JP5255223B2 - 銅合金微粒子の製造方法、及び該製造方法で得られる銅合金微粒子 - Google Patents
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- 239000010419 fine particle Substances 0.000 title claims description 175
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 46
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims description 174
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 106
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 106
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 92
- -1 alkali metal pyrophosphate Chemical class 0.000 claims description 68
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 68
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 68
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 52
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 claims description 38
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 34
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 30
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 27
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- RIRXDDRGHVUXNJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[P] Chemical compound [Cu].[P] RIRXDDRGHVUXNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- GEZAUFNYMZVOFV-UHFFFAOYSA-J 2-[(2-oxo-1,3,2$l^{5},4$l^{2}-dioxaphosphastannetan-2-yl)oxy]-1,3,2$l^{5},4$l^{2}-dioxaphosphastannetane 2-oxide Chemical compound [Sn+2].[Sn+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O GEZAUFNYMZVOFV-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 16
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- YWIHFOITAUYZBJ-UHFFFAOYSA-N [P].[Cu].[Sn] Chemical compound [P].[Cu].[Sn] YWIHFOITAUYZBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 11
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 11
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- QTMDXZNDVAMKGV-UHFFFAOYSA-L copper(ii) bromide Chemical compound [Cu+2].[Br-].[Br-] QTMDXZNDVAMKGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 10
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 6
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 claims description 6
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 6
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 6
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 claims description 6
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 claims description 6
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 claims description 6
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 claims description 6
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 claims description 6
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 6
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 claims description 6
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 6
- XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(CC=2C(=CC=C(C)C=2)O)=C1 XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- UNMYWSMUMWPJLR-UHFFFAOYSA-L Calcium iodide Chemical compound [Ca+2].[I-].[I-] UNMYWSMUMWPJLR-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021593 Copper(I) fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021590 Copper(II) bromide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021594 Copper(II) fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 5
- SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N ammonium bromide Chemical compound [NH4+].[Br-] SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229940077484 ammonium bromide Drugs 0.000 claims description 5
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 5
- 229940107816 ammonium iodide Drugs 0.000 claims description 5
- NKQIMNKPSDEDMO-UHFFFAOYSA-L barium bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Ba+2] NKQIMNKPSDEDMO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001620 barium bromide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229940075444 barium iodide Drugs 0.000 claims description 5
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 claims description 5
