JP5239697B2 - 半導体装置の製造方法、熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置 - Google Patents
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前記熱酸化処理装置によって前記モニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面に熱酸化膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
前記熱酸化処理装置によって前記モニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面に熱酸化膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
前記熱酸化処理装置によって前記モニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面に熱酸化膜を形成することを特徴とする。
前記熱酸化処理装置によって前記モニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面に熱酸化膜を形成することを特徴とする。
前記第1のモニタウェハの裏面と前記第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と第2の製品ウェハの表面を対向させた状態で前記熱酸化処理装置内に配置する工程と、
前記第1のモニタウェハの表面、前記第1のシリコン窒化膜マスクで覆われていない前記第1の製品ウェハの表面及び前記第2のシリコン窒化膜マスクで覆われていない前記第2の製品ウェハの表面に、前記熱酸化処理装置によって熱酸化膜を形成する第1熱酸化工程と、
前記熱酸化処理装置内から前記第1のモニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハを取り出す工程と、
前記第1及び第2のシリコン窒化膜マスクを除去する工程と、
裏面に第4のシリコン窒化膜が形成された、前記熱酸化処理装置によって形成される熱酸化膜の膜厚を管理するための第2のモニタウェハの裏面と、前記第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と第2の製品ウェハの表面を対向させた状態で前記熱酸化処理装置内に配置する工程と、
前記第2のモニタウェハの表面、前記第1のシリコン窒化膜マスクで覆われていた前記第1の製品ウェハの表面、前記第2のシリコン窒化膜マスクで覆われていた前記第2の製品ウェハの表面、及び前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面の前記第1熱酸化工程で形成された熱酸化膜上に、前記熱酸化処理装置によって熱酸化膜を形成する第2熱酸化工程と、
を具備することを特徴とする。
前記第1のモニタウェハの裏面と前記第1のダミーウェハの表面を対向させ、且つ前記第1のダミーウェハの裏面と前記第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と前記第2の製品ウェハの表面を対向させた状態で前記熱酸化処理装置内に配置する工程と、
前記第1のモニタウェハの表面、前記第1のシリコン窒化膜マスクで覆われていない前記第1の製品ウェハの表面及び前記第2のシリコン窒化膜マスクで覆われていない前記第2の製品ウェハの表面に、前記熱酸化処理装置によって熱酸化膜を形成する第1の熱酸化工程と、
前記熱酸化処理装置内から前記第1のモニタウェハ、前記第1のダミーウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハを取り出す工程と、
前記第1及び第2のシリコン窒化膜マスクを除去する工程と、
前記熱酸化処理装置によって形成される熱酸化膜の膜厚を管理するための第2のモニタウェハの裏面と、表面及び裏面に第4のシリコン窒化膜が形成された第2のダミーウェハの表面を対向させ、且つ前記第2のダミーウェハの裏面と前記第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と前記第2の製品ウェハの表面を対向させた状態で前記熱酸化処理装置内に配置する工程と、
前記第2のモニタウェハの表面、前記第1のシリコン窒化膜マスクで覆われていた前記第1の製品ウェハの表面、前記第2のシリコン窒化膜マスクで覆われていた前記第2の製品ウェハの表面、及び前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面の前記第1熱酸化工程で形成された熱酸化膜上に、前記熱酸化処理装置によって熱酸化膜を形成する第2熱酸化工程と、
を具備することを特徴とする。
(第1の実施形態)
図7(A)はゲート酸化膜を形成するための熱酸化工程に用いる縦型熱酸化処理装置を示す模式図であり、図7(B)は図7(A)に示すウェハホルダを示す模式図である。
図7(B)に示すように、ウェハホルダ2にはモニタウェハ及び複数の半導体ウェハが保持されている。また、図1は図7(B)に示すウェハホルダ2に保持されるウェハの順序を説明するための模式図である。
次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明するが、第1の実施形態と同様である部分は同一符号を付し説明を省略する。
図2は図7(B)に示すウェハホルダ2に保持されるウェハの順序を説明するための模式図である。
次に、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図4及び図6を参照しつつ説明するが、第1の実施形態と同様である部分は同一符号を付し説明を省略する。
次に、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図5を参照しつつ説明するが、第3の実施形態と同様である部分は同一符号を付し説明を省略する。
図5は図7(B)に示すウェハホルダ2に保持されるウェハの順序を説明するための模式図である。図5に示す第4の実施形態に係るウェハホルダ2におけるウェハの配置等は、図2に示す第2の実施形態と同様である。また、図5に示す第1のモニタウェハM1及びダミーウェハ#2は第2の実施形態と同様のものが用いられる。
次に、本発明の第5の実施形態に係る半導体装置の製造について図8を参照しつつ説明する。また、第1の実施形態と同様である部分は説明を省略する。
Claims (8)
- 熱酸化処理装置によって形成される熱酸化膜の膜厚を管理するためのモニタウェハの裏面と、第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と第2の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記モニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの裏面にシリコン窒化膜が形成された状態で前記熱酸化処理装置内に配置する工程と、
