, 도즈 시프트 2.7ms/nm, 노광 시간 147 초이다. 또, 반응 가스 소스를 유기금속 가스로 하여, 금속 배선 크로스바 논리 회로를 형성할 수 있다.
또한, 30keV의 Ga+ FIB 에 의해, 배선 길이 100nm, 제조시간 90초로, 공중배선을 형성하고, 공중배선 사이에 저항, 캐패시터, 인덕터 등을 임의로 형성할 수 있다. 실제의 배선에는 Au, Pt, W 등의 금속을 증착할 수 있는 가스소스를 이용한다.
또한 이 실시형태에서는, 헤테로접합 (heterojunction) 형성은 성장하는 동안 상이한 반응 가스 소스를 공급하여 성취될 수 있다.
즉, 공중배선의 제조 중에, 예를 들면, P, N 도펀트로의 반응 가스 소스를 변경하여 형성되는 PN 접합 등의 국소 도핑을 수행하고, 전자 및 광 디바이스를 모두 포함하는 3D 정보 네트워크를 구성할 수 있다.
본 실시형태에서 제조 조건은 ; 빔전류 0.5pA 및 도즈 시프트 2.7 ms/nm 이다.
도 10 은 본 발명의 실시형태에 따른 브릿지 모양으로 제조된 DLC 공중배선의 SIM 이미지이고, 제조 조건은 ; 빔 전류 0.3pA, 도즈 시프트 3.0ms/nm, 및 노광시간 107 초이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에 따른 병렬 코일 모양의 DLC 공중배선의 SIM 이미지이고, 제조 조건은 ; 빔 전류 0.3pA, 도즈 시프트 3.0ms/nm, 및 노광시간 166 초이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면,
(1) 집속 이온빔의 빔 길이는 약 5nm 까지 집속 가능하고, 컴퓨터 제어 패턴 묘화 디바이스의 3D 데이터를 이용하여, 수십 nm 레벨의 공중배선을 얻을 수 있다.
(2) 반응가스를 변경시켜서, 금속, 반도체, 절연체 등의 각종의 재료로, 3D 배선을 형성할 수 있다. 명백하게, 하나의 3D 구조 내에 상이한 재료에 의하여 형성된 부분을 포함하는 3D 복합체 공중배선을 형성할 수 있다.
또한 이러한 특성을 이용하여, 공중배선 사이에 L, C, R, PN 접합으로 결합된 나노공간 3D 정보 네트워크 또는 바이오머니풀레이터 (biomanipulator) 를 제조할 수 있다.
본 발명의 공중배선의 제조방법에, 집속 이온빔 주입에 의하여 공중배선사이에 반도체 재료를 국소적으로 도핑시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 공중배선의 제조방법에, 반도체 재료를 도핑 가스 대기 중에서 전자 빔 조사에 의하여 공중배선 내로 국소적으로 도핑시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 공중배선의 제조 방법에서, 반도체 디바이스는 레이저 또는 정전기 머니풀레이터에 의해 공중배선으로 이동될 수 있고, CVD 방법을 이용하여 거기에 고정될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 공중배선의 제조 방법에서, CVD 방법은 FIB-CVD 방법 또는 EB-CVD 방법일 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태에 한정되지 않고, 다양한 변형은 본 발명의 취지에 따라서 이루어질 수 있고, 이러한 발명의 범위에서 배제되는 것은 아니다.
위에서 상세하게 서술한 바와 같이, 다음의 효과를 본 발명에 따라 성취할 수 있다.
(A) ㎛ 내지 nm 오더의 공중배선을 임의의 모양 및 크기로 제조할 수 있고, 3D 기능 디바이스를 제조하도록 허용한다.
(B) 반응 가스를 변경시켜, 금속, 반도체, 또는 절연체 등의 각종의 재료로, 3D 배선을 형성할 수 있다. 또한, 하나의 3D 구조 내에서 상이한 재료에 의해 형성된 부분을 포함하는 3D 화합물 공중배선을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 공중배선의 제조방법 및 그 공중배선의 제조장치는 예를 들면, 마이크로스위치, 센서, 바이오 머니풀레이터와 같은 머니풀레이터, 마이크로파용 안테나, 또는 양자 디바이스에 적용할 수 있다.
Claims (17)
- 컴퓨터 패턴 묘화 디바이스에 미리 기억되는 3차원 위치 데이터와 빔의 조사 위치, 조사 방향, 조사 시간에 기초하여 빔을 조사하고, 빔 여기 반응을 이용하는 것과 동시에 제 1 의 소스 가스와 상이한 제 2 의 소스 가스의 혼합 가스를 이용하고, CVD 프로세스에 의하여 공중배선을 제작하는 공중배선 (free-space-wiring) 의 제조방법으로서,상기 공중배선에 전자 디바이스를 접속하는 것과 동시에, 상기 공중배선 내에 반도체 재료의 국소적 도핑을 실시하는 것을 특징으로 하는 공중배선의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 빔 여기 반응은 액체금속이온 소스를 이용하여 집속 이온빔에 의하여 야기되는 것을 특징으로 하는 공중배선의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 공중배선은 반응 가스 소스를 선택하여 금속, 반도체 또는 절연체 공중배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 공중배선의 제조방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 전자 디바이스는 저항, 캐패시터, 또는 인덕터인 것을 특징으로 하는 공중배선의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 저항, 상기 캐패시터, 또는 상기 인덕터에 적합한 반응 가스 재료를 선정하고, 상기 저항, 상기 캐패시터, 또는 상기 인덕터 각각에 대응하는 반응 가스 공급 제어를 실시하는 것을 특징으로 하는 공중배선의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,반도체 디바이스를 레이저 또는 정전기 머니풀레이터 (electrostatic manipulator) 에 의하여 상기 공중배선 내에 이동시키고, 상기 공중배선 내에 상기 반도체 디바이스를 CVD 방법에 의하여 고정하는 것을 특징으로 하는 공중배선의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 CVD 방법은 집속 이온 빔 CVD 방법 또는 전자 빔 CVD 방법인 것을 특징으로 하는 공중배선의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,전자/이온 빔 여기 프로세스에 의하여 국소 공간 내에 3 차원 정보 네트워크를 구축하는 것을 특징으로 하는 공중배선의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공중배선에 의하여 크로스 바 (crossbar) 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 공중배선의 제조방법.
- 공중배선의 제조장치로서,(a) 미소 입체 구조물;(b) 상기 미소 입체 구조물의 영역에 영향을 미치기 위하여 제 1의 소스 가스와 상이한 제 2의 소스 가스의 혼합 가스를 포함하는 반응 가스와 빔 여기 반응 수단; 및(c) 상기 빔 여기 반응 수단으로부터의 빔을 3 차원 위치 데이타에 따라 제어하는 컴퓨터 패턴 묘화 디바이스를 구비하고,(d) 상기 빔 여기 반응을 이용함으로써 CVD 프로세스를 이용하여 미리 설계된 공중배선을 제조하고,상기 공중배선에 전자 디바이스를 접속하는 것과 동시에, 상기 공중배선 내에 반도체 재료의 국소적 도핑을 실시하는 것을 특징으로 하는 공중배선의 제조장치.
- 제 1 항, 제 2 항, 제 6 항, 제 8 항, 제 9 항, 또는 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 기재된 공중배선의 제조방법을 사용하여 제조된 공중배선.
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