JP5228195B2 - 不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ - Google Patents
不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5228195B2 JP5228195B2 JP2007111939A JP2007111939A JP5228195B2 JP 5228195 B2 JP5228195 B2 JP 5228195B2 JP 2007111939 A JP2007111939 A JP 2007111939A JP 2007111939 A JP2007111939 A JP 2007111939A JP 5228195 B2 JP5228195 B2 JP 5228195B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nonvolatile memory
- shift register
- floating gate
- built
- pmos transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
それぞれの浮遊ゲートが相互に接続されている第1のPMOSトランジスタ、第2のPMOSトランジスタ及び第1のNMOSトランジスタを有するとともに、前記第1のPMOSトランジスタと第2のPMOSトランジスタとは互いに分離されたウェル上に形成されており、しかも前記第1のPMOSトランジスタは前記浮遊ゲートから電子を抜き出す消去電極としての機能を有し、前記第2のPMOSトランジスタは前記浮遊ゲートの電位の制御電極としての機能を有する一方、前記第1のNMOSトランジスタは前記浮遊ゲートに電子を注入するとともに前記浮遊ゲートの帯電状態を読み出す機能を有するように構成するとともに、
前記第1のNMOSトランジスタのドレインに読出し電流を供給してメモリ出力とし、
さらに前記読出し電流は前記浮遊ゲートの帯電状態に影響を及ぼさない低電圧源から供給するように構成した不揮発性メモリを、
各段のシフトレジスタと一対一に組み合わせ、前記各不揮発性メモリの読出し時には前記メモリ出力が対応する段の前記シフトレジスタの状態を決定する一方、前記各不揮発性メモリへの書き込み時には対応する段の前記シフトレジスタの状態が前記各不揮発性メモリの浮遊ゲートの帯電状態を決定する回路構成とし、
さらに前記不揮発性メモリの読出し時に前記シフトレジスタの動作電圧を前記低電圧源の出力電圧まで低下させ、読出しの終了とともに通常の動作電圧に復帰するように構成したことを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにある。
それぞれの浮遊ゲートが相互に接続されている第1のPMOSトランジスタ、第2のPMOSトランジスタ、第1のNMOSトランジスタ及び第2のNMOSトランジスタを有するとともに、前記第1のPMOSトランジスタと第2のPMOSトランジスタとは互いに分離されたウェル上に形成されており、しかも前記第1のPMOSトランジスタは前記浮遊ゲートから電子を抜き出す消去電極としての機能を有し、前記第2のPMOSトランジスタは前記浮遊ゲートの電位の制御電極としての機能を有する一方、前記第1のNMOSトランジスタは前記浮遊ゲートに電子を注入する書き込み機能を有し、前記第2のNMOSトランジスタは前記浮遊ゲートの帯電状態を読み出す読出し機能を有するように構成するとともに、
前記第1のNMOSトランジスタのドレインに読出し電流を供給してメモリ出力とし、
さらに前記読出し電流は前記浮遊ゲートの帯電状態に影響を及ぼさない低電圧源から供給するように構成した不揮発性メモリを、
各段のシフトレジスタと一対一に組み合わせ、前記各不揮発性メモリの読出し時には前記メモリ出力が対応する段の前記シフトレジスタの状態を決定する一方、前記各不揮発性メモリへの書き込み時には対応する段の前記シフトレジスタの状態が前記各不揮発性メモリの浮遊ゲートの帯電状態を決定する回路構成とし、
さらに前記不揮発性メモリの読出し時に前記シフトレジスタの動作電圧を前記低電圧源の出力電圧まで低下させ、読出しの終了とともに通常の動作電圧に復帰するように構成したことを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにある。
第1又は第2の態様に記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記第1のPMOSトランジスタ及び第2のPMOSトランジスタ、又は第1のPMOSトランジスタ若しくは第2のPMOSトランジスタがソース領域又はドレイン領域の何れか一方がない構造の素子であることを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにある。
第1乃至第3の態様の何れか一つに記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記第2のPMOSトランジスタの前記浮遊ゲートの面積が前記第1のPMOSトランジスタの浮遊ゲートの面積よりも大きいことを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにある。
第1乃至第4の態様の何れか一つに記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記各浮遊ゲートの上面が絶縁物を介して導電物で覆われていることを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにある。
第5の態様に記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記導電物が前記第2のPMOSトランジスタの制御電極に接続されていることを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにある。
第1乃至第6の態様の何れか一つに記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける読出しに使用する前記第2のNMOSトランジスタ又は第3のNMOSトランジスタの浮遊ゲートから見た閾値を他のNMOSトランジスタよりも低くしていることを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにある。
第1乃至第7の態様の何れか一つに記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記浮遊ゲートへの電子注入の有無を選択するため前記第1のNMOSトランジスタと直列に第3のNMOSトランジスタを接続したことを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにある。
第1乃至第8の態様の何れか一つに記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記第1のNMOSトランジスタ又は第2のNMOSトランジスタのドレインに読出し電流を供給してメモリ出力とすることを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにある。
第9の態様に記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記読出し電流は前記浮遊ゲートの帯電状態に影響を及ぼさない低電圧源から供給することを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにある。
図1は本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性メモリ用素子の構成を示す構造図である。同図に示すように、本形態に係る不揮発性メモリ用素子Iは、浮遊ゲートFGをそれぞれ具備する第1のPMOSトランジスタTr1、第2のPMOSトランジスタTr2及び第1のNMOSトランジスタTr3を有するとともに、PMOSトランジスタTr1とPMOSトランジスタTr2とが互いに分離されたn-ウェルに形成されている。したがって、この不揮発性メモリ用素子Iは標準的なCMOSプロセスで形成することができる。また、PMOSトランジスタTr1及びPMOSトランジスタTr2は互いに分離されたn-ウェルに形成して電気的に分離してあるので、異なる電圧をそれぞれ印加することができ、それぞれを消去電極VE及び制御電極CGとして機能させることができる。また、NMOSトランジスタTr3は読出し電極を兼用する書込み電極VWとして機能させることができる。
図3は本発明の第2の実施の形態に係る不揮発性メモリ用素子の構成を示す構造図である。同図に示すように、本形態に係る不揮発性メモリ用素子IIは、図1に示す不揮発性メモリ用素子IにおけるPMOSトランジスタTr1及びPMOSトランジスタTr2のソース領域がない構造のものである。
図4は、本発明の第3の実施の形態に係る不揮発性メモリを示す回路図である。同図に示すように本形態に係る不揮発性メモリは図2に示す不揮発性メモリに対し、第2のNMOSトランジスタTr4、第3のNMOSトランジスタTr5及びPMOSトランジスタTr6を追加して、不揮発性メモリとしての利便性を向上させた実用的な回路である。ただ、不揮発性メモリとしての機能は何ら変るところはない。
図5は本発明の第4の実施の形態に係る不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ一段分の回路図である。同図に示すように、本形態のシフトレジスタは図4に示す不揮発性メモリMを、Dフリップフロップ回路1に組み込んだ構成となっている。同図に示すように、Dフリップフロップ回路1はアンドゲート2におけるアンド論理の成立によりセットされるとともに、ノアゲート3によるノア論理の成立によりリセットされる。ここで、アンドゲート2の一方の入力端子には読出し信号RDが、他方の端子には出力信号MRoutがそれぞれ供給される。また、ノアゲート3の一方の入力端子には反転読出し信号RDZが、他方の端子には出力信号MRoutがそれぞれ供給される。
図8は本発明に係る不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ一段分の他の実施の形態を示す回路図である。同図に示すように、本形態に係るシフトレジスタは、相互に逆の開閉動作を行うトランスミッションゲート11,12と、インバータ17,18及びトランスミッションゲート13で形成するラッチ回路と、インバータ19,20及びトランスミッションゲート15,16で形成するラッチ回路とを有しており、クロック信号CKによりデータ信号Dを取り込み、このデータ信号Dの状態をラッチして出力Q乃至反転出力QZを得ている。したがって、クロック信号CKが入力される場合には、その入力に同期して2値信号であるデータ信号Dを取り込んで順次送出する、いわゆる通常のシフトレジスタとして機能する。
VE 消去電極
CG 制御電極
VW 書込み電極
VR 読出し電極
FG 浮遊ゲート
M 不揮発性メモリ
Tr1、Tr2、Tr6 PMOSトランジスタ
Tr3、Tr4、Tr5 NMOSトランジスタ
1 Dフリップフロップ回路
8 チャージポンプ
Claims (10)
- それぞれの浮遊ゲートが相互に接続されている第1のPMOSトランジスタ、第2のPMOSトランジスタ及び第1のNMOSトランジスタを有するとともに、前記第1のPMOSトランジスタと第2のPMOSトランジスタとは互いに分離されたウェル上に形成されており、しかも前記第1のPMOSトランジスタは前記浮遊ゲートから電子を抜き出す消去電極としての機能を有し、前記第2のPMOSトランジスタは前記浮遊ゲートの電位の制御電極としての機能を有する一方、前記第1のNMOSトランジスタは前記浮遊ゲートに電子を注入するとともに前記浮遊ゲートの帯電状態を読み出す機能を有するように構成するとともに、
前記第1のNMOSトランジスタのドレインに読出し電流を供給してメモリ出力とし、
さらに前記読出し電流は前記浮遊ゲートの帯電状態に影響を及ぼさない低電圧源から供給するように構成した不揮発性メモリを、
各段のシフトレジスタと一対一に組み合わせ、前記各不揮発性メモリの読出し時には前記メモリ出力が対応する段の前記シフトレジスタの状態を決定する一方、前記各不揮発性メモリへの書き込み時には対応する段の前記シフトレジスタの状態が前記各不揮発性メモリの浮遊ゲートの帯電状態を決定する回路構成とし、
さらに前記不揮発性メモリの読出し時に前記シフトレジスタの動作電圧を前記低電圧源の出力電圧まで低下させ、読出しの終了とともに通常の動作電圧に復帰するように構成したことを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ。 - それぞれの浮遊ゲートが相互に接続されている第1のPMOSトランジスタ、第2のPMOSトランジスタ、第1のNMOSトランジスタ及び第2のNMOSトランジスタを有するとともに、前記第1のPMOSトランジスタと第2のPMOSトランジスタとは互いに分離されたウェル上に形成されており、しかも前記第1のPMOSトランジスタは前記浮遊ゲートから電子を抜き出す消去電極としての機能を有し、前記第2のPMOSトランジスタは前記浮遊ゲートの電位の制御電極としての機能を有する一方、前記第1のNMOSトランジスタは前記浮遊ゲートに電子を注入する書き込み機能を有し、前記第2のNMOSトランジスタは前記浮遊ゲートの帯電状態を読み出す読出し機能を有するように構成するとともに、
