JPH06148861A - Photomask and its production - Google Patents

Photomask and its production

Info

Publication number
JPH06148861A
JPH06148861A JP30414392A JP30414392A JPH06148861A JP H06148861 A JPH06148861 A JP H06148861A JP 30414392 A JP30414392 A JP 30414392A JP 30414392 A JP30414392 A JP 30414392A JP H06148861 A JPH06148861 A JP H06148861A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
light
photoresist
pattern
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30414392A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Inui
哲也 乾
Kazuhiro Kimura
和博 木村
Susumu Hirata
進 平田
Yorishige Ishii
頼成 石井
Kenji Ota
賢司 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP30414392A priority Critical patent/JPH06148861A/en
Publication of JPH06148861A publication Critical patent/JPH06148861A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

PURPOSE:To suppress the diffraction of light, to form patterns with good accuracy and to inexpensively form patterns by providing the light transparent parts of a light transparent substrate having the light transmissive parts and light non-transmissive parts with convex lens functions. CONSTITUTION:The surface of the mask substrate 1 consisting of light transmissive for example, glass, quartz, etc., is provided with the light non-transmissive parts 2... and the light transmissive parts 3.... These light non-transmissive parts 2... are obtd. by forming the patterns on the base of the design pattern drawings of the constituting members of, for example, a micromachine on the mask substrate 1. The light transmissive parts 3... are formed with lens parts 4... as the very small convex lens shapes having the diameter of nearly the same size as the size of the light transmissive parts 3... so that only the light past the light transmissive parts 3... is converged to a photoresist 5 as the photosensitive material applied on a substrate 6 by the lens parts 4....

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、感光性材料の露光に用
いられるフォトマスクとその製造方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask used for exposing a photosensitive material and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、感光性材料を露光してパターンを
記録する方法が、半導体デバイス製造をはじめ多くの分
野で用いられている。そして、いわゆるマイクロマシン
と呼ばれる分野では、近年、上記露光による記録方法の
うちフォトリソグラフィー法を利用して、マイクロマシ
ンを構成する微小な構成部材を作成しようとする試みが
行われている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a method of exposing a photosensitive material to record a pattern has been used in many fields including semiconductor device manufacturing. In the field of so-called micromachines, in recent years, an attempt has been made to create a minute constituent member that constitutes a micromachine by utilizing a photolithography method among the above-mentioned recording methods by exposure.

【0003】ところで、フォトリソグラフィー法を用い
て微小な構成部材を作成する方法として、例えば図7
(a)に示すように、基板36上に金属薄膜35を形成
して、さらにその上から感光性材料であるフォトレジス
ト34を厚く塗布したものに、ガラス或いは石英等の光
透過性のマスク基板31に光非透過性のパターン32が
形成されたフォトマスクを介して波長λの紫外線を照射
した後、現像を行ってフォトマスクの有するパターンに
応じた凹凸のパターンを基板36上に設け、その後、図
7(b)に示すように、フォトレジスト34によって形
成された凹部の金属薄膜35の露出した部分に、フォト
レジスト34の凸部分と同一の高さまで金属37をメッ
キし、残存したフォトレジスト34をエッチング等によ
って除去し、マイクロマシンの微小な構成部材を得るも
のがある。
By the way, as a method for forming a minute constituent member using the photolithography method, for example, FIG.
As shown in (a), a metal thin film 35 is formed on a substrate 36, and a photoresist 34, which is a photosensitive material, is applied thickly on the metal thin film 35. 31 is irradiated with ultraviolet rays having a wavelength λ through a photomask on which a light-impermeable pattern 32 is formed, and then development is performed to form an uneven pattern corresponding to the pattern of the photomask on the substrate 36, and thereafter, As shown in FIG. 7B, the exposed portion of the metal thin film 35 in the concave portion formed by the photoresist 34 is plated with the metal 37 to the same height as the convex portion of the photoresist 34, and the remaining photoresist There is one in which 34 is removed by etching or the like to obtain a minute constituent member of a micromachine.

【0004】上記フォトリソグラフィー法を利用すれ
ば、基板36に塗布したフォトレジスト34の厚みと同
じ厚みの金属からなる構造体を形成することができるの
で、フォトレジスト34が塗布される厚みに応じて金属
37の厚みを容易に変えることができる。また、露光す
る光源として紫外線を使用しているので、従来から用い
られている露光装置を利用することができ、特別な露光
装置を作成する必要がなく、より安価にマイクロマシン
の微小構成部材を作製することができる。
By using the above-mentioned photolithography method, it is possible to form a structure made of metal having the same thickness as that of the photoresist 34 applied to the substrate 36. Therefore, depending on the thickness of the photoresist 34 applied. The thickness of the metal 37 can be easily changed. Further, since ultraviolet rays are used as a light source for exposing, it is possible to use a conventionally used exposure apparatus, it is not necessary to create a special exposure apparatus, and it is possible to produce a micro component member of a micromachine more inexpensively. can do.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記フォト
リソグラフィー法では、露光の際に光がパターンの縁で
回折され、フォトレジスト34上でぼやけたパターン像
を形成し、また、フォトレジスト34が厚い場合には光
の回折の影響が顕著となるので、フォトレジスト34上
でフォトマスク上のパターンを正確に転写することがで
きない。
However, in the above photolithography method, light is diffracted at the edge of the pattern during exposure to form a blurred pattern image on the photoresist 34, and the photoresist 34 is thick. In this case, since the influence of light diffraction becomes significant, the pattern on the photomask cannot be accurately transferred onto the photoresist 34.

【0006】このため、例えば厚み500μm、幅50
μm程度のマイクロマシンの微小金属構成部材を形成す
る場合には、照射光の回折によりフォトレジスト34上
のパターン像がぼやけたものとなり、フォトマスク上の
パターンを正確に転写することができず、結果として、
微小金属構成部材の成形精度を低下させるという問題が
生じている。
Therefore, for example, a thickness of 500 μm and a width of 50
When a micro metal constituent member of a micromachine of about μm is formed, the pattern image on the photoresist 34 becomes blurred due to the diffraction of the irradiation light, and the pattern on the photomask cannot be accurately transferred. As
There is a problem that the molding accuracy of the minute metal component is lowered.

【0007】また、光の回折を無くして厚いフォトレジ
スト34に正確にパターンを形成するために、光源とし
てSOR(Sincrotron Orbital Radiation) から発生す
る平行X線ビームを用いる方法があるが、SOR装置は
極めて大きく、高価である。
Further, there is a method of using a parallel X-ray beam generated from SOR (Sincrotron Orbital Radiation) as a light source in order to accurately form a pattern on the thick photoresist 34 by eliminating light diffraction. Extremely large and expensive.

