JP5266630B2 - 磁気メモリ - Google Patents
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Description
W.C. Jeong、J.H. Park、 J.H. Oh、 G.T. Jeong、 H.S. Jeong、 Kinam Kim, 「Highly scalable MRAM using filed assisted current induced switching」、 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers、頁184−185(2005)
なお、図3のグラフのデータを図4に示す。
L≦−0.3×ln(R)+3
Iw=2.9×L
一方、上述のように書き込み電流Iwの上限値は以下の式で制限される。
Iw=−1.0×ln(R)+8.8
従って、上記2式より磁気抵抗効果素子サイズと抵抗の関係は、L≦−0.34×ln(R)+3.03であり、この式の小数点以下2桁を四捨五入して、以下の式で表される。
L≦−0.3×ln(R)+3
なお、L=−0.3×ln(R)+3の場合のR(Ω)とL(μm)の値は以下の通りである。
Claims (9)
- 磁気抵抗効果素子を有する記憶領域を複数配置してなる磁気メモリにおいて、
個々の前記磁気抵抗効果素子は、
前記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸方向の素子サイズが0.7μm以下であって、且つ、
強磁性体からなるフリー層と、
強磁性体からなる固定層と、
前記フリー層と前記固定層との間に介在する中間非磁性層と、
を有しており、
個々の前記記憶領域は、
個々の前記磁気抵抗効果素子の前記固定層及び前記フリー層の一方に電気的に接続された読み出し/書き込み制御兼用のトランジスタと、
個々の前記磁気抵抗効果素子の前記固定層及び前記フリー層の他方に電気的に接続された配線と、
前記配線を囲み前記フリー層に磁界を与える磁気ヨークと、
を有しており、
個々の前記記憶領域内の前記トランジスタの数は1つである、
ことを特徴とする磁気メモリ。 - 個々の前記磁気抵抗効果素子の前記中間非磁性層が絶縁体からなり、
素子サイズLは、前記固定層と前記フリー層の磁化の向きが平行の場合の前記磁気抵抗効果素子の抵抗値Rとの間に、
以下の関係式:
L≦−0.3×ln(R)+3
を満たすことを特徴とする請求項1記載の磁気メモリ。 - 前記配線は、
前記固定層及び前記フリー層の他方に一端が電気的に接続され、一方向に沿って延びた第1配線と、
前記磁気ヨークの内側において前記第1配線に対して平行に延び、一端が基準電位に接続された第2配線と、
前記磁気ヨークの外側を迂回して前記第1配線の他端と前記第2配線の他端とを電気的に接続する接続配線と、
を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気メモリ。 - 前記第1配線、前記接続配線及び前記第2配線は、前記磁気抵抗効果素子の厚み方向に平行な直線を軸として、螺旋状に連続している、
ことを特徴とする請求項3に記載の磁気メモリ。 - 前記配線は、前記第2配線の一端に連続し、前記基準電位を与える基準配線に接続された延長配線を更に備え、
螺旋状に連続して延びた前記第1配線、前記接続配線及び前記第2配線の回転方向は、前記第2配線及び前記延長配線の回転方向に対して逆方向である、
ことを特徴とする請求項4に記載の磁気メモリ。 - 前記配線は、
前記固定層及び前記フリー層の他方に一端が電気的に接続され、一方向に沿って延び、他端が基準電位に接続された第1配線を備えることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載の磁気メモリ。 - 前記配線は、前記第1配線の一端に連続し、前記基準電位を与える基準配線に接続された延長配線と、
前記延長配線と前記基準配線とを前記磁気抵抗効果素子の厚み方向に沿って接続する基準貫通配線と、
を更に備え、
前記第1配線と前記延長配線とはT又はL字を構成している、
ことを特徴とする請求項6に記載の磁気メモリ。 - 前記配線は、前記第1配線の一端に連続し、前記基準電位を与える基準配線に接続された延長配線と、
前記延長配線と前記基準配線とを前記磁気抵抗効果素子の厚み方向に沿って接続する基準貫通配線と、
を更に備え、
前記第1配線と前記延長配線とはU字を構成している、
ことを特徴とする請求項6に記載の磁気メモリ。 - 個々の前記記憶領域において、
前記トランジスタと、前記磁気抵抗効果素子とを前記磁気抵抗効果素子の厚み方向に沿って接続する垂直配線を備え、
前記垂直配線の数は複数である、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の磁気メモリ。
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