JP2003149826A - Aligner and exposure method - Google Patents

Aligner and exposure method

Info

Publication number
JP2003149826A
JP2003149826A JP2001351317A JP2001351317A JP2003149826A JP 2003149826 A JP2003149826 A JP 2003149826A JP 2001351317 A JP2001351317 A JP 2001351317A JP 2001351317 A JP2001351317 A JP 2001351317A JP 2003149826 A JP2003149826 A JP 2003149826A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
substrate
post
light emitting
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001351317A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigetomo Ishibashi
臣友 石橋
Masato Hara
正人 原
Yoshinori Kobayashi
義則 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pentax Corp
Original Assignee
Pentax Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pentax Corp filed Critical Pentax Corp
Priority to JP2001351317A priority Critical patent/JP2003149826A/en
Publication of JP2003149826A publication Critical patent/JP2003149826A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aligner capable of eliminating failure partially caused on a conductor pattern on a printed circuit board due to post-stages. SOLUTION: In this aligner (100) to form a circuit pattern drawn on a mask (20) on a board (10) by using light sources (U1, U2...) including a plurality of light emitting parts respectively radiating light toward the board (10), light quantity data showing a relationship between positions where the respective light emitting parts radiate the light and light quantity to be outputted by the light emitting parts is preserved in a storage means (120) on the basis of post-stage characteristics information showing, for every different area on the board, the characteristics of the circuit pattern on the board to which the post- exposure processing is applied. Then, the light quantity of each of the light emitting parts is controlled on the basis of the light quantity data stored in the storage means.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マスクに描かれた回路
パターンを基板に露光する露光装置に関し、特に、光源
が複数の発光部を含む露光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for exposing a circuit pattern drawn on a mask onto a substrate, and more particularly to an exposure apparatus in which a light source includes a plurality of light emitting portions.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子機器は、多種多様な電子デバ
イスをプリント基板に取り付け、互いに接続することに
より製作されている。電子デバイスの取り付けに利用さ
れるプリント基板は、フォトレジストが塗布された基材
を回路パターンが形成されたマスクを介して露光し、そ
の後、露光された基板に現像、エッチング等の後工程を
施すことにより製造される。基板に露光された回路パタ
ーンは、そのままの形状で現像、エッチングされること
が理想的である。しかし、現実には、現像、エッチング
を行う個々の装置の特性により、最終的にプリント基板
に形成される回路パターンにいわゆる太りや細りが生じ
ることがある。しかも、このような太り、細りは、プリ
ント基板全体に一様ではなく、部分的に生じることがあ
った。
2. Description of the Related Art Recent electronic devices are manufactured by mounting various electronic devices on a printed circuit board and connecting them to each other. A printed circuit board used for mounting an electronic device exposes a base material coated with a photoresist through a mask on which a circuit pattern is formed, and then performs post-processes such as development and etching on the exposed substrate. It is manufactured by Ideally, the circuit pattern exposed on the substrate is developed and etched in its original shape. However, in reality, so-called thickening or thinning may occur in the circuit pattern finally formed on the printed board due to the characteristics of the individual devices for developing and etching. Moreover, such thickening and thinning may not be uniform on the entire printed circuit board but may partially occur.

【0003】上記のような回路パターン生成時の問題が
生じる場合、予めフォトマスクに描かれる回路パターン
を、後工程の特性を補正するように形成することにより
対処することが可能である。しかし、フォトマスクの制
作には多大の時間と費用が必要とされるため、フォトマ
スクを変えることなく、上記問題を解消する手段が望ま
れていた。
In the case where the above-mentioned problem in circuit pattern generation occurs, it is possible to deal with it by forming a circuit pattern drawn on a photomask in advance so as to correct the characteristics of the subsequent process. However, since it takes a lot of time and cost to produce a photomask, a means for solving the above problems without changing the photomask has been desired.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、フ
ォトマスク上のパターンに忠実な回路パターンが基板上
に形成されるように、プリント基板を露光した後の後工
程の特性を考慮して露光を行う露光装置および露光方法
を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention considers the characteristics of the post-process after exposing the printed circuit board so that a circuit pattern faithful to the pattern on the photomask is formed on the substrate. An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and an exposure method for performing exposure.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、マスクに描かれた回路パターンを基板に
露光し、所定の後工程を施すことによりプリント基板を
製造するプリント基板製造システムに用いられる露光装
置であって、各々がその基板に向けて光を照射する複数
の発光部を含む光源と、後工程特性情報に基づいて定め
られた上記発光部の各々が光を照射する位置と当該発光
部が出力すべき光量との関係を示す光量データを記憶す
る光量データ記憶手段と、その光量データ記憶手段が記
憶している光量データに基づいて、各発光部の光量を制
御する光量制御手段とを備える露光装置を提供する。こ
こで、後工程特性情報とは、露光後の後工程を施された
基板における回路パターンの特性を基板の異なる領域毎
に示す情報である。このような露光装置では、光量制御
手段が、光量データに従い、基板の異なる領域毎にその
後工程特性に合わせて、その領域を露光する発光部の光
量を設定する。このため、上記の露光装置は、後工程に
関与する種々の装置の癖が後工程特性に及ぼす影響を低
減するように基板を露光することができる。特に、光量
データが、後工程を施された基板における回路パターン
の特性がその基板の領域によらず実質的に一定となるよ
うに、発光部の各々が光を照射する位置と当該発光部が
出力する光量との関係を定めていると、そのような利益
を効果的に得ることができる。なお、上記露光装置は、
後工程特性情報が設定される後工程特性情報設定手段
と、その後工程特性設定手段が記憶している後工程特性
情報に基づいて、光量データを生成する光量データ演算
手段とをさらに備え、露光装置において光量データを生
成することとしてもよい。
In order to achieve the above object, the present invention is a printed circuit board manufacturing method for manufacturing a printed circuit board by exposing a circuit pattern drawn on a mask to a substrate and performing a predetermined post-process. An exposure apparatus used in a system, wherein each light source includes a plurality of light emitting units that emit light toward the substrate, and each of the light emitting units defined based on the post-process characteristic information emits light. A light quantity data storage unit that stores light quantity data indicating the relationship between the position and the light quantity that the light emitting unit should output, and the light quantity of each light emitting unit is controlled based on the light quantity data stored in the light quantity data storage unit. An exposure apparatus including a light amount control means is provided. Here, the post-process characteristic information is information indicating the characteristics of the circuit pattern on the substrate subjected to the post-process after exposure for each different region of the substrate. In such an exposure apparatus, the light amount control means sets the light amount of the light emitting unit that exposes the different regions of the substrate according to the subsequent process characteristics in accordance with the light amount data. Therefore, the above exposure apparatus can expose the substrate so as to reduce the influence of the habits of various apparatuses involved in the post-process on the post-process characteristics. In particular, the light amount data is such that the position where each of the light emitting portions emits light and the light emitting portion is such that the characteristics of the circuit pattern on the substrate subjected to the post-process are substantially constant regardless of the area of the substrate. If the relationship with the output light quantity is defined, such a benefit can be effectively obtained. In addition, the exposure apparatus,
The exposure apparatus further includes post-process characteristic information setting means for setting post-process characteristic information, and light amount data calculation means for generating light amount data based on the post-process characteristic information stored in the post-process characteristic setting means. The light amount data may be generated in.

【0006】本発明は、上記の他に、各々が基板に向け
て光を照射する複数の発光部を含む光源と、後工程を施
された上記基板における回路パターンの特性を示す後工
程特性情報が設定される後工程特性情報設定手段と、そ
の後工程特性情報設定手段に設定されている後工程特性
情報に基づいて発光部の各々が発光すべき光量を示す光
量データを生成する光量データ演算手段と、生成された
光量データに基づいて発光部の各々の光量を制御する光
量制御手段とを備える露光装置をも提供する。このよう
な露光装置においても、後工程特性情報に基づいて、後
工程の特性を考慮した露光を行うことができる。特に、
後工程特性情報が、回路パターンの特性を基板の異なる
領域毎に示す情報であれば、基板のその領域毎に適切な
露光が行われるように各発光部の光量を調整できるよう
になる。このことは、例えば、光量データ演算手段が、
発光部の各々が光を照射する位置と当該発光部が出力す
べき光量との関係を示す光量データを求めることにより
可能になる。
In addition to the above, the present invention provides a light source including a plurality of light emitting portions each for emitting light toward a substrate, and post-process characteristic information indicating characteristics of a circuit pattern on the substrate subjected to a post-process. And the light quantity data computing means for generating light quantity data indicating the quantity of light to be emitted by each of the light emitting units based on the post-process characteristic information set in the post-process characteristic information setting means. Also provided is an exposure apparatus including: and a light amount control unit that controls the light amount of each light emitting unit based on the generated light amount data. Even in such an exposure apparatus, it is possible to perform exposure in consideration of the characteristics of the post-process based on the post-process characteristic information. In particular,
If the post-process characteristic information is information indicating the characteristic of the circuit pattern for each different region of the substrate, it becomes possible to adjust the light amount of each light emitting unit so that appropriate exposure is performed for each region of the substrate. This means that, for example, the light quantity data calculation means
This is possible by obtaining the light amount data indicating the relationship between the position where each light emitting unit emits light and the light amount that the light emitting unit should output.