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001640 calcium iodide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229940046413 calcium iodide Drugs 0.000 claims description 5
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M copper(i) bromide Chemical compound Br[Cu] NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L copper(ii) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Cu+2] GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 claims description 5
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 claims description 5
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 5
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 5
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 5
- 229960002816 potassium chloride Drugs 0.000 claims description 5
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 claims description 5
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 5
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229960002668 sodium chloride Drugs 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims description 3
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims description 3
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 90
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 34
- 229940048084 pyrophosphate Drugs 0.000 description 30
- 229910017888 Cu—P Inorganic materials 0.000 description 27
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 24
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 24
- 229910009038 Sn—P Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 20
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 15
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 9
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 229940098424 potassium pyrophosphate Drugs 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 6
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 5
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- NLCVKZQQNSCDFU-UHFFFAOYSA-L potassium;sodium;dibromide Chemical compound [Na+].[K+].[Br-].[Br-] NLCVKZQQNSCDFU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229940091249 fluoride supplement Drugs 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- BSPSZRDIBCCYNN-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynetin Chemical compound [Sn]#P BSPSZRDIBCCYNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M sodium;hydron;difluoride Chemical compound F.[F-].[Na+] BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N toluquinol Chemical compound CC1=CC(O)=CC=C1O CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052614 beryl Inorganic materials 0.000 description 1
- JUNWLZAGQLJVLR-UHFFFAOYSA-J calcium diphosphate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O JUNWLZAGQLJVLR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229940043256 calcium pyrophosphate Drugs 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002057 carboxymethyl group Chemical group [H]OC(=O)C([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000019821 dicalcium diphosphate Nutrition 0.000 description 1
- XZTWHWHGBBCSMX-UHFFFAOYSA-J dimagnesium;phosphonato phosphate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XZTWHWHGBBCSMX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J sodium diphosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229940048086 sodium pyrophosphate Drugs 0.000 description 1
- RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M sodium;(2r)-2-[6-(4-chlorophenoxy)hexyl]oxirane-2-carboxylate Chemical compound [Na+].C=1C=C(Cl)C=CC=1OCCCCCC[C@]1(C(=O)[O-])CO1 RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- MVGWWCXDTHXKTR-UHFFFAOYSA-J tetralithium;phosphonato phosphate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[Li+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O MVGWWCXDTHXKTR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000019818 tetrasodium diphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
これらの微粒子の気相合成法として、熱CVD法、プラズマCVD法、静電噴霧CVD法等が知られており(特許文献1、2)、また液相合成法として、噴霧熱分解法、火炎噴霧熱分解法、液相還元法、連続液相合成、噴霧乾燥法等の方法が知られている(特許文献3、4)。