前記第1のNMOSトランジスタのドレインに読出し電流を供給してメモリ出力とし、
さらに前記読出し電流は前記浮遊ゲートの帯電状態に影響を及ぼさない低電圧源から供給するように構成した不揮発性メモリを、
各段のシフトレジスタと一対一に組み合わせ、前記各不揮発性メモリの読出し時には前記メモリ出力が対応する段の前記シフトレジスタの状態を決定する一方、前記各不揮発性メモリへの書き込み時には対応する段の前記シフトレジスタの状態が前記各不揮発性メモリの浮遊ゲートの帯電状態を決定する回路構成とし、
さらに前記不揮発性メモリの読出し時に前記シフトレジスタの動作電圧を前記低電圧源の出力電圧まで低下させ、読出しの終了とともに通常の動作電圧に復帰するように構成したことを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ。 - 請求項1又は請求項2に記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記第1のPMOSトランジスタ及び第2のPMOSトランジスタ、又は第1のPMOSトランジスタ若しくは第2のPMOSトランジスタがソース領域又はドレイン領域の何れか一方がない構造の素子であることを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ。 - 請求項1乃至請求項3の何れか一つに記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記第2のPMOSトランジスタの前記浮遊ゲートの面積が前記第1のPMOSトランジスタの浮遊ゲートの面積よりも大きいことを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ。 - 請求項1乃至請求項4の何れか一つに記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記各浮遊ゲートの上面が絶縁物を介して導電物で覆われていることを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ。 - 請求項5に記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記導電物が前記第2のPMOSトランジスタの制御電極に接続されていることを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ。 - 請求項1乃至請求項6の何れか一つに記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける読出しに使用する前記第2のNMOSトランジスタ又は第3のNMOSトランジスタの浮遊ゲートから見た閾値を他のNMOSトランジスタよりも低くしていることを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ。 - 請求項1乃至請求項7の何れか一つに記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記浮遊ゲートへの電子注入の有無を選択するため前記第1のNMOSトランジスタと直列に第3のNMOSトランジスタを接続したことを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ。 - 請求項1乃至請求項8の何れか一つに記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記第1のNMOSトランジスタ又は第2のNMOSトランジスタのドレインに読出し電流を供給してメモリ出力とすることを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ。 - 請求項9に記載する不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタにおいて、
前記不揮発性メモリにおける前記読出し電流は前記浮遊ゲートの帯電状態に影響を及ぼさない低電圧源から供給することを特徴とする不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007111939A JP5228195B2 (ja) | 2007-04-20 | 2007-04-20 | 不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007111939A JP5228195B2 (ja) | 2007-04-20 | 2007-04-20 | 不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008270550A JP2008270550A (ja) | 2008-11-06 |
JP5228195B2 true JP5228195B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=40049656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007111939A Active JP5228195B2 (ja) | 2007-04-20 | 2007-04-20 | 不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5228195B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8363469B1 (en) * | 2010-02-02 | 2013-01-29 | National Semiconductor Corporation | All-NMOS 4-transistor non-volatile memory cell |
US8284600B1 (en) * | 2010-02-08 | 2012-10-09 | National Semiconductor Corporation | 5-transistor non-volatile memory cell |
