JP4322150B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本願発明者は、シリコンウェハの裏面側に露出している部材と、シリコンウェハの表面側に形成されるゲート絶縁膜の膜厚との関係について検討した。図1は、シリコンウェハの裏面側に露出している部材とシリコンウェハの表面側に形成されるゲート絶縁膜の膜厚との関係を示すグラフである。図1の横軸は、シリコンウェハの裏面側に露出している部材を示している。SiOは、シリコンウェハの裏面側にシリコン酸化膜が露出している状態でゲート絶縁膜を形成した場合を示している。Siは、シリコンウェハの裏面側にシリコンウェハ自体が露出している状態でゲート絶縁膜を形成した場合を示している。SiNは、シリコンウェハの裏面側にシリコン窒化膜が露出している状態でゲート絶縁膜を形成した場合を示している。Polyは、シリコンウェハの裏面側にポリシリコン膜が露出している状態でゲート絶縁膜を形成した場合を示している。DASIは、シリコンウェハの裏面側に、不純物がドープされたアモルファスシリコン膜(ドープトアモルファスシリコン膜)が露出している状態で、ゲート絶縁膜を形成した場合を示している。いずれの場合も、ゲート絶縁膜は熱酸化法により形成した。また、シリコンウェハの裏面側のシリコン窒化膜、ポリシリコン膜及びアモルファスシリコン膜は、CVD法により形成した。ゲート絶縁膜を形成する際には、複数のシリコンウェハが互いに隣接するように配置された状態、より具体的には、シリコンウェハの表面側に他のシリコンウェハの裏面側が対向するように配置した状態で、ゲート絶縁膜を形成した。図1における左側の縦軸は、シリコンウェハの表面側に形成されるゲート絶縁膜の膜厚の平均値を示している。図1における右側の縦軸は、シリコンウェハの表面側に形成されるゲート絶縁膜の面内バラツキ(3σ)を示している。
(熱酸化装置)
本発明の第1実施形態による半導体装置の製造方法を説明するに先立って、ゲート絶縁膜を形成する際に用いられる熱酸化装置の構造について説明する。図2は、熱酸化装置を示す概略図である。なお、ここでは、成膜室及びヒータが縦に配置された縦型熱酸化装置(縦型酸化炉)を例に説明するが、ゲート絶縁膜を形成する際に用いる熱酸化装置は、縦型熱酸化装置に限定されるものではない。例えば、ゲート絶縁膜を形成する際に、成膜室及びヒータが横に配置された横型熱酸化装置(横型酸化炉)を用いるようにしてもよい。
次に、本発明の第1実施形態による半導体装置の製造方法を図3乃至図9を用いて説明する。図3乃至図9は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
本発明の第2実施形態による半導体装置の製造方法を図10乃至図20を用いて説明する。図10乃至図20は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図1乃至図9に示す第1実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜を所定の形状にパターニングする。
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜をパターニングする。これにより、ロジック部8を露出する開口部(図示せず)がフォトレジスト膜に形成される。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記導電膜を形成する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の前記第2の面側の前記導電膜を除去する工程を更に有し、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、前記シリコン基板の前記第2の面側に前記シリコン基板が露出している状態で、前記ゲート絶縁膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記シリコン基板の前記第2の面側に、シリコン酸化膜が形成されており、
前記導電膜を形成する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の前記第2の面側の前記導電膜を除去する工程を更に有し、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、前記シリコン基板の前記第2の面側に前記シリコン酸化膜が露出している状態で、前記ゲート絶縁膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記シリコン基板は、前記シリコン基板の前記第1の面側にシリコン層が予めエピタキシャル成長され、前記シリコン基板の前記第2の面側に前記シリコン酸化膜が予め形成されたシリコン基板である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記導電膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の少なくとも前記第2の面側に前記シリコン酸化膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記シリコン基板の前記第2の面側の前記導電膜を除去する工程では、前記シリコン基板の前記第1の面側に気体を吹き付けながら、前記シリコン基板の前記第2の面側にエッチング液を供給することにより、前記導電膜をエッチング除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第1の面側の少なくとも前記第1の領域の前記導電膜を除去する工程では、前記導電膜をドライエッチングする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第1の面側の少なくとも前記第1の領域の前記導電膜を除去する工程では、前記シリコン基板の前記第1の面側の第2の領域の前記導電膜をパターニングする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記導電膜を形成する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の前記第1の面側及び前記第2の面側を覆うように、シリコン窒化膜を含む絶縁膜を形成する工程と;前記シリコン基板の前記第1の面側の少なくとも前記第1の領域の前記絶縁膜をエッチング除去する工程とを更に有し、
前記絶縁膜を形成する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の前記第2の面側の前記絶縁膜を除去する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記ゲート絶縁膜を形成する工程の後、前記シリコン基板の少なくとも前記第1の面側に、他の導電膜を形成する工程と;前記導電膜、前記絶縁膜及び前記他の導電膜をパターニングし、前記他の導電膜より成るゲート電極を前記第1の領域に形成するとともに、前記導電膜より成るフローティングゲートと、前記他の導電膜より成るコントロールゲートとを前記第2の領域に形成する工程とを更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記絶縁膜を形成する工程では、第1のシリコン酸化膜と前記シリコン窒化膜と第2のシリコン酸化膜とを順次積層することにより、前記絶縁膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記絶縁膜を形成する工程では、前記シリコン窒化膜をCVD法により形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記導電膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の前記第1の面側の第2の領域に溝を形成する工程を更に有し、