上記特許文献1ないし4に記載の微粒子の製造方法においては、未だ汎用の銅合金微粒子について、略球状の微粒子を商業的に製造する技術がいまだ確立されていないのが実情である。
また、実装接続に用いるペーストやインクにおいて、均一な粒子分散により均一な接続状態を得るためには、使用する合金粒子の形状が球状でかつ粒子径が小さいことが望まれる。しかし、粉砕法により製造される合金粒子は粒径が大きくなったり、不定形の形状になることが多く、接続状態にばらつきが生じたり、低温で接続温度できないという問題点があった。
本発明は、電解還元又は無電解還元を行うことにより、球状でかつ粒子径が小さい銅−リン合金微粒子、銅−スズ合金微粒子、及び銅−スズ−リン合金微粒子の製造方法、及びこれらの製造により得られる銅合金微粒子を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様である「銅合金微粒子の製造方法」においては更に下記(4)ないし(10)に記載の態様とすることができる。
(4)前記分散媒が水溶性の高分子からなる有機物分散媒であって、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、デンプン、及びゼラチンから選択される1種又は2種以上である。
(5)有機物分散媒の還元反応溶液中における濃度が銅−リン合金微粒子を析出させる場合には有機物分散媒と銅原子の質量比([有機物分散媒/銅]質量比)で0.01〜30である。
(6)前記分散媒がハロゲンイオンからなる分散媒であって、該ハロゲンイオンの供給源が塩化水素、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化第一銅、塩化第二銅、臭化水素、臭化カリウム、臭化ナトリウム、臭化第一銅、臭化第二銅、沃化水素、沃化カリウム、沃化ナトリウム、沃化第一銅、沃化第二銅、フッ化水素、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化第一銅、フッ化第二銅、塩化カルシウム、塩化バリウム、塩化アンモニウム、臭化カルシウム、臭化バリウム、臭化アンモニウム、沃化カルシウム、沃化バリウム、沃化アンモニウム、及び弗化アンモニウムから選択される1種又は2種以上である。
(7)前記(6)におけるハロゲンイオンからなる無機物分散媒の還元反応溶液中における濃度が銅−リン合金微粒子を析出させる場合にはハロゲンイオンと銅原子とのモル比([ハロゲンイオン/銅]モル比)が0.25〜100である。
(8)前記還元反応溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)が0.1〜0.6である条件で還元反応を行う。
(9)前記還元反応による銅−リンからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中に設けられたアノードとカソード間に電圧を印加して還元反応を行うことによりカソード表面付近に銅−リン合金微粒子を析出させる方法である。
(10)前記還元反応による銅−リンからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中で還元剤存在下に還元反応を行うことにより、銅−リン合金微粒子を析出させる方法である。
本発明の第2の態様である「銅合金微粒子の製造方法」においては更に下記(4)ないし(7)、及び(11)ないし(13)に記載の態様とすることができる。
(4)前記分散媒が水溶性の高分子からなる有機物分散媒であって、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、デンプン、及びゼラチンから選択される1種又は2種以上である。
(5)前記有機物分散媒の還元反応溶液中における濃度が有機物分散媒と、銅原子及びスズ原子との質量比([有機物分散媒/(銅+スズ)]質量比)で0.01〜30である。
(6)前記分散媒がハロゲンイオンからなる分散媒であって、該ハロゲンイオンの供給源が塩化水素、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化第一銅、塩化第二銅、臭化水素、臭化カリウム、臭化ナトリウム、臭化第一銅、臭化第二銅、沃化水素、沃化カリウム、沃化ナトリウム、沃化第一銅、沃化第二銅、フッ化水素、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化第一銅、フッ化第二銅、塩化カルシウム、塩化バリウム、塩化アンモニウム、臭化カルシウム、臭化バリウム、臭化アンモニウム、沃化カルシウム、沃化バリウム、沃化アンモニウム、及び弗化アンモニウムから選択される1種又は2種以上である。
(7)前記(6)におけるハロゲンイオンの還元反応溶液中における濃度がハロゲンイオンと、銅原子及びスズ原子とのモル比([ハロゲンイオン/(銅+スズ)]モル比)が0.5〜100である。
(11)前記還元反応溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)が0.05〜0.4、及びスズ原子とP2O7イオンとのモル比([Sn/P2O7]モル比)が0.05〜0.4である条件で還元反応を行う。
(12)前記還元反応による銅−スズからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中に設けられたアノードとカソード間に電圧を印加して還元反応を行うことによりカソード表面付近に銅−スズ合金微粒子を析出させる方法である。
(13)前記還元反応による銅−スズからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中で還元剤存在下に還元反応を行うことにより、銅−スズ合金微粒子を析出させる方法である。
本発明の上記第3の態様である「銅合金微粒子の製造方法」においては更に下記(4)ないし(7)、及び(14)ないし(16)に記載の態様とすることができる。
(4)前記分散媒が水溶性の高分子からなる有機物分散媒であって、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、デンプン、及びゼラチンから選択される1種又は2種以上である。
(5)前記有機物分散媒の還元反応溶液中における濃度が有機物分散媒と、銅原子及びスズ原子との質量比([有機物分散媒/(銅+スズ)]質量比)で0.01〜30である。
(6)前記分散媒がハロゲンイオンからなる分散媒であって、該ハロゲンイオンの供給源が塩化水素、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化第一銅、塩化第二銅、臭化水素、臭化カリウム、臭化ナトリウム、臭化第一銅、臭化第二銅、沃化水素、沃化カリウム、沃化ナトリウム、沃化第一銅、及び沃化第二銅、フッ化水素、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化第一銅、フッ化第二銅、塩化カルシウム、塩化バリウム、塩化アンモニウム、臭化カルシウム、臭化バリウム、臭化アンモニウム、沃化カルシウム、沃化バリウム、沃化アンモニウム、及び弗化アンモニウムから選ばれる1種又は2種以上である。
(7)前記(6)におけるハロゲンイオンの還元反応溶液中における濃度がハロゲンイオンと、銅原子及びスズ原子とのモル比([ハロゲンイオン/(銅+スズ)]モル比)が0.5〜100である。
(14)前記還元反応溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)が0.1〜0.6、及びスズ原子とP2O7イオンとのモル比([Sn/P2O7])モル比が0.1〜0.4である条件で還元反応を行う。
(15)前記還元反応による銅−スズ−リンからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中に設けられたアノードとカソード間に電圧を印加して還元反応を行うことによりカソード表面付近に銅−スズ−リン合金微粒子を析出させる方法である。
(16)前記還元反応による銅−スズ−リンからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中で還元剤存在下に還元反応を行うことにより、銅−スズ−リン合金微粒子を析出させる方法である。
(17)前記(1)に記載の還元反応により製造された、銅−リンからなる粒子径は1〜500nmの範囲で、かつアスペクト比が10以下である銅合金微粒子(第4の態様)。
(18)前記(2)に記載の還元反応により製造された、銅−スズからなる粒子径は1〜500nmの範囲で、かつアスペクト比が10以下の銅合金微粒子(第5の態様)。
(19)前記(3)に記載の還元反応により製造された、銅−スズ−リンからなる粒子径は1〜500nmの範囲で、かつアスペクト比が10以下の銅合金微粒子(第6の態様)。
以下、銅−リン合金をCu−P合金と、銅−スズ合金をCu−Sn合金と、銅−スズ−リン合金をCu−Sn−P合金と記載する。