前記熱酸化処理装置によって前記モニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面に熱酸化膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 熱酸化処理装置によって形成される熱酸化膜の膜厚を管理するためのモニタウェハの裏面と、ダミーウェハの表面を対向させ、且つ前記ダミーウェハの裏面と第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と第2の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記ダミーウェハの表面及び裏面と、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの裏面にシリコン窒化膜が形成された状態で前記熱酸化処理装置内に配置する工程と、
前記熱酸化処理装置によって前記モニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面に熱酸化膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1において、前記熱酸化膜はゲート酸化膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記熱酸化処理装置は、縦型又は横型の熱酸化処理装置であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 熱酸化処理装置によって形成される熱酸化膜の膜厚を管理するためのモニタウェハの裏面と、第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と第2の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記モニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの裏面にシリコン窒化膜が形成された状態で前記熱酸化処理装置内に配置し、
前記熱酸化処理装置によって前記モニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面に熱酸化膜を形成することを特徴とする熱酸化処理方法。 - 熱酸化処理装置によって形成される熱酸化膜の膜厚を管理するためのモニタウェハの裏面と、ダミーウェハの表面を対向させ、且つ前記ダミーウェハの裏面と第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と第2の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記ダミーウェハの表面及び裏面と、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの裏面にシリコン窒化膜が形成された状態で前記熱酸化処理装置内に配置し、
前記熱酸化処理装置によって前記モニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面に熱酸化膜を形成することを特徴とする熱酸化処理方法。 - 裏面に第1のシリコン窒化膜が形成された、熱酸化処理装置によって形成される熱酸化膜の膜厚を管理するための第1のモニタウェハ、裏面に第2のシリコン窒化膜が形成され且つ表面に第1のシリコン窒化膜マスクが形成された第1の製品ウェハ、及び裏面に第3のシリコン窒化膜が形成され且つ表面に第2のシリコン窒化膜マスクが形成された第2の製品ウェハを用意する工程と、
前記第1のモニタウェハの裏面と前記第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と第2の製品ウェハの表面を対向させた状態で前記熱酸化処理装置内に配置する工程と、
前記第1のモニタウェハの表面、前記第1のシリコン窒化膜マスクで覆われていない前記第1の製品ウェハの表面及び前記第2のシリコン窒化膜マスクで覆われていない前記第2の製品ウェハの表面に、前記熱酸化処理装置によって熱酸化膜を形成する第1熱酸化工程と、
前記熱酸化処理装置内から前記第1のモニタウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハを取り出す工程と、
前記第1及び第2のシリコン窒化膜マスクを除去する工程と、
裏面に第4のシリコン窒化膜が形成された、前記熱酸化処理装置によって形成される熱酸化膜の膜厚を管理するための第2のモニタウェハの裏面と、前記第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と第2の製品ウェハの表面を対向させた状態で前記熱酸化処理装置内に配置する工程と、
前記第2のモニタウェハの表面、前記第1のシリコン窒化膜マスクで覆われていた前記第1の製品ウェハの表面、前記第2のシリコン窒化膜マスクで覆われていた前記第2の製品ウェハの表面、及び前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面の前記第1熱酸化工程で形成された熱酸化膜上に、前記熱酸化処理装置によって熱酸化膜を形成する第2熱酸化工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 熱酸化処理装置によって形成される熱酸化膜の膜厚を管理するための第1のモニタウェハ、表面及び裏面に第1のシリコン窒化膜が形成された第1のダミーウェハ、裏面に第2のシリコン窒化膜が形成され且つ表面に第1のシリコン窒化膜マスクが形成された第1の製品ウェハ、及び裏面に第3のシリコン窒化膜が形成され且つ表面に第2のシリコン窒化膜マスクが形成された第2の製品ウェハを用意する工程と、
前記第1のモニタウェハの裏面と前記第1のダミーウェハの表面を対向させ、且つ前記第1のダミーウェハの裏面と前記第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と前記第2の製品ウェハの表面を対向させた状態で前記熱酸化処理装置内に配置する工程と、
前記第1のモニタウェハの表面、前記第1のシリコン窒化膜マスクで覆われていない前記第1の製品ウェハの表面及び前記第2のシリコン窒化膜マスクで覆われていない前記第2の製品ウェハの表面に、前記熱酸化処理装置によって熱酸化膜を形成する第1の熱酸化工程と、
前記熱酸化処理装置内から前記第1のモニタウェハ、前記第1のダミーウェハ、前記第1及び第2の製品ウェハを取り出す工程と、
前記第1及び第2のシリコン窒化膜マスクを除去する工程と、
前記熱酸化処理装置によって形成される熱酸化膜の膜厚を管理するための第2のモニタウェハの裏面と、表面及び裏面に第4のシリコン窒化膜が形成された第2のダミーウェハの表面を対向させ、且つ前記第2のダミーウェハの裏面と前記第1の製品ウェハの表面を対向させ、且つ前記第1の製品ウェハの裏面と前記第2の製品ウェハの表面を対向させた状態で前記熱酸化処理装置内に配置する工程と、
前記第2のモニタウェハの表面、前記第1のシリコン窒化膜マスクで覆われていた前記第1の製品ウェハの表面、前記第2のシリコン窒化膜マスクで覆われていた前記第2の製品ウェハの表面、及び前記第1及び第2の製品ウェハそれぞれの表面の前記第1熱酸化工程で形成された熱酸化膜上に、前記熱酸化処理装置によって熱酸化膜を形成する第2熱酸化工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2008251311A JP5239697B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | 半導体装置の製造方法、熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置 |
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