JP5227997B2 - 光線束を案内するためのミラー - Google Patents

Description

本発明は、光線束を案内するためのミラーであって、ベースと、ベースの反射面におけるミラーの反射性を増大させるコーティングと、コーティングに溜まった熱を放散させるための熱放散装置とを備えるミラーに関する。さらに本発明は、このようなミラーの反射面の温度を設定するための装置、少なくとも１つのこのようなミラーを備えるマイクロリソグラフィ用投影露光装置のための照明光学ユニット、少なくとも１つのこのようなミラーを備えるマイクロリソグラフィ用投影露光装置のための投影光学ユニット、少なくとも１つのこのようなミラーおよび／または少なくとも１つのこのような温度設定装置を備える照明光学ユニットと投影光学ユニットとを備えるマイクロリソグラフィ用投影露光装置、微小構造化またはナノ構造化した構成部材を作製する方法およびこのような方法によって作製した、構造化された構成部材に関する。

このようなミラーは、ドイツ国特許第３７５２３８８号明細書、国際公開第２００８／０３４６３６号および欧州特許出願公開第１３７６１８５号明細書により公知である。

ドイツ国特許第３７５２３８８号明細書 国際公開第２００８／０３４６３６号 欧州特許出願公開第１３７６１８５号明細書

本発明の課題は、ミラーの熱放散装置の熱放散能力を改善することである。

この課題は、本発明によれば、熱放散装置が少なくとも１つのペルティエ素子を有し、コーティングがペルティエ素子に直接に塗布されるという特徴を備えるミラーによって解決される。

本発明によれば、ペルティエ素子に反射率増大コーティングを直接に塗布することにより、コーティングに溜まった熱をペルティエ素子によって直接にミラーの反射面から放散させることできるという効果が得られることが認められた。このようにして、ミラーのベースにおける熱溜まりを防止するか、または少なくとも実質的に減じる。このことはコーティングを感熱性の多層コーティングとして実施している場合に特に有利である。ペルティエ素子は蓄熱器に直接に接続することもできるし、または受動的な熱伝導素子によって蓄熱器に接続することもできる。蓄熱器は、ペルティエ素子によって放散された熱を放散する。コーティングを施したペルティエ素子の反射面は、ミラーに課される光学的必要条件に従って光学的に形成されている。

請求項２に記載した多段式のペルティエ素子は、増大した熱放散能力を有している。この場合、ミラーの反射率を増大させるコーティングにより全ての段を直接に被覆するように多段式のペルティエ素子を構成することができる。すなわち、全ての段は互いに隣接して反射面の下方に配置されており、反射面と直接に熱接触している。代替的に、ペルティエ素子の多段式の実施形態として、ペルティエ素子の１つが別のペルティエ素子に向けて放熱し、この別のペルティエ素子が反射面およびコーティングと直接に熱接触していない構成も可能である。

請求項３に記載した単段式のペルティエユニットを備える直列回路は、複数のペルティエ素子を互いに隣接して反射面の下方に配置した一実施例を示す。これにより、反射面からの効率的な熱放散が可能となる。

単段式のペルティエユニットを１つだけ備える請求項４に記載した実施形態は、構成が単純である。

請求項５に記載の実施形態では、複数の単段式のペルティエユニットに対し共通の半導体素子を使用する。これにより、構成の複雑さを減じる。原則的に共通のｎ型ドーピングまたはｐ型ドーピングした半導体素子を備える単段式のペルティエユニットを複数個備えるペルティエ素子の形態で複合的に使用することも可能である。

請求項６に記載した遷移素子の配置、すなわち、吸熱性の遷移素子が少なくとも部分的にマトリクス状に反射面の下方に配置されていることにより、熱を放散させようと意図した反射面の特定の区画を標的として作動させる可能性が生じる。特にコーティングに溜まった熱の分布形状に遷移素子の構成を適合させた遷移素子の別の配置も可能である。このような配置は、例えば反射面の中央に同心的に延在する円の形態で形成してもよい。直交関数の集合、例えばゼルニケ多項式の集合の成分または成分の重畳に遷移素子の形状を適合させることも可能である。

請求項７または８に記載したコーティングでは、いずれの場合もコーティングとペルティエ素子との間の直接的な熱接触が生じる。

請求項９に記載した保持ブリッジは、保持構造体と熱放散装置の機能を組み合わせている。

請求項１０に記載した保持ブリッジは、ミラー架台の場合の必要条件に良好に適合している。

本発明のさらなる課題は、ミラーのコーティングにおける温度を制御することである。

この課題は、本発明によれば、請求項１１に記載した温度設定装置によって解決される。

このような温度設定装置により、ミラーの反射面からの熱放散を制御することが可能となる。温度センサは、反射面の温度または反射面の温度との既知の関係を有するパラメータを、特に空間的および／または時間的に分解する形式で、特にリアルタイムで、検出することができる。このようにしてリアルタイムの温度制御を実施することができる。複数の温度センサを設けることもできる。温度設定装置によって熱放散装置の個々のサブユニットを区画毎に対応した形式で駆動することもできる。これにより、反射面にわたる正確な温度制御が可能となる。温度制御の目的で、熱放散装置は少なくとも１つの微小ペルティエ素子を有していてもよい。このような微小ペルティエ素子は、２００５年の第２４回電熱学国際会議（ＩＣＴ）の議事録におけるＨ．ベットナーの「マイクロペルト（登録商標）、小型化された熱電装置：小寸法、高い冷却出力密度、短い応答時間」により知られている。

このような微小ペルティエ素子により、急速な温度変化を生じさせることができ、これにより、ミラーへの熱注入の変更を考慮することができる。このような微小ペルティエ素子の典型的な応答時間はマイクロ秒範囲である。微小ペルティエ素子は、５００，０００Ｗ／ｍ^２またはこれよりもさらに高い範囲の極めて高い冷却容量を有している。微小ペルティエ素子はシリコンウェーハをベースとして作製され、シリコンウェーハには、対応した研磨ステップによってミラーの反射面に所望の表面特性を付与することができる。本発明による温度設定装置によって、ミラーのコーティングの温度を規定値よりも低く保持することができる。代替的に、コーティングの温度が規定値となるように制御することも可能である。この目的で、ミラーによって案内した光線束によって入力された熱が規定の温度を保持するためには十分でない場合、少なくとも１つのペルティエ素子はコーティングに付加的な熱を入力することもできる。

請求項１２に記載した照明光学ユニット、請求項１３に記載の投影光学ユニット、請求項１４に記載した投影露光装置、請求項１５に記載した製造法、請求項１６に記載した構成部材の利点は、本発明によるミラーおよび本発明による温度設定装置に関して既に上述した利点に対応している。投影露光装置は、ＥＵＶ投影露光装置であってもよい。

熱放散装置が少なくとも１つのペルティエ素子を有し、コーティングがペルティエ素子に直接に塗布された本発明による光線束を案内するためのミラーによって、ミラーの熱放散装置の熱放散能力を改善されるという効果が得られる。

ＥＵＶマイクロリソフラフィのための投影露光装置における照明光学ユニットのメリジオナル区画を示す概略図である。 ＥＵＶ光線束を案内するためのミラーの反射面の温度を設定するための装置をミラー構成部材の軸線方向断面に関して示す概略図である。 反射面のコーティングに溜まった熱を放散するための熱放散装置の実施形態を示す図である。 熱放散装置の別の実施形態を示す図である。 熱放散装置の別の実施形態を示す図である。 熱放散装置の別の実施形態を示す図である。 図６に示す熱放散装置を備えるミラーのベースを取り付けるための保持ブリッジを示す図である。

以下に図面を参照して本発明の例示的な実施形態を詳細に説明する。

図１は、ＥＵＶマイクロリソグラフィのための投影露光装置１を概略的に示す。投影露光装置１は、有効な光線の束、すなわち有効光線束３を生成するためのＥＵＶ光線源２を有している。有効光線束３の波長は、特に５ｎｍ〜３０ｎｍである。

有効光線束３は集光器４によって集光される。対応した集光器が、例えば欧州特許出願公開第１２２５４８１号明細書および米国特許出願公開第２００３／００４３４５５号明細書により公知である。集光器４の下流側で、有効光線束３は、まず中間集束平面５を通って伝搬し、次いで視野ファセットミラー６に入射する。視野ファセットミラー６における反射後、有効光線束３は瞳ファセットミラー７に入射する。

瞳ファセットミラー７における反射後、有効光線束３は、まず別の２つのミラー８，９で反射される。瞳ファセットミラー７の下流側に配置されたミラー８を以下ではＮ１ミラーとも呼ぶ。Ｎ１ミラーに続くミラー９を以下ではＮ２ミラーとも呼ぶ。Ｎ２ミラーの下流側で、有効光線束３は、かすめ入射のためのミラー１０に入射する（かすめ入射ミラー）。このミラー１０を以下ではＧミラーとも呼ぶ。

瞳ファセットミラー７と共に、他のミラー８〜１０は視野ファセットミラー６の視野ファセットを投影露光装置１の物体平面１２の物体視野１１に結像する。結像されるべき反射性レチクル１３の面部分が物体視野１１に配置されている。

ミラー６〜１０、および広い意味では集光器４も投影露光装置１の照明光学ユニット１４に属する。視野ファセットミラーと瞳ファセットミラーとを備える対応した照明光学ユニットが、例えばドイツ国特許出願公開第１０２００６０２０７３４号明細書により公知である。

投影光学ユニット１５は、物体視野１１を像平面１６の像視野（図１に図示しない）に結像する。瞳ファセットミラー７は、投影光学ユニット１５の瞳平面１７に対して光学的に共役な光学平面に位置する。

物体視野１１は、図１に示す照明光学ユニット１４の弓形のメリジオナル区画であり、このメリジオナル区画は物体視野１１の鏡面対称軸線を通過する。図１の図平面における物体視野１１の典型的な長さは、８ｍｍである。図１の図平面に対して垂直方向の物体視野１１の典型的な長さは１０４ｍｍである。例えば対応した８ｍｍ×１０４ｍｍのアスペクト比を有する長方形の物体視野も可能である。

投影光学ユニット１５はミラー光学ユニットである。以下ではミラーＭ６とも呼ぶ投影光学ユニット１５の最後のミラー１８を図１に破線で示す。ミラーＭ６の上流側に、５つの別のミラーＭ１〜Ｍ５（図１には図示しない）が投影光学ユニット１５の内部に配置されている。

照明光学ユニット１４のミラー６〜１０および投影光学ユニット１５のＭ１〜Ｍ６は、有効光線束３を入射させることができる光学的な反射面１９を有する光学素子を構成する。それ故、光学素子は、本明細書においてはミラーである。レチクル１３もこの種の光学素子、すなわち、ミラーを構成する。

図２は、ミラー８の実施例に基づき、ミラー８の反射面１９の温度を設定するための装置２０の構成を概略的に示す。対応した温度設定装置２０を、照明光学ユニット１４、投影光学ユニット１５の別のミラー、およびレチクル１３のために設けてもよい。以下にミラー８の構成および温度設定装置２０の構成に関して述べることは、投影露光装置１の他のミラー素子のためにも同様にいえる。ミラー８は、以降の図面では簡単に平坦な反射面１９で示されている。

ミラー８はベース２１を有している。ベース２１の反射面１９は、ミラー８の反射率を増大させる多層コーティング２２を有している。多層コーティング２２は、モリブデン層とシリコン層との交互の層順序としてもよい。多層コーティング２２は、ＥＵＶ光線束３（図２に図示しない）のためのミラー８の反射率を増大させる役割を果たす。

熱放散装置２４は、光線束３によってコーティング２２に溜まった熱２３を放散するための役割を果たす。図３〜図７を参照して以下に説明するように、熱放散装置は少なくとも１つのペルティエ素子２５を有している。多層コーティング２２は、ペルティエ素子２５に直接に塗布される。それ故、ペルティエ素子２５は同時にミラー８のベース２１を構成している。

多層コーティング２２から離れてミラー８の後ろ側に設けたペルティエ素子２５は、受動的な熱伝導素子２６によって蓄熱器２７に熱伝導性に接続されている。

さらに温度設定装置２０は、反射面１９の表面温度を測定するための少なくとも１つの温度センサ２８を有している。図２に示す実施形態では、温度センサ２８は、光線束３の光路の外側に配置されるように反射面１９の上方に嵌め込まれている。温度センサ２８は、例えば赤外線カメラ、例えば赤外線検知画素を備えるＣＣＤカメラである。温度センサ２８の他の構成も可能である。例えば、ベース２１の表面１９の近傍に嵌め込まれ、表面１９に熱結合されたセンサ素子も可能である。センサ素子は、Ｐｔ１００タイプの抵抗式温度センサ素子であってもよい。温度センサ２８は、反射面１９全体、特に反射面１９における光線束３が入射した区画全体の総合的な温度に対応する測定値を検出することができる。代替的に、反射面１９における光線束３が入射した区画のみを検出することも可能である。温度センサ２８は、空間的および／または時間的に分解した形式で反射面１９を検出することもできる。反射面１９の相互に隣接する区画をそれぞれ検出する複数の温度センサ２８を設けることもできる。

温度センサ２８は、信号ライン２９を介して調整器３０に接続されている。調整器３０は、制御ライン３１を介してペルティエ素子２５に接続されている。

ペルティエ素子２５は、反射面１９から受動的な熱伝導素子２６に向けて熱を放散する能動的な熱素子を構成している。多層コーティング２２をペルティエ素子２５に直接に塗布することにより、多層コーティング２２とペルティエ素子２５との間の熱質量および熱抵抗が最小限となる。ペルティエ素子２５の制御、ひいては単位時間毎にペルティエ素子によって放散される熱量の制御が調整器３０によって可能である。反射面１９から放散される熱容量を多層コーティング２２への熱２３の注入量に適合させることにより、反射面１９の温度Ｔ_ｓを制御することが可能である。熱２３の入力の増大を、ペルティエ素子２５による熱放散容量の増大によって補償することができ、これにより、反射面１９の温度Ｔ_ｓを、特に規定値で一定に保持することができる。このために、温度センサ２８は、反射面１９の温度を測定し、調整器３０における対応したフィードバックにより測定結果に対応したペルティエ素子２５の作動を確保する。

熱は、受動的な熱伝導素子２６によってペルティエ素子２５から蓄熱器２７に向けて放散される。受動的な熱伝導素子２６による熱放散容量は、受動的な熱伝導素子２６の熱伝導性に比例しており、ペルティエ素子２５と受動的な熱伝導素子２６との間の結合領域における温度Ｔ_ｐと、受動的な熱伝導素子２６と蓄熱器２７との間の結合領域における温度Ｔ_ｒとの間の温度差に比例している。ペルティエ素子２５を用いることにより、Ｔ_ｐはＴ_ｓよりも大きくなり、受動的な熱伝導素子２６の熱放散容量はペルティエ素子２５を使用することにより増大する。

調整器３０を用いたペルティエ素子２５の駆動により、特にリアルタイムで反射面１９の温度を調整することが可能となる。

調整器３０はメモリ３２、例えばＲＡＭ部品を有している。所定時間にわたる温度センサ２８の測定値、および反射面１９、ひいては多層コーティング２２への熱２３の注入プロフィールがメモリ３２に記憶される。温度センサ２８の現在の測定値の他に、この時間的なプロフィールもペルティエ素子２５を調整するために使用され、反射面１９の温度、ひいては多層コーティング２２における温度を設定するための役割を果たす。

図３は、ペルティエ素子２５の実施形態を示している。ペルティエ素子２５は例えばセラミック層３３（例えばＡｌ_２Ｏ_３）またはケイ素層などの層３３を備え、この層３３の上側、すなわち、図３で上方に向いた側は光学的な質を備えるように研磨されており、したがって反射面１９を構成している。

層３３は、電気伝導性の層、例えば、ケイ素層、またはケイ素または一般に金属または半導体を備える層であり、場合によっては層３３の内部で起こりうる不都合な電流を回避するために付加的な電気絶縁層を塗布する必要性があり、この電気絶縁層は数百ナノメートルまでの厚さを有していてもよい。このようにして、ペルティエ素子の効率の低下が回避される。

図３に示す例示的な実施形態では、セラミック層をベースとした層３３の層材料は制限されていない。図３では、セラミック層３３は多層コーティング２２なしの状態で示されている。ミラーの一部がペルティエ素子２５を構成しており、このミラーに対する必要条件に応じて、セラミック層３３は平面状、凸状または凹状に形成されている。セラミック層３３の反射面１９は球面状もしくは非球面状に構成されていてもよいし、または自由形状面として構成されていてもよい。

セラミック層３３は、５０μｍ〜１ｍｍの範囲の層厚さを有している。特にセラミック層３３は、５０μｍ〜２００μｍの範囲の厚さを有している。

ペルティエ素子２５は、２つの単段式のペルティエユニット３４を備える直列回路を有している。１つのみのペルティエユニット３４を有する実施形態、または３つ以上のペルティエユニット３４、例えば３、４、５、１０個もしくはこれよりも多いペルティエユニット３４を有する実施形態も可能である。

各ペルティエユニット３４は、直列に接続されたｐ型ドーピングした半導体素子３５とｎ型ドーピングした半導体素子３６とを有している。吸熱性の金属遷移素子３７が２つの半導体素子３５，３６を接続しており、遷移素子は、反射面１９から離れた側でセラミック層３３に熱接触している。

半導体素子３５，３６における遷移素子３７から離れた側は、それぞれ金属の結合素子３８および金属の接続素子３９に電気伝導性に接続されている。結合素子３８と接続素子３９とは相互に電気絶縁されており、セラミック層３３に向いていない方の側で、電気絶縁材料からなる基板４０によって支持されている。基板４０は、受動的な熱伝導素子２６であってもよい。代替的に、別個の受動的な熱伝導素子２６に基板４０を熱接触させることも可能である。

２つのペルティエユニット３４の直列回路は、リード４２によって２つの結合素子３８に接続された電圧源４１によって完成している。図３に示すペルティエ素子２５は、セラミック層３３から基板４０に向けて熱流４３を生成する。

以下に図４を参照して、図２に示した熱放散装置２４に対応した熱放散装置を備えるミラーの別の実施形態を説明する。図１〜図３を参照して既に上述した構成部材に相当する構成部材には同じ参照番号を付し、繰り返し詳細に説明しない。

図４はマイクロミラー４４を示す。このマイクロミラー４４は、例えば視野ファセットミラー６もしくは瞳ファセットミラー７のファセット素子であってもよし、または投影露光装置１で使用するマルチミラーアレイのミラー素子であってもよい。マイクロミラー４４のベース４５は、同時にペルティエ素子２５におけるｐ型ドーピングした半導体素子３５であり、図４に示す実施形態では個別の単段式のペルティエユニット３４を有している。ベース４５はモノリシックシリコンからなっている。代替的に、ベース４５は他の半導体材料または異なる半導体材料の化合物から作製することもできる。ベース４５の反射面１９は光学的に形成され、研磨されている。ここでも多層コーティング２２が反射面１９に塗布されている。円柱状の止まり孔４６が、反射面１９から離れてベース４５の後ろ側にエッチングされている。止まり孔４６の底部に金属の遷移素子３７が設けられており、この金属の遷移素子３７は、反射面１９に近接して、すなわち、反射面１９の領域に配置されている。

遷移素子３７と反射面１９との間の距離は１０μｍ〜５００μｍである。

ペルティエユニット３４におけるｎ型ドーピングした半導体素子３６が止まり孔４６に配置されており、この半導体素子は円柱状または角柱状に形成されている。ｎ型ドーピングした半導体素子３６は同様にシリコンまたはその他の半導体材料により構成されており、コーティング方法により作製されている。ｎ型ドーピングした半導体素子３６の外部側壁と、ｐ型ドーピングした半導体素子３５の止まり孔４６の内部側壁との間には電気絶縁層４７が設けられている。ベース４５における反射面１９から離れた側には、第１にｐ型ドーピングした半導体素子３５との、第２にｎ型ドーピングした半導体素子３６との結合素子３８が、相互に電気絶縁された状態で一体的に形成されている。結合素子３８はここでもリード４２によって電圧源４１に接続されている。半導体素子３５，３６は、反射面１９から離れた側で基板４０に熱結合されている。基板４０はマイクロミラー４４のための担体を構成している。

以下に図５を参照して、図２に示す熱放散装置２４に対応した熱放散装置を備えるミラーの別の実施形態を説明する。図１〜図４を参照して既に上述した構成部材に相当する構成部材には同じ参照番号を付し、繰り返し詳細に説明しない。

図５に示す実施形態では、ミラー８は、図４に示すペルティエユニット３４のような単段式のペルティエユニット３４を複数個有し、これらの単段式のペルティエユニット３４はペルティエ素子２５を構成している。３つのペルティエユニット３４が図５に概略的に示されている。ベース２１の内部には、ペルティエユニット３４を有する装置が図５の右側に向けて続いている。特にマトリクス状に、すなわち、行および列の形態で反射面１９の下方にペルティエユニット３４を配置することができる。

図５に示す装置では、ペルティエユニット３４は共通のｐ型ドーピングした半導体素子３５を有する。ｎ型ドーピングした半導体素子３６を収容するための止まり孔４６が、複数のペルティエユニット３４に対応した形態で半導体素子３５の内部に設けられている。

以下に図６および図７を参照して、図２に示す熱放散装置２４に対応した熱放散装置を備えるミラーの別の実施形態を説明する。図１〜図５を参照して既に上述した構成部材に相当する構成部材には同じ参照番号を付し、繰り返し詳細に説明しない。

図６および図７に示す実施形態は、図４に関連して説明したように、マイクロミラー４４を有している。図６および図７に示す実施形態では、マイクロミラー４４は別の単段式のペルティエ素子４８によって基板４０に機械的に接続されている。それ故、同時にペルティエ素子４８は、基板４０にマイクロミラー４４を取り付けるための保持ブリッジとしての役割を果たす。

別のペルティエ素子４８は、ばねアームとして実施され、モノリシックシリコンまたは他の適当な半導体材料からなるｐ型ドーピングした半導体素子４９と、同様にばねアームとして実施され、モノリシックシリコンまたは他の適当な半導体材料からなるｎ型ドーピングした半導体素子５０とを有している。ドーピングした半導体素子として実施したこのようなばねアームをこれとは異なる数だけ設けることも可能であり、いずれの場合にもｐ型ドーピングした半導体素子４９とｎ型ドーピング半導体素子５０は対で使用する。２つのペルティエ素子３４，４８は直列に接続されている。このために、ばねアームとして実施した２つの半導体素子４９，５０は、結合構成部材５１によって相互に機械的に結合されており、結合構成部材５１は、金属結合素子３８に電気的に接続された金属ブリッジ５２を有している。

金属ブリッジ５２は、ｎ型ドーピングした中央の結合素子３８に接続されている。リング状の金属ブリッジ５２は、ｐ型ドーピングした外側の結合素子３８に接続されている。ｐ型ドーピングした半導体に結合した外側の結合素子３８は中空円筒体として設計されている。

図５に示す実施形態では、異なるペルティエユニット３４に割り当てられた電圧源４１によって、異なるペルティエユニット３４を個別に駆動することができる。このために、電圧源４１は個別の制御ライン３１（図５には図示していない）によって調整器３０に接続されている。図５に示す実施形態により、ミラー８の反射面１９から局部的に異なる熱放散を実施することができる。これにより、対応して熱２３の不均一な入力を考慮することができる。

原則的に、「ｎ型」ドーピングした半導体と「ｐ型」ドーピングした半導体とは、上述の例示的な実施形態では相互に置換可能である。したがって、例えばｎ型ドーピングした半導体を有するｐ型ドーピングした半導体のような半導体対を、ｐ型ドーピングした半導体を有するｎ型ドーピングした半導体の対と置き換えることができる。しかしながら、この場合、電流方向を逆転させなければならない。

投影露光装置１によって、微小構造化またはナノ構造化された構成部材、特に半導体構成部材、例えばマイクロチップをリソグラフィにより作製するために、レチクル１３の少なくとも一部がウェーハ上の感光性層の領域に結像される。投影露光装置１をスキャナとして実施するのか、またはステッパーとして実施するのかに応じて、レチクル１３およびウェーハを時間的に同期して移動させるか、またはスキャナ作動時に連続的に移動させるか、またはステッパー作動時に段階的に移動させる。

１ 投影露光装置
２ ＥＵＶ光線源
３ 光線束
４ 集光器
５ 中間集束平面
６ 視野ファセットミラー
７ 瞳ファセットミラー
８，９、１０ ミラー
１１ 物体視野
１２ 物体平面
１３ レチクル
１４ 照明光学ユニット
１５ 投影光学ユニット
１６ 画像平面
１９ 反射面
２０ 温度設定装置
２１ ベース
２２ 多層コーティング
２３ 熱
２５ ペルティエ素子
２６ 熱伝導素子
２７ 蓄熱器
２８ 温度センサ
２９ 信号ライン
３０ 調整器
３１ 制御ライン
３２ メモリ
３３ セラミック層
３４ ペルティエユニット
３５，３６ 半導体素子
３７ 遷移素子
２８ 結合素子
４０ 基板
４１ 電圧源
４２ リード
４３ 熱流
４４ マイクロミラー
４５ ベース
４６ 止まり孔
４７ 電気絶縁層
４８ ペルティエ素子
４９，５０ 半導体素子
５１ 結合構成部材
５２ 金属ブリッジ

Claims (15)

1. 光線束（３）を案内するためのミラー（８；４４）であって、
   ベース（２１；４５）と、
   該ベース（２１；４５）の反射面（１９）における前記ミラー（８；４４）の反射性を増大させるコーティング（２２）と、
   該コーティング（２２）に溜まった熱（２３）を放散させるための熱放散装置（２４）とを備えるミラーにおいて、
   該熱放散装置（２４）が少なくとも１つのペルティエ素子（２５）を有し、
   前記ペルティエ素子が前記ベースを構成し、
   前記コーティング（２２）が、前記ペルティエ素子（２５）に直接に塗布されることを特徴とするミラー。
2. 請求項１に記載のミラーにおいて、
   多段式のペルティエ素子（２５；４５，４８）を備えることを特徴とするミラー。
3. 請求項２に記載のミラーにおいて、
   多段式の前記ペルティエ素子（２５）が、単段式のペルティエユニット（３４）によって形成された直列回路として実施されており、前記ペルティエユニット（３４）が、直列に接続されたｐ型ドーピングした半導体素子（３５）およびｎ型ドーピングした半導体素子（３６）と、反射面（１９）の領域に配置した前記２つの半導体素子（３５，３６）の間の吸熱性、導電性の遷移素子（３７）とを備えるミラー。
4. 請求項１から３までのいずれか一項に記載のミラーにおいて、
   前記ｐ型ドーピングした半導体素子（３５）と前記ｎ型ドーピングした半導体素子（３６）とを備える単段式のペルティエユニット（３４）を設けたミラー。
5. 請求項１から３までのいずれか一項に記載のミラーにおいて、
   共通のｐ型またはｎ型ドーピングした半導体素子（３５）とそれぞれの吸熱性の遷移素子（３７）とを備える複数の単段式のペルティエユニット（３４）を設けたミラー。
6. 請求項３から５までのいずれか一項に記載のミラーにおいて、
   前記吸熱性の遷移素子（３７）が、前記反射面（１９）の下方にマトリクス状に配置されているミラー。
7. 請求項１から６までのいずれか一項に記載のミラーにおいて、
   前記コーティング（２２）が、前記ペルティエ素子（２５）の層（３３）に塗布されているミラー。
8. 請求項１から６までのいずれか一項に記載のミラーにおいて、
   前記コーティング（２２）が、前記ペルティエ素子（２５）のいずれか１つの半導体素子（３５）に塗布されているミラー。
9. 請求項１から８までのいずれか一項に記載のミラーにおいて、
   前記ベース（４５）が、少なくとも１つの保持ブリッジ（４８）によって支持体（４０）に取り付けられており、前記保持ブリッジ（４８）をペルティエ素子として実施したミラー。
10. 請求項９に記載のミラーにおいて、
    前記保持ブリッジ（４８）が、ｐ型ドーピングした半導体素子として実施したばねアーム（４９）と、ｎ型ドーピングした半導体素子として実施したばねアーム（５０）とを有しているミラー。
11. ミラーの反射面の温度を設定するための装置を備えたミラー装置であって、
    請求項１から１０までのいずれか一項に記載のミラー（８；４４）と、
    前記ミラーの前記反射面（１９）の温度のための少なくとも１つの温度センサ（２８）と、
    前記ミラーの前記少なくとも１つのペルティエ素子（２５；４８）に接続することができ、前記少なくとも１つの温度センサ（２８）に信号接続した調整器（３０）とを備えることを特徴とする装置。
12. マイクロリソグラフィ用の投影露光装置（１）のための照明光学ユニット（１４）において、
    請求項１から１０までのいずれか一項に記載の少なくとも１つのミラーを備えることを特徴とする照明光学ユニット。
13. マイクロリソグラフィ用の投影露光装置（１）のための投影光学ユニット（１５）において、
    請求項１から１０までのいずれか一項に記載の少なくとも１つのミラーを備えることを特徴とする投影光学ユニット。
14. マイクロリソグラフィのための投影露光装置（１）において、
    照明光学ユニット（１４）および投影光学ユニット（１５）と、請求項１から１０までのいずれか一項に記載の少なくとも１つのミラー（８；４４）と、請求項１１に記載の少なくとも１つの温度設定装置（２０）とを備えることを特徴とする投影露光装置。
15. 微小構造化またはナノ構造化した構成部材を作製するための方法において、
    感光性材料からなる層を少なくとも部分的に塗布したウェーハを設けるステップと、
    結像させるべきパターンを有するレチクル（１３）を設けるステップと、
    請求項１４に記載の投影露光装置（１）を設けるステップと、
    該投影露光装置（１）によってウェーハの層の領域に前記レチクル（１３）の少なくとも一部を投影するステップとを含むことを特徴とする方法。

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