本発明において、電解還元において還元反応が行われる溶液を還元反応溶液といい、無電解還元において、少なくともピロリン酸第2銅、又はピロリン酸第2銅とピロリン酸第1スズ等が溶解されている水溶液を反応水溶液といい、少なくとも還元剤が溶解されている水溶液を還元剤水溶液といい、前記反応水溶液と還元剤水溶液を混合した溶液を還元反応溶液という。
本発明において、還元反応溶液中における銅原子の質量(又はモル数)、スズ原子の質量(又はモル数)、及びP2O7イオンのモル数は、以下の記載に基づき求められる。
(i)銅原子の質量(又はモル数)
銅原子の質量(又はモル数)は、還元反応溶液に配合されたすべての銅化合物中の銅原子の質量(又はモル数)である。
(ii)スズ原子の質量(又はモル数)
スズ原子の質量(又はモル数)、還元反応溶液に配合されたすべてのスズ化合物中のスズ原子の質量(又はモル数)である。
(iii)P2O7イオンのモル数
P2O7イオンのモル数は、還元反応溶液に配合されたピロリン酸塩のすべてのP2O7基のモル数である。
また、本発明の製造方法により製造される銅合金微粒子について記載するアスペクト比は、平均アスペクト比を意味する。
以下に本発明における〔1〕分散媒、〔2〕第1の態様、〔3〕第2の態様、〔4〕第3の態様、及び〔5〕第4〜6の態様について説明する。
本発明において分散媒として、有機物分散媒、又は無機のハロゲンイオンからなる分散媒を使用する。本発明における分散媒の作用のメカニズムは定かではないが、還元反応溶液中において還元反応による合金微粒子の結晶核の生成を助長し、更に生成した結晶を分散させる作用を有するものと推定される。
(1)有機物分散媒
有機物分散媒として、水溶性の高分子化合物を使用することができる、このような水溶性の高分子化合物としてポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン等のアミン系の高分子;ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース等のカルボン酸基を有する炭化水素系高分子;ポリアクリルアミド等のアクリルアミド;ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、更にはデンプン、ゼラチン等が例示できる。
上記例示した水溶性の高分子化合物の具体例として、ポリエチレンイミン(分子量:100〜100,000)、ポリビニルピロリドン(分子量:1000〜500、000)、カルボキシメチルセルロース(ヒドロキシル基Na塩のカルボキシメチル基への置換度:0.4以上、分子量:1000〜100,000)、ポリアクリルアミド(分子量:100〜6,000,000)、ポリビニルアルコール(分子量:1000〜100,000)、ポリエチレングリコール(分子量:100〜50,000)、ポリエチレンオキシド(分子量:50,000〜900,000)、ゼラチン(平均分子量:61,000〜67,000)、水溶性のデンプン等が挙げられる。上記かっこ内に示す範囲にある数平均分子量の高分子化合物は水溶性を有するので、本発明の有機物分散媒として好適に使用できる。尚、これらの有機物分散媒は、2種以上を混合して使用することもできる。
有機物分散媒の還元反応溶液中における濃度が銅−リン合金微粒子を析出させる場合、有機物分散媒と銅原子との質量比([有機物分散媒/銅]質量比)は好ましくは0.01〜30、より好ましくは0.5〜10である。該比が前記0.01未満では、還元反応が著しく遅くなり、前記30を超えると添加効果がなくなる。
銅−スズ合金又は銅−スズ−リン合金微粒子を析出させる場合、有機物分散媒と、銅原子及びスズ原子との質量比([有機物分散媒/(銅+スズ)]質量比)は、好ましくは0.01〜30、より好ましくは0.5〜10である。該比が前記0.01未満では、還元反応が著しく遅くなり、30を超えると添加効果がなくなる。
ハロゲンイオンからなる分散媒としての該ハロゲンイオンの供給源は、塩化水素、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化第一銅、塩化第二銅、臭化水素、臭化カリウム、臭化ナトリウム、臭化第一銅、臭化第二銅、沃化水素、沃化カリウム、沃化ナトリウム、沃化第一銅、沃化第二銅、フッ化水素、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化第一銅、フッ化第二銅、塩化カルシウム、塩化バリウム、塩化アンモニウム、臭化カルシウム、臭化バリウム、臭化アンモニウム、沃化カルシウム、沃化バリウム、沃化アンモニウム、及び弗化アンモニウムから選ばれる1種以上である。これらは、2種以上を混合して使用することもできる。
また、Cu−Sn合金又はCu−Sn−P合金微粒子を析出させる場合、前記還元反応溶液中におけるハロゲンイオンと、銅原子及びスズ原子とのモル比([ハロゲンイオン/(銅+スズ)]モル比]は好ましくは0.5〜100、より好ましくは0.5〜20である。該モル比が前記100を超えると還元反応が遅くなり、一方前記0.5未満では、添加効果が少ない。
尚、ハロゲンイオンの供給源となる化合物は、少なくとも該ハロゲンイオンがイオン結合をしている化合物であれば良く、還元反応溶液中における上記ハロゲンイオン量は化合物においてイオン結合をしているハロゲン量である。
本発明の第1の態様である「銅合金微粒子の製造方法」は、少なくとも、ピロリン酸第2銅、アルカリ金属ピロリン酸塩及び/又はアルカリ土類金属ピロリン酸塩、並びに前記分散媒を含む還元反応溶液において、還元反応によりCu−Pからなる合金微粒子を析出する、ことを特徴とする。
以下の(1)ないし(3)の記載内容は、電解還元と無電解還元に共通する内容である。
(1)アルカリ金属ピロリン酸塩とアルカリ土類金属ピロリン酸塩
アルカリ金属ピロリン酸塩としては、ピロリン酸リチウム、ピロリン酸ナトリウム、及びピロリン酸カリウムが挙げられ、またアルカリ土類金属ピロリン酸塩としては、ピロリン酸ベリウム、ピロリン酸マグネシウム、及びピロリン酸カルシウムが挙げられから選ばれる。これらは、2種以上混合使用することもできる。
第1の態様において、還元反応によりCu−Pからなる合金微粒子を析出するための還元反応溶液には、ピロリン酸第2銅、アルカリ金属ピロリン酸塩又はアルカリ土類金属ピロリン酸塩(以下、「アルカリ金属ピロリン酸塩及び/又はアルカリ土類金属ピロリン酸塩」を「アルカリ金属等ピロリン酸塩」ということがある。)、及び分散媒が含まれる。
ピロリン酸第2銅(Cu2P2O7・3H2O)は水に不溶であるので、ピロリン酸第2銅1モルに対し、アルカリ金属等ピロリン酸塩を反応させて、水溶性の錯塩を形成する。還元反応が行われるpH7〜9.5の範囲では、銅とピロリン酸のモル比が1:2のCu(P2O7)2 6−が形成され、これが更に二次解離をして、Cu2+と2P2O7 4−を生成し、この2価の銅イオンが還元されて粒子が析出すると推定される。
第1の態様において、還元反応溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)は、好ましくは0.1〜0.6、より好ましくは0.3〜0.5である。
還元反応溶液中のピロリン酸第2銅の濃度、アルカリ金属等ピロリン酸塩の濃度、及びpH調整剤(例えば、次亜リン酸ナトリウム等)の濃度は、通常の電解めっき、無電解の場合の条件とほぼ同様である。
分散媒については上記「〔1〕分散媒」の項に記載した通りである。
一方、光沢剤(アミン誘導体とエピハロヒドリンとのモル比1:1の反応生成物等)や光沢補助剤(パラホルムアルデヒド等のアルデヒド誘導体)は添加すると膜状となり、粒子状物の析出を抑制するので添加は避けるべきである。
(i)電極(陽極と陰極)材料等
陰極は、白金、カーボン等が好ましく、陽極は、Cu、Cu−Sn合金、Cu−Sn―P合金、カーボン、白金等が好ましい。尚、陰極表面付近に析出した粒子を脱離、回収するために陰極に超音波振動等の揺動を与えることが可能な構造とすることもできる。
(ii)電解還元反応
電解還元反応のpHは、好ましくは弱アルカリ性域の7〜10、より好ましくは8〜9の範囲に調整する。pHが7未満だとピロリン酸塩がオルソリン酸塩に変化して均一に還元反応が進行するのを妨げるなどの悪影響を与える場合があり、pHが10を超えると電流密度範囲が狭くなり、電流効率が低下する場合がある。尚、pHの調整は次亜リン酸アルカリ金属塩等の添加により行うことができる。
電流密度は好ましくは0.3〜10A/dm2 、より好ましくは0.5〜6A/dm2 程度である。還元温度は、10〜70℃が好ましく、高温になるほど還元反応速度は速くなり、低温になるほど析出する粒子の粒径は小さくなる傾向がある。
電解還元反応終了後に、電極の洗浄等により電極表面に付着したCu−P合金微粒子を回収する。回収方法としては、電極に逆電流を流し、電極表面に付着した微粒子を脱離させ、沈殿物を回収することも可能である。また上記したように、陰極に超音波振動等の揺動を与える回収を行うこともできる。
かくして得られるCu−P合金微粒子は、デンドライト化が抑制される結果、アスペクト比の比較的小さい略球状である。また、得られる粒子には、不純物として含まれる酸化物はCuO及び/又はCu2Oとして5質量%程度以下である。