JP5932257B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2016-06-08 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | メモリ回路 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5518997B2 (ja) * | 1971-12-29 | 1980-05-22 | ||
US5452250A (en) * | 1994-06-14 | 1995-09-19 | International Business Machines, Inc. | Non-volatile register system utilizing thin-film floating-gate amorphous transistors |
US5892709A (en) * | 1997-05-09 | 1999-04-06 | Motorola, Inc. | Single level gate nonvolatile memory device and method for accessing the same |
JP2002158301A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Denso Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2005353984A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Seiko Epson Corp | 不揮発性記憶装置 |
JP4881552B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2012-02-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
2007
- 2007-04-20 JP JP2007111939A patent/JP5228195B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008270550A (ja) | 2008-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI292622B (en) | Single-poly non-volatile memory device and its operation method | |
JP5235422B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP5266443B2 (ja) | 不揮発性メモリセル及び不揮発性メモリセル内蔵データラッチ | |
KR100458412B1 (ko) | 전압 레벨을 변환하는 레벨 시프터 및 상기 레벨 시프터를구비한 반도체 기억 장치 | |
JP4784940B2 (ja) | 単層ポリシリコン不揮発性メモリーセルの動作方法 | |
US7239558B1 (en) | Method of hot electron injection programming of a non-volatile memory (NVM) cell array in a single cycle | |
KR970003808B1 (ko) | 절연강도의 요건을 제거한 비휘발성 반도체 메모리 | |
US7164606B1 (en) | Reverse fowler-nordheim tunneling programming for non-volatile memory cell | |
US7428169B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and voltage generating circuit for the same | |
US6765825B1 (en) | Differential nor memory cell having two floating gate transistors | |
CN115968200A (zh) | 浮动节点存储器元件及其浮动节点存储器单元的形成方法 | |
US7558111B2 (en) | Non-volatile memory cell in standard CMOS process | |
JP5228195B2 (ja) | 不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ | |
JP4832835B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の読み書き制御方法 | |
JP5044201B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2007080338A5 (ja) | ||
US20100329035A1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and discharge circuit thereof | |
JP4932446B2 (ja) | メモリ回路及びメモリ回路の動作制御方法 | |
US6618289B2 (en) | High voltage bit/column latch for Vcc operation | |
JP5426250B2 (ja) | 不揮発性半導体メモリの放電回路 | |
JP5487539B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶素子 | |
TWI828243B (zh) | 非揮發性記憶體元件及其操作方法 | |
JP5324115B2 (ja) | レベル変換回路、高電圧ドライバ回路及び不揮発性半導体記憶装置 | |
JPH1186573A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2007026475A (ja) | プログラマブル集積回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130222 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5228195 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |