JP4703230B2 - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4703230B2 JP4703230B2 JP2005093462A JP2005093462A JP4703230B2 JP 4703230 B2 JP4703230 B2 JP 4703230B2 JP 2005093462 A JP2005093462 A JP 2005093462A JP 2005093462 A JP2005093462 A JP 2005093462A JP 4703230 B2 JP4703230 B2 JP 4703230B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing chamber
- gas
- processing
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
この種の基板処理装置において、基板の処理後にクリーニングガスを処理室内に供給し、処理ガスによる反応生成物を除去することは公知である(特許文献1参照)。
基板保持板42は、複数のパイロメータ50によって温度が検出されるようになっている。パイロメータ50は、基板処理装置10の下部に固定され、下方から抵抗加熱ヒータ46を貫通して抵抗加熱ヒータ46から突出し、基板保持板42に非接触で基板保持板42の温度を検出する。
抵抗加熱ヒータ46は、複数の熱電対52によって温度が検出されるようになっている。熱電対52は、基板処理装置10の下部に固定され、上端が抵抗加熱ヒータ46の下面に接触して抵抗加熱ヒータ46の温度を検出する。なお、パイロメータ50が検出した基板保持板42の温度は、抵抗加熱ヒータ46の温度制御に対してフィードバックされている。
基板26の搬入に際しては、ヒータユニット38が昇降機構40によって基板搬送位置(図1参照)に下降し、開閉弁22が下方に移動して基板挿入口24が開かれる。すると、基板支持具48の上部が抵抗加熱ヒータ46及び基板保持板42のそれぞれに形成された挿入孔を下から押通して基板保持板42から上方に突出する。基板26は、図示しない基板搬送機により基板挿入口24を介して処理室20内に搬入され、基板保持板42に対して空間を隔てて平行になるように基板支持具48に支持される。
図4(A)に示すように、第1のシーケンスにおいては、抵抗加熱ヒータ46をクリーニング温度Tclnに保ち、処理室20内のドライエッチング及びサイクルパージを行い、次の基板26を処理するために抵抗加熱ヒータ46を処理温度Tproまで昇温させる。この場合、処理室20内の部材に付着した処理ガスによる反応生成物をクリーニングガスにより除去する過程(ガスクリーニング)、又は、ガスクリーニング後に抵抗加熱ヒータ46を処理温度Tproまで昇温させる過程において、処理室20内に残留したフッ素Fを含むガスが、基板保持板42に含まれるカーボンCと反応し、カーボンCを含むガスが発生する。
なお、抵抗加熱ヒータ46をクリーニング温度Tclnに保って処理室20内をパージした場合には、クリーニングガスによる反応生成物によって処理室20内が汚れることを十分に低減できないことが実験により確認されている。これは、処理室20内の部材に膜状に堆積したカーボンC、又は、粉体として付着したカーボンCとフッ素Fからなる反応生成物から脱離するカーボンCを含むガスがクリーニング温度Tclnでは十分に排気され難いためと考えられる。
図5は、複数枚の基板を順次に処理した場合の処理温度について、第1のシーケンスによる再現性と第2のシーケンスによる再現性とを比較した結果を示すグラフである。
図5に示すように、第1のシーケンスにより処理室20内をクリーニングした場合には、パイロメータ50にカーボンCが膜状に堆積するので、パイロメータ50による基板保持板42の温度測定値にずれが生じて、処理温度の設定に対する再現性が低くなっている。
一方、第2のシーケンスにより処理室20内をクリーニングした場合には、パイロメータ50にカーボンCが堆積することを抑制できるので、パイロメータ50によって基板保持板42の温度を正しく測定することができ、処理温度の設定に対する再現性が高くなっている。つまり、基板処理装置10は、第2のシーケンスにより処理室20内をクリーニングすることにより、基板保持板42の処理温度を安定させることができ、基板26に形成される膜厚再現性を高めることができる。
20 処理室
22 開閉弁
26 基板
28 排気口
34 ガス供給口
38 ヒータユニット
42 基板保持板
44 ユニット本体
46 抵抗加熱ヒータ
48 基板支持具
50 パイロメータ
54 クリーニングダミー基板
Claims (3)
- 処理室内に基板を搬入する工程と、
前記処理室内に処理ガスを供給することにより、基板を処理する工程と、
処理された基板を前記処理室から搬出する工程と、
前記処理室内にクリーニングガスを供給することにより、前記処理室内をクリーニングする工程と、
クリーニングされた前記処理室内をパージする工程とを有し、
前記処理室内をパージする工程では、前記処理室内の温度を、前記処理室内をクリーニングする工程で供給する前記クリーニングガスと処理室内の部材との反応により発生した物質を含むガスの脱離温度よりも高く、且つ、当該物質を含むガスと前記処理室内の部材とが反応する温度よりも低くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記処理室内の部材は、炭素を含んでいることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内の基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室内で基板を保持する保持具と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
前記処理室内をパージするパージ手段と、
前記処理室内にクリーニングガスを導入した後に、前記パージ手段により前記処理室をパージする場合に、前記処理室内の温度を、前記クリーニングガスと前記処理室内の部材との反応により発生した物質を含むガスの脱離温度よりも高く、且つ、当該物質を含むガスと前記処理室内の部材とが反応する温度よりも低くするよう制御する制御手段と、
を有する基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005093462A JP4703230B2 (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005093462A JP4703230B2 (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006278594A JP2006278594A (ja) | 2006-10-12 |
JP4703230B2 true JP4703230B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=37213056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005093462A Active JP4703230B2 (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4703230B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5114236B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2013-01-09 | トヨタ自動車株式会社 | 薄膜形成方法 |
CN109473330B (zh) * | 2017-09-07 | 2020-07-03 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体设备清洗方法及其半导体工艺方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0637074A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
JPH10189488A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Tokyo Electron Ltd | Cvd成膜方法 |
JPH10256192A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-25 | Applied Materials Inc | 三ふっ化塩素による処理チャンバクリーニング方法および装置 |
JP2003059915A (ja) * | 2001-06-08 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置の洗浄方法 |
JP2003077839A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のパージ方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2004228591A (ja) * | 2000-02-24 | 2004-08-12 | Asm Japan Kk | 自動清浄シーケンスにより薄膜形成装置内部を清浄化するための方法 |
-
2005
- 2005-03-29 JP JP2005093462A patent/JP4703230B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0637074A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
JPH10189488A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Tokyo Electron Ltd | Cvd成膜方法 |
JPH10256192A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-25 | Applied Materials Inc | 三ふっ化塩素による処理チャンバクリーニング方法および装置 |
JP2004228591A (ja) * | 2000-02-24 | 2004-08-12 | Asm Japan Kk | 自動清浄シーケンスにより薄膜形成装置内部を清浄化するための方法 |
JP2003059915A (ja) * | 2001-06-08 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置の洗浄方法 |
JP2003077839A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のパージ方法及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006278594A (ja) | 2006-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7858534B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus | |
KR101233031B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법과 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR101149097B1 (ko) | 반도체 처리용 성막 장치 및 그 사용 방법 | |
WO2012029661A1 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP2006188729A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009239289A (ja) | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR20090038819A (ko) | 반도체 처리용 성막 장치 및 그 사용 방법 | |
KR101133402B1 (ko) | 반도체 처리용 성막 장치 | |
US20150184301A1 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JP4838083B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
EP1167568B1 (en) | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same | |
JP2007243014A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP4703230B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP2004193396A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
WO2001061736A1 (fr) | Procede de traitement d'une plaquette | |
JP4897159B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4553227B2 (ja) | 熱処理方法 | |
JP5571157B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 | |
JP2013145788A (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置 | |
JP6630237B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
JP2009016426A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP4700236B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
TW202017666A (zh) | 清潔方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 | |
WO2020235596A1 (ja) | 成膜方法および成膜装置、ならびに処理容器のクリーニング方法 | |
JP2007324478A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080327 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100927 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101210 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4703230 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |