JP5241219B2 - 電子部品パッケージの製造方法、電子部品パッケージ用ウェハの製造方法ならびに電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、1以上のチップと複数の外部接続端子とを含む電子部品パッケージの製造方法、電子部品パッケージの製造に用いられるウェハの製造方法および電子部品パッケージの製造に用いられる基礎構造物(substructure)の製造方法に関する。
近年、携帯電話やノート型パーソナルコンピュータに代表される携帯機器では、軽量化と高性能化が求められている。それに伴い、携帯機器に用いられる電子部品の高集積化が求められている。
高集積化された電子部品としては、システムLSI(大規模集積回路)と、マルチチップモジュールが知られている。システムLSIは、多様な電子回路の機能が組み込まれた1つのIC(集積回路)である。一方、マルチチップモジュールは、複数のチップを、配線基板等を用いて一体化してなるモジュールである。
システムLSIは、集積密度を高くできると共に、配線を極力少なくできるという利点を有している。一方、マルチチップモジュールは、互いに異なる機能を有する複数のチップを一体化することによって、所望の機能を有する1つのモジュールを容易に実現できるという利点を有している。
以下、システムLSIやマルチチップモジュール等の、1以上のチップと複数の外部接続端子とを含む電子部品パッケージの従来の製造方法について説明する。電子部品パッケージの従来の一般的な製造方法では、1個の電子部品パッケージのために用意された配線基板等の基体の上に1以上のチップが実装され、チップの端子と外部接続端子とが接続され、このチップの端子と外部接続端子との接続部分が封止される。チップの端子と外部接続端子との接続は、例えばワイヤーボンディングやフリップチップ法を用いて行われる。フリップチップ法を用いる場合には、チップの端子と外部接続端子とは、配線基板内の配線を介して接続される。また、マルチチップモジュールにおけるチップ間の配線も、例えばワイヤーボンディングやフリップチップ法を用いて行われる。
特許文献1には、チップに接続されたボンディングパッドと外部接続端子であるリードとをワイヤーボンディングによって接続したマルチチップモジュールが記載されている。また、特許文献1には、チップ間配線とボンディングパッドを、配線形成プロセスを用いて形成する技術が記載されている。特許文献1において、配線形成プロセスは、例えば、成膜工程、リソグラフィ工程およびエッチング工程を有している。
特許文献2には、マルチチップモジュールにおいて、チップ間の配線と外部接続用のパッドをウェハプロセスによって形成する技術が記載されている。特許文献2において、ウェハプロセスは、絶縁層形成、ビアホール形成、プラグ金属の埋め込み、平坦化、スパッタ法による成膜、フォトリソグラフィ技術による配線パターンの形成という一連の工程を含んでいる。
また、特許文献3には、以下のようなチップサイズ半導体パッケージの製造方法が記載されている。この製造方法では、まず、各々が表面に複数のパッドを有し、分離線によって区画形成された複数の半導体チップが形成されたウェハの上面にリードフレームを接着する。次に、リードフレームのリードと半導体チップのパッドとをワイヤーボンディングによって接続する。次に、リードの基端側上面を露出させて、ウェハの上下面をモールディングする。次に、露出された各リードの基端側上面に電導性金属をめっきする。次に、ウェハおよびリードフレームを切断して、半導体パッケージを完成させる。
特開2001−35993号公報 特開2001−244403号公報 特開平10−50920号公報
電子部品パッケージの従来の一般的な製造方法では、基体上への1以上のチップの実装、チップの端子と外部接続端子との接続、チップの端子と外部接続端子との接続部分の封止といった一連の工程が、電子部品パッケージ毎に行われていた。この一般的な製造方法では、電子部品パッケージを、低コストで短時間に大量生産することが難しいという問題点があった。
特許文献3に記載されたチップサイズ半導体パッケージの製造方法では、チップサイズ半導体パッケージを低コストで大量生産することが可能になる。しかしながら、この製造方法では、半導体チップの仕様を変更する際には、複数の半導体チップを含むウェハの設計から始めなければならない。そのため、この製造方法では、仕様の変更に対して柔軟且つ迅速に対応することが難しいという問題点がある。また、この製造方法では、マルチチップモジュールを製造することはできないという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電子部品パッケージを低コストで短時間に大量生産することを可能にすると共に、仕様の変更に対して柔軟且つ迅速に対応することが可能な電子部品パッケージの製造方法、電子部品パッケージの製造に用いられるウェハの製造方法および電子部品パッケージの製造に用いられる基礎構造物の製造方法を提供することにある。
本発明の電子部品パッケージの製造方法によって製造される電子部品パッケージは、複数の外部接続端子を有する基体と、基体に接合され且つ複数の外部接続端子の少なくとも1つに電気的に接続された少なくとも1つの電子部品チップとを備えている。
本発明の電子部品パッケージの製造方法は、上面を有する基板と、基板の上面上に設けられた、複数の電子部品パッケージに対応した複数組の外部接続端子とを有し、それぞれ後に互いに分離されることによって基体となる複数の基体予定部を含むウェハを作製する工程と、ウェハにおける各基体予定部にそれぞれ少なくとも1つの電子部品チップを接合する工程と、基体予定部に電子部品チップを接合する工程の後で、各基体予定部が互いに分離されて複数の基体が形成されるように、ウェハを切断する工程とを備えている。ウェハを作製する工程は、基板の上面上に、めっき法を用いて複数組の外部接続端子を形成する工程を含んでいる。
本発明の電子部品パッケージの製造方法において、ウェハは、更に、基板の上面上に設けられ、各々に少なくとも1つの電子部品チップが接合される複数のチップ接合用導体層を有していてもよい。
また、本発明の電子部品パッケージの製造方法において、複数組の外部接続端子を形成する工程は、めっき法によって、それぞれ外部接続端子の一部となる複数の第1のめっき層を形成する工程と、めっき法によって、それぞれ複数の第1のめっき層の上に配置されるように複数の第2のめっき層を形成する工程とを含み、複数の第1のめっき層を形成する工程は、同時に、複数のチップ接合用導体層を構成する複数のチップ接合用めっき層を形成してもよい。
また、本発明の電子部品パッケージの製造方法において、基板の上面は、複数のチップ接合用導体層が配置される複数の凹部を有し、複数組の外部接続端子を形成する工程は、同時に、複数の凹部内に配置されるように複数のチップ接合用導体層を形成してもよい。
また、本発明の電子部品パッケージの製造方法において、電子部品チップは複数の電極を有し、電子部品パッケージは、それぞれ少なくとも1つの電極と少なくとも1つの外部接続端子とを電気的に接続する複数の端子用接続部を備えていてもよい。この場合、電子部品パッケージの製造方法は、更に、基体予定部に電子部品チップを接合する工程とウェハを切断する工程との間において端子用接続部を形成する工程を備える。
端子用接続部を形成する工程は、ウェハおよび電子部品チップを覆い、平坦化された上面を有する絶縁層を形成する工程と、この絶縁層に、外部接続端子および電極を露出させるための複数の開口部を形成する工程と、その一部が開口部に挿入されるように、めっき法によって端子用接続部を形成する工程とを含んでいてもよい。
また、電子部品パッケージは、複数の電子部品チップを備え、更に、複数の電子部品チップの電極同士を電気的に接続する少なくとも1つのチップ間接続部を備え、チップ間接続部は、端子用接続部が形成される際に同時に形成されてもよい。
また、本発明の電子部品パッケージの製造方法は、更に、基体予定部に電子部品チップを接合する工程とウェハを切断する工程との間において、電子部品チップを封止する封止部材を形成する工程を備えていてもよい。
また、本発明の電子部品パッケージの製造方法において、基体は側面を有し、この側面において複数の外部接続端子の端面が露出してもよい。
また、電子部品パッケージは、更に、基体の側面に配置され、それぞれ外部接続端子の端面に接続された複数の端子用めっき膜を備えていてもよい。この場合、電子部品パッケージの製造方法は、更に、ウェハを切断する工程の後で、複数の端子用めっき膜を形成する工程を備える。
また、電子部品パッケージは、更に、それぞれ外部接続端子に接続された複数の端子用ピンを備えていてもよい。この場合、電子部品パッケージの製造方法は、更に、ウェハを切断する工程の後で、外部接続端子の端面に端子用ピンを接続する工程を備える。
本発明の電子部品パッケージ用ウェハの製造方法によって製造される電子部品パッケージ用ウェハは、それぞれ、複数の外部接続端子を有する基体と、基体に接合され且つ複数の外部接続端子の少なくとも1つに電気的に接続された少なくとも1つの電子部品チップとを備えた複数の電子部品パッケージを製造するために用いられるものである。この電子部品パッケージ用ウェハは、上面を有する基板と、基板の上面上に設けられた、複数の電子部品パッケージに対応した複数組の外部接続端子とを有し、それぞれ後に少なくとも1つの電子部品チップが接合されると共に互いに分離されることによって基体となる複数の基体予定部を含んでいる。
本発明の電子部品パッケージ用ウェハの製造方法は、基板を作製する工程と、基板の上面上に、めっき法を用いて複数組の外部接続端子を形成する工程とを備えている。
電子部品パッケージ用ウェハは、更に、基板の上面上に設けられ、各々に少なくとも1つの電子部品チップが接合される複数のチップ接合用導体層を有していてもよい。
また、本発明の電子部品パッケージ用ウェハの製造方法において、複数組の外部接続端子を形成する工程は、めっき法によって、それぞれ外部接続端子の一部となる複数の第1のめっき層を形成する工程と、めっき法によって、それぞれ複数の第1のめっき層の上に配置されるように複数の第2のめっき層を形成する工程とを含み、複数の第1のめっき層を形成する工程は、同時に、複数のチップ接合用導体層を構成する複数のチップ接合用めっき層を形成してもよい。
また、本発明の電子部品パッケージ用ウェハの製造方法において、基板の上面は、複数のチップ接合用導体層が配置される複数の凹部を有し、複数組の外部接続端子を形成する工程は、同時に、複数の凹部内に配置されるように複数のチップ接合用導体層を形成してもよい。
本発明の電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法によって製造される電子部品パッケージ用基礎構造物は、それぞれ、複数の外部接続端子を有する基体と、基体に接合され且つ複数の外部接続端子の少なくとも1つに電気的に接続された少なくとも1つの電子部品チップとを備えた複数の電子部品パッケージを製造するために用いられるものである。電子部品パッケージ用基礎構造物は、上面を有する基板と、基板の上面上に設けられた、複数の電子部品パッケージに対応した複数組の外部接続端子とを有し、それぞれ後に互いに分離されることによって基体となる複数の基体予定部を含むウェハを備えている。電子部品パッケージ用基礎構造物は、更に、ウェハにおける複数の基体予定部に接合された複数の電子部品チップを備えている。
本発明の電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法は、ウェハを作製する工程と、ウェハにおける各基体予定部にそれぞれ少なくとも1つの電子部品チップを接合する工程とを備えている。ウェハを作製する工程は、基板の上面上に、めっき法を用いて複数組の外部接続端子を形成する工程を含んでいる。
本発明の電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法において、ウェハは、更に、基板の上面上に設けられ、各々に少なくとも1つの電子部品チップが接合される複数のチップ接合用導体層を有していてもよい。
また、本発明の電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法において、複数組の外部接続端子を形成する工程は、めっき法によって、それぞれ外部接続端子の一部となる複数の第1のめっき層を形成する工程と、めっき法によって、それぞれ複数の第1のめっき層の上に配置されるように複数の第2のめっき層を形成する工程とを含み、複数の第1のめっき層を形成する工程は、同時に、複数のチップ接合用導体層を構成する複数のチップ接合用めっき層を形成してもよい。
また、本発明の電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法において、基板の上面は、複数のチップ接合用導体層が配置される複数の凹部を有し、複数組の外部接続端子を形成する工程は、同時に、複数の凹部内に配置されるように複数のチップ接合用導体層を形成してもよい。
また、本発明の電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法において、電子部品チップは複数の電極を有し、電子部品パッケージは、それぞれ少なくとも1つの電極と少なくとも1つの外部接続端子とを電気的に接続する複数の端子用接続部を備えていてもよい。この場合、電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法は、更に、基体予定部に電子部品チップを接合する工程の後で端子用接続部を形成する工程を備える。
端子用接続部を形成する工程は、ウェハおよび電子部品チップを覆い、平坦化された上面を有する絶縁層を形成する工程と、この絶縁層に、外部接続端子および電極を露出させるための複数の開口部を形成する工程と、その一部が開口部に挿入されるように、めっき法によって端子用接続部を形成する工程とを含んでいてもよい。
また、電子部品パッケージは、複数の電子部品チップを備え、更に、複数の電子部品チップの電極同士を電気的に接続する少なくとも1つのチップ間接続部を備え、チップ間接続部は、端子用接続部が形成される際に同時に形成されてもよい。
また、本発明の電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法は、更に、基体予定部に電子部品チップを接合する工程の後で電子部品チップを封止する封止部材を形成する工程を備えていてもよい。
本発明の電子部品パッケージの製造方法では、上面を有する基板と、基板の上面上に設けられた、複数の電子部品パッケージに対応した複数組の外部接続端子とを有し、それぞれ後に互いに分離されることによって基体となる複数の基体予定部を含むウェハを作製し、このウェハにおける各基体予定部にそれぞれ少なくとも1つの電子部品チップを接合し、その後、各基体予定部が互いに分離されて複数の基体が形成されるように、ウェハを切断する。ウェハを作製する工程は、基板の上面上に、めっき法を用いて複数組の外部接続端子を形成する工程を含んでいる。本発明の電子部品パッケージの製造方法によれば、電子部品パッケージを低コストで短時間に大量生産することが可能になると共に、仕様の変更に対して柔軟且つ迅速に対応することが可能になるという効果を奏する。同様に、本発明の電子部品パッケージ用ウェハの製造方法または電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法によれば、電子部品パッケージを低コストで短時間に大量生産することが可能になると共に、仕様の変更に対して柔軟且つ迅速に対応することが可能になるという効果を奏する。
[第1の実施の形態]
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図1ないし図4を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法の概略について説明する。
本実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法は、複数の外部接続端子を有する基体と、この基体に接合され且つ複数の外部接続端子の少なくとも1つに電気的に接続された少なくとも1つの電子部品チップとを備えた電子部品パッケージを製造する方法である。
図1は、本実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法における最初の工程を示している。この工程では、本実施の形態に係る電子部品パッケージ用ウェハ(以下、単にウェハと記す。)1を作製する。このウェハ1は、上面を有する基板10と、この基板10の上面上に設けられた、複数の電子部品パッケージに対応した複数組の外部接続端子11とを有している。なお、ウェハ1は回路素子を含んでいない。また、ウェハ1は、それぞれ後に互いに分離されることによって、電子部品パッケージの基体となる複数の基体予定部2を含んでいる。複数の基体予定部2は、例えば、縦方向と横方向にそれぞれ複数個並ぶように配置されている。なお、図1に示した例では、各基体予定部2において、横方向の両側にそれぞれ複数の外部接続端子11が配置されている。また、図1に示した例では、横方向に隣り合う2つの基体予定部2の境界において、隣り合う2つの基体予定部2の複数の外部接続端子11のうち、前記境界に近いもの同士が連結されている。なお、図1には、ウェハ1が円板形状である例を示している。しかし、ウェハ1の形状は、任意であり、例えば下面および上面が矩形の板状であってもよい。
図1に示したウェハ1は、更に、基板10の上面上に設けられ、各々に少なくとも1つの電子部品チップが接合される複数のチップ接合用導体層12を有している。図1に示した例では、1つの基体予定部2に1つのチップ接合用導体層12が配置されている。そして、このチップ接合用導体層12の横方向における両側にそれぞれ複数の外部接続端子11が配置されている。なお、ウェハ1は、チップ接合用導体層12を有していなくてもよい。
後で詳しく説明するが、本実施の形態では、複数組の外部接続端子11と複数のチップ接合用導体層12は、基板10の上面上に、めっき法を用いて形成される。
図2は次の工程を示す。この工程では、ウェハ1における各基体予定部2にそれぞれ少なくとも1つの電子部品チップ(以下、単にチップと記す。)3を接合する。図2には、各基体予定部2にそれぞれ9つのチップ3を接合した例を示している。しかし、各基体予定部2に接合されるチップ3の数は任意である。また、図2には示していないが、各チップ3は、複数の電極を有している。チップ3は、例えば、半導体集積回路素子でもよいし、他の回路素子でもよいし、例えばMEMS(微小電気機械システム)によって構成されたセンサやアクチェエータであってもよい。
図3は次の工程を示す。この工程では、まず、図示しないが、基体予定部2毎に、それぞれ少なくとも1つの電極と少なくとも1つの外部接続端子11とを電気的に接続する複数の端子用接続部を形成する。なお、端子用接続部を介してチップ3の電極と外部接続端子11とを接続する代わりに、例えばフリップチップ法を用いて、チップ3の電極と外部接続端子11とを直接接続してもよい。
また、1つの基体予定部2に対して複数のチップ3が配置される場合には、必要に応じて、基体予定部2毎に、複数のチップ3の電極同士を電気的に接続する少なくとも1つのチップ間接続部を形成してもよい。このチップ間接続部は、例えば、端子用接続部と同時に形成される。
次に、チップ3を封止する封止部材25を形成する。図3には、基体予定部2毎に別個の封止部材25を形成した例を示している。しかし、全ての基体予定部2における全てのチップ3を封止する1つの封止部材25を形成してもよい。また、電子部品パッケージが、チップ3の封止を必要としない場合には、封止部材25を形成しなくともよい。
図1ないし図3に示した工程によって作製された積層体が、本実施の形態における電子部品パッケージ用基礎構造物(以下、単に基礎構造物と記す。)30である。この基礎構造物30は、少なくともウェハ1と複数のチップ3とを備えている。基礎構造物30は、更に、端子用接続部、チップ間接続部および封止部材25を備えていてもよい。
図4は、次の工程を示す。この工程では、各基体予定部2が互いに分離されて複数の基体が形成されるように、ウェハ1を含む基礎構造物30を切断する。これにより、それぞれ基体と少なくとも1つの電子部品チップ3とを備えた複数の電子部品パッケージ40が形成される。
次に、図5ないし図18を参照して、本実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法について詳しく説明する。なお、図11ないし図18の断面図では、各部を明確に示すために、各部を、図5ないし図10の平面図における対応する各部とは異なる寸法で描いている。
本実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法では、まず、ウェハ1を作製する。このウェハ1を作製する工程は、本実施の形態に係る電子部品パッケージ用ウェハの製造方法に相当する。このウェハ1を作製する工程について、図5、図6、図11および図12を参照して説明する。
図5および図11は、ウェハ1を作製する過程における一工程を示している。図5は、この工程で作製される積層体の一部を示す平面図である。図11は、この工程で作製される積層体の一部を示す断面図である。この工程では、まず、基板10を作製する。図11に示したように、基板10は、平坦な上面10aを有する板状をなしている。基板10のうち、少なくとも、上面10aを含む部分は、絶縁材料または高抵抗材料によって構成される。基板10は、例えば、樹脂、セラミックまたはガラスによって構成することができる。また、基板10は、ガラス繊維を樹脂で固めたもので構成してもよい。また、基板10は、シリコン等の半導体材料よりなる板の一方の面上に絶縁膜を形成したもので構成してもよい。
次に、基板10の上面10aの全体を覆うように、例えばスパッタ法によって、めっき用のシード層5を形成する。シード層5の厚みは例えば50〜200nmの範囲内である。シード層5の材料としては、例えばCu、Ni、Cr、FeまたはAuを用いることができる。
次に、めっき法、例えばフレームめっき法によって、シード層5の上に、それぞれ外部接続端子11の一部となる複数の第1のめっき層11Aと、複数のチップ接合用導体層12を構成する複数のチップ接合用めっき層12Aとを形成する。第1のめっき層11Aとチップ接合用めっき層12Aの厚みは、例えば5〜10μmの範囲内である。
図6および図12は、次の工程を示す。図6は、この工程で作製される積層体の一部を示す平面図である。図12は、この工程で作製される積層体の一部を示す断面図である。この工程では、まず、めっき法、例えばフレームめっき法によって、それぞれ複数の第1のめっき層11Aの上に配置されるように複数の第2のめっき層11Bを形成する。第2のめっき層11Bの厚みは、例えば30〜500μmの範囲内である。めっき層11A,11B,12Aの材料としては、例えば、Cu、Ni、Fe、Ru、Crまたはこれらを含む合金や、NiFe、CoNiFeを用いることができる。
次に、めっき層11A,11Bの積層膜とチップ接合用めっき層12Aをそれぞれマスクとして、シード層5のうち、めっき層11A,12Aの下に存在する部分以外の部分をエッチングによって除去する。これにより、めっき層11A,11B、およびめっき層11Aの下に残ったシード層5によって外部接続端子11が形成され、チップ接合用めっき層12Aおよびその下に残ったシード層5によってチップ接合用導体層12が形成される。このようにして、ウェハ1が作製される。
外部接続端子11の厚みは、第2のめっき層11Bの厚みの分だけ、チップ接合用導体層12の厚みよりも大きい。外部接続端子11の上面とチップ接合用導体層12の上面との間には、外部接続端子11の上面の方が上方に配置されるように段差が形成されている。この段差は、後にチップ接合用導体層12の上に配置されるチップ3の厚みと等しいか、ほぼ等しいことが好ましい。チップ3が、例えば直径200mmの半導体ウェハや直径300mmの半導体ウェハを用いて作製される場合には、チップ3の厚みはそれら半導体ウェハの厚みとほぼ等しくてもよい。また、チップ3が半導体ウェハによって作製される場合において、半導体ウェハを研磨して薄くすることにより、チップ3の厚みを小さくしてもよい。チップ3が半導体ウェハによって作製される場合には、チップ3の厚みは、例えば30〜800μmの範囲内であるが、800μmよりも大きくてもよい。チップ3の厚みは、30〜250μmの範囲内であることが好ましい。
なお、チップ接合用導体層12は必ずしも設ける必要はないが、以下の理由から設けることが好ましい。まず、チップ接合用導体層12を設けない場合には、チップ3は、例えば樹脂やセラミックよりなる基板10に直接接合される。この場合には、チップ3を基板10に半田を用いて接合することができない。これに対し、チップ接合用導体層12を設けた場合には、半田を用いてチップ3をチップ接合用導体層12に容易に接合することができる。また、チップ接合用導体層12を設けた場合には、このチップ接合用導体層12をグランドとして用いることにより、チップ3をグランドに接続することができる。これにより、例えばチップ3において発生するノイズを低減することが可能になる等の効果が得られる。
図7および図13は、次の工程を示す。図7は、この工程で作製される積層体の一部を示す平面図である。図13は、この工程で作製される積層体の一部を示す断面図である。この工程では、各基体予定部2におけるチップ接合用導体層12の上にそれぞれ少なくとも1つのチップ3を接合する。図7および図13には、1つのチップ接合用導体層12に9つのチップ3を接合した例を示している。各チップ3は、上面と、下面と、上面に配置された複数の電極3aとを有している。各チップ3は、下面がチップ接合用導体層12に接合されるように配置される。電極3aの上面は、外部接続端子11の上面と同じ高さまたはほぼ同じ高さに配置される。
次に、端子用接続部とチップ間接続部とを形成する工程が実施される。この工程について、図8および図14ないし図16を参照して説明する。図8は、この工程で作製される積層体の一部を示す平面図である。図14は、図13に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。図15は、図14に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。図16は、図15に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。
この工程では、まず、図14に示したように、図13に示した積層体における凹部を埋めるように絶縁層13を形成する。この絶縁層13は、例えば、硬化前のポリイミド樹脂を図13に示した積層体における凹部に充填し、その上面を平坦化した後、200℃以下の温度でポリイミド樹脂を硬化させることによって形成される。これにより、積層体の上面は平坦化される。次に、平坦化された積層体の上面上に絶縁層14を形成する。この絶縁層14は、例えば、感光剤を含んだポリイミド樹脂等の感光性を有する材料によって形成される。この絶縁層14の上面も平坦化される。
次に、図15に示したように、絶縁層14に、外部接続端子11および電極3aを露出させるための複数の開口部(ビアホール)14aを形成する。絶縁層14が感光性を有する材料によって形成されている場合には、フォトリソグラフィによって絶縁層14に開口部14aを形成することができる。絶縁層14が感光性を有しない材料によって形成されている場合には、絶縁層14を選択的にエッチングすることによって、絶縁層14に開口部14aを形成することができる。
次に、図8および図16に示したように、めっき法、例えばフレームめっき法によって、複数の端子用接続部21と複数のチップ間接続部22とを同時に形成する。端子用接続部21は、少なくとも1つの電極3aと少なくとも1つの外部接続端子11とを電気的に接続する。チップ間接続部22は、1つの基体予定部2に配置された複数のチップ3の電極3a同士を電気的に接続する。端子用接続部21およびチップ間接続部22の材料としては、例えばCu、Ni、Cr、FeまたはAuを用いることができる。このうち、特に、導電性に優れたCuまたはAuが好ましい。なお、図8は、絶縁層13,14を省略して描いている。端子用接続部21とチップ間接続部22を形成する際には、同時に、1つのチップ3における異なる電極同士を接続する接続部や、異なる外部接続端子11同士を接続する接続部を形成してもよい。
次に、封止部材25を形成する工程が実施される。この工程について、図9および図17を参照して説明する。図9は、この工程で作製される積層体の一部を示す平面図である。図17は、この工程で作製される積層体の一部を示す断面図である。なお、図9は、絶縁層14を省略して描いている。この工程では、まず、図17に示したように、端子用接続部21およびチップ間接続部22を覆うように第1の封止層25Aを形成する。次に、第1の封止層25Aを覆うように第2の封止層25Bを形成する。なお、第1の封止層25Aを形成する前に、必要に応じて、端子用接続部21およびチップ間接続部22を覆うようにパッシベーション膜を形成してもよい。第2の封止層25Bの材料としては、一般的なモールド樹脂やセラミックを用いることができる。第1の封止層25Aは、第2の封止層25Bによって発生する応力によりチップ3や端子用接続部21やチップ間接続部22が損傷を受けることを防止するために設けられる。第1の封止層25Aの材料としては、例えばシリコーン樹脂が用いられる。第1の封止層25Aおよび第2の封止層25Bによって、チップ3を封止する封止部材25が構成される。図9および図17には、基体予定部2毎に別個の封止部材25を形成した例を示している。しかし、全ての基体予定部2における全てのチップ3を封止する1つの封止部材25を形成してもよい。
このようにして基礎構造物30が作製される。ここまでの一連の工程は、本実施の形態に係る電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法に相当する。基礎構造物30は、ウェハ1、複数のチップ3、複数の端子用接続部21、複数のチップ間接続部22および複数の封止部材25を備えている。
図10および図18は、次の工程を示す。図10は、この工程で作製される電子部品パッケージを示す平面図である。図18は、この工程で作製される電子部品パッケージを示す断面図である。この工程では、各基体予定部2が互いに分離されて複数の基体41が形成されるように、ウェハ1を含む基礎構造物30を切断する。これにより、それぞれ基体41と少なくとも1つのチップ3とを備えた複数の電子部品パッケージ40が形成される。基体41は、複数の外部接続端子11と、1つのチップ接合用導体層12と、これらを保持する保持部31とを有している。保持部31は、基板10が切断されて形成されたものである。電子部品パッケージ40は、更に、複数の端子用接続部21と、封止部材25とを備えている。電子部品パッケージ40は、複数のチップ3を備えている場合には、更に、少なくとも1つのチップ間接続部22を備えていてもよい。
図19は、電子部品パッケージ40の外観を示す斜視図である。図19に示したように、電子部品パッケージ40は、例えば直方体形状をなしている。この場合、基体41は4つの側面41aを有している。1つ以上、例えば2つの側面41aにおいて、それぞれ、複数の外部接続端子11の端面11aが露出している。
図20は、電子部品パッケージ40の一部を拡大して示している。図20に示したように、電子部品パッケージ40は、更に、基体41の側面41aに配置され、それぞれ外部接続端子11の端面11aに接続された複数の端子用めっき膜42を備えていてもよい。この場合、電子部品パッケージ40の製造方法は、更に、ウェハ1を含む基礎構造物30を切断する工程の後で、複数の端子用めっき膜42を形成する工程を備えている。この場合には端子用めっき膜42を形成する前に、端子用めっき膜42が配置される側面41aを研磨しておくことが好ましい。端子用めっき膜42の材料としては、例えばAuが用いられる。
図21は、電子部品パッケージ40の他の形態を示す斜視図である。電子部品パッケージ40は、図19に示した形態や図20に示した形態であってもよいが、図21に示したように、更に、それぞれ各外部接続端子11に接続された複数の端子用ピン43を備えていてもよい。この場合には、電子部品パッケージ40の製造方法は、更に、ウェハ1を含む基礎構造物30を切断する工程の後で、外部接続端子11の端面11aに端子用ピン43を接続する工程を備えている。
図22は、電子部品パッケージ40の更に他の形態を示す斜視図である。図22に示した電子部品パッケージ40は、図21に示した形態に加えて、更に、外部接続端子11と端子用ピン43との接続部分を覆う保護層44を備えている。保護層44は、例えば樹脂によって形成される。保護層44は、外部接続端子11と端子用ピン43との接続部分を補強する。
以上説明したように、本実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法では、まずウェハ1を作製する。ウェハ1は、上面10aを有する基板10と、基板10の上面10a上に設けられた、複数の電子部品パッケージ40に対応した複数組の外部接続端子11とを有している。また、ウェハ1は、それぞれ後に互いに分離されることによって電子部品パッケージ40における基体41となる複数の基体予定部2を含んでいる。本実施の形態では、次に、ウェハ1における各基体予定部2にそれぞれ少なくとも1つの電子部品チップ3を接合して、基礎構造物30を作製する。次に、各基体予定部2が互いに分離されて複数の基体41が形成されるようにウェハ1を含む基礎構造物30を切断して、複数の電子部品パッケージ40を製造する。これにより、本実施の形態によれば、電子部品パッケージ40を低コストで短時間に大量生産することが可能になる。
また、本実施の形態では、ウェハ1を作製する工程において、基板10の上面10a上に、めっき法を用いて複数組の外部接続端子11を形成する。そのため、本実施の形態によれば、複数組の外部接続端子11を微細に且つ精度よく形成することが可能になる。
また、本実施の形態に係るウェハ1は、回路素子を含んでいない。従って、電子部品パッケージ40の仕様の変更が生じても、ウェハ1については、全く変更が必要ないか、外部接続端子11の数や配置に変更が必要であっても、これらを容易に変更することができる。特に本実施の形態では、めっき法を用いて複数組の外部接続端子11を形成するため、外部接続端子11の数や配置を容易に変更することができる。また、本実施の形態によれば、ウェハ1における各基体予定部2に配置するチップ3を変えることで、電子部品パッケージ40の仕様を容易に変えることができる。これらのことから、本実施の形態によれば、電子部品パッケージ40の仕様の変更に対して柔軟且つ迅速に対応することが可能である。
また、本実施の形態では、ウェハ1における各基体予定部2に複数のチップ3を配置し、これらをチップ間接続部22によって接続することにより、マルチチップモジュールとしての電子部品パッケージ40を、低コストで短時間に大量生産することが可能になる。
なお、本実施の形態において、各基体予定部2に複数のチップ3を配置し、これらを接続する場合における複数のチップ3の組み合わせは任意である。各基体予定部2に配置する複数のチップ3の組み合わせとしては、例えば、C−MOS集積回路素子、高速C−MOS集積回路素子、高耐圧C−MOS集積回路素子、バイポーラ集積回路素子、高速バイポーラ集積回路素子、高耐圧バイポーラ集積回路素子のうちの同じ種類または異なる種類の2つ以上の回路素子の組み合わせがある。また、各基体予定部2に、複数のチップ3として、フラッシュメモリ、SRAM、DRAM、PROM等のメモリ素子を複数個配置してもよい。これにより、記憶容量の大きなメモリ素子として機能する電子部品パッケージ40を製造することができる。また、各基体予定部2に、MEMSによって構成されたセンサまたはアクチェエータと、これを駆動するドライバ回路素子とを配置してもよい。
なお、本実施の形態において、めっき法によって形成される端子用接続部21とチップ間接続部22の少なくとも一方の代わりに、ボンディングワイヤーや、ウェハ1の基板10上に形成した導体層を用いて配線を行ってもよい。しかし、ボンディングワイヤーや基板10上に形成した導体層を用いて配線を行う場合よりも、めっき法によって形成される端子用接続部21とチップ間接続部22を用いて配線を行う方が高密度の配線が可能になり、電子部品パッケージ40の小型化が容易になる。
また、端子用接続部21およびチップ間接続部22を、めっき法によって形成する代わりに、半田を用いて形成してもよい。この場合には、例えば、ステンレス等よりなる薄い金属板を打ち抜いて、端子用接続部21およびチップ間接続部22を形成すべき位置に開口部が形成されたマスクを作製し、このマスクを、開口部14aが形成された絶縁層14の上に配置し、その上から、開口部14aおよびマスクの開口部内に溶融した半田を流し込むことによって、端子用接続部21およびチップ間接続部22を形成することができる。この方法によれば、簡単に端子用接続部21およびチップ間接続部22を形成することができる。
また、本実施の形態では、外部接続端子11の上面は、チップ3の電極3aの上面と同じ高さまたはほぼ同じ高さに配置される。従って、本実施の形態によれば、チップ3と外部接続端子11とを、端子用接続部21を介して容易に接続することが可能になると共に、端子用接続部21を精度よく形成することが可能になる。
また、本実施の形態では、外部接続端子11は、積層された第1のめっき層11Aと第2のめっき層11Bとを含んでいる。そのため、本実施の形態では、外部接続端子11の厚みを比較的大きくすることができる。これにより、基体41の側面41aにおいて露出する外部接続端子11の端面11aの面積を大きくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、外部接続端子11と外部回路との電気的接続の信頼性を高めることができる。
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法の概略は、図1ないし図4を参照して説明した第1の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法の概略と同様である。本実施の形態では、特にウェハ1を作製する工程が第1の実施の形態とは異なっている。以下、図23ないし図30を参照して、本実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法について詳しく説明する。図23は、本実施の形態における基板の一部を示す断面図である。図24ないし図29は、本実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法における各工程で作製される積層体の一部を示す断面図である。図30は、図29に示した工程に続く工程において作製される電子部品パッケージを示す断面図である。
本実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法では、始めに、図23に示した基板50を作製する。基板50は、上面50aを有する板状をなしている。上面50aは、後に複数のチップ接合用導体層12が配置される複数の凹部50bを有している。この凹部50bは、例えば、当初は平坦な基板50の上面を部分的にエッチングすることによって形成することができる。例えば、基板50の材料がシリコンの場合には、エッチング液としてKOHを用いたウェットエッチングによって凹部50bを形成することができる。凹部50bの深さは、例えば30〜300μmの範囲内である。
図24は、次の工程を示す。この工程では、まず、基板50の上面50aの全体を覆うように、例えばスパッタ法によって、めっき用のシード層5を形成する。シード層5の厚みおよび材料は、第1の実施の形態と同様である。
次に、めっき法、例えばフレームめっき法によって、シード層5の上に、複数の外部接続端子11を構成する複数の端子用めっき層11Cと、複数のチップ接合用導体層12を構成する複数のチップ接合用めっき層12Aとを形成する。端子用めっき層11Cは、基板50の上面50aのうち、凹部50b以外の部分における上方に配置される。チップ接合用めっき層12Aは、凹部50b内に配置される。めっき層11C,12Aの厚みは、例えば30〜500μmの範囲内である。めっき層11C,12Aの材料としては、例えば、Cu、Ni、Fe、Ru、Crまたはこれらを含む合金や、NiFe、CoNiFeを用いることができる。
次に、めっき層11C,12Aをマスクとして、シード層5のうち、めっき層11C,12Aの下に存在する部分以外の部分をエッチングによって除去する。これにより、端子用めっき層11Cおよびその下に残ったシード層5によって外部接続端子11が形成され、チップ接合用めっき層12Aおよびその下に残ったシード層5によってチップ接合用導体層12が形成される。このようにして、ウェハ1が作製される。
外部接続端子11の上面とチップ接合用導体層12の上面との間には、外部接続端子11の上面の方が上方に配置されるように段差が形成されている。この段差は、後にチップ接合用導体層12の上に配置されるチップ3の厚みと等しいか、ほぼ等しいことが好ましい。
図25は、次の工程を示す。この工程では、各基体予定部2におけるチップ接合用導体層12の上にそれぞれ少なくとも1つのチップ3を接合する。各チップ3は、上面と、下面と、上面に配置された複数の電極3aとを有している。各チップ3は、下面がチップ接合用導体層12に接合されるように配置される。電極3aの上面は、外部接続端子11の上面と同じ高さまたはほぼ同じ高さに配置される。
図26は、次の工程を示す。この工程では、第1の実施の形態と同様に、絶縁層13,14を形成する。絶縁層14の上面は平坦化される。
図27は、次の工程を示す。この工程では、第1の実施の形態と同様に、絶縁層14に、外部接続端子11および電極3aを露出させるための複数の開口部(ビアホール)14aを形成する。
図28は、次の工程を示す。この工程では、第1の実施の形態と同様に、めっき法、例えばフレームめっき法によって、複数の端子用接続部21と複数のチップ間接続部22とを同時に形成する。端子用接続部21とチップ間接続部22を形成する際には、同時に、1つのチップ3における異なる電極同士を接続する接続部や、異なる外部接続端子11同士を接続する接続部を形成してもよい。
図29は、次の工程を示す。この工程では、第1の実施の形態と同様に、端子用接続部21およびチップ間接続部22を覆うように第1の封止層25Aを形成し、次に、第1の封止層25Aを覆うように第2の封止層25Bを形成する。第1の封止層25Aおよび第2の封止層25Bによって、チップ3を封止する封止部材25が構成される。図29には、基体予定部2毎に別個の封止部材25を形成した例を示している。しかし、全ての基体予定部2における全てのチップ3を封止する1つの封止部材25を形成してもよい。
このようにして基礎構造物30が作製される。ここまでの一連の工程は、本実施の形態に係る電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法に相当する。基礎構造物30は、ウェハ1、複数のチップ3、複数の端子用接続部21、複数のチップ間接続部22および複数の封止部材25を備えている。
図30は、次の工程を示す。この工程では、各基体予定部2が互いに分離されて複数の基体41が形成されるように、ウェハ1を含む基礎構造物30を切断する。これにより、それぞれ基体41と少なくとも1つのチップ3とを備えた複数の電子部品パッケージ40が形成される。基体41は、複数の外部接続端子11と、1つのチップ接合用導体層12と、これらを保持する保持部51とを有している。保持部51は、基板50が切断されて形成されたものである。電子部品パッケージ40は、更に、複数の端子用接続部21と、封止部材25とを備えている。電子部品パッケージ40は、複数のチップ3を備えている場合には、更に、少なくとも1つのチップ間接続部22を備えていてもよい。
本実施の形態における電子部品パッケージ40の形態は、第1の実施の形態と同様に、図19ないし図22に示した形態のいずれでもよい。
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第1の実施の形態と同様である。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、端子用接続部21は、チップ3における複数の電極3aと1つ以上の外部接続端子11とを接続するものであってもよいし、チップ3における1つ以上の電極3aと複数の外部接続端子11とを接続するものであってもよい。また、チップ間接続部22は、複数のチップ3における3つ以上の電極3aを接続するものであってもよい。
また、各実施の形態では、基体41の4つの側面41aのうちの2つにおいてそれぞれ複数の外部接続端子11の端面11aが露出するように複数の外部接続端子11が配置された例を示している。しかし、本発明では、基体41の4つの側面41aのうちの1つ、3つまたは4つにおいて、それぞれ複数の外部接続端子11の端面11aが露出するように複数の外部接続端子11が配置されてもよい。
本発明の第1の実施の形態における電子部品パッケージ用ウェハを示す説明図である。 本発明の第1の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。 本発明の第1の実施の形態における電子部品パッケージ用基礎構造物を示す説明図である。 本発明の第1の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法を説明するための説明図である。 本発明の第1の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法における一工程で作製される積層体の一部を示す平面図である。 図5に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す平面図である。 図6に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す平面図である。 図7に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す平面図である。 図8に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す平面図である。 図9に示した工程に続く工程において作製される電子部品パッケージを示す平面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法における一工程で作製される積層体の一部を示す断面図である。 図11に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。 図12に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。 図13に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。 図14に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。 図15に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。 図16に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。 図17に示した工程に続く工程において作製される電子部品パッケージを示す断面図である。 本発明の第1の実施の形態における電子部品パッケージを示す斜視図である。 本発明の第1の実施の形態における電子部品パッケージの一部を示す斜視図である。 本発明の第1の実施の形態における電子部品パッケージの他の形態を示す斜視図である。 本発明の第1の実施の形態における電子部品パッケージの更に他の形態を示す斜視図である。 本発明の第2の実施の形態における基板の一部を示す断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法における一工程で作製される積層体の一部を示す断面図である。 図24に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。 図25に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。 図26に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。 図27に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。 図28に示した工程に続く工程における積層体の一部を示す断面図である。 図29に示した工程に続く工程において作製される電子部品パッケージを示す断面図である。
符号の説明
1…電子部品パッケージ用ウェハ、2…基体予定部、3…電子部品チップ、10…基板、11…外部接続端子、12…チップ接合用導体層、21…端子用接続部、22…チップ間接続部、25…封止部材、30…電子部品パッケージ用基礎構造物、40…電子部品パッケージ。

Claims (13)

  1. 複数の外部接続端子を有する基体と、前記基体に接合され且つ前記複数の外部接続端子の少なくとも1つに電気的に接続された少なくとも1つの電子部品チップとを備えた電子部品パッケージの製造方法であって、
    前記電子部品チップは複数の電極を有し、
    前記電子部品パッケージは、それぞれ少なくとも1つの前記電極と少なくとも1つの前記外部接続端子とを電気的に接続する複数の端子用接続部を備え、
    電子部品パッケージの製造方法は、
    上面を有する基板と、前記基板の上面上に設けられた、複数の電子部品パッケージに対応した複数組の外部接続端子と、前記基板の上面上に設けられ、各々に前記少なくとも1つの電子部品チップが接合される複数のチップ接合用導体層とを有し、それぞれ後に互いに分離されることによって基体となる複数の基体予定部を含むウェハを作製する工程と、
    前記ウェハ各基体予定部における前記チップ接合用導体層の上にそれぞれ少なくとも1つの電子部品チップを接合する工程と、
    前記チップ接合用導体層の上に電子部品チップを接合する工程の後で、前記端子用接続部を形成する工程と、
    前記端子用接続部を形成する工程の後で、各基体予定部が互いに分離されて複数の基体が形成されるように、前記ウェハを切断する工程とを備え、