【0007】なお、上記において、後工程には、露光後
に基板を現像する現像工程、及び基板をエッチングする
エッチング工程の少なくとも一方が含まれる。
In the above, the post-process includes at least one of a developing process for developing the substrate after exposure and an etching process for etching the substrate.

【0008】本発明に係る上記2つの露光装置は、光源
から照射された光を基板上で所定の走査方向に走査させ
る走査手段と、光源から照射された光の基板上の位置に
関する位置情報を出力する位置情報出力手段とをさらに
備え、光量制御手段は、上記の位置情報に基づいて複数
の発光部の各々の光量を制御することであってもよい。
露光装置をこのように構成すると、パルス波レーザ、X
線源、発光ダイオード等、大面積に一度に光を照射でき
ない光源を利用する装置にも本発明を適用できるように
なる。この場合、特に、走査手段が、光源と基板とを相
対移動させることにより光源から照射された光を走査方
向に走査させることとすることが好ましい。このように
すれば、例えば光源と基板の間に、光を走査させるため
の回転ミラー等を配置する必要がなくなり、露光装置を
コンパクトに構成できる。
The above two exposure apparatuses according to the present invention provide scanning means for scanning the light emitted from the light source on the substrate in a predetermined scanning direction, and position information regarding the position of the light emitted from the light source on the substrate. The light quantity control means may further include position information output means for outputting, and the light quantity control means may control the light quantity of each of the plurality of light emitting units based on the position information.
When the exposure apparatus is configured in this way, a pulse wave laser, X
The present invention can be applied to an apparatus that utilizes a light source such as a radiation source or a light emitting diode that cannot irradiate light onto a large area at once. In this case, it is particularly preferable that the scanning unit scans the light emitted from the light source in the scanning direction by moving the light source and the substrate relatively. By doing so, it is not necessary to dispose a rotating mirror or the like for scanning light between the light source and the substrate, and the exposure apparatus can be made compact.

【0009】上記露光装置では、光源が、複数の発光部
が一定の条件で配列されている発光部ユニットを走査方
向に複数配置させており、光量調整手段が、複数の発光
部ユニットのうち、予め定められた一部の発光部ユニッ
トに含まれる発光部に限り光量を調整することとしても
よい。この場合には、光量調整手段が制御する対象を減
らすことで、光量調整手段の負荷を軽くできる等の利益
がある。
In the above-described exposure apparatus, the light source arranges a plurality of light emitting unit units in which a plurality of light emitting units are arranged under a constant condition in the scanning direction, and the light amount adjusting means among the plurality of light emitting unit units. The light amount may be adjusted only for the light emitting units included in some of the light emitting unit units set in advance. In this case, there is an advantage that the load of the light quantity adjusting means can be reduced by reducing the objects controlled by the light quantity adjusting means.

【0010】また、本発明に係る露光装置では、複数の
発光部が、2次元配列された複数の発光ダイオードであ
ることが好ましい。光源を小型化できる上に、高圧水銀
灯等と比較して耐久性を向上させるとともに、消費電力
を低減できるからである。
Further, in the exposure apparatus according to the present invention, it is preferable that the plurality of light emitting units are a plurality of light emitting diodes arranged two-dimensionally. This is because the light source can be downsized, the durability can be improved as compared with a high pressure mercury lamp, and the power consumption can be reduced.

【0011】また、本発明に係る露光装置は、テスト用
フォトマスクにおける前記回路パターンのデータが記憶
されているマスクデータ記憶手段をさらに備えていても
よい。この場合には、後工程特性情報は、そのテスト用
フォトマスクを用いて回路パターンが露光された基板か
ら取得される。そして、光量データ演算手段は、マスク
データ記憶手段に記憶されているテスト用フォトマスク
のデータをも利用して光量データを生成する。
Further, the exposure apparatus according to the present invention may further include a mask data storage means for storing the data of the circuit pattern in the test photomask. In this case, the post-process characteristic information is acquired from the substrate on which the circuit pattern is exposed using the test photomask. Then, the light quantity data calculating means also uses the data of the test photomask stored in the mask data storing means to generate the light quantity data.

【0012】本発明は、上記の他に、各々が基板に向け
て光を照射する複数の発光部を含む光源を用いて、マス
クに描かれた回路パターンを基板に露光する露光方法で
あって、露光後の後工程を施された基板における回路パ
ターンの特性を基板の異なる領域毎に示す後工程特性情
報に基づいて、発光部の各々が光を照射している位置と
当該発光部が出力すべき光量との関係を示す光量データ
を記憶手段に保存し、記憶手段が記憶している光量デー
タに基づいて、発光部の各々の光量を制御することを特
徴とする露光方法を提供する。
In addition to the above, the present invention is an exposure method for exposing a circuit pattern drawn on a mask to a substrate by using a light source including a plurality of light emitting units each of which emits light toward the substrate. , The position where each light emitting unit is radiating light and the light emitting unit outputs based on the post process characteristic information indicating the characteristics of the circuit pattern in the substrate subjected to the post process after exposure for each different region of the substrate. Provided is an exposure method characterized in that light quantity data indicating a relationship with a light quantity to be stored is stored in a storage means, and the light quantity of each light emitting unit is controlled based on the light quantity data stored in the storage means.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面等を参照しつつ本発明
に係る露光装置の一実施形態について説明する。本発明
に係る露光装置は、複数の発光素子のアレイからなる光
源を用いて基板を露光する。本実施形態では、はじめに
テスト用フォトマスクを用いてテストパターンを基板に
露光する。露光後、一般に知られているように、基板は
後工程を施される。ここで、後工程とは、露光装置によ
ってフォトマスクのマスクパターンが露光された後に基
板に施される工程をいい、本実施形態では、特に現像及
びエッチングの工程をいう。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of an exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. An exposure apparatus according to the present invention exposes a substrate using a light source composed of an array of a plurality of light emitting elements. In this embodiment, first, a test pattern is exposed on the substrate using a test photomask. After exposure, the substrate is post-processed, as is generally known. Here, the post-process refers to a process performed on the substrate after the mask pattern of the photomask is exposed by the exposure device, and in the present embodiment, it particularly refers to a process of development and etching.

【0014】後工程が終了した後、つまり、本実施形態
の場合、基板に現像とエッチングの処理が施された後、
基板から後工程特性情報が取得される。ここで、後工程
特性情報とは、後工程を施された基板に形成されたテス
トパターンの特性、特にテストパターンの形状的特性を
示す情報をいう。後工程特性情報には、例えば、現像後
に基板のレジスト膜に現れるテストパターンの線幅、エ
ッチング後の基板の銅板部分に現れるテストパターンの
線幅が含まれる。特に本実施形態の場合には、後工程特
性情報は後者を意味する。
After the post-process is completed, that is, in the case of the present embodiment, after the substrate is developed and etched,
Post-process characteristic information is acquired from the substrate. Here, the post-process characteristic information is information indicating the characteristics of the test pattern formed on the substrate subjected to the post-process, particularly the geometrical characteristics of the test pattern. The post-process characteristic information includes, for example, the line width of the test pattern that appears on the resist film of the substrate after development and the line width of the test pattern that appears on the copper plate portion of the substrate after etching. Particularly in the case of the present embodiment, the post-process characteristic information means the latter.

【0015】取得された後工程特性情報は、本実施形態
の露光装置に入力される。そして、露光装置は、後工程
特性情報に基づいて、マスクパターンに忠実な導体パタ
ーンが基板に形成され、基板の部分々々で導体パターン
がマスクパターンを再現している程度に差異が生じない
ように、各発光素子の露光条件を再設定する。これによ
り、露光装置は、後工程を終了した基板において、例え
ば回路パターンの局所的な太りや細りを抑制する。
The acquired post-process characteristic information is input to the exposure apparatus of this embodiment. Then, the exposure apparatus is configured such that a conductor pattern faithful to the mask pattern is formed on the substrate based on the post-process characteristic information, and there is no difference in the extent that the conductor pattern reproduces the mask pattern in each part of the substrate. Then, the exposure condition of each light emitting element is reset. As a result, the exposure apparatus suppresses local thickening or thinning of the circuit pattern, for example, on the substrate after the post-process.

【0016】図1は、本実施形態に係る露光装置100
の構成を示すブロック図である。以下、図2等を用いな
がら露光装置100について説明するが、以下の説明に
おいて、基板の露光面に平行な面をxy平面と呼び、x
y平面内で互いに直交する2つの方向をそれぞれx方向
およびy方向と呼ぶこととする。
FIG. 1 shows an exposure apparatus 100 according to this embodiment.
3 is a block diagram showing the configuration of FIG. The exposure apparatus 100 will be described below with reference to FIG. 2 and the like. In the following description, a plane parallel to the exposure surface of the substrate is referred to as an xy plane, and x
Two directions orthogonal to each other in the y-plane will be referred to as an x-direction and a y-direction, respectively.