前記第1の面側の少なくとも前記導電膜を除去する工程では、前記溝内を除く部分の前記導電膜を研磨除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記溝を形成する工程の後、前記導電膜を形成する工程の前に、前記溝内にキャパシタを形成する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、熱酸化法により前記ゲート絶縁膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、シリコン酸化膜又はシリコン窒化酸化膜より成る前記ゲート絶縁膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、複数の前記シリコン基板を配列した状態で、前記ゲート絶縁膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記導電膜は、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記他の導電膜は、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4…ロジック部
6…メモリセル部
8…ロジック部
10…半導体基板
12…シリコン基板
14…シリコン酸化膜
16…素子分離領域
18…素子領域
20…トンネル絶縁膜
22…アモルファスシリコン膜
24…フローティングゲート
26…絶縁膜
28…ゲート絶縁膜
30…ポリシリコン膜
32…コントロールゲート
34…積層ゲート
36…ソース/ドレイン拡散層
38…シリコン窒化膜
40…サイドウォール絶縁膜
42…ゲート電極
44…不純物拡散領域
45…シリコン酸化膜
46…サイドウォール絶縁膜
48…不純物拡散領域
50…ソース/ドレイン拡散層
52a〜52d…コバルトシリサイド膜
54…層間絶縁膜
56…コンタクトホール
58…導体プラグ
60…積層膜
62…トレンチ、溝
64…AsSG膜
66…対向電極
68…積層膜
70…アモルファスシリコン膜
72…絶縁部
74…アモルファスシリコン膜
76…蓄積電極
78…キャパシタ
80a、80b…トレンチ
82…素子分離領域
84…ゲート絶縁膜
86…ゲート絶縁膜
88…ワード線
90…ゲート電極
110…成膜室
112…ボート
114…ウェハ
116…ガス管
118…ヒータ
Claims (5)
- シリコン基板の第1の面側及び第2の面側を覆うようにCVD法により導電膜を形成する工程と;前記シリコン基板の前記第1の面側の少なくとも第1の領域の前記導電膜を除去する工程と;前記シリコン基板の前記第1の面側の前記第1の領域にゲート絶縁膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記導電膜を形成する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の前記第2の面側の前記導電膜を除去する工程を更に有し、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、前記シリコン基板の前記第2の面側に前記シリコン基板が露出している状態で、前記ゲート絶縁膜を形成し、
前記第1の面側の少なくとも前記第1の領域の前記導電膜を除去する工程では、前記シリコン基板の前記第1の面側の第2の領域の前記導電膜をパターニングし、
前記第1の面側の少なくとも前記第1の領域の前記導電膜を除去する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の前記第1の面側及び前記第2の面側を覆うように、シリコン窒化膜を含む絶縁膜を形成する工程と;前記シリコン基板の前記第1の面側の少なくとも前記第1の領域の前記絶縁膜をエッチング除去する工程とを更に有し、
前記絶縁膜を形成する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の前記第2の面側の前記絶縁膜を除去する工程を更に有し、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程の後、前記シリコン基板の少なくとも前記第1の面側に、他の導電膜を形成する工程と;前記導電膜、前記絶縁膜及び前記他の導電膜をパターニングし、前記他の導電膜より成るゲート電極を有するトランジスタを前記第1の領域に形成するとともに、前記導電膜より成るフローティングゲートと、前記他の導電膜より成るコントロールゲートとを有するメモリセルを前記第2の領域に形成する工程とを更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - シリコン基板の第1の面側及び第2の面側を覆うようにCVD法により導電膜を形成する工程と;前記シリコン基板の前記第1の面側の少なくとも第1の領域の前記導電膜を除去する工程と;前記シリコン基板の前記第1の面側の前記第1の領域にゲート絶縁膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記シリコン基板の前記第2の面側に、シリコン酸化膜が形成されており、
前記導電膜を形成する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の前記第2の面側の前記導電膜を除去する工程を更に有し、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、前記シリコン基板の前記第2の面側に前記シリコン酸化膜が露出している状態で、前記ゲート絶縁膜を形成し、
前記第1の面側の少なくとも前記第1の領域の前記導電膜を除去する工程では、前記シリコン基板の前記第1の面側の第2の領域の前記導電膜をパターニングし、
前記第1の面側の少なくとも前記第1の領域の前記導電膜を除去する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の前記第1の面側及び前記第2の面側を覆うように、シリコン窒化膜を含む絶縁膜を形成する工程と;前記シリコン基板の前記第1の面側の少なくとも前記第1の領域の前記絶縁膜をエッチング除去する工程とを更に有し、
前記絶縁膜を形成する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記シリコン基板の前記第2の面側の前記絶縁膜を除去する工程を更に有し、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程の後、前記シリコン基板の少なくとも前記第1の面側に、他の導電膜を形成する工程と;前記導電膜、前記絶縁膜及び前記他の導電膜をパターニングし、前記他の導電膜より成るゲート電極を有するトランジスタを前記第1の領域に形成するとともに、前記導電膜より成るフローティングゲートと、前記他の導電膜より成るコントロールゲートとを有するメモリセルを前記第2の領域に形成する工程とを更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法において、
前記シリコン基板の前記第2の面側の前記導電膜を除去する工程では、前記シリコン基板の前記第1の面側に気体を吹き付けながら、前記シリコン基板の前記第2の面側にエッチング液を供給することにより、前記導電膜をエッチング除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、熱酸化法により前記ゲート絶縁膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電膜は、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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