    前記ウェハを作製する工程は、前記基板の上面上に、めっき法を用いて前記複数組の外部接続端子を形成する工程を含み、
    前記端子用接続部を形成する工程は、前記ウェハおよび電子部品チップを覆い、平坦化された上面を有する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に、前記外部接続端子および電極を露出させるための複数の開口部を形成する工程と、その一部が前記開口部に挿入されるように、めっき法によって前記端子用接続部を形成する工程とを含むことを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
  2. 前記複数組の外部接続端子を形成する工程は、めっき法によって、それぞれ外部接続端子の一部となる複数の第1のめっき層を形成する工程と、めっき法によって、それぞれ前記複数の第1のめっき層の上に配置されるように前記複数の第2のめっき層を形成する工程とを含み、
    前記複数の第1のめっき層を形成する工程は、同時に、前記複数のチップ接合用導体層を構成する複数のチップ接合用めっき層を形成することを特徴とする請求項記載の電子部品パッケージの製造方法。
  3. 前記基板の上面は、前記複数のチップ接合用導体層が配置される複数の凹部を有し、
    前記複数組の外部接続端子を形成する工程は、同時に、前記複数の凹部内に配置されるように前記複数のチップ接合用導体層を形成することを特徴とする請求項記載の電子部品パッケージの製造方法。
  4. 前記電子部品パッケージは、複数の前記電子部品チップを備え、更に、前記複数の電子部品チップの電極同士を電気的に接続する少なくとも1つのチップ間接続部を備え、
    前記チップ間接続部は、前記端子用接続部が形成される際に同時に形成されることを特徴とする請求項記載の電子部品パッケージの製造方法。
  5. 更に、前記端子用接続部を形成する工程と前記ウェハを切断する工程との間において、前記電子部品チップを封止する封止部材を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項1記載の電子部品パッケージの製造方法。
  6. 前記基体は側面を有し、前記側面において前記複数の外部接続端子の端面が露出していることを特徴とする請求項1記載の電子部品パッケージの製造方法。
  7. 電子部品パッケージは、更に、前記基体の側面に配置され、それぞれ外部接続端子の端面に接続された複数の端子用めっき膜を備え、
    電子部品パッケージの製造方法は、更に、前記ウェハを切断する工程の後で、前記複数の端子用めっき膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項記載の電子部品パッケージの製造方法。
  8. 電子部品パッケージは、更に、それぞれ外部接続端子に接続された複数の端子用ピンを備え、
    電子部品パッケージの製造方法は、更に、前記ウェハを切断する工程の後で、前記外部接続端子の端面に前記端子用ピンを接続する工程を備えたことを特徴とする請求項記載の電子部品パッケージの製造方法。
  9. それぞれ、複数の外部接続端子を有する基体と、前記基体に接合され且つ前記複数の外部接続端子の少なくとも1つに電気的に接続された少なくとも1つの電子部品チップとを備えた複数の電子部品パッケージを製造するために用いられる電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法であって、
    前記電子部品チップは複数の電極を有し、
    前記電子部品パッケージは、それぞれ少なくとも1つの前記電極と少なくとも1つの前記外部接続端子とを電気的に接続する複数の端子用接続部を備え、
    前記電子部品パッケージ用基礎構造物は、上面を有する基板と、基板の上面上に設けられた、複数の電子部品パッケージに対応した複数組の外部接続端子と、前記基板の上面上に設けられ、各々に前記少なくとも1つの電子部品チップが接合される複数のチップ接合用導体層とを有し、それぞれ後に互いに分離されることによって基体となる複数の基体予定部を含むウェハと、前記ウェハ各基体予定部における前記チップ接合用導体層の上に接合された複数の電子部品チップとを備え、
    電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法は、
    前記ウェハを作製する工程と、
    前記ウェハ各基体予定部における前記チップ接合用導体層の上にそれぞれ少なくとも1つの電子部品チップを接合する工程と
    前記チップ接合用導体層の上に電子部品チップを接合する工程の後で、前記端子用接続部を形成する工程とを備え、
    前記ウェハを作製する工程は、前記基板の上面上に、めっき法を用いて前記複数組の外部接続端子を形成する工程を含み、
    前記端子用接続部を形成する工程は、前記ウェハおよび電子部品チップを覆い、平坦化された上面を有する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に、前記外部接続端子および電極を露出させるための複数の開口部を形成する工程と、その一部が前記開口部に挿入されるように、めっき法によって前記端子用接続部を形成する工程とを含むことを特徴とする電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法。
  10. 前記複数組の外部接続端子を形成する工程は、めっき法によって、それぞれ外部接続端子の一部となる複数の第1のめっき層を形成する工程と、めっき法によって、それぞれ前記複数の第1のめっき層の上に配置されるように前記複数の第2のめっき層を形成する工程とを含み、
    前記複数の第1のめっき層を形成する工程は、同時に、前記複数のチップ接合用導体層を構成する複数のチップ接合用めっき層を形成することを特徴とする請求項記載の電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法。
  11. 前記基板の上面は、前記複数のチップ接合用導体層が配置される複数の凹部を有し、
    前記複数組の外部接続端子を形成する工程は、同時に、前記複数の凹部内に配置されるように前記複数のチップ接合用導体層を形成することを特徴とする請求項記載の電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法。
  12. 前記電子部品パッケージは、複数の前記電子部品チップを備え、更に、前記複数の電子部品チップの電極同士を電気的に接続する少なくとも1つのチップ間接続部を備え、
    前記チップ間接続部は、前記端子用接続部が形成される際に同時に形成されることを特徴とする請求項記載の電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法。
  13. 更に、前記端子用接続部を形成する工程の後で前記電子部品チップを封止する封止部材を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項記載の電子部品パッケージ用基礎構造物の製造方法。
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