(i)反応水溶液、還元剤水溶液
反応水溶液には上記したピロリン酸第2銅、とアルカリ金属等ピロリン酸塩とを含む。還元剤水溶液には、還元剤と分散媒が溶解されるが、分散媒は反応水溶液に溶解してもよい。ここで使用する還元剤は、通常使用されている還元剤が使用可能であるが水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、水素化アルミニウムリチウム等が好ましく、その好ましい濃度は、還元反応溶液中で銅原子に対するモル比([還元剤/銅]モル比)で10〜500である。
分散媒は、上記した有機物分散媒又はハロゲンイオンを使用する。また、好ましい分散媒の濃度は上記した通りである。
好ましい還元温度は10〜50℃で、好ましいpHは5.0〜7.8である。
上記還元剤と分散媒とを含む還元剤水溶液に、上記反応水溶液を滴下するか一括仕込して還元反応を行う。反応溶液をよく撹拌しながら、反応させてCu−P合金微粒子を析出させる。
(iii)還元反応溶液からの銅合金(Cu−P合金)微粒子の回収
上記方法で得られた銅合金微粒子を含む溶液に、例えばクロロホルムのような凝集促進剤を添加してよく攪拌する。攪拌後、遠心分離機等に供給して、粒子成分を回収する。
その後、粒子成分を水溶液に入れ、例えば超音波ホモジナイザーを用いてよく攪拌した後、遠心分離機で粒子成分を回収する水洗浄を数回、続いて、同じく得られた粒子と適量のブタノールとを入れ、超音波ホモジナイザーを用いてよく攪拌した後、遠心分離機で粒子成分を回収するアルコール洗浄を数回行うのが望ましい。
以上の工程により、還元剤等の不純物が十分に除去されたCu−P合金の微粒子を得ることができる。
本発明の第2の態様である、「銅合金微粒子の製造方法」は、少なくとも、ピロリン酸第2銅、ピロリン酸第1スズ、及び分散媒を含む還元反応溶液において、還元反応によりCu−Snからなる合金微粒子を析出する、ことを特徴とする。
(1)分散媒
分散媒については上記「〔1〕分散媒」の項に記載した通りである。
(2)反応水溶液の組成
第2の態様において、還元反応溶液は少なくともピロリン酸第2銅、ピロリン酸第1スズ、及び分散媒を含む水溶液である。
還元反応溶液の組成は、アルカリ金属等ピロリン酸塩を配合することにより、銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)を好ましくは0.05〜0.4、より好ましくは0.1〜0.3に、またスズ原子とP2O7イオンとのモル比([Sn/P2O7]モル比)を好ましくは0.05〜0.4、より好ましくは0.1〜0.3に調整することが望ましい。
実用的な例を挙げれば、銅イオンの配合量は、ピロリン酸第2銅として好ましくは3〜80g/リットル(L)、より好ましくは7〜70g/Lであり、スズイオンの配合量は、ピロリン酸第1スズとして好ましくは3〜60g/L、より好ましくは15〜50g/Lである。
(i)電極(陽極と陰極)材料等
上記第1の態様に記載したと同様である。
(ii)電解還元反応
還元反応液の組成を除いて、上記第1の態様に記載したと同様である。
上記第1の態様に記載したと同様である。
かくして得られるCu−Sn合金微粒子は、デンドライト化が抑制される結果、アスペクト比の比較的小さい略球状である。また、得られる粒子には、不純物として含まれる酸化物はCuO及び/又はCu2Oとして5質量%以下、酸化スズが5質量%以下それぞれ酸化物として含まれる。
(i)反応水溶液、還元剤水溶液
反応水溶液はピロリン酸第2銅とピロリン酸第1スズとを含む水溶液である。
上記反応水溶液とは別に、所定量の還元剤と分散媒を溶解した還元剤水溶液を調製する。分散媒は反応水溶液に溶解してもよい。
尚、使用する還元剤として、通常使用されている還元剤が使用可能であるが水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、水素化アルミニウムリチウム等が好ましく、還元反応溶液中における好ましい還元剤の濃度は、銅原子とスズ原子に対するモル比([還元剤/(銅+スズ)]モル比)で10〜500である。分散媒としては、上記した有機物分散媒又はハロゲンイオンを使用する。好ましい分散媒の濃度は上記した通りである。
好ましい還元温度は10〜50℃で、好ましいpHは5.0〜7.8である。
上記還元剤水溶液に、上記反応水溶液を滴下するか一括仕込して還元反応を行う。還元反応溶液をよく撹拌しながら、反応させてCu−Sn合金微粒子を得る。
(iii)還元反応溶液からの銅合金(Cu−Sn合金)微粒子の回収
上記方法で得られた銅合金微粒子を含む還元反応溶液から、還元剤等の不純物を除去して銅−Sn微粒子を回収する方法は、第1の態様における無電解還元の場合と同様である。
本発明の第3の態様である、「銅合金微粒子の製造方法」は、少なくとも、ピロリン酸第2銅、ピロリン酸第1スズ、アルカリ金属ピロリン酸塩及び/又はアルカリ土類金属ピロリン酸塩、並びに分散媒を含む還元反応溶液において、還元反応によりCu−Sn―Pからなる合金微粒子を析出する、ことを特徴とする。
(1)分散媒
分散媒については上記「〔1〕分散媒」の項に記載した通りである。
(2)アルカリ金属ピロリン酸塩とアルカリ土類金属ピロリン酸塩
使用するアルカリ金属ピロリン酸塩とアルカリ土類金属ピロリン酸塩の種類については、上記第1の態様に記載したと同様である。
(3)還元反応溶液の組成
第3の態様において、還元反応溶液は、ピロリン酸第2銅、ピロリン酸第1スズ、アルカリ金属ピロリン酸塩及び/又はアルカリ土類金属ピロリン酸塩、並びに分散媒を含む水溶液である。
還元反応溶液の組成は、例えばアルカリ金属等ピロリン酸塩等配合することにより、銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)を好ましくは0.1〜0.6、より好ましくは0.1〜0.3に、またスズ原子とP2O7イオンとのモル比([Sn/P2O7]モル比)を好ましくは0.1〜0.4、より好ましくは0.1〜0.3に調整することが望ましい。
(i)電極(陽極と陰極)材料等
上記第1の態様に記載したと同様である。
(ii)電解還元反応
還元反応液の組成を除いて、上記第1の態様に記載したと同様である。
上記第1の態様に記載したと同様である。
(iv)析出Cu−Sn−P合金微粒子
かくして得られるCu−Sn−P合金微粒子は、デンドライト化が抑制される結果、アスペクト比の比較的小さい略球状である。また、得られる粒子には、不純物として含まれる酸化物はCuO及び/又はCu2Oとして5質量%以下、酸化スズが5質量%以下それぞれ酸化物として含まれる。
(i)反応水溶液、還元剤水溶液
反応水溶液は上記ピロリン酸第2銅、ピロリン酸第1スズ、及びアルカリ金属等ピロリン酸塩を含む水溶液である。
還元剤水溶液には、還元剤と分散媒が溶解されるが、分散媒は反応水溶液に溶解してもよい。
尚、使用する還元剤として、通常使用されている還元剤が使用可能であるが水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、水素化アルミニウムリチウム等が好ましく、還元反応溶液中における好ましい還元剤の濃度は、銅原子とスズ原子に対するモル比([還元剤/(銅+スズ)]モル比)で10〜500である。
分散媒としては、上記した有機物分散媒又はハロゲンイオンを使用する。好ましい分散媒の濃度は上記した通りである。
好ましい還元温度は10〜50℃で、好ましいpHは5.0〜7.8である。
上記還元剤水溶液に、上記反応水溶液を滴下するか一括仕込して還元反応を行う。還元反応溶液をよく撹拌しながら、反応させてCu−Sn−P合金微粒子を得る。
(iii)還元反応溶液からの銅合金(Cu−Sn−P合金)微粒子の回収
上記方法で得られた銅合金微粒子を含む還元反応溶液から、還元剤等の不純物を除去してCu−Sn−P合金微粒子を回収する方法は、第1の態様における無電解還元の場合と同様である。
上記第1の態様に記載の製造方法により得られる銅−リン合金微粒子(第4の態様)、上記第2の態様に記載の製造方法により得られる銅−スズ合金微粒子(第5の態様)、及び上記第3の態様に記載の製造方法により得られる銅−スズ−リン合金微粒子(第6の態様)は、分散媒の存在下に還元反応がおこなわれる結果、得られる銅合金微粒子は、デンドライト化が抑制されて粒径が好ましくは1〜500nmの範囲、より好ましくは1〜80nmの範囲、特に好ましくは1〜50nmの範囲であり、アスペクト比が好ましくは10以下、より好ましくは5以下、特に好ましくは2以下の略球状のものである。
[実施例1]
電解還元法によりCu−P合金微粒子を調製して、得られた微粒子の評価を行った。
(1)Cu−P合金微粒子の調製
有機物分散媒としてポリビニルピロリドン(数平均分子量:3500)100g、ピロリン酸カリウム350g、ピロリン酸第2銅(Cu2 P2 O7 )80g(Cu:0.53 mol/L)、次亜リン酸ナトリウム20gを含む1000mlの還元反応溶液を調製した。尚、この溶液中の銅原子とP2O7イオンのモル比([Cu/P2O7]モル比)は0.4である。
次にこの溶液中で2cm四方の銅シートからなる陽極(アノード電極)と、白金基板からなる陰極(カソード電極)間を40℃で30分間通電した。この時、印加した電流密度は5A/dm2とした。
得られたコロイド溶液を、カーボン支持膜をとりつけたアルミメッシュ上に採取し、溶媒を乾燥除去した後、3gのCu―P合金微粒子を得た。
(2)生成したCu―P合金微粒子の評価
Cu―P合金微粒子について、透過電子顕微鏡(TEM)による観測結果、粒径は5〜50nmの範囲で、アスペクト比は1.5であった。また、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)による分析結果、合金組成は、Cu−2.3質量%P合金(以下、Cu−2.3%P合金のように表示することがある。)であった。
還元剤を用いた還元反応によりCu−P合金微粒子を調製し、得られた微粒子の評価を行った。
(1)Cu−P合金微粒子の調製
ピロリン酸カリウム350g、ピロリン酸第2銅(Cu2 P2 O7 )80g、次亜リン酸ナトリウム20gを含む1000mlの反応水溶液を調製した。尚、この溶液中の銅原子とP207イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)は0.4である。
また、還元剤として水素化ホウ素ナトリウム100gとポリエチレングリコール(数平均分子量:5000)150gを溶解させた還元剤水溶液1000mlを調製した。
窒素ガス雰囲気中で、還元剤水溶液に上記反応水溶液1000mlを滴下した。
次に、上記方法で得られたCu−P合金微粒子の水分散溶液100mlに、粒子抽出剤(凝集促進剤)としてクロロホルムを、5ml添加してよく攪拌した。数分間攪拌した後、反応液を遠心分離機に入れ、粒子成分を沈殿回収した。
その後、試験管に得られた粒子と適量の蒸留水とを入れ、超音波ホモジナイザーを用いてよく攪拌した後、遠心分離機で粒子成分を回収する水洗浄を3回、続いて、同じく試験管中で、得られた粒子と適量のブタノールとを入れ、超音波ホモジナイザーを用いてよく攪拌した後、遠心分離機で粒子成分を回収するアルコール洗浄を3回行った。
以上の操作により、Cu−P合金微粒子2.5gが得られた。
(2)生成したCu―P合金微粒子の評価
Cu―P合金微粒子について、透過電子顕微鏡(TEM)による観測結果、粒径は5〜50nmの範囲で、アスペクト比は1.2であった。また、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)による分析結果、合金組成は、Cu−2.3質量%P合金であった。
電解還元法によりCu−Sn合金微粒子を調製して、得られた合金微粒子の評価を行った。
(1)Cu−Sn合金微粒子の調製
ピロリン酸カリウム160g、ピロリン酸第1スズ(Sn2 P2 O7 ) 23g、ピロリン酸第2銅(Cu2 P2 O7 )7.5g、及びポリビニルピロリドン(数平均分子量:3500)100gを含む1000mlの還元反応溶液を調製した。尚、この溶液中の銅原子とP2O7イオンのモル比([Cu/P2O7]モル比)は0.09、スズ原子とP2O7イオンとのモル比([Sn/P2O7]モル比)は0.2である。
次にこの溶液中で2cm四方の銅シートからなる陽極(アノード電極)と、白金基板からなる陰極(カソード電極)間を45℃で30分間通電した。この時、印可した電流密度は5A/dm2とした。上記電解還元により、2.1gのCu―Sn合金微粒子を得た。
(2)生成したCu―Sn合金微粒子の評価
得られたCu―Sn合金微粒子について、透過電子顕微鏡(TEM)による観測結果、粒径は5〜65nmの範囲で、アスペクト比は1.4であった。また、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)による分析結果、合金組成は、質量比でCu/Sn=65/35であった。
還元剤を用いた還元反応によりCu−Sn合金微粒子を調製し、得られた微粒子の評価を行った。
(1)Cu−Sn合金微粒子の調製
ピロリン酸カリウム160g、ピロリン酸第1スズ(Sn2P2O7)23g、ピロリン酸第2銅(Cu2P2O7)7.5gを含む1000mlの反応水溶液を調製した。尚、この溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)は0.09、スズ原子とP2O7イオンとのモル比([Sn/P2O7]モル比)は0.2である。
また、還元剤として水素化リチウムアルミニウム100gと分散媒としてポリビニルピロリドン(数平均分子量:3500)100gを溶解させた1000mlの還元剤水溶液を調製した。
窒素ガス雰囲気中で、還元剤水溶液に上記反応水溶液1000mlを滴下した。
この混合液をpH8.17、温度50±5℃で、約60秒間よく攪拌しながら反応させた結果、金属微粒子が得られた。
その後、試験管に得られた粒子と適量の蒸留水とを入れ、超音波ホモジナイザーを用いてよく攪拌した後、遠心分離機で粒子成分を回収する水洗浄を3回、続いて、同じく試験管中で、得られた粒子と適量のブタノールとを入れ、超音波ホモジナイザーを用いてよく攪拌した後、遠心分離機で粒子成分を回収するアルコール洗浄を3回行った。
以上の操作により、Cu−Sn合金微粒子が得られた。
(2)生成したCu―Sn合金微粒子の評価
得られたCu―Sn合金微粒子について、透過電子顕微鏡(TEM)による観測結果、粒径は5〜50nmの範囲で、アスペクト比は1.3以下であった。また、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)による分析結果、合金組成は、質量比でCu/Sn=61/39であった。
電解還元法によりCu−Sn−P合金微粒子を調製して、得られた微粒子の評価を行った。
(1)Cu−Sn−P合金微粒子の調製
有機物分散媒としてポリビニルピロリドン(数平均分子量:3500)100g、ピロリン酸第1スズ(Sn2 P2 O7 ) 23g、ピロリン酸第2銅(Cu2 P2 O7 )15g、ピロリン酸カリウム(K4 P2 O7 ) 160gを含む1000mlの還元反応溶液を調製した。尚、この溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)は0.16、スズ原子とP2O7イオンとのモル比([Sn/P2O7]モル比)は0.18である。
次にこの溶液中で2cm四方の銅シートからなる陽極(アノード電極)と、白金基板からなる陰極(カソード電極)間を60℃で30分間通電した。この時、印加した電流密度は5A/dm2とした。
電解還元反応により、2.5gのCu−Sn−P合金微粒子を得た。
(2)生成したCu―Sn−P合金微粒子の評価
得られたCu―Sn−P合金微粒子について、透過電子顕微鏡(TEM)による観測結果、粒径は5〜50nmの範囲で、アスペクト比は1.3以下であった。また、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)による分析結果、合金組成は、質量比でCu/Sn/P=76/22/2であった。
還元剤を用いた還元反応によりCu−Sn−P合金微粒子を析出し、得られた微粒子の評価を行った。
(1)Cu−Sn−P合金微粒子の調製
ピロリン酸第1スズ(Sn2P2O7)23g、ピロリン酸第2銅(Cu2P2O7)15g、ピロリン酸カリウム(K4P2O7)160gを含む1000mlの反応水溶液を調製した。尚、この溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)は0.16、スズ原子とP2O7イオンとのモル比([Sn/P2O7]モル比)は0.18である。
また、還元剤として水素化ホウ素ナトリウム100gと有機物分散媒としてポリエチレングリコール150gを溶解させた1000mlの還元剤水溶液を調製した。
窒素ガス雰囲気中で、還元剤水溶液に上記反応水溶液1000mlを滴下した。
この混合液をミニバレル中、pH8.17、浴温50±5℃で、約60秒間よく攪拌しながら反応させた結果、ポリエチレングリコールで被覆された金属微粒子が得られた。
その後、試験管に得られた粒子と適量の蒸留水とを入れ、超音波ホモジナイザーを用いてよく攪拌した後、遠心分離機で粒子成分を回収する水洗浄を3回、続いて、同じく試験管中で、得られた粒子と適量のブタノールとを入れ、超音波ホモジナイザーを用いてよく攪拌した後、遠心分離機で粒子成分を回収するアルコール洗浄を3回行った。
以上の操作により、Cu−Sn−P合金が3.2g得られた。
得られたCu―Sn−P合金微粒子について、透過電子顕微鏡(TEM)による観測結果、粒径は5〜50nmの範囲で、アスペクト比は1.3以下であった。また、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)による分析結果、合金組成は、質量比でCu/Sn/P=78/20/2であった。
分散媒としてハロゲンイオンを添加した電解還元法によりCu−Sn合金微粒子を調製して、得られた合金微粒子の評価を行った。
(1)Cu−Sn合金微粒子の調製
塩化ナトリウム2.8g、ピロリン酸カリウム150g、ピロリン酸第1スズ(Sn2 P2 O7 ) 23g、及びピロリン酸第2銅(Cu2 P2 O7 )7.5gを含む1000mlの還元反応溶液を調製した。尚、この溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)は0.09、スズ原子とP2O7イオンとのモル比([Sn/P2O7]モル比)は0.2である。
次にこの溶液中で2cm四方の銅シートからなる陽極(アノード電極)と、白金基板からなる陰極(カソード電極)間を45℃で30分間通電した。この時、印可した電流密度は5A/dm2とした。上記電解還元により、2.1gのCu―Sn合金微粒子を得た。
(2)生成したCu―Sn合金微粒子の評価
得られたCu―Sn合金微粒子について、透過電子顕微鏡(TEM)による観測結果、粒径は5〜22nmの範囲で、アスペクト比は1.05であった。また、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)による分析結果、合金組成は、質量比でCu/Sn=67/33であった。
粒径が小さく、しかも球形に近い粒子を製造できることがわかった。
上記実施例1〜7で得られた銅合金微粒子、及び下記比較例1で調製したCu−P合金微粒子サンプルをそれぞれエチレングリコールに分散し、得られた分散液をスピンコータでガラス基板に塗布して焼成し、ペースト等として使用する場合の導電性を評価した。
(1)比較例1
下記方法により、評価用のCu−P合金微粒子を調製した。
ピロリン酸第2銅(Cu2P2O7)300g、次亜リン酸ナトリウム20g、を含む1000mlの反応水溶液(この溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)は2である)を調製し、また、還元剤として水素化ホウ素ナトリウム100gとポリエチレングリコール(数平均分子量:5000)150gを溶解させた還元剤水溶液1000mlを調製した。
窒素ガス雰囲気中で、還元剤水溶液に上記反応水溶液1000mlを滴下し、約60秒間よく攪拌しながら反応させ銅合金微粒子を生成させた。反応終了後に、該反応水溶液にクロロホルムを添加して粒子を凝集・沈殿させ、Cu−P合金微粒子(Cu−0.05%P微粒子)を回収した。該Cu−P合金微粒子5gを50mlのエチレングリコールに添加して撹拌・分散させ、銅合金微粒子分散液を調製した。
得られたCu―P合金微粒子について、透過電子顕微鏡(TEM)による観測結果、粒径は10〜80nmの範囲で、アスペクト比は1.2であった。また、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)による分析結果、Pは検出されなかった。合金の粒子を硫酸溶解し、化学分析を行った結果、合金組成は質量比でCu/P=99.95/0.05であった。
実施例1〜7で得られた銅合金微粒子5gをそれぞれ50mlのエチレングリコールに添加して撹拌・分散させ、銅合金微粒子分散液を調製した。
(3)銅合金微粒子をエチレングリコールに分散した分散液の焼成評価
上記で得られた実施例1〜7、及び比較例1得られた分散液をスピンコータでガラス基板(サイズ:2cm×4cm)に塗布して、アルゴン雰囲気中180℃で2時間加熱・焼成し、その後冷却してガラス基板上に金属薄膜を形成した。四端子法(使用測定機:Keithley社製、デジタルマルチメータDMM2000型(四端子電気抵抗測定モード))にて該金属薄膜の抵抗値を測定した。
比較例1で調製した分散液についての比抵抗値は、20Ωcmと高い値であったのに対し、実施例1〜7で得たサンプルから調製した分散液についての比抵抗値は、8〜65μΩcmと非常に小さい比抵抗値を示した。
以上の結果から本発明で得られる銅合金微粒子は低い焼成温度でも基板上に焼成できることが確認された。
Claims (19)
- 少なくとも、ピロリン酸第2銅、アルカリ金属ピロリン酸塩及び/又はアルカリ土類金属ピロリン酸塩、並びに分散媒を含む還元反応溶液において、還元反応により銅−リンからなる合金微粒子を析出する、銅合金微粒子の製造方法。
- 少なくとも、ピロリン酸第2銅、ピロリン酸第1スズ、及び分散媒を含む還元反応溶液において、還元反応により銅−スズからなる合金微粒子を析出する、銅合金微粒子の製造方法。
- 少なくとも、ピロリン酸第2銅、ピロリン酸第1スズ、アルカリ金属ピロリン酸塩及び/又はアルカリ土類金属ピロリン酸塩、並びに分散媒を含む還元反応溶液において、還元反応により銅−スズ−リンからなる合金微粒子を析出する、銅合金微粒子の製造方法。
- 前記分散媒が水溶性の高分子からなる有機物分散媒であって、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、デンプン、及びゼラチンから選択される1種又は2種以上である、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 有機物分散媒の還元反応溶液中における濃度が銅−リン合金微粒子を析出させる場合には有機物分散媒と銅原子の質量比([有機物分散媒/銅]質量比)で0.01〜30であり、
銅−スズ合金又は銅−スズ−リン合金微粒子を析出させる場合には有機物分散媒と、銅原子及びスズ原子の質量比([有機物分散媒/(銅+スズ)]質量比)で0.01〜30である、
請求項1ないし4のいずれか1項に記載の銅合金微粒子の製造方法。 - 前記分散媒がハロゲンイオンからなる無機物分散媒であって、該ハロゲンイオンの供給源が塩化水素、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化第一銅、塩化第二銅、臭化水素、臭化カリウム、臭化ナトリウム、臭化第一銅、臭化第二銅、沃化水素、沃化カリウム、沃化ナトリウム、沃化第一銅、沃化第二銅、フッ化水素、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化第一銅、フッ化第二銅、塩化カルシウム、塩化バリウム、塩化アンモニウム、臭化カルシウム、臭化バリウム、臭化アンモニウム、沃化カルシウム、沃化バリウム、沃化アンモニウム、及び弗化アンモニウムから選択される1種又は2種以上である、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 前記ハロゲンイオンからなる無機物分散媒の還元反応溶液中における濃度が銅−リン合金微粒子を析出させる場合にはハロゲンイオンと銅原子とのモル比([ハロゲンイオン/銅]モル比)が0.25〜100であり、銅−スズ合金、又は銅−スズ−リン合金微粒子を析出させる場合にはハロゲンイオンと、銅原子及びスズ原子とのモル比([ハロゲンイオン/(銅+スズ)]モル比)が0.5〜100である、請求項6に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 前記還元反応溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)が0.1〜0.6である条件で還元反応を行うことを特徴とする、請求項1に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 前記還元反応による銅−リンからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中に設けられたアノードとカソード間に電圧を印加して還元反応を行うことによりカソード表面付近に銅−リン合金微粒子を析出させる方法である、請求項1に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 前記還元反応による銅−リンからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中で還元剤存在下に還元反応を行うことにより、銅−リン合金微粒子を析出させる方法である、請求項1に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 前記還元反応溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)が0.05〜0.4、及びスズ原子とP2O7イオンとのモル比([Sn/P2O7]モル比)が0.05〜0.4である条件で還元反応を行うことを特徴とする、請求項2に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 前記還元反応による銅−スズからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中に設けられたアノードとカソード間に電圧を印加して還元反応を行うことによりカソード表面付近に銅−スズ合金微粒子を析出させる方法である、請求項2に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 前記還元反応による銅−スズからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中で還元剤存在下に還元反応を行うことにより、銅−スズ合金微粒子を析出させる方法である、請求項2に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 前記還元反応溶液中の銅原子とP2O7イオンとのモル比([Cu/P2O7]モル比)が0.1〜0.6、及びスズ原子とP2O7イオンとのモル比([Sn/P2O7])モル比が0.1〜0.4である条件で還元反応を行うことを特徴とする、請求項3に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 前記還元反応による銅−スズ−リンからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中に設けられたアノードとカソード間に電圧を印加して還元反応を行うことによりカソード表面付近に銅−スズ−リン合金微粒子を析出させる方法である、請求項3に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 前記還元反応による銅−スズ−リンからなる合金微粒子の製造方法が、還元反応溶液中で還元剤存在下に還元反応を行うことにより、銅−スズ−リン合金微粒子を析出させる方法である、請求項3に記載の銅合金微粒子の製造方法。