【0017】図1に示されるように、露光装置100
は、基板10を保持し、かつ、基板10をx、y2方向
に移動させることができる基板ステージ102、その基
板ステージ102の動作を制御する基板テーブル制御部
104、及び、基板10の露光面に平行にフォトマスク
20を保持するマスクステージ106を備える。本実施
形態において、マスクステージ106は、基板10の露
光面から数ミクロンから数十ミクロンの間隔をおいてフ
ォトマスク20を保持する。あるいは、マスクステージ
106は、基板10の露光面にフォトマスク20が密着
するようにフォトマスク20を保持する。したがって、
本実施形態では、フォトマスク20に描かれているパタ
ーンがほぼ1:1の縮尺比で基板10に露光される。
As shown in FIG. 1, the exposure apparatus 100.
Is a substrate stage 102 that holds the substrate 10 and can move the substrate 10 in the x and y2 directions, a substrate table control unit 104 that controls the operation of the substrate stage 102, and an exposure surface of the substrate 10. A mask stage 106 holding the photomask 20 is provided in parallel. In the present embodiment, the mask stage 106 holds the photomask 20 at a distance of several microns to several tens of microns from the exposed surface of the substrate 10. Alternatively, the mask stage 106 holds the photomask 20 so that the photomask 20 is in close contact with the exposed surface of the substrate 10. Therefore,
In this embodiment, the pattern drawn on the photomask 20 is exposed on the substrate 10 at a scale ratio of about 1: 1.

【0018】また、露光装置100は、基板10に向け
て光を照射する光源108を備えている。本実施形態の
場合、光源108は、後述するように、各々が基板10
へ向けて光を照射するように2次元的に配列された複数
の発光素子を備えている。
The exposure apparatus 100 also includes a light source 108 for irradiating the substrate 10 with light. In the case of the present embodiment, each of the light sources 108 has a substrate 10 as described later.
It is provided with a plurality of light emitting elements arranged two-dimensionally so as to irradiate light toward.

【0019】露光装置100は、さらに、光源108を
予め定められた走査方向(本実施形態の場合にはx方
向)に前後駆動する光源駆動部110と、その光源駆動
部110の動作を制御することにより光源を走査させる
光源走査制御部112と、光源108の走査方向位置を
検出し、光源走査制御部112へ出力するエンコーダ等
の位置検出部114とを備える。また、露光装置100
は、光源108が出力する光量を制御する光量制御部1
16と、光源108が備える各発光素子について、その
発光素子に供給される電力(又は電流、電圧)とその結
果得られる光量との関係を示すデータを保存している供
給電力−光量関係データ記憶部132とを備える。この
光量制御部116は、供給電力−光量関係データ記憶部
132に記憶されているデータを参照しながら、光源1
08が有する各発光素子へ供給する電力(又は電流、電
圧)を調整することで、それらの出力する光量を個別に
制御する。また、光量制御部116は、位置検出部11
4が出力する光源108の位置情報を利用して、各発光
素子の光量を、その発光素子の走査方向の位置に応じて
制御する。
The exposure apparatus 100 further controls a light source drive unit 110 that drives the light source 108 back and forth in a predetermined scanning direction (x direction in this embodiment), and the operation of the light source drive unit 110. Thus, the light source scanning control unit 112 that scans the light source, and the position detection unit 114 such as an encoder that detects the scanning direction position of the light source 108 and outputs the position to the light source scanning control unit 112 are provided. Also, the exposure apparatus 100
Is a light amount control unit 1 that controls the amount of light output from the light source 108.
16 and for each light-emitting element included in the light source 108, the supplied power-light amount relational data storage that stores data indicating the relationship between the power (or current, voltage) supplied to the light-emitting device and the resulting light amount. And a section 132. The light quantity control unit 116 refers to the data stored in the supplied power-light quantity relation data storage unit 132 while referring to the light source 1
By adjusting the power (or current or voltage) supplied to each light emitting element included in 08, the light amount output by each of them is individually controlled. In addition, the light quantity control unit 116 includes the position detection unit 11
The light amount of each light emitting element is controlled according to the position of the light emitting element in the scanning direction by using the position information of the light source 108 output from the light emitting element 4.

【0020】露光装置100は、さらに、光源走査部1
12、光量制御部116、及び基板テーブル104の動
作を制御し、それにより露光装置100の円滑な露光動
作を達成する主制御部118を備えている。
The exposure apparatus 100 further includes a light source scanning section 1
12, a light amount controller 116, and a main controller 118 that controls the operations of the substrate table 104 and thereby achieves a smooth exposure operation of the exposure apparatus 100.

【0021】露光装置100は、さらに、光量制御部1
16が光源108の光量を制御するときに参照すべきデ
ータ、すなわち、各発光素子の走査方向位置と、その発
光素子の光量との関係を示す光量データを記憶する光量
データ記憶部120と、その光量データを生成する光量
データ演算部122とを有する。また、露光装置100
は、光量データ演算部122が上記の光量データを生成
するときに参照すべきデータをそれぞれ記憶しているマ
スクデータ記憶部124、後工程特性設定部126、光
量補正データ記憶部128、及び基準光量設定部130
を備えている。
The exposure apparatus 100 further includes a light amount control section 1
A light quantity data storage unit 120 that stores data to be referred to when 16 controls the light quantity of the light source 108, that is, light quantity data indicating the relationship between the scanning direction position of each light emitting element and the light quantity of the light emitting element, and And a light quantity data calculation unit 122 for generating light quantity data. Also, the exposure apparatus 100
Is a mask data storage unit 124 that stores data to be referred to when the light amount data calculation unit 122 generates the above light amount data, a post-process characteristic setting unit 126, a light amount correction data storage unit 128, and a reference light amount. Setting unit 130
Is equipped with.

【0022】基準光量設定部130には、光源108の
各発光素子が出力すべき標準的な光量が入力、設定され
る。本実施形態では、例えば、テスト用フォトマスク2
00を用いて基板にテストパターンを露光するときは、
光源108が有する各発光素子が基準光量設定部130
に設定されている光量で、つまり、全発光素子が同じ光
量で発光させられる。
The standard light amount setting section 130 receives and sets a standard light amount to be output by each light emitting element of the light source 108. In the present embodiment, for example, the test photomask 2
When exposing a test pattern on a substrate using 00,
Each light emitting element of the light source 108 has a reference light amount setting unit 130.
With the light amount set to, that is, all the light emitting elements emit light with the same light amount.

【0023】マスクデータ記憶部124は、光量データ
を生成するために必要となる、テスト用フォトマスク2
00に関するデータを記憶している記憶装置である。テ
スト用フォトマスク200は、前述したように、後工程
特性情報を取得するために利用するフォトマスクであ
る。
The mask data storage section 124 is used for generating the light amount data, and the test photomask 2 is required.
00 is a storage device that stores data regarding 00. The test photomask 200 is a photomask used to acquire the post-process characteristic information, as described above.

【0024】図2に、本実施形態で使用するテスト用フ
ォトマスク200の一例の斜視図を示す。テスト用フォ
トマスク200には、図中点線による仮想線で示されて
いる複数のエリアA1からA9が定義されており、各エ
リアにテストパターンが描かれている。また、フォトマ
スク200の例えば4角には、アライメント用の基準マ
ーク202が設けられている。本実施形態では、フォト
マスク200上の位置が、予め定められた一つの基準マ
ーク202を原点とするx−y直交座標系で表される。
例えば、エリアA1の4角の位置は、図中に示してある
ように、そのx−y座標系を用いて(x0、y0)、
(x1、y0)、(x1、y1)、及び(x0、y1)
でそれぞれ表される。このテスト用フォトマスク200
は、種々のサイズの基板10に対応できるように、種々
の異なるサイズが用意される。なお、図2では、テスト
用フォトマスク200にA1からA9までの9つのエリ
アが定義される例を示しているが、これは、テスト用フ
ォトマスク上に定義するエリアの個数を限定するもので
はなく、テスト用フォトマスク200には、任意の数の
エリアを定義することができる。
FIG. 2 shows a perspective view of an example of the test photomask 200 used in this embodiment. In the test photomask 200, a plurality of areas A1 to A9 shown by phantom lines in the figure are defined, and a test pattern is drawn in each area. Further, reference marks 202 for alignment are provided on, for example, four corners of the photomask 200. In the present embodiment, the position on the photomask 200 is represented by an xy orthogonal coordinate system whose origin is one predetermined reference mark 202.
For example, the positions of the four corners of the area A1 are (x0, y0) using the xy coordinate system, as shown in the figure,
(X1, y0), (x1, y1), and (x0, y1)
Represented by This test photomask 200
Are prepared in various different sizes to accommodate substrates 10 of various sizes. Although FIG. 2 shows an example in which nine areas A1 to A9 are defined in the test photomask 200, this does not limit the number of areas defined on the test photomask. Instead, the test photomask 200 can define any number of areas.

【0025】図3は、本実施形態においてマスクデータ
記憶部124が記憶しているデータ内容の一例を示す図
である。図示のように、マスクデータ記憶部124に
は、マスク番号、エリア番号、エリア範囲データ、及び
パターン線幅が互いに対応づけられて記憶されている。
FIG. 3 is a diagram showing an example of the data contents stored in the mask data storage unit 124 in this embodiment. As shown in the figure, the mask data storage unit 124 stores mask numbers, area numbers, area range data, and pattern line widths in association with each other.

【0026】マスク番号は、異なるサイズのテスト用フ
ォトマスク200を識別するための識別情報として各テ
スト用フォトマスク200に与えられる番号である。エ
リア番号は、テスト用フォトマスク上に定義された各エ
リアを識別するための識別情報として各エリアに与えら
れる番号である。図2において各エリアに付してあるA
1〜A9の番号がこれに該当する。エリア範囲データ
は、各エリアのテスト用フォトマスク上の範囲を示すデ
ータである。本実施形態の場合、図2で説明した各エリ
アの4角の座標がエリア範囲データとして利用される。
The mask number is a number given to each test photomask 200 as identification information for identifying different size test photomasks 200. The area number is a number given to each area as identification information for identifying each area defined on the test photomask. A attached to each area in FIG.
The numbers 1 to A9 correspond to this. The area range data is data indicating the range of each area on the test photomask. In the case of the present embodiment, the coordinates of the four corners of each area described in FIG. 2 are used as area range data.

【0027】パターン線幅は、テスト用フォトマスク2
00の各エリアに描かれたテストパターンがそれぞれ目
標としているの線幅である。テスト用フォトマスク20
0の各エリアに目標値の異なる線幅のテストパターンを
設けた場合には、パターン線幅は各エリア番号毎に一つ
ずつ記録される。本実施形態では、全てのエリアに同じ
線幅W1を目標値とするテストパターンを設けたので、
パターン線幅は全マスク番号に対して1つの値のみが記
録されている。
The pattern line width is the same as that of the test photomask 2.
The test pattern drawn in each area 00 is the target line width. Test photomask 20
When a test pattern having a different target line width is provided in each area of 0, one pattern line width is recorded for each area number. In this embodiment, since the test pattern having the same line width W1 as the target value is provided in all areas,
As for the pattern line width, only one value is recorded for all mask numbers.

【0028】図1に戻って、後工程特性設定部126に
は、前述した後工程特性情報が入力、設定される。図4
に、本実施形態において後工程特性設定部126に入力
される後工程特性情報の例を示す。図示のように、後工
程特性情報には、後工程特性情報を取得するために利用
されたテスト用フォトマスク200のマスク番号、その
テスト用フォトマスク上に定義されているエリアのエリ
ア番号、及び各エリア番号に対応するパターン線幅が含
まれる。パターン線幅は、テスト用フォトマスク200
の各エリア内のテストパターンが基板に露光され、現
像、エッチングされた結果、その基板に形成された各導
体パターンの線幅である。露光後の基板を現像する現像
装置、又はエッチングを行うエッチング装置の特性によ
り、現像又はエッチングに偏りが生じ、その結果、基板
に形成されたパターンに部分的な太り又は細りが生じた
場合には、それは、後工程特性情報のパターン線幅の値
のばらつきとなって現れる。
Returning to FIG. 1, the post-process characteristic setting section 126 receives and sets the post-process characteristic information. Figure 4
An example of the post-process characteristic information input to the post-process characteristic setting unit 126 in the present embodiment is shown in FIG. As illustrated, the post-process characteristic information includes the mask number of the test photomask 200 used to acquire the post-process characteristic information, the area number of the area defined on the test photomask, and The pattern line width corresponding to each area number is included. The pattern line width is the photomask 200 for the test.
Is the line width of each conductor pattern formed on the substrate as a result of the test pattern in each area being exposed, developed and etched on the substrate. If the development or etching is biased due to the characteristics of the developing device that develops the substrate after exposure or the etching device that performs etching, and if the pattern formed on the substrate is partially thickened or thinned as a result, , That appears as a variation in the value of the pattern line width of the post-process characteristic information.

【0029】図1に戻って、光量補正データ記憶部12
8は、パターン線幅比率と、光源の光量補正量との関係
を記憶する記憶部である。ここで、パターン線幅比率と
は、テスト用フォトマスク200のパターン線幅W(図
3参照)に対する、実際に基板を現像、エッチングして
得られたパターンの線幅w(図4参照)の比率(w/
W)である。また、光量補正量とは、光源108の発光
素子が出力する光量を基準光量設定部130で設定され
ている基準光量から変化させるべき割合である。
Returning to FIG. 1, the light quantity correction data storage unit 12
Reference numeral 8 denotes a storage unit that stores the relationship between the pattern line width ratio and the light amount correction amount of the light source. Here, the pattern line width ratio is the line width w (see FIG. 4) of the pattern obtained by actually developing and etching the substrate with respect to the pattern line width W (see FIG. 3) of the test photomask 200. Ratio (w /
W). The light amount correction amount is a ratio at which the light amount output from the light emitting element of the light source 108 should be changed from the reference light amount set by the reference light amount setting unit 130.

【0030】図5に、基板10の露光面にポジティブな
レジスト膜を使用する場合に、光量補正データ記憶部1
28が記憶するデータの一例を示した。図示のように、
光量補正データ記憶部128は、複数のパターン幅比率
及び光量補正量を1対1に対応づけて記憶している。図
において、αは正の値を取り、光量を増大させることを
意味し、βは負の値を取り、光量を減少させることを意
味する。
FIG. 5 shows the light quantity correction data storage unit 1 when a positive resist film is used on the exposed surface of the substrate 10.
28 shows an example of data stored by 28. As shown,
The light amount correction data storage unit 128 stores a plurality of pattern width ratios and light amount correction amounts in a one-to-one correspondence. In the figure, α takes a positive value to increase the light amount, and β takes a negative value to decrease the light amount.

【0031】図において、パターン幅比率「1.00」
は、テスト用フォトマスク200に描かれているテスト
パターンの線幅と同一の線幅を有する導体パターンがエ
ッチング後に基板に形成されたことを示している。つま
り、基板に形成された導体パターンには太りも細りも発
生していないことが示されている。図5では、パターン
線幅比率「1.00」に対して、光量補正量0%が対応
づけられている。つまり、基板10に形成されたパター
ンに太りも細りも発生していない場合には、光源108
の発光素子が出力する光量を基準光量設定部130に設
定されている基準光量に維持し、変化させないことが示
されている。
In the figure, the pattern width ratio "1.00"
Indicates that a conductor pattern having the same line width as the line width of the test pattern drawn on the test photomask 200 was formed on the substrate after etching. That is, it is shown that neither thick nor thin is generated in the conductor pattern formed on the substrate. In FIG. 5, the light quantity correction amount of 0% is associated with the pattern line width ratio “1.00”. That is, when the pattern formed on the substrate 10 is neither thick nor thin, the light source 108
It is shown that the light quantity output from the light emitting element is maintained at the reference light quantity set in the reference light quantity setting unit 130 and is not changed.

【0032】一方、パターン幅比率「1.02」は、テ
スト用フォトマスク200に描かれているテストパター
ンの線幅に対して、基板に形成された導体パターンの線
幅が2%大きい、つまり太りが生じていることを示して
いる。ポジティブなレジスト膜を使用した場合に、基板
に形成されたパターンに太りが生じたときは、レジスト
膜の露光量を増大させることで、その太りを抑制するこ
とができる。このために、図5に示すように、パターン
幅比率「1.02」に対しては、光量補正量+α2%が
対応づけられており、光源108の発光素子が出力する
光量を基準光量からα2%だけ増大させることが示され
ている。
On the other hand, the pattern width ratio “1.02” means that the line width of the conductor pattern formed on the substrate is 2% larger than the line width of the test pattern drawn on the test photomask 200. It indicates that overweight is occurring. When a positive resist film is used and the pattern formed on the substrate becomes thick, the thickness can be suppressed by increasing the exposure amount of the resist film. For this reason, as shown in FIG. 5, the light amount correction amount + α2% is associated with the pattern width ratio “1.02”, and the light amount output from the light emitting element of the light source 108 is changed from the reference light amount to α2. It has been shown to increase by%.

【0033】次に、露光装置100で用いられている光
源108の構成についてより詳細に説明する。図6は、
基板ステージ102側から斜めに見た光源108を示す
斜視図である。光源108は、光源108の走査方向
(x方向)に並べられた複数のユニットU1、U2、・
・・・・、Unを備えている。各光源ユニットは、基板
10の露光面に平行な面内に2次元配列された複数の発
光素子136を備えている。各発光素子136は、各々
の光量を独立して制御できるように、不図示の配線によ
り光量制御部116(図1参照)に接続されている。
Next, the structure of the light source 108 used in the exposure apparatus 100 will be described in more detail. Figure 6
FIG. 4 is a perspective view showing a light source 108 when viewed obliquely from the substrate stage 102 side. The light source 108 includes a plurality of units U1, U2, ... Arranged in the scanning direction (x direction) of the light source 108.
..., equipped with Un. Each light source unit includes a plurality of light emitting elements 136 arranged two-dimensionally in a plane parallel to the exposure surface of the substrate 10. Each light emitting element 136 is connected to the light amount control unit 116 (see FIG. 1) by a wiring (not shown) so that each light amount can be controlled independently.

【0034】図7は、光源ユニットU1の一部断面図で
あり、基板10の露光面に垂直であり、かつ、y方向に
平行な面に沿った光源ユニットU1の断面の一部を示し
ている。光源ユニットU1内には、プリント基板134
が配置されており、そのプリント基板134に前述した
複数の発光素子136が取り付けられている。本実施形
態の場合、発光素子136として発光ダイオード(LE
D)を用いることが望ましい。発光ダイオードを用いた
場合には、光源108の耐久性を向上させることがで
き、また、その消費電力を抑制することもできるからで
ある。また、基板10に紫外線に反応するタイプのレジ
スト膜が塗布されている場合には、紫外域の光を発光す
る発光ダイオードを利用することも可能である。
FIG. 7 is a partial cross-sectional view of the light source unit U1, showing a part of the cross section of the light source unit U1 along a plane perpendicular to the exposure surface of the substrate 10 and parallel to the y direction. There is. In the light source unit U1, a printed circuit board 134 is provided.
Are arranged, and the plurality of light emitting elements 136 described above are attached to the printed circuit board 134. In the case of this embodiment, a light emitting diode (LE) is used as the light emitting element 136.
It is desirable to use D). This is because when the light emitting diode is used, the durability of the light source 108 can be improved and the power consumption thereof can be suppressed. Further, when the substrate 10 is coated with a resist film of a type that reacts with ultraviolet rays, it is also possible to use a light emitting diode that emits light in the ultraviolet region.

【0035】発光素子136の基板ステージ102側に
は、レンズパネル138が備えられている。レンズパネ
ル138は、ガラス又は光透過性のある樹脂からなり、
各発光素子136から照射された光の通過位置にコリメ
ータレンズ140が形成されている。従って、各発光素
子136から出た光は、コリメータレンズ140によっ
て平行光に変換され、その後、基板10又はフォトマス
ク20に照射される。
A lens panel 138 is provided on the substrate stage 102 side of the light emitting element 136. The lens panel 138 is made of glass or light-transmissive resin,
A collimator lens 140 is formed at a position where the light emitted from each light emitting element 136 passes. Therefore, the light emitted from each light emitting element 136 is converted into parallel light by the collimator lens 140, and thereafter, is irradiated onto the substrate 10 or the photomask 20.

【0036】図8は、各光源ユニットにおける発光素子
136の配列を説明するための図である。図8におい
て、黒点pは発光素子136の位置を表しており、破線
による円形部qは各発光素子136からコリメータレン
ズ140を介して照射された光が、基板10又はフォト
マスク20に形成するビームスポットを表している。
FIG. 8 is a diagram for explaining the arrangement of the light emitting elements 136 in each light source unit. In FIG. 8, a black dot p indicates the position of the light emitting element 136, and a circular portion q indicated by a broken line is a beam formed by the light emitted from each light emitting element 136 through the collimator lens 140 on the substrate 10 or the photomask 20. It represents a spot.

【0037】本実施形態の光源ユニットでは、等間隔a
でy方向に配置された発光素子136の列が、x方向、
つまり走査方向へ等間隔bで複数列配置されている。発
光素子136の各列は、光源ユニットがx方向に走査さ
れたときに、1つの光源ユニット内の2つの発光素子1
36がそれぞれ形成するビームスポットqが走査方向に
おいて完全に重なることがないように、y方向に互いに
一定距離cだけずらされて配置されている。
In the light source unit of this embodiment, the equal intervals a
The rows of the light emitting elements 136 arranged in the y direction are
That is, a plurality of columns are arranged at equal intervals b in the scanning direction. Each row of the light emitting elements 136 has two light emitting elements 1 in one light source unit when the light source unit is scanned in the x direction.
In order that the beam spots q formed by 36 do not completely overlap each other in the scanning direction, they are displaced from each other by a constant distance c in the y direction.

【0038】また、ビームスポットの径をd、一つの光
源ユニット内の発光素子136の列数mとすると、発光
素子136は、次式が成立するように配列される; (d×m)≧a ・・・(1) (c×m)=a ・・・(2) 式(1)、(2)が満たされている場合には、光源ユニ
ットをx方向に走査させると、図8において、斜線部r
およびsで示すように、相前後する列の発光素子136
のビームスポットがそれぞれ基板10上を通過する領域
が一部において重複する。このために、光源ユニットが
x方向に走査されたときに、基板10の全面に光源ユニ
ットからの光が照射され、光が照射されず、露光されな
い領域が残るという事態が生じない。
Further, assuming that the diameter of the beam spot is d and the number of rows of the light emitting elements 136 in one light source unit is m, the light emitting elements 136 are arranged so that the following equation holds: (d × m) ≧ a ... (1) (c × m) = a ... (2) When the expressions (1) and (2) are satisfied, when the light source unit is scanned in the x direction, FIG. , Shaded area r
And s, the light-emitting elements 136 in successive columns
The areas where the beam spots of the above pass on the substrate 10 partially overlap. For this reason, when the light source unit is scanned in the x direction, the light from the light source unit is applied to the entire surface of the substrate 10 and the light is not applied.

【0039】次に、上記に説明した本実施形態の露光装
置100の動作について説明する。図9は、テスト用フ
ォトマスク200を用いて基板10にテストパターンを
露光する場合の露光装置100の動作の一例を示すフロ
ーチャートである。また、図10は、テスト用フォトマ
スク200を用いて基板10にテストパターンを露光す
るときの光源108が備える発光素子136の走査方向
位置Xと、その発光素子136が出力する光量Lとの関
係を特定の発光素子136aを例に説明する図である。
Next, the operation of the exposure apparatus 100 of this embodiment described above will be described. FIG. 9 is a flowchart showing an example of the operation of the exposure apparatus 100 when a test pattern is exposed on the substrate 10 using the test photomask 200. Further, FIG. 10 shows the relationship between the scanning direction position X of the light emitting element 136 included in the light source 108 and the light amount L output from the light emitting element 136 when the test pattern is exposed on the substrate 10 using the test photomask 200. FIG. 3 is a diagram illustrating a specific light emitting element 136a as an example.

【0040】図9に示すように、テスト用フォトマスク
200を用いて露光を行う場合には、露光装置100に
基板10およびテスト用フォトマスク200が取り付け
られ、また、それらのアライメントが行われた後に、基
準光量設定部130に基準光量L1が入力、設定される
(S102)。入力される基準光量L1は、光源108
が備えている発光素子136が出力できる光量範囲中の
任意の値とすることができるが、後に、光量を調整でき
る範囲を可能な限り大きくとることを考慮して、光量調
整可能な範囲のほぼ中央の光量を基準光量L1とするこ
とが望ましい。
As shown in FIG. 9, when exposure is performed using the test photomask 200, the substrate 10 and the test photomask 200 are attached to the exposure apparatus 100, and their alignment is performed. After that, the reference light amount L1 is input and set in the reference light amount setting unit 130 (S102). The input reference light amount L1 is the light source 108.
Can be set to an arbitrary value within the light amount range that can be output by the light emitting element 136 included in the light emitting element 136. However, in consideration of making the light amount adjustable range as large as possible later, the light amount adjustable range is almost It is desirable to set the central light amount as the reference light amount L1.

【0041】次に、光源108が、図10に示されるよ
うに、走査を開始する走査開始位置へ移動される(S1
04)。本実施形態の場合、走査開始位置は、光源10
8において走査方向の最も前方に位置する発光素子13
6が、基板10より手前に位置し、その発光素子136
からの光が直接基板10を露光しない位置である。
Next, the light source 108 is moved to a scanning start position for starting scanning as shown in FIG. 10 (S1).
04). In the case of the present embodiment, the scanning start position is the light source 10
8, the light emitting element 13 located at the foremost position in the scanning direction
6 is located in front of the substrate 10 and the light emitting element 136
This is a position where the light from does not directly expose the substrate 10.

【0042】次に、光量制御部116が光源108の備
える各発光素子136を点灯、発光させる(S10
6)。このとき、光量制御部116は、基準光量設定部
130から基準光量L1を読み取り、全ての発光素子1
36の光量が読み取った基準光量L1となるように各発
光素子136へ供給する電力を調整する。
Next, the light quantity control unit 116 lights up and emits light from each light emitting element 136 included in the light source 108 (S10).
6). At this time, the light amount control unit 116 reads the reference light amount L1 from the reference light amount setting unit 130, and all the light emitting elements 1
The power supplied to each light emitting element 136 is adjusted so that the light amount of 36 becomes the read reference light amount L1.

【0043】次に、光源走査制御部112が光源駆動部
110を制御して、光源108を走査開始位置から、光
源108の全体が基板10を完全に通過した走査終了位
置まで、一定の速度で移動させる(S108)。図10
において発光素子136aを例に示すように、光源10
8が走査開始位置X1から走査終了位置X2まで走査す
る間、光量制御部116は、各発光素子136の光量L
を基準光量L1に維持する。このために、S108で
は、基板10の全面がほぼ均一な光量で露光される。
Next, the light source scanning control unit 112 controls the light source driving unit 110, and at a constant speed from the scanning start position of the light source 108 to the scanning end position where the entire light source 108 has completely passed through the substrate 10. It is moved (S108). Figure 10
In the example of the light emitting element 136a in FIG.
While the light source 8 is scanning from the scan start position X1 to the scan end position X2, the light quantity control unit 116 controls the light quantity L of each light emitting element 136.
Is maintained at the reference light amount L1. Therefore, in S108, the entire surface of the substrate 10 is exposed with a substantially uniform light amount.

【0044】走査終了位置まで光源108が走査される
と、光量制御部116は、各発光素子136を消灯させ
る(S110)。これにより、露光装置100によるテ
スト用フォトマスク200を用いた基板10の露光は終
了する。
When the light source 108 is scanned to the scanning end position, the light quantity control unit 116 turns off each light emitting element 136 (S110). As a result, the exposure of the substrate 10 using the test photomask 200 by the exposure apparatus 100 is completed.

【0045】上記露光の後に、前述したように、露光さ
れた基板10が後工程に回され、現像、エッチング等の
後工程を施される。そして、本実施形態の場合には、エ
ッチング処理が終了した後にテスト用フォトマスク20
0の各エリアA1〜A9により基板10に形成された各
テストパターンの線幅が計測される。計測された線幅
は、図4において説明した後工程特性情報として利用さ
れる。
After the above-mentioned exposure, as described above, the exposed substrate 10 is passed to a post-process and subjected to post-processes such as development and etching. In the case of the present embodiment, the test photomask 20 is formed after the etching process is completed.
The line width of each test pattern formed on the substrate 10 is measured in each area A1 to A9 of 0. The measured line width is used as the post-process characteristic information described in FIG.

【0046】図11は、後工程特性情報に基づいて光量
データを生成するときの露光装置100の動作を示すフ
ローチャートである。また、図12は、光量データ記憶
部120に記憶されている光量データを利用して露光を
行うときの露光装置100の動作を示すフローチャート
である。さらに、図13は、露光装置100が光量デー
タ記憶部120に記憶されている光量データを利用して
露光を行う場合に、光源108が備える発光素子136
の走査方向位置Xと、その発光素子136が出力する光
量Lとの関係を2つの発光素子136b及び136cを
例に説明する図である。
FIG. 11 is a flow chart showing the operation of the exposure apparatus 100 when the light amount data is generated based on the post-process characteristic information. Further, FIG. 12 is a flowchart showing the operation of the exposure apparatus 100 when performing exposure using the light amount data stored in the light amount data storage unit 120. Further, FIG. 13 shows that the light emitting element 136 included in the light source 108 when the exposure apparatus 100 performs exposure using the light amount data stored in the light amount data storage unit 120.
FIG. 3 is a diagram for explaining the relationship between the position X in the scanning direction and the light amount L output by the light emitting element 136, using two light emitting elements 136b and 136c as an example.

【0047】図11に示すように、光量データを生成す
る場合には、はじめに、基準光量L1、および前述した
手順により取得された後工程特性情報(図4参照)がそ
れぞれ基準光量設定部130、および後工程特性設定部
126に入力、設定される(S202)。
As shown in FIG. 11, when the light amount data is generated, first, the reference light amount L1 and the post-process characteristic information (see FIG. 4) acquired by the above-described procedure are respectively set to the reference light amount setting section 130. And is input and set in the post-process characteristic setting unit 126 (S202).

【0048】次に、光量データ演算部122が、後工程
特性設定部126に記憶されている後工程特性情報と、
マスクデータ記憶部124に記憶されているテスト用フ
ォトマスク200に関するデータ(図3参照)とに基づ
いて、パターン幅比率をエリア番号毎に求める(S20
4)。具体的には、光量データ演算部122は、まず、
後工程特性情報が有するマスク番号と同一のマスク番号
に対応づけられてマスクデータ記憶部124に記憶され
ているパターン線幅を取得する。図3および図4に示し
たデータの例に従って説明すれば、後工程特性情報に
は、マスク番号1が記録されているので、光量データ演
算部122は、マスクデータ記憶部124から、マスク
番号1に対応づけられて記憶されているパターン線幅W
1を読み出す。次に、光量データ演算部122は、後工
程特性情報において各エリア番号に対応づけられている
パターン線幅(w1〜w9)を上記パターン線幅W1で
除すことにより、各エリア番号毎にパターン線幅比率を
求める。なお、ここでは、簡単のため、エリア番号A5
について求められたパターン線幅比率は0.99であ
り、他のエリア番号について求められたパターン線幅比
率は全て1.00であったと仮定して以下の説明を行
う。
Next, the light amount data calculation unit 122 stores the post-process characteristic information stored in the post-process characteristic setting unit 126,
The pattern width ratio is calculated for each area number based on the data (see FIG. 3) regarding the test photomask 200 stored in the mask data storage unit 124 (S20).
4). Specifically, the light amount data calculation unit 122 first
The pattern line width stored in the mask data storage unit 124 in association with the same mask number as the post-process characteristic information is acquired. Explaining according to the example of the data shown in FIGS. 3 and 4, since the mask number 1 is recorded in the post-process characteristic information, the light amount data calculation unit 122 causes the mask data storage unit 124 to read the mask number 1 Pattern line width W stored in association with
Read 1. Next, the light amount data calculation unit 122 divides the pattern line width (w1 to w9) associated with each area number in the post-process characteristic information by the pattern line width W1 to obtain a pattern for each area number. Calculate the line width ratio. Here, for simplicity, area number A5
The following description will be made on the assumption that the pattern line width ratios obtained with respect to the area numbers are 0.99 and the pattern line width ratios obtained with respect to the other area numbers are all 1.00.

【0049】次に、光量データ演算部122は、エリア
番号毎の発光素子の光量補正量を求める(S206)。
具体的には、光量データ演算部122は、光量補正デー
タ記憶部128に記憶されているデータを参照すること
で、S204において各エリア番号について求めたパタ
ーン線幅比率に対応する光量補正量を求める。本実施形
態では、パターン線幅比率0.99であったエリア番号
A5については、光量補正量として−β1%が得られ
(図5参照)、他のエリア番号については、0%が得ら
れる。
Next, the light amount data calculation unit 122 obtains the light amount correction amount of the light emitting element for each area number (S206).
Specifically, the light amount data calculation unit 122 obtains the light amount correction amount corresponding to the pattern line width ratio obtained for each area number in S204 by referring to the data stored in the light amount correction data storage unit 128. . In this embodiment, -β1% is obtained as the light amount correction amount for the area number A5 whose pattern line width ratio was 0.99 (see FIG. 5), and 0% is obtained for the other area numbers.

【0050】次に、光量データ演算部122は、光源1
08が備える各発光素子136について、走査方向の位
置Xと、その位置で出力すべき光量Lとの関係、つまり
光量データを求める(S208〜S218)。すなわ
ち、光量データ演算部122は、はじめにデータを参照
すべき対象エリアの番号をA1と定める。(S20
8)。次に、光量データ演算部122は、マスクデータ
記憶部124にその対象エリアに対応して記憶されてい
るy座標の範囲と、例えば光量データ演算部122が実
行するプログラムに予め設定されている各発光素子のy
方向位置とを比較することにより、対象エリアのy座標
範囲内に位置する発光素子136を特定する(S21
0)。例えば、対象エリアがA5であれば、y1〜y2
の範囲内に位置する発光素子136を特定する(図13
中、発光素子136b〜136g参照)。これにより、
光量データ演算部122は、光源108をx方向に走査
した場合に、対象エリアを露光することとなる発光素子
136を求めることができる。
Next, the light quantity data calculator 122 determines that the light source 1
For each light emitting element 136 included in 08, the relationship between the position X in the scanning direction and the light amount L to be output at that position, that is, the light amount data is obtained (S208 to S218). That is, the light amount data calculation unit 122 first determines the number of the target area to which the data should be referred to as A1. (S20
8). Next, the light amount data calculation unit 122 is preset in the range of the y coordinate stored in the mask data storage unit 124 corresponding to the target area and in the program executed by the light amount data calculation unit 122, for example. Y of the light emitting element
The light emitting element 136 located within the y coordinate range of the target area is specified by comparing the directional position (S21).
0). For example, if the target area is A5, y1 to y2
The light emitting element 136 located within the range is specified (see FIG. 13).
, Light emitting elements 136b to 136g). This allows
The light amount data calculation unit 122 can determine the light emitting element 136 that will expose the target area when the light source 108 is scanned in the x direction.

【0051】次に、光量データ演算部122は、S21
0で特定した各発光素子136が、走査中に、対象エリ
アのx座標範囲に位置するときに出力すべき光量L2を
定める(S212)。光量L2は、S206で求められ
た対象エリアの光量補正量をγ%とすれば、次式より求
められる。 L2=L1×(1+γ/100)・・・(2) 前述したエリアA5を例に説明すれば、光量データ演算
部122は、発光素子136b〜136gの各々が、x
1〜x2の範囲内に位置しているときに出力すべき光量
を、L2=L1×(1+β1/100)に定める。ま
た、対象エリアが例えばA2であれば、光量データ演算
部122は、発光素子136b〜136gの各々が、x
0〜x1の範囲内に位置しているときに出力すべき光量
を、L2=L1×(1+0/100)、つまり、L1に
定める。
Next, the light quantity data calculation unit 122 determines in S21.
Each light emitting element 136 specified by 0 determines the light amount L2 to be output when it is located in the x coordinate range of the target area during scanning (S212). The light quantity L2 is calculated by the following equation, where γ% is the light quantity correction amount of the target area calculated in S206. L2 = L1 × (1 + γ / 100) (2) If the area A5 described above is taken as an example, the light amount data calculation unit 122 determines that each of the light emitting elements 136b to 136g is x.
The amount of light to be output when located in the range of 1 to x2 is defined as L2 = L1 × (1 + β1 / 100). If the target area is, for example, A2, the light amount data calculation unit 122 determines that each of the light emitting elements 136b to 136g is x.
The amount of light to be output when located in the range of 0 to x1 is set to L2 = L1 × (1 + 0/100), that is, L1.

【0052】光量データ演算部122は、S210およ
びS212の処理を、A1〜A9までの全てのエリアに
ついて順に行う(S214:y、S216)。この結
果、光量データ演算部122は、基板10上を通過する
各発光素子136について、走査方向の位置Xと、その
位置で出力すべき光量との関係、つまり光量データを得
ることができる。得られた光量データは、光量データ演
算部122から光量データ記憶部120へ送信され、光
量データ記憶部120において保存される(S21
8)。以上で、光量データを生成するときの露光装置1
00の一連の動作が終了する。
The light quantity data calculator 122 sequentially performs the processing of S210 and S212 for all areas A1 to A9 (S214: y, S216). As a result, the light amount data calculation unit 122 can obtain the relationship between the position X in the scanning direction and the light amount to be output at that position, that is, the light amount data, for each light emitting element 136 that passes over the substrate 10. The obtained light amount data is transmitted from the light amount data calculation unit 122 to the light amount data storage unit 120 and stored in the light amount data storage unit 120 (S21).
8). As described above, the exposure apparatus 1 for generating the light amount data
A series of operations of 00 ends.

【0053】次に、図12を用いて、上記のようにして
生成された光量データを利用して露光を行う場合につい
て説明する。図12に示すように、この場合には、露光
装置100に基板10およびフォトマスク20が取り付
けられ、また、それらのアライメントが行われた後に、
光源走査制御部112が光源駆動部110を制御して、
光源108を露光開始位置へ移動させる(S302)。
次に、光量制御部116が、光源108が備える各発光
素子136を点灯させ、その光量の制御を開始する(S
304)。このとき、光量制御部116は、位置検出部
114が出力する光源108の走査方向位置の情報を参
照しつつ、光量データ記憶部120に記憶されている光
量データに基づいて発光素子136の光量を制御する。
Next, with reference to FIG. 12, description will be given of a case where exposure is performed by using the light amount data generated as described above. As shown in FIG. 12, in this case, after the substrate 10 and the photomask 20 are attached to the exposure apparatus 100 and their alignment is performed,
The light source scanning controller 112 controls the light source driver 110,
The light source 108 is moved to the exposure start position (S302).
Next, the light amount control unit 116 turns on each light emitting element 136 included in the light source 108 and starts controlling the light amount (S).
304). At this time, the light amount control unit 116 refers to the information on the position in the scanning direction of the light source 108 output by the position detection unit 114, and determines the light amount of the light emitting element 136 based on the light amount data stored in the light amount data storage unit 120. Control.

【0054】次に、光源走査制御部112が光源駆動部
110を制御して光源108を露光開始位置から露光終
了位置まで走査する(S306)。走査中、光量制御部
116が、光量データに基づいて各発光素子の光量を制
御するので、図13に発光素子136b及び136gで
例示したように、各発光素子136は、それらが位置す
る走査方向位置Xに応じて、換言すれば、光を照射して
いるエリアにおける後工程特性に応じて、その出力する
光量を変化させる。これにより、後工程を施した後に基
板10に形成される導体パターンに、部分的な太り細り
等が生じないように基板10を露光することが可能とな
る。
Next, the light source scanning controller 112 controls the light source driver 110 to scan the light source 108 from the exposure start position to the exposure end position (S306). During scanning, the light amount control unit 116 controls the light amount of each light emitting element based on the light amount data. Therefore, as illustrated by the light emitting elements 136b and 136g in FIG. The amount of light to be output is changed according to the position X, in other words, according to the post-process characteristics in the area where the light is irradiated. This makes it possible to expose the substrate 10 so that the conductor pattern formed on the substrate 10 after the post-process is not partially thickened or thinned.

【0055】光源108が露光終了位置まで走査された
後、光量制御部116は、各発光素子136の光量制御
を終了して、それらを消灯する(S308)。これによ
り、露光装置100は、その一連の動作を終了する。
After the light source 108 is scanned to the exposure end position, the light amount control section 116 ends the light amount control of each light emitting element 136 and turns them off (S308). As a result, the exposure apparatus 100 ends the series of operations.

【0056】以上、本発明の一実施形態について説明し
たが、本発明に係る露光装置は、上記実施形態に限定さ
れず、本発明の技術的思想の範囲内において上記実施形
態に種々の変形を加えることが可能である。例えば、上
記実施形態では、光量制御部116が各発光素子136
の出力する光量を制御する場合について説明したが、こ
れは、光源108とマスクテーブル106との間に、光
透過率を複数段階に変化させることができる液晶素子を
2次元的に複数個配列した液晶シャッターを設け、光量
制御部116が各液晶素子の光透過率を制御することに
より、基板10及びマスク20の各エリアに光源108
から照射される光量を調整することとしてもよい。この
場合、光源108としては、複数の発光素子のアレイの
代わりに、例えば水銀灯など大面積に一度に光を照射で
きる光源を使用することもできる。また、光源を上記実
施形態のように走査させる代わりに、光源を静止させ、
液晶シャッター、又は、基板及びマスクを走査方向に移
動させることとすることとしてもよい。あるいは、液晶
シャッターを通過した光を回転しているミラーで反射さ
せることにより、その光を基板及びマスク上に走査させ
ることとしてもよい。
Although one embodiment of the present invention has been described above, the exposure apparatus according to the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made to the above embodiment within the scope of the technical idea of the present invention. It is possible to add. For example, in the above-described embodiment, the light amount control unit 116 causes the light emitting elements 136 to operate.
The case of controlling the amount of light output by the above has been described. In this case, a plurality of liquid crystal elements capable of changing the light transmittance in a plurality of steps are arranged two-dimensionally between the light source 108 and the mask table 106. By providing a liquid crystal shutter and controlling the light transmittance of each liquid crystal element by the light amount control unit 116, the light source 108 is provided in each area of the substrate 10 and the mask 20.
It is also possible to adjust the amount of light emitted from. In this case, as the light source 108, instead of an array of a plurality of light emitting elements, a light source such as a mercury lamp capable of irradiating light over a large area at once can be used. Further, instead of scanning the light source as in the above embodiment, the light source is stopped,
The liquid crystal shutter, or the substrate and the mask may be moved in the scanning direction. Alternatively, the light passing through the liquid crystal shutter may be reflected by a rotating mirror to scan the light on the substrate and the mask.

【0057】また、上記実施形態では、後工程特性情報
として、基板をエッチングした後に基板に形成される導
体パターンの線幅を用いる例について説明したが、後工
程特性情報としては、現像処理を行った後にレジスト膜
に形成されるパターンの線幅を用いてもよい。
In the above embodiment, an example in which the line width of the conductor pattern formed on the substrate after etching the substrate is used as the post-process characteristic information has been described. However, as the post-process characteristic information, development processing is performed. The line width of the pattern formed on the resist film after etching may be used.

【0058】さらに、上記実施形態では、光源108が
複数の光源ユニットU1〜Unを有する例について説明
したが、光源108は、光源ユニットを一つのみ備える
ことであってもよい。また、光源108が複数の光源ユ
ニットを複数備える場合には、光量制御部116が光量
データ記憶部120に保存されている光量データに基づ
いて全ての光源ユニットにおける発光素子の光量を制御
してもよいし、一部の光源ユニットにおける発光素子の
光量のみを光量データに基づいて制御し、他の光源ユニ
ットにおける発光素子は、基準光量L1その他の予め定
められた一定の光量が発光されるように制御することで
あってもよい。
Further, in the above embodiment, the example in which the light source 108 has the plurality of light source units U1 to Un has been described, but the light source 108 may be provided with only one light source unit. When the light source 108 includes a plurality of light source units, the light amount control unit 116 may control the light amounts of the light emitting elements in all the light source units based on the light amount data stored in the light amount data storage unit 120. It is good to control only the light amount of the light emitting elements in some of the light source units based on the light amount data so that the light emitting elements in the other light source units emit the reference light amount L1 and other predetermined light amounts. It may be controlling.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光装置
では、光源が複数の発光部を有し、光量制御手段が、後
工程特性情報に基づいてそれら発光部の光量を制御する
ので、フォトマスク上のパターンに忠実な回路パターン
が基板上に形成することが可能になる。
As described above, in the exposure apparatus of the present invention, the light source has a plurality of light emitting portions, and the light amount control means controls the light amounts of the light emitting portions based on the post-process characteristic information. A circuit pattern faithful to the pattern on the photomask can be formed on the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る露光装置の構成を示
すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態で使用するテスト用フォト
マスクの例示する斜視図を示す。
FIG. 2 shows an exemplary perspective view of a test photomask used in an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態においてマスクデータ記憶
部が記憶しているデータ内容の一例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of data contents stored in a mask data storage unit in the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施形態において後工程特性設定部
に入力される後工程特性情報の例を示す。
FIG. 4 shows an example of post-process characteristic information input to a post-process characteristic setting unit in an embodiment of the present invention.