【0008】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みなさ
れたものであって、その目的は、厚いフォトレジストに
パターンを正確に且つ安価に形成することができるよう
なフォトマスク及びその製造方法を提供することにあ
る。
Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a photomask capable of forming a pattern on a thick photoresist accurately and inexpensively, and a method for manufacturing the same. To provide.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1記載のフォトマ
スクは、光透過部分と光非透過部分を有する光透過性の
基板からなり、上記光透過部分が、凸レンズ機能を有し
ていることを特徴とするものである。
A photomask according to a first aspect of the present invention comprises a light-transmissive substrate having a light-transmitting portion and a light-non-transmitting portion, and the light-transmitting portion has a convex lens function. It is characterized by.

【0010】請求項2記載のフォトマスク製造方法は、
請求項1記載のフォトマスクを製造する方法であって、
光透過性のマスク基板にフォトレジストを塗布する工程
と、上記フォトレジストを露光、現像により所望のフォ
トレジストパターンを形成する工程と、ベーキングを行
って上記フォトレジストパターンをレンズ状の断面形状
に形成する工程と、このレンズ状の断面形状のフォトレ
ジストと上記マスク基板とをドライエッチングし、マス
ク基板にレンズ形状を形成する工程と、このマスク基板
に金属薄膜を形成する工程と、上記レンズ形状に形成さ
れた部分の金属薄膜のみを除去する工程とを含むもので
ある。
A photomask manufacturing method according to a second aspect is
A method of manufacturing a photomask according to claim 1, comprising:
A step of applying a photoresist to a light-transmitting mask substrate, a step of exposing and developing the photoresist to form a desired photoresist pattern, and a baking step to form the photoresist pattern into a lens-shaped cross-sectional shape. A step of forming a lens shape on the mask substrate by dry etching the photoresist having the lens-shaped cross-sectional shape and the mask substrate, forming a metal thin film on the mask substrate, and forming the lens shape. And a step of removing only the metal thin film in the formed portion.

【0011】請求項3記載のフォトマスク製造方法は、
請求項1記載のフォトマスクを製造する方法であって、
光透過性のマスク基板にフォトレジストを塗布する工程
と、上記フォトレジストを露光、現像を行って上記マス
ク基板全面に微小な円板のフォトレジストパターンを形
成する工程と、ベーキングを行って上記フォトレジスト
パターンをレンズ状の断面形状に形成する工程と、この
レンズ状の断面形状のフォトレジストと上記基板とをド
ライエッチングし、マスク基板全面に複数の微小レンズ
形状を形成する工程と、上記マスク基板上に金属薄膜を
形成する工程と、上記微小レンズ形状の一個を一単位と
して所望するマスクパターンを形成するように金属薄膜
を除去する工程とを含むものである。
The photomask manufacturing method according to claim 3 is
A method of manufacturing a photomask according to claim 1, comprising:
A step of applying a photoresist to a light-transmissive mask substrate, a step of exposing and developing the photoresist to form a minute disk-shaped photoresist pattern on the entire surface of the mask substrate, and a step of baking to perform the photoresist A step of forming a resist pattern in a lens-shaped cross-sectional shape; a step of dry etching the photoresist having the lens-shaped cross-sectional shape and the substrate to form a plurality of minute lens shapes on the entire surface of the mask substrate; The method includes a step of forming a metal thin film thereon and a step of removing the metal thin film so as to form a desired mask pattern with one of the minute lens shapes as a unit.

【0012】[0012]

【作用】請求項1記載の構成によれば、光透過部分が凸
レンズ機能を有することによって、光の回折を抑えるこ
とができるので、フォトレジストに正確なフォトマスク
のパターンを転写することができる。また、光透過部分
からの光の焦点を適当にずらすことによって、少なくと
もスポット直径から光透過部分の直径の範囲でフォトレ
ジストに転写するパターンの幅を任意の大きさに変える
こができるので、厚さの厚いフォトレジストに対しても
精度良くパターンを形成することができる。さらに、光
の回折を抑えることができることから、光源として、従
来からの例えば紫外線を使用することができるので、露
光装置も従来のものを使用することができる。従って、
正確に且つ安価にフォトレジストにパターンを形成する
ことができる。
According to the structure of the first aspect, since the light transmitting portion has the function of a convex lens, it is possible to suppress the diffraction of light, so that an accurate photomask pattern can be transferred to the photoresist. Further, by appropriately shifting the focus of the light from the light transmitting portion, it is possible to change the width of the pattern transferred to the photoresist to an arbitrary size at least within the range of the spot diameter to the diameter of the light transmitting portion. A pattern can be accurately formed even on a thick photoresist. Further, since it is possible to suppress the diffraction of light, it is possible to use, for example, conventional ultraviolet rays as the light source, and thus the conventional exposure apparatus can also be used. Therefore,
The pattern can be formed on the photoresist accurately and inexpensively.

【0013】請求項2記載の構成によれば、フォトマス
クを製造する場合、マスク基板とレンズ状の断面を有す
るフォトレジストパターンとに対して、フォトレジスト
が完全に除去されるまでドライエッチングを行うことに
よってマスク基板にレンズ形状を形成することができる
ので、マスク基板上にレンズ形状を形成するための複雑
な工程を必要とせず簡単にレンズ形状を形成することが
できる。また、レンズ形状の形成されたマスク基板に金
属薄膜を形成した後、レンズ形状部分のみ金属薄膜を除
去することによって、レンズ形状部分を光透過部分、他
の部分を光非透過部分とすることができるので、簡単に
レンズ機能を有するフォトマスクを製造することができ
る。
According to the structure of the second aspect, when the photomask is manufactured, dry etching is performed on the mask substrate and the photoresist pattern having a lens-shaped cross section until the photoresist is completely removed. As a result, the lens shape can be formed on the mask substrate, so that the lens shape can be easily formed without requiring a complicated process for forming the lens shape on the mask substrate. Further, by forming the metal thin film on the lens-shaped mask substrate and then removing the metal thin film only on the lens-shaped portion, the lens-shaped portion can be made a light transmitting portion and the other portions can be made a light non-transmitting portion. Therefore, a photomask having a lens function can be easily manufactured.

【0014】請求項3記載の構成によれば、フォトマス
クを製造する場合、マスク基板とレンズ状の断面を有す
るフォトレジストパターンとに対して、フォトレジスト
が完全に除去されるまでドライエッチングを行うことに
よってマスク基板にレンズ形状を形成することができる
ので、レンズ形状を形成するための複雑な工程を必要と
せず簡単にレンズ形状を形成することができる。また、
レンズ形状の形成された基板に金属薄膜を形成した後、
基板上に形成されたレンズ形状を一単位として、所望す
るパターンが得られるように金属薄膜を除去して光透過
部分を形成するとき、この光透過部分が微小レンズ形状
の一個を一単位としてパターンが形成されるので、光透
過部分をレンズとして作用させることができる。さら
に、マスク基板全面に複数のレンズ形状が形成された後
に所望するパターンを形成しているので、レンズ形状を
形成するためのマスタフォトマスクが一種類で済み、フ
ォトマスク上に所望のパターンを形成するためのマスタ
フォトマスク数を軽減することができ、また、予め全面
に複数のレンズ形状が形成されたマスク基板を複数作製
することによって、必要に応じてその都度フォトマスク
のパターンを容易に形成することができる。従って、レ
ンズ機能を有するフォトマスクをより安価に且つ簡単に
製造することができる。
According to the third aspect of the invention, when manufacturing a photomask, dry etching is performed on the mask substrate and the photoresist pattern having a lens-shaped cross section until the photoresist is completely removed. As a result, the lens shape can be formed on the mask substrate, so that the lens shape can be easily formed without requiring a complicated process for forming the lens shape. Also,
After forming a metal thin film on the lens-shaped substrate,
When the light-transmitting portion is formed by removing the metal thin film so that a desired pattern can be obtained with the lens shape formed on the substrate as one unit, the light-transmitting portion is patterned with one minute lens shape as one unit. Is formed, the light transmitting portion can act as a lens. Furthermore, since a desired pattern is formed after forming a plurality of lens shapes on the entire surface of the mask substrate, only one master photomask for forming the lens shape is required, and the desired pattern is formed on the photomask. It is possible to reduce the number of master photomasks for the purpose, and it is possible to easily form a photomask pattern each time by preparing a plurality of mask substrates with a plurality of lens shapes formed on the entire surface in advance. can do. Therefore, a photomask having a lens function can be manufactured more inexpensively and easily.

【0015】[0015]

【実施例】本発明の一実施例について図1ないし図6に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following will describe one embodiment of the present invention with reference to FIGS.

【0016】本実施例に係るフォトマスクは、図1に示
すように、光透過性の、例えばガラス、石英等からなる
マスク基板1の表面に、光非透過部分2…、光透過部分
3…が設けられている。
As shown in FIG. 1, the photomask according to this embodiment has a light non-transmissive portion 2, ..., A light transmissive portion 3, ... Is provided.

【0017】上記光非透過部分2…は、例えばマイクロ
マシンの構成部材の設計パターン図を基に作成されたパ
ターンをマスク基板1上に形成したものである。
The light non-transmissive portions 2 ... Are formed on the mask substrate 1 with a pattern created based on, for example, a design pattern diagram of constituent members of a micromachine.

【0018】また、上記光透過性部分3…には、この光
透過性部分3の大きさとほぼ同じ大きさの直径を有する
微小な凸状のレンズ形状としてのレンズ部4…が形成さ
れており、上記フォトマスクに光を照射した場合、上記
光透過部分3…を通過した光のみが、レンズ部4…によ
って基板6上に塗布された感光性材料としてのフォトレ
ジスト5に収束されるようになっている。
Further, the light transmissive portions 3 ... Are formed with lens portions 4 ... In the form of minute convex lenses having a diameter substantially the same as the size of the light transmissive portions 3. When the photomask is irradiated with light, only the light passing through the light transmitting portions 3 ... Is converged on the photoresist 5 as the photosensitive material applied on the substrate 6 by the lens portions 4. Has become.

【0019】ここで、上記レンズ部4…の特性について
図1を参照しながら以下に説明する。
Here, the characteristics of the lens portions 4 ... Will be described below with reference to FIG.

【0020】先ず、レンズ部4の焦点距離をF、レンズ
直径をR、露光に用いる光の波長をλとすると、結像し
てできるスポット直径rは、 r/2≒λ/(R/F)・・・・・・・・ で表される。また、この時点の焦点深度Dは、 D/2≒λ/(R/F)2 ・・・・・・・ て表される。
First, assuming that the focal length of the lens unit 4 is F, the lens diameter is R, and the wavelength of light used for exposure is λ, the spot diameter r formed by image formation is r / 2≈λ / (R / F ) ... It is represented by. Further, the depth of focus D at this time is expressed as D / 2≈λ / (R / F) 2 ...

【0021】次に、上記の、式を用い、露光に用い
る光の波長λを0.4μmとして、様々な焦点距離F、
レンズ直径R、波長λの組み合わせからスポット直径r
及び焦点深度Dを求めた結果を表1に示す。
Next, using the above formula, with the wavelength λ of the light used for exposure being 0.4 μm, various focal lengths F,
Spot diameter r from combination of lens diameter R and wavelength λ
Table 1 shows the results of obtaining the depth of focus and the depth of focus D.

【0022】[0022]

【表1】 [Table 1]

【0023】上記表1から、例えば焦点距離Fが550
μm、レンズ直径Rが50μmの場合、スポット直径r
は8.8μmとなり、焦点深度Dは400μmとなるの
で、厚さが約400μmのフォトレジスト5に最大50
μm、最小8.8μmの幅でパターンを形成することが
できる。また、上記のような微小なパターンが必要ない
ときは、基板6を上記レンズ部4…の焦点からずらすこ
とによって大きいパターンを得ることができる。従っ
て、上記表1に示されているような特性を有するレンズ
部4…を光透過部分3…に形成することによって、所望
する厚み及び幅を有する微細なパターンを精度良くフォ
トレジスト5に転写できるようになっている。但し、パ
ターンの幅は、レンズ直径からスポット直径までの範囲
内に限られる。
From Table 1 above, for example, the focal length F is 550.
μm and lens diameter R is 50 μm, spot diameter r
Is about 8.8 μm and the depth of focus D is about 400 μm.
A pattern can be formed with a width of μm and a minimum width of 8.8 μm. Further, when the minute pattern as described above is not necessary, a large pattern can be obtained by shifting the substrate 6 from the focus of the lens portions 4 ... Therefore, by forming the lens portions 4 ... Having the characteristics as shown in Table 1 above in the light transmitting portions 3, ..., It is possible to accurately transfer a fine pattern having a desired thickness and width to the photoresist 5. It is like this. However, the width of the pattern is limited to the range from the lens diameter to the spot diameter.

【0024】尚、上記パターンの幅、つまり、図1に示
すように、光透過部分3…の幅と凸状のレンズ部4の直
径Rとは、ほぼ同じ大きさで形成されているが、これに
限定されることなく、例えば図3(a)・(b)に示す
ように、基板13に形成された金属薄膜からなる光非透
過部分9…の間の光透過部分10に、かまぼこ型のレン
ズ部11…を複数設けた場合においても、図1に示すレ
ンズ部4…と同一機能を有することが可能であり、ま
た、図4(a)・(b)に示すように、上記光透過部分
10に小さな凸状のレンズ12…を複数設けた場合にお
いても、図1に示すレンズ部4…と同一機能を有するこ
とが可能である。但し、上記光透過部分10に小さな凸
状のレンズ12…を複数設けた場合においては、パター
ンの光透過部分10にレンズ12の全体が露出するよう
にする必要がある。
The width of the pattern, that is, the width of the light transmitting portions 3 and the diameter R of the convex lens portion 4 are formed to have substantially the same size as shown in FIG. Without being limited to this, for example, as shown in FIGS. 3A and 3B, the light transmitting portions 10 between the light non-transmitting portions 9 ... Even when a plurality of lens units 11 ... Is provided, it is possible to have the same function as the lens units 4 shown in FIG. 1 and, as shown in FIGS. Even when a plurality of small convex lenses 12 are provided in the transmissive portion 10, it is possible to have the same function as the lens portions 4 shown in FIG. However, when a plurality of small convex lenses 12 are provided in the light transmitting portion 10, it is necessary to expose the entire lens 12 to the light transmitting portion 10 of the pattern.

【0025】ここで、上記フォトマスクの製造方法の一
例について図2を参照しながら以下に説明する〔製造方
法1〕。
Here, an example of a method for manufacturing the above photomask will be described below with reference to FIG. 2 [manufacturing method 1].

【0026】先ず、図2(a)に示すように、フォトレ
ジストが塗布し易いようにウェハ前処理の施された、例
えばガラス或いは石英等からなる光透過性の基板1の表
面に、ポジ型のフォトレジスト7を均一に塗布する。
尚、このフォトレジストとして本実施例では、100℃
〜130℃で変形するシプレー社のAZ1400を使用
しているが、特に限定はしないものとする。
First, as shown in FIG. 2A, a positive type is formed on the surface of a light-transmissive substrate 1 made of, for example, glass or quartz, which has been subjected to a wafer pretreatment so that a photoresist can be easily applied. The photoresist 7 is uniformly applied.
In this embodiment, this photoresist is 100 ° C.
Although AZ1400 manufactured by Shipley Co., which deforms at ˜130 ° C., is used, it is not particularly limited.

【0027】次に、図2(b)に示すように、予めCA
D手法等によって、要求されるパターンが形成されたマ
スタフォトマスクを使用して露光した後、現像を行い、
基板1上にフォトレジスト7の凹凸のパターンを形成す
る。
Next, as shown in FIG.
After exposure using a master photomask on which a required pattern is formed by the D method or the like, development is performed,
An uneven pattern of the photoresist 7 is formed on the substrate 1.

【0028】次いで、図2(c)に示すように、110
〜130℃でベーキングを行い、上記凹凸状のパターン
のフォトレジスト7がレンズ状の断面形状を有するよう
に成形する。
Then, as shown in FIG. 2 (c), 110
Baking is performed at ˜130 ° C., and the photoresist 7 having the uneven pattern is formed to have a lens-shaped cross-sectional shape.

【0029】そして、図2(d)に示すように、上記レ
ンズ状のフォトレジスト7を有する基板1をCF4 、C
HF3 等のガスによってフォトレジスト7が無くなるま
でドライエッチングを行い、基板1上に凸状のレンズ部
4…を形成する。
Then, as shown in FIG. 2D, the substrate 1 having the lens-shaped photoresist 7 is CF 4 , C
Dry etching is performed by a gas such as HF 3 until the photoresist 7 is removed to form convex lens portions 4 ... On the substrate 1.

【0030】さらに、図2(e)に示すように、基板1
のレンズ部4…形成側に、上記レンズ部4…の形状に沿
って、例えばCr、Ta、Al、Ni、もしくはこれら
の合金の金属薄膜2を蒸着もしくはスパッタ法等によっ
て形成する。
Further, as shown in FIG. 2 (e), the substrate 1
A metal thin film 2 of Cr, Ta, Al, Ni, or an alloy thereof, for example, is formed on the formation side of the lens portions 4 by the vapor deposition or sputtering method.

【0031】そして、上記金属薄膜2の形成された基板
1上に、図2(f)に示すように、さらにフォトレジス
ト8が塗布され、レンズ部4…に対応する部分のみフォ
トレジスト8が除去されるように、露光した後、現像が
行われる。
Then, as shown in FIG. 2 (f), a photoresist 8 is further applied on the substrate 1 on which the metal thin film 2 is formed, and the photoresist 8 is removed only at the portions corresponding to the lens portions 4 ... After exposure, development is performed as described above.

【0032】次いで、図2(g)に示すように、レンズ
部4…に対応する部分のフォトレジスト8が除去された
後、露出した金属薄膜2に対して、硝酸、硫酸、弗酸、
塩酸、もしくはこれらの混合液によってウェットエッチ
ングを行い、基板1上に凸状のレンズ部4…を露出させ
る。さらに、CF4 、CHF3 等のガスによって残存し
たフォトレジスト8が無くなるまでドライエッチングが
行われ、図2(h)に示すように、パターンを形成する
金属薄膜が光非透過部分2…を形成し、凸状のレンズ部
4…が光透過部分3…を形成しているフォトマスクが製
造される。
Then, as shown in FIG. 2 (g), after the photoresist 8 in the portion corresponding to the lens portions 4 is removed, the exposed metal thin film 2 is nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid,
Wet etching is performed with hydrochloric acid or a mixed solution thereof to expose the convex lens portions 4 on the substrate 1. Further, dry etching is performed until the remaining photoresist 8 is removed by a gas such as CF 4 or CHF 3 , and as shown in FIG. 2 (h), the metal thin film forming the pattern forms the light non-transmissive portions 2. Then, a photomask in which the convex lens portions 4 ... Form the light transmitting portions 3 ... Is manufactured.

【0033】また、上記フォトマスクの製造方法の他の
例について、図5を参照しながら以下に説明する。説明
の便宜上、図1と同じ部材番号を有する部材は同一のも
のとみなし、その説明は省略する〔製造方法2〕。
Another example of the method for manufacturing the above photomask will be described below with reference to FIG. For convenience of description, members having the same member numbers as in FIG. 1 are regarded as the same members, and the description thereof will be omitted [Manufacturing method 2].

【0034】先ず、ガラス、石英等からなる光透過性の
基板1にフォトレジスト(図示せず)を塗布し、図5
(a)に示すように、前述の表1におけるレンズ部の設
計指針に基づいて設計されたレンズ部4…が基板1全面
に形成されるように、複数の円形パターンが形成された
マスタフォトマスクを使用して露光を行った後、現像を
行う。そして、現像の後、基板1全面に形成された凹凸
パターンの凸部分である複数の円形パターンを凸レンズ
状に成形する為に、ベーキングが行われる。尚、ここで
使用されるフォトレジストは、前記のフォトマスクの製
造に使用されたものと同じく100℃〜130℃で変形
するシプレー社のAZ1400を使用しているが、特に
限定はしないものとする。その後、フォトレジストによ
って基板1上に形成された複数の凸状のレンズ部4…に
対応するレンズ部が形成され、CF4 、CHF3 等のガ
スによってフォトレジストが無くなるまでドライエッチ
ングを行い、基板1上に複数の凸状のレンズ部4…を形
成する。
First, a photoresist (not shown) is applied to the transparent substrate 1 made of glass, quartz, etc.
As shown in (a), a master photomask in which a plurality of circular patterns are formed so that the lens portions 4 ... Designed based on the design guidelines for the lens portion in Table 1 above are formed on the entire surface of the substrate 1. After exposure using, the development is performed. Then, after development, baking is performed to form a plurality of circular patterns, which are convex portions of the concave-convex pattern formed on the entire surface of the substrate 1, into a convex lens shape. As the photoresist used here, AZ1400 manufactured by Shipley Co., which is deformable at 100 ° C. to 130 ° C., is used similarly to the one used in the manufacture of the above-mentioned photomask, but it is not particularly limited. . Thereafter, a lens portion corresponding to the plurality of convex lens portions 4 formed on the substrate 1 is formed by the photoresist, and dry etching is performed until the photoresist is exhausted by a gas such as CF 4 , CHF 3 or the like. A plurality of convex lens portions 4 ... Are formed on the surface 1.

【0035】次に、凸状のレンズ部4…が形成された基
板1全面に、上記レンズ部4…の形状に沿って、例えば
Cr、Ta、Al、Ni、もしくはこれらの合金の金属
薄膜を蒸着もしくはスパッタ法等によって形成する。さ
らに、基板1上に、フォトレジストが塗布され、所望す
るパターンを有するフォトマスクを使用して露光して、
現像した後、この露光、現像された部分の金属薄膜が露
出する。そして、この露出した金属薄膜に対応して、硝
酸、硫酸、弗酸、塩酸、もしくはこれらの混合液によっ
てウェットエッチングを行い、基板1上に凸状のレンズ
部4…を露出させる。その後、CF4 、CHF3 等のガ
スによって残存したフォトレジストが無くなり、金属薄
膜が露出するまでドライエッチングを行い、図5(b)
に示すような上記金属薄膜からなる光非透過部分2…が
形成されたフォトマスクが製造される。
Next, a metal thin film of, for example, Cr, Ta, Al, Ni, or an alloy thereof is formed on the entire surface of the substrate 1 on which the convex lens portions 4 are formed along the shape of the lens portions 4. It is formed by vapor deposition or sputtering. Further, a photoresist is applied on the substrate 1, and exposed using a photomask having a desired pattern,
After the development, the exposed and developed portion of the metal thin film is exposed. Then, corresponding to the exposed metal thin film, wet etching is performed with nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, hydrochloric acid, or a mixture thereof to expose the convex lens portions 4 ... On the substrate 1. After that, dry etching is performed until the metal thin film is exposed by removing the photoresist remaining by the gas such as CF 4 , CHF 3 and the like, as shown in FIG.
A photomask having the light non-transmissive portions 2 ...

【0036】但し、上記製造方法2では、基板1全面に
複数のレンズ部4…が予め形成されているので、レンズ
として作用させるには、パターンにおいて少なくとも一
個のレンズ部4を一単位として光透過部分を形成する必
要がある。
However, in the above-mentioned manufacturing method 2, since the plurality of lens portions 4 are previously formed on the entire surface of the substrate 1, in order to act as a lens, at least one lens portion 4 in the pattern is used as a unit to transmit light. It is necessary to form a part.

【0037】以上のことから、本実施例におけるフォト
マスクによるパターン形成を利用したマイクロマシン等
の微細機械における構成部材の作成について、図1を参
照しながら以下に説明する。
From the above, the production of the constituent members in a micromachine such as a micromachine utilizing the pattern formation by the photomask in this embodiment will be described below with reference to FIG.

【0038】先ず、表面にフォトレジスト5が塗布され
た金属からなる基板6上に、要求されたパターンを有す
るフォトマスクを配設する。その後、例えば紫外線を照
射する露光装置によって、上記フォトマスクを介してフ
ォトレジスト5が露光される。露光された部分は、現像
剤によって溶融されるので、基板6上にはフォトレジス
ト5によってフォトマスクに形成されたパターンに応じ
た凹凸パターンが形成される。
First, a photomask having a required pattern is provided on a metal substrate 6 having a photoresist 5 applied on its surface. After that, the photoresist 5 is exposed through the photomask by an exposure device that radiates ultraviolet rays, for example. Since the exposed portion is melted by the developer, an uneven pattern corresponding to the pattern formed on the photomask by the photoresist 5 is formed on the substrate 6.

【0039】次に、基板6上に形成された凹部に、フォ
トレジスト5の塗布厚と同じ厚みになるまで金属によっ
てメッキした後、ドライエッチングによってフォトレジ
ストを取り除き、金属からなる構造体を得る。
Next, the concave portion formed on the substrate 6 is plated with a metal to the same thickness as the coating thickness of the photoresist 5, and then the photoresist is removed by dry etching to obtain a structure made of a metal.

【0040】以上のように、フォトリソグラフィー法等
によって微細なパターンを形成する場合、フォトマスク
の光透過部分3…に凸レンズの機能を有するレンズ部4
…が形成されていることで、光の回折を抑え、照射光を
フォトレジスト5に収束させることができるので、フォ
トレジストの厚みに関係なく所望するパターンを正確に
転写することができる。また、光の回折を抑えることが
できるので、光源としてSOR(Sincrotoron Orbital
Radiation)から発生する平行X線ビームを用いる必要が
なく、紫外線等を使用することができるので、従来の露
光装置を使用することができ、安価にしかも正確にパタ
ーンを形成することができる。
As described above, when a fine pattern is formed by the photolithography method or the like, the lens portion 4 having the function of a convex lens is formed on the light transmitting portions 3 of the photomask.
.. is formed, the irradiation light can be suppressed and the irradiation light can be focused on the photoresist 5. Therefore, a desired pattern can be accurately transferred regardless of the thickness of the photoresist. In addition, since it can suppress the diffraction of light, it can be used as a SOR (Sincrotoron Orbital) light source.
Since it is not necessary to use a parallel X-ray beam generated from radiation and ultraviolet rays can be used, a conventional exposure apparatus can be used, and a pattern can be formed inexpensively and accurately.

【0041】一方、フォトマスクを製造する方法とし
て、〔製造方法1〕では、図2に示すように、基板1と
レンズ状の断面を有するフォトレジストパターンとに対
して、フォトレジスト7が完全に除去されるまでドライ
エッチングを行うことによって基板1にレンズ部4…を
形成することができるので、レンズ部4…を形成するた
めの複雑な工程を必要とせず簡単にレンズ部4…を形成
することができる。また、レンズ部4…の形成された基
板1に金属薄膜を形成した後、レンズ部4…のみ金属薄
膜を除去することによって、レンズ部を光透過部分、他
の部分を光非透過部分とすることができるので、簡単に
レンズ機能を有するフォトマスクを製造することができ
る。
On the other hand, as a method of manufacturing a photomask, in [manufacturing method 1], as shown in FIG. 2, the photoresist 7 is completely removed from the substrate 1 and the photoresist pattern having a lens-shaped cross section. Since the lens portions 4 ... Can be formed on the substrate 1 by performing dry etching until it is removed, the lens portions 4 ... Can be easily formed without requiring a complicated process for forming the lens portions 4. be able to. Further, after forming the metal thin film on the substrate 1 on which the lens portions 4 are formed, the metal thin film is removed only from the lens portions 4 so that the lens portions are light transmitting portions and the other portions are light non-transmitting portions. Therefore, a photomask having a lens function can be easily manufactured.

【0042】また、フォトマスクを製造する方法とし
て、〔製造方法2〕では、図5に示すように、レンズ部
4…の形成された基板1に金属薄膜を形成した後、基板
1上に形成されたレンズ部4の1個を一単位として、所
望するパターンが得られるように金属薄膜を除去すると
き、金属薄膜が除去された部分を光透過部分とすること
ができると共に、この光透過部分3…にはレンズ部4…
の少なくとも一単位が含まれるように形成されているの
で、光透過部分3…をレンズとして作用させることがで
きる。さらに、基板1全面に複数のレンズ部4…が形成
された後、所望するパターンを形成しているので、レン
ズ部4…を形成するためのマスタフォトマスクが1種類
で済み、パターンを形成するための必要なマスタフォト
マスク数を軽減することができ、また、予めマスク基板
全面に複数のレンズ部が形成された基板を複数作製する
ことによって、必要に応じてパターンを形成することが
できる。従って、レンズ機能を有するフォトマスクをよ
り安価に且つ簡単に製造することができる。
As a method of manufacturing a photomask, in [manufacturing method 2], as shown in FIG. 5, a metal thin film is formed on the substrate 1 on which the lens portions 4 are formed and then formed on the substrate 1. When the metal thin film is removed so that a desired pattern can be obtained by using one of the lens portions 4 formed as one unit, the portion from which the metal thin film is removed can be used as the light transmitting portion, and the light transmitting portion can be formed. Lens section 3 ...
Since it is formed so as to include at least one unit of, the light transmitting portions 3 ... Can act as a lens. Further, since the desired pattern is formed after the plurality of lens portions 4 are formed on the entire surface of the substrate 1, only one master photomask for forming the lens portions 4 is required, and the pattern is formed. Therefore, it is possible to reduce the number of master photomasks required, and by forming a plurality of substrates in which a plurality of lens portions are formed on the entire surface of the mask substrate in advance, a pattern can be formed as needed. Therefore, a photomask having a lens function can be manufactured more inexpensively and easily.

【0043】尚、本実施例では、フォトマスクの光透過
部分に突出した凸状のレンズ部を設けているが、これに
限定することなく、フォトマスクの光透過部分に凸レン
ズ機能を有するものとして、例えば、図6に示すよう
に、光透過部分23…と光非透過部分22…とを有する
透明マスク基板21のうち上記光透過部分23…に、前
述した式、を用いて凸レンズ機能を有するように屈
折率の分布24…をそれぞれ形成することによって、光
透過部分23…において凸レンズとして作用させている
ものがあり、この場合においても上記実施例における光
透過部分3…に形成された凸状のレンズ部4…と同様の
作用効果を得ることができる。
In this embodiment, the convex lens portion is provided in the light transmitting portion of the photomask, but the present invention is not limited to this, and it is assumed that the light transmitting portion of the photomask has a convex lens function. For example, as shown in FIG. 6, in the transparent mask substrate 21 having a light transmitting portion 23 ... And a light non-transmitting portion 22 ..., the light transmitting portion 23 ... Has a convex lens function by using the above-mentioned formula. In some cases, the refractive index distributions 24 are formed as described above to act as convex lenses in the light transmitting portions 23. In this case also, the convex shape formed in the light transmitting portions 3 in the above-described embodiment. It is possible to obtain the same effect as that of the lens section 4 ...

【0044】[0044]

【発明の効果】請求項1ののフォトマスクは、以上のよ
うに、光透過部分と光非透過部分を有する光透過性の基
板からなり、上記光透過部分が、凸レンズ機能を有して
いることを特徴とする構成である。
As described above, the photomask of the present invention comprises a light-transmissive substrate having a light-transmitting portion and a light-non-transmitting portion, and the light-transmitting portion has a convex lens function. This is a feature.

【0045】それゆえ、光透過部分が凸レンズ機能を有
することで、光の回折を抑えることができるので、塗布
されたフォトレジストが厚い場合であっても精度良くパ
ターンを形成することができ、さらに、光源として紫外
線を使用することができるので、従来の露光装置を使用
することができ、より安価にパターンを形成することが
できるという効果を奏する。
Therefore, since the light transmitting portion has a convex lens function, it is possible to suppress the diffraction of light, so that it is possible to form a pattern accurately even when the applied photoresist is thick, and Since ultraviolet rays can be used as the light source, the conventional exposure apparatus can be used, and the pattern can be formed at a lower cost.

【0046】請求項2記載のフォトマスク製造方法は、
以上のように、光透過性のマスク基板にフォトレジスト
を塗布する工程と、上記フォトレジストを露光、現像に
より所望のフォトレジストパターンを形成する工程と、
ベーキングを行って上記フォトレジストパターンをレン
ズ状の断面形状に形成する工程と、このレンズ状の断面
形状のフォトレジストと上記マスク基板とをドライエッ
チングし、マスク基板にレンズ形状を形成する工程と、
このマスク基板に金属薄膜を形成する工程と、上記レン
ズ形状に形成された部分の金属薄膜のみを除去する工程
とを含むことを特徴とする構成である。
The photomask manufacturing method according to claim 2 is
As described above, a step of applying a photoresist to the light-transmitting mask substrate, a step of forming a desired photoresist pattern by exposing and developing the photoresist,
A step of forming the photoresist pattern into a lens-shaped cross-sectional shape by baking, a step of dry-etching the photoresist having the lens-shaped cross-sectional shape and the mask substrate, and forming a lens shape on the mask substrate,
The configuration is characterized by including a step of forming a metal thin film on the mask substrate and a step of removing only the metal thin film in the portion formed in the lens shape.

【0047】それゆえ、ドライエッチングによって一体
的にマスク基板とフォトレジストとを処理することによ
って基板にレンズ部が形成されるので、マスク基板にレ
ンズ形状を形成する機構を別に設ける必要がなく、ま
た、必要な箇所についてレンズ形状を容易に形成するこ
とができ、結果として、凸レンズ機能を有しているフォ
トマスクを簡単に製造することができるという効果を奏
する。
Therefore, since the lens portion is formed on the substrate by integrally processing the mask substrate and the photoresist by dry etching, it is not necessary to separately provide a mechanism for forming a lens shape on the mask substrate, and As a result, it is possible to easily form a lens shape in a necessary portion, and as a result, it is possible to easily manufacture a photomask having a convex lens function.

【0048】請求項3記載のフォトマスク製造方法は、
以上のように、光透過性のマスク基板にフォトレジスト
を塗布する工程と、上記フォトレジストを露光、現像を
行って上記マスク基板全面に微小な円板のフォトレジス
トパターンを形成する工程と、ベーキングを行って上記
フォトレジストパターンをレンズ状の断面形状に形成す
る工程と、このレンズ状の断面形状のフォトレジストと
上記基板とをドライエッチングし、マスク基板全面に複
数の微小レンズ形状を形成する工程と、上記マスク基板
上に金属薄膜を形成する工程と、上記微小レンズ形状の
一個を一単位として所望するマスクパターンを形成する
ように金属薄膜を除去する工程とを含むことを特徴とす
る構成である。
A method of manufacturing a photomask according to claim 3 is
As described above, a step of applying a photoresist to a light-transmitting mask substrate, a step of exposing and developing the photoresist to form a minute disk-shaped photoresist pattern on the entire surface of the mask substrate, and a baking step. And forming the photoresist pattern into a lens-shaped cross-sectional shape, and dry-etching the lens-shaped cross-sectional photoresist and the substrate to form a plurality of minute lens shapes on the entire surface of the mask substrate. And a step of forming a metal thin film on the mask substrate, and a step of removing the metal thin film so as to form a desired mask pattern with one of the minute lens shapes as one unit. is there.

【0049】それゆえ、請求項2の効果に加えて、マス
ク基板全面に複数のレンズ形状を形成することによっ
て、予め複数の微小レンズ形状が全面に形成されたマス
ク基板を複数設けることができるので、その都度必要な
パターンを有するフォトマスクを簡単に製造することが
でき、また、マスク基板にレンズ形状を形成するための
マスタフォトマスクが一種類で済むので、パターンを形
成する際の全体のマスタフォトマスクの種類を軽減する
ことができ、フォトマスクの製造費を安価なものとする
ことができるという効果を奏する。
Therefore, in addition to the effect of the second aspect, by forming a plurality of lens shapes on the entire surface of the mask substrate, it is possible to provide a plurality of mask substrates on which a plurality of minute lens shapes are formed in advance. , A photomask having a required pattern can be easily manufactured each time, and only one master photomask for forming the lens shape on the mask substrate is required, so that the entire master when forming the pattern The number of types of photomasks can be reduced, and the manufacturing cost of the photomasks can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例におけるフォトマスクによる
露光作用を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an exposure action by a photomask in one embodiment of the present invention.

【図2】図1のフォトマスクの作成手順を示したもので
あり、同図(a)は、透明マスク基板にフォトレジスト
を塗布した状態を示す説明図であり、同図(b)は、フ
ォトレジストのパターンが現像された状態を示す説明図
であり、同図(c)は、パターンに形成されたフォトレ
ジストがベーキングによってレンズ状に形成された状態
を示す説明図であり、同図(d)は、ドライエッチング
によってマスク基板上にレンズ部が形成された状態を示
す説明図であり、同図(e)は、レンズ部が形成された
マスク基板表面に金属薄膜を形成した状態を示す説明図
であり、同図(f)は、上記金属薄膜の上にフォトレジ
ストを塗布した状態を示す説明図であり、同図(g)
は、レンズ部のみのフォトレジストを除去した状態を示
す説明図であり、同図(h)は、レンズ部の金属薄膜を
取り除いた状態を示す説明図である。
FIG. 2 shows a procedure for producing the photomask of FIG. 1, FIG. 2A is an explanatory view showing a state where a photoresist is applied to a transparent mask substrate, and FIG. It is explanatory drawing which shows the state which the pattern of the photoresist was developed, and the same figure (c) is explanatory drawing which shows the state in which the photoresist formed in the pattern was formed in the lens shape by baking. FIG. 3D is an explanatory view showing a state where a lens portion is formed on the mask substrate by dry etching, and FIG. 6E shows a state where a metal thin film is formed on the mask substrate surface where the lens portion is formed. FIG. 6F is an explanatory diagram showing a state in which a photoresist is applied on the metal thin film, and FIG.
[Fig. 3] is an explanatory diagram showing a state where the photoresist of only the lens portion is removed, and Fig. 6H is an explanatory diagram showing a state where the metal thin film of the lens portion is removed.

【図3】本発明の他の実施例におけるフォトマスクを示
すものであって、同図(a)は平面図であり、同図
(b)はA−A矢視断面図である。
3A and 3B show a photomask according to another embodiment of the present invention, wherein FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is a sectional view taken along the line AA.

【図4】本発明のさらに他の実施例におけるフォトマス
クを示すものであって、同図(a)は平面図であり、同
図(b)はB−B矢視断面図である。
4A and 4B show a photomask according to still another embodiment of the present invention, wherein FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a sectional view taken along the line BB.

【図5】本発明の他の実施例におけるフォトマスクの作
成方法を示すものであって、同図(a)は、マスク基板
の全面にフォトレジストの円形パターンが形成された状
態を示す平面図であり、同図(b)は、上記マスク基板
においてパターンとレンズ部が形成された状態を示す平
面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a method of forming a photomask according to another embodiment of the present invention, wherein FIG. 5A shows a state where a circular pattern of photoresist is formed on the entire surface of a mask substrate. FIG. 3B is a plan view showing a state in which the pattern and the lens portion are formed on the mask substrate.

【図6】本発明のさらに他の実施例におけるフォトマス
クを示す構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram showing a photomask in still another embodiment of the present invention.

【図7】従来のフォトマスクによるパターン形成を示す
ものであって、同図(a)は、フォトマスクによってフ
ォトレジストにパターンを形成している状態を示す説明
図であり、同図(b)は、上記で形成されたパターンに
金属がメッキされた状態を示す説明図である。
7A and 7B show pattern formation by a conventional photomask, and FIG. 7A is an explanatory diagram showing a state in which a pattern is formed on a photoresist by a photomask, and FIG. FIG. 6 is an explanatory diagram showing a state in which the pattern formed above is plated with metal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 マスク基板 2 光非透過部分 3 光透過部分 4 レンズ部(レンズ形状) 5 フォトレジスト 21 マスク基板 22 光非透過部分 23 光透過部分 24 屈折率分布 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mask substrate 2 Light non-transmissive part 3 Light transmissive part 4 Lens part (lens shape) 5 Photoresist 21 Mask substrate 22 Light non-transmissive part 23 Light transmissive part 24 Refractive index distribution

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 頼成 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yorisei Ishii 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Within Sharp Corporation (72) Kenji Ota 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka, Osaka Within the corporation

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光透過性部分と光非透過性部分を有する光
透過性の基板からなるフォトマスクであって、 上記光透過性部分が、凸レンズ機能を有していることを
特徴とするフォトマスク。
1. A photomask comprising a light transmissive substrate having a light transmissive portion and a light non-transmissive portion, wherein the light transmissive portion has a convex lens function. mask.
【請求項2】光透過性のマスク基板にフォトレジストを
塗布する工程と、上記フォトレジストを露光、現像によ
り所望のフォトレジストパターンを形成する工程と、ベ
ーキングを行って上記フォトレジストパターンをレンズ
状の断面形状に形成する工程と、このレンズ状の断面形
状のフォトレジストと上記マスク基板とをドライエッチ
ングし、マスク基板にレンズ形状を形成する工程と、こ
のマスク基板に金属薄膜を形成する工程と、上記レンズ
形状に形成された部分の金属薄膜のみを除去する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスク製造方法。
2. A step of applying a photoresist to a light-transmitting mask substrate, a step of exposing and developing the photoresist to form a desired photoresist pattern, and baking to form the photoresist pattern into a lens shape. A step of forming a lens shape on the mask substrate by dry etching the photoresist having the lens-shaped cross section and the mask substrate, and a step of forming a metal thin film on the mask substrate. And a step of removing only the metal thin film in the lens-shaped portion.
【請求項3】光透過性のマスク基板にフォトレジストを
塗布する工程と、上記フォトレジストを露光、現像を行
って上記マスク基板全面に微小な円板のフォトレジスト
パターンを形成する工程と、ベーキングを行って上記フ
ォトレジストパターンをレンズ状の断面形状に形成する
工程と、このレンズ状の断面形状のフォトレジストと上
記基板とをドライエッチングし、マスク基板全面に複数
の微小レンズ形状を形成する工程と、上記マスク基板上
に金属薄膜を形成する工程と、上記微小レンズ形状の一
つが一単位として所望するマスクパターンを形成するよ
うに金属薄膜を除去する工程とを含むことを特徴とする
フォトマスク製造方法。
3. A step of applying a photoresist to a light-transmissive mask substrate, a step of exposing and developing the photoresist to form a minute disk-shaped photoresist pattern on the entire surface of the mask substrate, and baking. And forming the photoresist pattern into a lens-shaped cross-sectional shape, and dry-etching the lens-shaped cross-sectional photoresist and the substrate to form a plurality of minute lens shapes on the entire surface of the mask substrate. And a step of forming a metal thin film on the mask substrate, and a step of removing the metal thin film so that one of the minute lens shapes forms a desired mask pattern as one unit. Production method.
JP30414392A 1992-11-13 1992-11-13 Photomask and its production Pending JPH06148861A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30414392A JPH06148861A (en) 1992-11-13 1992-11-13 Photomask and its production

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30414392A JPH06148861A (en) 1992-11-13 1992-11-13 Photomask and its production

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06148861A true JPH06148861A (en) 1994-05-27

Family

ID=17929568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30414392A Pending JPH06148861A (en) 1992-11-13 1992-11-13 Photomask and its production

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06148861A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0815848A (en) * 1994-06-27 1996-01-19 Nec Kyushu Ltd Photoreticle
JP2008181077A (en) * 2007-01-24 2008-08-07 Sharp Corp Method of making grayscale reticle using step-over lithography for shaping microlens
JP2009116268A (en) * 2007-11-09 2009-05-28 V Technology Co Ltd Photomask and method for forming convex pattern using the same
JP2009277900A (en) * 2008-05-15 2009-11-26 V Technology Co Ltd Exposure device and photomask
WO2010047362A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 株式会社ブイ・テクノロジー Exposure apparatus and photomask
WO2010070988A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-24 株式会社ブイ・テクノロジー Method for forming projected pattern, exposure apparatus and photomask
WO2011052060A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 株式会社ブイ・テクノロジー Exposure device and photo mask
WO2011058634A1 (en) * 2009-11-12 2011-05-19 株式会社ブイ・テクノロジー Exposure apparatus and photomask used therein

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0815848A (en) * 1994-06-27 1996-01-19 Nec Kyushu Ltd Photoreticle
JP2008181077A (en) * 2007-01-24 2008-08-07 Sharp Corp Method of making grayscale reticle using step-over lithography for shaping microlens
JP2009116268A (en) * 2007-11-09 2009-05-28 V Technology Co Ltd Photomask and method for forming convex pattern using the same
JP2009277900A (en) * 2008-05-15 2009-11-26 V Technology Co Ltd Exposure device and photomask
US8854600B2 (en) 2008-10-24 2014-10-07 V Technology Co., Ltd. Exposure apparatus and photomask
WO2010047362A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 株式会社ブイ・テクノロジー Exposure apparatus and photomask
JP2010102149A (en) * 2008-10-24 2010-05-06 V Technology Co Ltd Exposure apparatus and photomask
WO2010070988A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-24 株式会社ブイ・テクノロジー Method for forming projected pattern, exposure apparatus and photomask
KR20110103422A (en) * 2008-12-16 2011-09-20 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 Method for forming projected pattern, exposure apparatus and photomask
CN102246100A (en) * 2008-12-16 2011-11-16 株式会社V技术 Method for forming projected pattern, exposure apparatus and photomask
US8293434B2 (en) 2008-12-16 2012-10-23 V Technology Co., Ltd. Method for forming convex pattern, exposure apparatus and photomask
JP5495135B2 (en) * 2008-12-16 2014-05-21 株式会社ブイ・テクノロジー Convex pattern forming method, exposure apparatus, and photomask
WO2011052060A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 株式会社ブイ・テクノロジー Exposure device and photo mask
WO2011058634A1 (en) * 2009-11-12 2011-05-19 株式会社ブイ・テクノロジー Exposure apparatus and photomask used therein
US9030646B2 (en) 2009-11-12 2015-05-12 V Technology Co., Ltd. Exposure apparatus and photomask used therein

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011199321A (en) Lithography method
US8563227B2 (en) Method and system for exposure of a phase shift mask
JP2003515256A (en) Imaging method using phase boundary mask with deformed illumination
JPH075675A (en) Mask and preparation thereof
KR100297081B1 (en) Multi-phase photo mask using sub-wavelength structures
US4329410A (en) Production of X-ray lithograph masks
JP4613364B2 (en) Resist pattern formation method
JP2001042114A (en) Production of optical element
JP2000199968A (en) Multilayered resist structure and manufacture of three- dimensional fine structure using the same
US6495297B1 (en) Type mask for combining off axis illumination and attenuating phase shifting mask patterns
JPH06148861A (en) Photomask and its production
JPH05232684A (en) Manufacture of phase-shifted lithography mask
KR100475083B1 (en) Photomask for forming small contact holes array, method for fabricating the same and method for using the same
JPH11143047A (en) Photomask and its production
US5533634A (en) Quantum chromeless lithography
JP2001074921A (en) Two-dimensional phase device and its production
JPH0821908A (en) Production of optical element
JPS6249094B2 (en)
JP3091886B2 (en) Method of forming resist pattern
JP3273986B2 (en) Light exposure mask plate and method of manufacturing the same
KR970004421B1 (en) Photolithography apparatus in semiconductor
JPH0345951A (en) Exposure mask, production of exposure mask, and exposing method using it
JP2013246340A (en) Photomask and method of manufacturing the same, and pattern exposure method
JPH0561183A (en) Exposing mask
JPH04368947A (en) Formation of phase shift mask