- 前記請求項1に記載の還元反応により製造された、銅−リンからなる粒子径は1〜500nmの範囲であり、かつアスペクト比が10以下である銅合金微粒子。
- 前記請求項2に記載の還元反応により製造された、銅−スズからなる粒子径は1〜500nmの範囲であり、かつアスペクト比が10以下の銅合金微粒子。
- 前記請求項3に記載の還元反応により製造された、銅−スズ−リンからなる粒子径は1〜500nmの範囲であり、かつアスペクト比が10以下の銅合金微粒子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007087325A JP5255223B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 銅合金微粒子の製造方法、及び該製造方法で得られる銅合金微粒子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007087325A JP5255223B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 銅合金微粒子の製造方法、及び該製造方法で得られる銅合金微粒子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008248267A JP2008248267A (ja) | 2008-10-16 |
JP2008248267A5 JP2008248267A5 (ja) | 2010-04-30 |
JP5255223B2 true JP5255223B2 (ja) | 2013-08-07 |
Family
ID=39973568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007087325A Expired - Fee Related JP5255223B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 銅合金微粒子の製造方法、及び該製造方法で得られる銅合金微粒子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5255223B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11342544B2 (en) | 2013-06-25 | 2022-05-24 | Quantumscape Battery, Inc. | Pulse plating of lithium material in electrochemical devices |
US11735780B2 (en) * | 2017-03-10 | 2023-08-22 | Quantumscape Battery, Inc. | Metal negative electrode ultrasonic charging |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5435611B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2014-03-05 | 古河電気工業株式会社 | 銅合金微粒子の製造方法 |
JP5520504B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-06-11 | 古河電気工業株式会社 | 銅微粒子分散液の製造方法 |
JP5566743B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-08-06 | 古河電気工業株式会社 | 銅合金微粒子の製造方法 |
JP6066185B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2017-01-25 | 国立大学法人名古屋大学 | ナノ流体の低温製造方法 |
JP6060225B1 (ja) * | 2015-07-27 | 2017-01-11 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅粉及びその製造方法 |
JP6451679B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2019-01-16 | カシオ計算機株式会社 | 銅ナノ粒子の製造方法 |
CN112475313B (zh) * | 2020-11-11 | 2023-04-28 | 昆明理工大学 | 一种通过化学反应制备纳米级焊料添加剂的方法 |
CN113369486B (zh) * | 2021-06-17 | 2023-06-16 | 中科检测技术服务(重庆)有限公司 | 一种用于太阳能电池板的纳米铜颗粒制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH086130B2 (ja) * | 1990-04-04 | 1996-01-24 | 株式会社村田製作所 | 銅粉末の製造方法 |
JPH09241709A (ja) * | 1996-03-11 | 1997-09-16 | Murata Mfg Co Ltd | 銅粉末の製造方法 |
JP3570591B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2004-09-29 | 株式会社村田製作所 | 銅粉末の製造方法 |
JPH10317022A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-02 | Daiken Kagaku Kogyo Kk | 金属微粒子粉末の製造方法 |
JP2001181885A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-07-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 電解金属粉の製造方法 |
-
2007
- 2007-03-29 JP JP2007087325A patent/JP5255223B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11342544B2 (en) | 2013-06-25 | 2022-05-24 | Quantumscape Battery, Inc. | Pulse plating of lithium material in electrochemical devices |
US11355740B2 (en) | 2013-06-25 | 2022-06-07 | Quantumscape Battery, Inc. | Pulse plating of lithium matertal in electrochemical devices |
US12027690B2 (en) | 2013-06-25 | 2024-07-02 | Quantumscape Battery, Inc. | Pulse plating of lithium material in electrochemical devices |
US11735780B2 (en) * | 2017-03-10 | 2023-08-22 | Quantumscape Battery, Inc. | Metal negative electrode ultrasonic charging |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008248267A (ja) | 2008-10-16 |
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