JP5266609B2 - 圧電素子、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置 - Google Patents
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Description
即ち、本発明の圧電素子は、
チタン酸ジルコン酸鉛系の圧電体と、前記圧電体を挟持する2つの上部電極及び下部電極と、を有し、
前記上部電極及び前記下部電極の少なくも一方は、前記圧電体の構成元素である鉛の拡散を抑制する拡散抑制伝導層、及び前記拡散抑制伝導層よりも抵抗が低い低抵抗伝導層を積層して構成され、
前記拡散抑制伝導層は、Ta,V,Nb,Mo,W,Zr,及びHfの金属の元素を1種以上含む窒化物、前記金属の元素を1種以上含む珪化物、並びに、前記金属の元素を1種以上含む硼化物から選択される少なくとも1種で構成される電気伝導層であり、
前記低抵抗伝導層は、前記金属、又は前記金属の元素を1種以上含む合金から選択される少なくとも1種で構成される電気伝導層であること特徴としている。
Ta,V,Nb,Mo,W,Zr,及びHfの金属、前記金属の元素を1種以上含む合金、前記金属の元素を1種以上含む窒化物、前記金属の元素を1種以上含む珪化物、並びに、前記金属の元素を1種以上含む硼化物の電極素材は、圧電素子作製時において、表面に均一で、かつ、例えば数10Å以下の超薄層の酸化層を形成した後、圧電体構成素材との安定した拡散層を形成し、圧電体との充分な吸着層を形成することができる。また、同様に、上部電極上の保護層とも充分な吸着性を保つことができる。他方、上記素材の酸化物は誘電性を呈するが、数10Å以下の超薄膜であるため、下部電極と上部電極に挟まれた圧電体の強誘電性を損なわない。
図1は、第1実施形態に係るインクジェット記録装置を示す概略構成図である。図2は、第1実施形態のインクジェット記録ユニットによる印字領域を示す図である。
但し、本実施形態では、高融点金属としては、Ta,V,Nb,Mo,W,Zr,及びHfの金属から選択される。
Ta2N,TaN0.1,TaN0.8,TaN,Ta6N2.57,Ta4N,Amorphous−TaNx,
TaB2,TaB,Amorphous−TaBx,
TaSi2,Ta5Si,β−Ta5Si3,α−Ta5Si3,Ta2Si,Ta3Si,Ta4Si,Ta3.28Si0.72,Amorphous−TaSix,
VN,V2N,V6N2.7,VN0.2,VN0.35,Amorphous−VNx,VB2,V1.54B50,Amorphous−VBx,
VSi2,V3Si,V5Si3,Amorphous−VSix,
Nb2N,NbN,NbN0.95,Nb4.62N2.14,Nb4N3.92,Nb4N3,Amorphous−NbNx,
Amorphous−NbBx,
NbSi2,Nb3Si,Amorphous−NbSix,
MoN,Mo2N,Amorphous−MoNx,
MoB4,Mo0.8B3,Mo2B,Amorphous−MoBx,
MoSi2,Mo5Si3,Amorphous−MoSix,
WN,W2N,Amorphous−WNx,
WB4,W2B5,Amorphous−WBx,
Wsi2,W5Si3,W3Si,Amorphous−WSix,
TiN,Ti2N,TiN0.26,TiN0.30,Amorphous−TiNx,
TiB2,Amorphous−TiBx,
TiSi2,TiSi,Ti5Si4,Ti5Si3,Amorphous−TiSix,
ZrN0.28,ZrN,Amorphous−ZrNx,
ZrB2,Amorphous−ZrBx,
ZrSi2,ZrSi,Zr5Si3,Amorphous−ZrSix,
HfB2,HfN0.40,HfN,Amorphous−HfNx,
HfB,Amorphous−HfBx,
HfSi2,Hf5Si4,Hf2Si,Hf5Si3,Amorphous−HfSix等
α−Ta(bcc−Ta),β−Ta(Tetragonal Ta),bcc−V,bcc−Nb,bcc−Mo,α−W(bcc−W),β−W(cubic−W),α−Ti(hcp−Ti),β−Ti(bcc−Ti),hcp−Zr,β−Zr(bcc−Zr),hcp−Hf,
TaMo,TaTi,TiAl,TaW,TaHf,TiW等
1)共通電極46構成:低抵抗伝導層:α−Ta(2000Å)
信号電極50構成:低抵抗伝導層:α−Ta(3000Å)
2)共通電極46構成:低抵抗伝導層/拡散抑制伝導層:α−Ta(1500Å)/TaNx(500Å)
信号電極50構成:拡散抑制伝導層/低抵抗伝導層:TaNx(500Å)/(α−Ta(2500Å)
3)共通電極46構成:拡散抑制伝導層/低抵抗伝導層:TaNx(500Å)/α−Ta(2500Å)
信号電極50構成:低抵抗伝導層/拡散抑制伝導層:α−Ta(2500Å)/TaNx(500Å)
図9は、第2実施形態に係るインクジェット記録ヘッドにおける圧電体周辺を示す部分拡大平面図である。図10は、図9のA−A断面図である。図11は、図9のB−B断面図である。
12 用紙供給部
14 レジ調整部
16 記録ヘッド部
17 スターホイール
18 メンテナンス部
20 記録部
21 メンテナンス装置
22 排出部
30 インクジェット記録ユニット
32 インクジェット記録ヘッド
34 圧電素子
46 共通電極
48 圧電体
50 信号電極
52 基板
54 第1層間絶縁層
56 第2層間絶縁層
58 保護層
60 共通配線
62 信号配線
Claims (14)
- チタン酸ジルコン酸鉛系の圧電体と、前記圧電体を挟持する2つの上部電極及び下部電極と、を有し、
前記上部電極及び前記下部電極の少なくも一方は、前記圧電体の構成元素である鉛の拡散を抑制する拡散抑制伝導層、及び前記拡散抑制伝導層よりも抵抗が低い低抵抗伝導層を積層して構成され、
前記拡散抑制伝導層は、Ta,V,Nb,Mo,W,Zr,及びHfの金属の元素を1種以上含む窒化物、前記金属の元素を1種以上含む珪化物、並びに、前記金属の元素を1種以上含む硼化物から選択される少なくとも1種で構成される電気伝導層であり、
前記低抵抗伝導層は、前記金属、又は前記金属の元素を1種以上含む合金から選択される少なくとも1種で構成される電気伝導層であること特徴とする圧電素子。 - 前記拡散抑制伝導層は、前記圧電体と直接接触するように積層していることを特徴とする請求項1に記載の圧電素子。
- 前記上部電極及び前記下部電極の少なくも一方は、不活性元素を吸蔵していることを特徴とする請求項1に記載の圧電素子。
- 前記圧電体は、気相成長法又は液相成長法で形成されることを特徴とする請求項1に記載の圧電素子。
- 気相成長又は液相成長により形成される前記圧電体は、堆積時に結晶化されることを特徴とする請求項4に記載の圧電素子。
- 気相成長又は液相成長により形成される前記圧電体は、その前駆体を堆積後、熱過程により結晶化されることを特徴とする請求項4に記載の圧電素子。
- 気相成長又は液相成長により形成される前記圧電体は、稠密な結晶相を呈する前記下部電極上に形成されることを特徴とする請求項4に記載の圧電素子。
- 前記下部電極の表面には、前記圧電体の動作領域の除いて絶縁層が被覆していることを特徴とする請求項1に記載の圧電素子。
- 前記圧電体は、前記下部電極表面に直接積層されていることを特徴とする請求項1に記載の圧電素子。
- 前記圧電体の動作領域を除く領域で、前記上部電極及び前記下部電極とそれぞれ電気的に接続される上部配線及び下部配線を有することを特徴とする請求項1に記載の圧電素子。
- 前記上部配線と前記下部配線とは、互いに異なる階層に配設していることを特徴とする請求項10に記載の圧電素子。
- 前記上部電極及び前記下部電極と、前記上部配線及び下部配線とは、互いに異なる階層に配設していることを特徴とする請求項10に記載の圧電素子。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の圧電素子を有する液滴吐出ヘッド。
- 請求項13に記載の液滴吐出ヘッドを有する液滴吐出装置。
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