JP5224341B2 - Exposure apparatus and photomask - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
本発明は、被露光体に近接対向して備えたフォトマスクにより所定のパターンを露光する露光装置に関し、詳しくは、露光パターンの解像度を向上して微細なパターンの露光を可能にしようとする露光装置及びフォトマスクに係るものである。 The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a predetermined pattern with a photomask provided in close proximity to an object to be exposed, and more specifically, exposure that improves the resolution of an exposure pattern and enables exposure of a fine pattern. The present invention relates to an apparatus and a photomask.
従来の露光装置で特にプロキシミティ露光装置は、フォトマスクと被露光体とを近接させて、フォトマスクに形成されたパターンを被露光体に露光するもので、フォトマスクを密接可能な密接平面を下面に備えた透明ガラス板と、フォトマスクを密接平面に吸着保持するためのマスク吸着保持手段と、フォトマスクと被露光体との間に微小隙間を形成するように透明ガラス板を保持するガラス板保持手段とを有するものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。
しかし、このような従来の露光装置においては、フォトマスクを垂直に透過する露光光によりフォトマスクに形成されたパターンを被露光体上にそのまま転写するものであったので、光源光における視角(コリメーション半角)の存在により、被露光体上のパターンの像がぼやけて解像度が低下し、微細なパターンを露光形成することができないという問題があった。 However, in such a conventional exposure apparatus, the pattern formed on the photomask is transferred as it is onto the object to be exposed by the exposure light vertically transmitted through the photomask. Due to the presence of the half-width), there is a problem that the image of the pattern on the object to be exposed is blurred and the resolution is lowered, and a fine pattern cannot be formed by exposure.
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、露光パターンの解像度を向上して微細なパターンの露光を可能にしようとする露光装置及びフォトマスクを提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a photomask that address such problems and improve the resolution of an exposure pattern to enable exposure of a fine pattern.
上記目的を達成するために、本発明による露光装置は、透明基板の一面に設けた遮光膜に所定形状の複数の開口を形成したフォトマスクを被露光体に近接対向して配設し、該フォトマスクに対して光源光を照射して前記被露光体上に前記開口に対応したパターンを露光する露光装置であって、前記フォトマスクの各開口に夫々対応して前記被露光体側に複数のマイクロレンズを配設し、該複数のマイクロレンズにより前記各開口の像を前記被露光体上に結像させるものである。 In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to the present invention includes a photomask in which a plurality of openings having a predetermined shape are formed in a light-shielding film provided on one surface of a transparent substrate, and is disposed in close proximity to an object to be exposed. An exposure apparatus that irradiates a photomask with light source light and exposes a pattern corresponding to the opening on the object to be exposed, wherein a plurality of openings are provided on the object side corresponding to each opening of the photomask . disposed a micro lens, it is of even Ru to form an image of the respective opening onto the object to be exposed by the plurality of micro lenses.
このような構成により、透明基板の一面に設けた遮光膜に所定形状の複数の開口を形成したフォトマスクを被露光体に近接対向して配設し、上記各開口に夫々対応して被露光体側に配設された複数のマイクロレンズで各開口の像を被露光体上に結像させ、フォトマスクに対する光源光の照射により被露光体上に上記開口に対応したパターンを露光する。 With such a configuration, a photomask in which a plurality of openings of a predetermined shape are formed in a light shielding film provided on one surface of a transparent substrate is disposed in close proximity to the object to be exposed, and the object to be exposed corresponds to each of the openings. An image of each opening is formed on the object to be exposed by a plurality of microlenses arranged on the body side, and a pattern corresponding to the opening is exposed on the object to be exposed by irradiation of light source light to the photomask.
また、前記各マイクロレンズは、前記透明基板の前記開口を形成した面と反対側の面に形成されたものである。これにより、透明基板の開口を形成した面と反対側の面に形成された各マイクロレンズで各開口の像を被露光体上に結像させる。 Each of the microlenses is formed on the surface of the transparent substrate opposite to the surface on which the opening is formed. Thereby, an image of each opening is formed on the object to be exposed by each microlens formed on the surface opposite to the surface on which the opening of the transparent substrate is formed.
さらに、前記各マイクロレンズは、別の透明基板の一面に形成されたものである。これにより、別の透明基板の一面に形成された各マイクロレンズで透明基板の各開口の像を被露光体上に結像させる。 Further, each of the microlenses is formed on one surface of another transparent substrate. Thereby, an image of each opening of the transparent substrate is formed on the object to be exposed by each microlens formed on one surface of another transparent substrate.
そして、前記被露光体は、搬送手段により前記フォトマスクの一面に平行に所定速度で搬送され、前記光源光は、前記フォトマスクに対して間欠的に照射するものである。これにより、光源光をフォトマスクに対して間欠的に照射し、搬送手段でフォトマスクの一面に平行に所定速度で搬送されている被露光体上に各マイクロレンズによりフォトマスクの各開口の像を結像して、被露光体上に上記開口に対応したパターンを順次露光する。 Then, the object to be exposed is transported at a predetermined speed parallel to one surface of the photomask by a transport means, and the light source light is intermittently irradiated onto the photomask. As a result, the light source light is intermittently applied to the photomask, and the image of each opening of the photomask is exposed by the microlenses onto the object to be exposed that is transported at a predetermined speed in parallel with one surface of the photomask by the transport means. The pattern corresponding to the opening is sequentially exposed on the object to be exposed.
また、本発明によるフォトマスクは、透明基板の一面に設けた遮光膜に形成された所定形状の複数の開口と、前記透明基板の他面に前記各開口にそれぞれ対応して設けられた複数のマイクロレンズと、を備え、前記複数のマイクロレンズにより前記開口の像を近接対向して配置された被露光体上に結像させるものである。 Further, a photomask according to the present invention includes a plurality of apertures of predetermined shape formed in the light shielding film provided on one surface of the transparent substrate, a plurality of which are provided corresponding to the each opening on the other surface of the transparent substrate A microlens, and the plurality of microlenses form an image of the opening on an object to be exposed that is disposed in close proximity to each other.
このような構成により、透明基板の一面に設けた遮光膜に形成された所定形状の複数の開口の像を、透明基板の他面に各開口にそれぞれ対応して設けられた複数のマイクロレンズで近接対向して配置された被露光体上に結像させる。 With such a configuration, images of a plurality of openings having a predetermined shape formed on the light-shielding film provided on one surface of the transparent substrate are transferred to the other surface of the transparent substrate by a plurality of microlenses provided corresponding to the respective openings. An image is formed on an object to be exposed that is disposed in close proximity to each other.
請求項1に係る露光装置によれば、フォトマスクの複数の開口に夫々対応して被露光体側に複数のマイクロレンズを配設し、該マイクロレンズにより各開口の像を被露光体上に結像させるようにしたので、露光パターンの解像度を向上することができる。したがって、例えば線幅が3μm程度の微細なパターンも近接露光により形成することができる。これにより、TFT基板のトランジスタ部等の高解像度が要求されるような露光も光学系の構成が簡単で安価なプロキシミティ露光装置を使用して行なうことができ、TFT基板の製造コストを低減することができる。 According to the exposure apparatus of the first aspect, a plurality of microlenses are disposed on the exposed object side corresponding to the plurality of openings of the photomask, and an image of each opening is formed on the exposed object by the microlens. Since the image is formed, the resolution of the exposure pattern can be improved. Therefore, for example, a fine pattern with a line width of about 3 μm can be formed by proximity exposure. As a result, exposure that requires high resolution, such as the transistor portion of the TFT substrate, can be performed using an inexpensive proximity exposure apparatus with a simple optical system configuration, thereby reducing the manufacturing cost of the TFT substrate. be able to.
また、請求項2に係る発明によれば、透明基板の開口を形成した面と反対側の面にマイクロレンズを形成しているので、上記開口とマイクロレンズとの位置合わせが不要である。したがって、フォトマスクの取扱いが容易になる。 According to the second aspect of the present invention, since the microlens is formed on the surface opposite to the surface on which the opening of the transparent substrate is formed, the alignment between the opening and the microlens is unnecessary. Therefore, handling of the photomask becomes easy.
さらに、請求項3に係る発明によれば、複数の開口を形成したフォトマスクとマイクロレンズとを別体で形成しているので、フォトマスクに欠陥がある場合、又は後に欠陥が発生した場合にも、フォトマスクだけを交換すればよく、フォトマスクのコストアップを抑制することができる。 Further, according to the invention of claim 3, since the photomask having a plurality of openings and the microlens are formed separately, when the photomask has a defect or when a defect occurs later However, it is only necessary to replace the photomask, and the cost increase of the photomask can be suppressed.
そして、請求項4に係る発明によれば、複数の被露光体を連続して順次搬送しながら露光することができ、単位時間当たりの露光処理数を向上することができる。また、この場合、使用するフォトマスクは、少なくとも被露光体の搬送方向の幅が同方向の被露光体の露光領域の幅よりも狭くてよいので、フォトマスクの形状を小さくすることができ、フォトマスクの製造コストを安価にすることができる。 According to the fourth aspect of the present invention, exposure can be performed while continuously conveying a plurality of objects to be exposed, and the number of exposure processes per unit time can be improved. In this case, since the photomask to be used may have at least the width in the conveyance direction of the object to be exposed smaller than the width of the exposure area of the object to be exposed in the same direction, the shape of the photomask can be reduced. The manufacturing cost of the photomask can be reduced.
また、請求項5に係るフォトマスクによれば、透明基板の一面に設けた遮光膜に複数の開口を形成し、他面に各開口に夫々対応して複数のマイクロレンズを設けて、該マイクロレンズで開口の像を近接対向して配置された被露光体上に結像させることができるので、露光パターンの解像度を向上することができる。したがって、例えば線幅が3μm程度の微細なパターンも近接露光により形成することができる。これにより、TFT基板のトランジスタ部等の高解像度が要求されるような露光も光学系の構成が簡単で安価なプロキシミティ露光装置を使用して行なうことができ、TFT基板の製造コストを低減することができる。
According to the photomask of
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明による露光装置の実施形態の概略構成を示す正面図である。この露光装置は、被露光体に近接対向して備えたフォトマスクにより所定のパターンを露光するもので、ステージ1と、光源2と、マスクステージ3と、フォトマスク4と、コリメーションレンズ5とを備えてなる。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a front view showing a schematic configuration of an embodiment of an exposure apparatus according to the present invention. This exposure apparatus exposes a predetermined pattern with a photomask provided in close proximity to an object to be exposed, and includes a stage 1, a light source 2, a mask stage 3, a photomask 4, and a
上記ステージ1は、上面を平坦に形成して載置面1aとし、該載置面1a上に被露光体6を位置決めして例えば吸着保持するもので、図示省略の移動機構により載置面1aに平行な面内をX軸、Y軸方向に移動可能にされると共に、Z軸方向に移動可能とされ、載置面1aに垂直な中心軸回りに回動可能に形成されている。なお、Y軸方向は、図1において奥行き方向である。
The stage 1 is formed with a flat upper surface to serve as a
上記ステージ1の上方には、光源2が設けられている。この光源2は、被露光体6に紫外線の光源光L1を照射して被露光体6表面に塗布された感光性樹脂を露光するもので、紫外線(例えば、波長:355nm)を放射するキセノンランプ、超高圧水銀ランプ、紫外線発光レーザ光源等である。また、例えば、光源光L1の放射方向前方に集光レンズ14を設け、光源光L1を一旦集光させている。そして、この集光点Pには、矢印A,B方向に移動して光源2から被露光体6に向かう光路を開閉するシャッタ7が設けられている。
A light source 2 is provided above the stage 1. This light source 2 irradiates a photosensitive resin applied to the surface of the object to be exposed 6 by irradiating the object to be exposed 6 with ultraviolet light source light L1, and emits ultraviolet light (for example, wavelength: 355 nm). Ultra high pressure mercury lamp, ultraviolet light emitting laser light source and the like. Further, for example, a
上記ステージ1と光源2との間には、ステージ1に対向してマスクステージ3が設けられている。このマスクステージ3は、後述のフォトマスク4をステージ1に載置された被露光体6表面に平行に近接対向させて保持するものであり、フォトマスク4のパターン形成領域に対応して中央部に開口窓8を形成し、フォトマスク4を位置決め規制してその周縁近傍部を保持するようになっている。 A mask stage 3 is provided between the stage 1 and the light source 2 so as to face the stage 1. The mask stage 3 holds a photomask 4 (described later) in close proximity to and in parallel with the surface of the exposure object 6 placed on the stage 1, and has a central portion corresponding to the pattern formation region of the photomask 4. An opening window 8 is formed on the photomask 4, and the positioning of the photomask 4 is restricted to hold the vicinity of the periphery.
上記マスクステージ3上には、フォトマスク4が着脱可能に保持されている。このフォトマスク4は、図2に示すように、例えば石英ガラス等の透明基板9の一面9aに設けた例えばクロム(Cr)等の遮光膜10に所定形状の複数の開口(パターン)11を所定間隔でマトリクス状に形成したものであり、上記透明基板9の開口11を形成した面9aと反対側の面9bには、各開口11に夫々対応して、例えば倍率が0.25倍、焦点距離が355nmの波長の紫外線に対して0.683mmであるような複数のマイクロレンズ12を形成し、各開口11の像を被露光体6上に結像させるようになっている。この場合、フォトマスク4は、図1に示すように、マイクロレンズ12を形成した側を被露光体6側としてマスクステージ3に保持される。
A photomask 4 is detachably held on the mask stage 3. As shown in FIG. 2, the photomask 4 has a plurality of openings (patterns) 11 having a predetermined shape in a
上記マスクステージ3と光源2との間には、コリメーションレンズ5が設けられている。このコリメーションレンズ5は、光源2から放射された光源光L1を平行光にするためのものであり、その前焦点を上記集光レンズ14の集光点Pに一致させている。
A
次に、このように構成された露光装置の動作について説明する。
先ず、光源2のスイッチを投入して光源2を点灯する。このとき、シャッタ7は閉じられている。所定時間が経過して光源2の発光が安定すると、フォトマスク4を、マイクロレンズ12側をステージ1に対向させた状態でマスクステージ3上に位置決めして載置し、吸着保持する。
Next, the operation of the exposure apparatus configured as described above will be described.
First, the light source 2 is turned on to turn on the light source 2. At this time, the
次に、表面に感光性樹脂を塗布した被露光体6をステージ1上の載置面1aに位置決めして載置し、吸着保持する。その後、図示省略の撮像手段により、フォトマスク4に予め形成されたアライメントマークと被露光体6に予め形成されたアライメントマークとを同一視野内にとらえ、両マークが合致するように図示省略の制御手段によって制御してステージ1lをX、Y軸方向に移動し、必要に応じて所定角度だけ回動してフォトマスク4と被露光体6との位置合わせを行う。そして、フォトマスク4と被露光体6との位置合わせが終了すると、被露光体6表面とフォトマスク4の下面との間に所定の隙間が形成されるようにステージ1を所定量だけZ軸方向に上昇する。これにより、フォトマスク4の上面に形成された開口11が対向したマイクロレンズ12により被露光体6表面に結像されるようになる。
Next, the object to be exposed 6 whose surface is coated with a photosensitive resin is positioned and placed on the
続いて、露光スイッチを投入し、シャッタ7を矢印A方向に移動して所定時間だけ開き、露光を行う。これにより、光源2から放射された光源光L1は、図3に示すように、フォトマスク4に照射し、フォトマスク4に形成された開口11を露光光L2として通過してマイクロレンズ12により被露光体6上に集光される。したがって、被露光体6上には、マイクロレンズ12により上記開口11の像が縮小投影され、表面に塗布された感光性樹脂に開口11に対応した形状のパターンが露光形成されることになる。
Subsequently, the exposure switch is turned on , the
なお、上記実施形態においては、同一の透明基板9に開口11とマイクロレンズ12を形成したフォトマスク4を使用する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、図4に示すように、開口11を形成したフォトマスク4とは別の透明基板13にマイクロレンズ12を形成してもよい。この場合、フォトマスク4は、その開口11を形成した面9aを、同図に矢印で示すように上記別の透明基板13のマイクロレンズ12を形成した面13aと反対側の面13bに密着させて使用するとよい。又は、マイクロレンズ12によりフォトマスク4の開口11を被露光体6表面に結像させることができるのであれば、フォトマスク4の開口11を形成した面9aと反対側の面9bを上記別の透明基板13のマイクロレンズ12を形成した面13aと反対側の面13bに密着させてもよい。
In the above embodiment, the case where the photomask 4 in which the
また、以上の説明においては、所定位置に保持された被露光体6に対して露光を行う場合について述べたが、本発明はこれに限られず、被露光体6を、搬送手段によりフォトマスク4の一面に平行に所定速度で搬送しながら、光源光L1をフォトマスク4に対して所定の時間間隔で間欠的に照射して、被露光体6の所定位置にフォトマスク4の開口11に対応したパターンを露光形成してもよい。この場合、光源光L1の間欠照射は、フラッシュランプを使用して行ってもよく、シャッタ7の開閉により行ってもよい。また、フォトマスク4による露光位置の被露光体6の搬送方向上流側を撮像する撮像手段を設け、該撮像手段により、被露光体6に予め形成された基準位置を撮像して、この撮像画像に基づいてフォトマスク4と被露光体6との位置合わせをしてもよく、上記基準位置又は別の基準位置を撮像して、その撮像画像に基づいて光源光L1の照射タイミングを制御してもよい。
Further, in the above description, the case where the exposure object 6 held at a predetermined position is exposed has been described. However, the present invention is not limited to this, and the exposure object 6 is transferred to the photomask 4 by the conveying means. The light source light L1 is intermittently irradiated to the photomask 4 at a predetermined time interval while being transported at a predetermined speed in parallel with one surface, and corresponds to the
2…光源
4…フォトマスク
6…被露光体
9…透明基板
10…遮光膜
11…開口
12…マイクロレンズ
13…別の透明基板
L1…光源光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Light source 4 ... Photomask 6 ... Exposed body 9 ...
Claims (5)
前記フォトマスクの各開口に夫々対応して前記被露光体側に複数のマイクロレンズを配設し、該複数のマイクロレンズにより前記各開口の像を前記被露光体上に結像させることを特徴とする露光装置。 A photomask in which a plurality of openings having a predetermined shape is formed in a light shielding film provided on one surface of a transparent substrate is disposed in close proximity to an object to be exposed, and the photomask is irradiated with light source light to thereby expose the object to be exposed. An exposure apparatus for exposing a pattern corresponding to the opening on the top,
Corresponding respectively to each of the openings of the photomask is disposed a plurality of micro lenses on the object to be exposed side, and Turkey is forming an image of said each aperture on the object to be exposed by the plurality of micro lenses A featured exposure apparatus.
前記光源光は、前記フォトマスクに対して間欠的に照射する、
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の露光装置。 The object to be exposed is transported at a predetermined speed in parallel with one surface of the photomask by a transport means,
The light source light is intermittently applied to the photomask.
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein
前記透明基板の他面に前記各開口にそれぞれ対応して設けられた複数のマイクロレンズと、を備え、
前記複数のマイクロレンズにより前記開口の像を近接対向して配置された被露光体上に結像させることを特徴とするフォトマスク。 A plurality of openings of a predetermined shape formed in a light shielding film provided on one surface of the transparent substrate;
A plurality of microlenses provided on the other surface of the transparent substrate corresponding to the openings, respectively ,
An image of the opening is formed on an object to be exposed that is disposed in close proximity to each other by the plurality of microlenses .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008127960A JP5224341B2 (en) | 2008-05-15 | 2008-05-15 | Exposure apparatus and photomask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008127960A JP5224341B2 (en) | 2008-05-15 | 2008-05-15 | Exposure apparatus and photomask |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009277900A JP2009277900A (en) | 2009-11-26 |
JP5224341B2 true JP5224341B2 (en) | 2013-07-03 |
Family
ID=41443053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008127960A Expired - Fee Related JP5224341B2 (en) | 2008-05-15 | 2008-05-15 | Exposure apparatus and photomask |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5224341B2 (en) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5294488B2 (en) | 2009-12-03 | 2013-09-18 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Exposure equipment |
JP5294490B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-09-18 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Photo mask |
EP2364809A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-14 | Excico France | Method and apparatus for irradiating a semiconductor material surface by laser energy |
JP5354803B2 (en) * | 2010-06-28 | 2013-11-27 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Exposure equipment |
JP5376379B2 (en) * | 2010-08-30 | 2013-12-25 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Exposure apparatus and optical member using microlens array |
JP5704527B2 (en) * | 2010-09-27 | 2015-04-22 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Exposure system using microlens array |
JP5644033B2 (en) * | 2011-02-07 | 2014-12-24 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Laser processing apparatus and laser processing method using microlens array |
JP5825470B2 (en) * | 2011-05-16 | 2015-12-02 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Exposure apparatus and shading plate |
JP5842251B2 (en) * | 2012-01-06 | 2016-01-13 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Exposure apparatus and exposed material manufacturing method |
US9046783B2 (en) | 2012-03-27 | 2015-06-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Photomask, and pattern formation method and exposure apparatus using the photomask |
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JP6283798B2 (en) | 2013-07-01 | 2018-02-28 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Exposure apparatus and illumination unit |
CN103885296B (en) * | 2014-02-21 | 2015-09-23 | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | A kind of mask plate, exposure method and exposure sources |
CN106773557B (en) | 2017-03-23 | 2019-08-30 | 合肥京东方光电科技有限公司 | Proximity printing device and its exposure method |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2008
- 2008-05-15 JP JP2008127960A patent/JP5224341B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009277900A (en) | 2009-11-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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