【図5】基板の露光面に設けるレジスト膜としてポジテ
ィブなレジスト膜が使用される場合に、光量補正データ
記憶部が記憶するデータの一例を示す。
FIG. 5 shows an example of data stored in a light quantity correction data storage unit when a positive resist film is used as a resist film provided on an exposed surface of a substrate.

【図6】基板ステージ側から斜めに見た光源を示す斜視
図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a light source when viewed obliquely from the substrate stage side.

【図7】光源ユニットの一部断面図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional view of a light source unit.

【図8】光源ユニットにおける発光素子の配列を説明す
るための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining an arrangement of light emitting elements in a light source unit.

【図9】テスト用フォトマスクを用いて基板にテストパ
ターンを露光する場合の露光装置の動作の一例を示すフ
ローチャートである。
FIG. 9 is a flowchart showing an example of the operation of the exposure apparatus when a test pattern is exposed on a substrate using a test photomask.

【図10】テスト用フォトマスクを用いて基板にテスト
パターンを露光するときの発光素子の走査方向位置Xと
光量Lとの関係を説明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating the relationship between the scanning direction position X of a light emitting element and the light amount L when a test pattern is exposed on a substrate using a test photomask.

【図11】後工程特性情報に基づいて光量データを生成
するときの露光装置の動作を示すフローチャートであ
る。
FIG. 11 is a flowchart showing an operation of the exposure apparatus when generating light amount data based on post-process characteristic information.

【図12】光量データ記憶部に記憶されている光量デー
タを利用して露光を行うときの露光装置の動作を示すフ
ローチャートである。
FIG. 12 is a flowchart showing the operation of the exposure apparatus when performing exposure using the light amount data stored in the light amount data storage section.

【図13】光量データを利用して露光を行う場合に、発
光素子の走査方向位置Xと光量Lとの関係を説明する図
である。
FIG. 13 is a diagram illustrating the relationship between the scanning direction position X of the light emitting element and the light amount L when performing exposure using light amount data.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 露光装置 108 光源 110 光源駆動部 112 光源走査制御部 114 位置検出部 116 光量制御部 120 光量データ記憶部 122 光量データ演算部 126 後工程特性設定部 100 exposure equipment 108 light source 110 Light source driver 112 Light Source Scanning Control Unit 114 position detector 116 Light intensity control unit 120 Light intensity data storage 122 Light intensity data calculation unit 126 Post-process characteristic setting section

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 義則 東京都板橋区前野町2丁目36番9号 旭光 学工業株式会社内 Fターム(参考) 2H097 AA04 BA10 BB01 CA03 CA11 JA03 LA09 5F046 DA02 DB01    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Yoshinori Kobayashi             2-36 Maeno-cho, Itabashi-ku, Tokyo Asahikou             Gaku Kogyo Co., Ltd. F term (reference) 2H097 AA04 BA10 BB01 CA03 CA11                       JA03 LA09                 5F046 DA02 DB01

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マスクに描かれた回路パターンを基板に
露光し、所定の後工程を施すことによりプリント基板を
製造するプリント基板製造システムに用いられる露光装
置であって、 各々が前記基板に向けて光を照射する複数の発光部を含
む光源と、 前記後工程を施された前記基板における前記回路パター
ンの特性を前記基板の異なる領域毎に示す後工程特性情
報に基づいて定められた前記発光部の各々が光を照射す
る位置と当該発光部が出力すべき光量との関係を示す光
量データを記憶する光量データ記憶手段と、 前記光量データ記憶手段が記憶している光量データに基
づいて、前記発光部の各々の光量を制御する光量制御手
段とを備えることを特徴とする露光装置。
1. An exposure apparatus used in a printed circuit board manufacturing system for manufacturing a printed circuit board by exposing a circuit pattern drawn on a mask to a substrate and performing a predetermined post-process, each of which is directed toward the substrate. A light source including a plurality of light emitting units for irradiating light, and the light emission determined based on post-process characteristic information indicating characteristics of the circuit pattern on the substrate subjected to the post-process for different regions of the substrate. Based on the light quantity data storage means for storing the light quantity data indicating the relationship between the position where each of the parts emits light and the light quantity to be output by the light emitting part, and the light quantity data stored by the light quantity data storage means, An exposure apparatus comprising: a light quantity control unit that controls the light quantity of each of the light emitting units.
【請求項2】 前記後工程特性情報が設定される後工程
特性情報設定手段と、 前記後工程特性設定手段に設定されている前記後工程特
性情報に基づいて、前記光量データを生成する光量デー
タ演算手段とをさらに備えることを特徴とする請求項1
に記載の露光装置。
2. A post-process characteristic information setting unit for setting the post-process characteristic information, and light amount data for generating the light amount data based on the post-process characteristic information set in the post-process characteristic setting unit. A calculation means is further provided, Claim 1 characterized by the above-mentioned.
The exposure apparatus according to.
【請求項3】 マスクに描かれた回路パターンを基板に
露光し、所定の後工程を施すことによりプリント基板を
製造するプリント基板製造システムに用いられる露光装
置であって、 各々が前記基板に向けて光を照射する複数の発光部を含
む光源と、 前記後工程を施された前記基板における前記回路パター
ンの特性を示す後工程特性情報が設定される後工程特性
情報設定手段と、 前記後工程特性情報設定手段に設定されている前記後工
程特性情報に基づいて前記発光部の各々が発光すべき光
量を示す光量データを生成する光量データ演算手段と、 前記光量データに基づいて前記発光部の各々の光量を制
御する光量制御手段とを備えることを特徴とする露光装
置。
3. An exposure apparatus used in a printed circuit board manufacturing system for manufacturing a printed circuit board by exposing a circuit pattern drawn on a mask to a substrate and performing a predetermined post-process, each of which is directed toward the substrate. A light source including a plurality of light emitting units for irradiating light by a post process, a post process characteristic information setting unit in which post process characteristic information indicating a characteristic of the circuit pattern on the substrate subjected to the post process is set, and the post process Based on the post-process characteristic information set in the characteristic information setting means, light amount data calculation means for generating light amount data indicating the amount of light to be emitted by each of the light emitting portions, and the light emitting portion of the light emitting portion based on the light amount data. An exposure apparatus comprising: a light amount control unit that controls each light amount.
【請求項4】 前記後工程特性情報は、前記回路パター
ンの特性を前記基板の異なる領域毎に示していることを
特徴とする請求項3に記載の露光装置。
4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the post-process characteristic information indicates a characteristic of the circuit pattern for each different area of the substrate.
【請求項5】 前記光量データは、前記発光部の各々が
光を照射する位置と当該発光部が出力すべき光量との関
係を示すことを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
5. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the light amount data indicates a relationship between a position at which each of the light emitting units emits light and a light amount to be output by the light emitting unit.
【請求項6】 前記後工程は、露光後に前記基板を現像
する現像工程及び前記基板をエッチングするエッチング
工程の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項1
又は3に記載の露光装置。
6. The post-process includes at least one of a developing process of developing the substrate after exposure and an etching process of etching the substrate.
Or the exposure apparatus according to item 3.
【請求項7】 前記光量データは、前記後工程を施され
た前記基板における前記回路パターンの特性が前記基板
の領域によらず実質的に一定となるように、前記発光部
の各々が光を照射する位置と当該発光部が出力する光量
との関係を定めていることを特徴とする請求項1又は5
に記載の露光装置。
7. The light amount data is such that each of the light emitting units emits light so that the characteristic of the circuit pattern on the substrate subjected to the post-process is substantially constant regardless of the region of the substrate. The relationship between the irradiation position and the amount of light output from the light emitting unit is defined, and the relationship is defined.
The exposure apparatus according to.
【請求項8】 前記光源から照射された光を前記基板上
で所定の走査方向に走査させる走査手段と、 前記光源から照射された光の前記基板上の位置に関する
位置情報を出力する位置情報出力手段とをさらに備え、 前記光量制御手段は、前記位置情報に基づいて前記複数
の発光部の各々の光量を制御することを特徴とする請求
項1又は3に記載の露光装置。
8. A scanning unit for scanning the light emitted from the light source on the substrate in a predetermined scanning direction, and position information output for outputting position information regarding the position of the light emitted from the light source on the substrate. 4. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a means, wherein the light quantity control means controls the light quantity of each of the plurality of light emitting units based on the position information.
【請求項9】 前記走査手段は、前記光源と前記基板と
を相対移動させることにより前記光源から照射された光
を前記走査方向に走査させることを特徴とする請求項8
に記載の露光装置。
9. The scanning means scans light emitted from the light source in the scanning direction by moving the light source and the substrate relative to each other.
The exposure apparatus according to.
【請求項10】 前記複数の発光部は、2次元配列され
た複数の発光ダイオードであることを特徴とする請求項
1又は3に記載の露光装置。
10. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the plurality of light emitting units are a plurality of light emitting diodes arranged two-dimensionally.
【請求項11】 テスト用フォトマスクにおける前記回
路パターンのデータが記憶されているマスクデータ記憶
手段をさらに備え、 前記後工程特性情報は、前記テスト用フォトマスクを用
いて前記回路パターンが露光された前記基板から取得さ
れており、 前記光量データ演算手段は、前記マスクデータ記憶手段
に記憶されている前記データをも利用して前記光量デー
タを生成することを特徴とする請求項2又は3に記載の
露光装置。
11. A mask data storage unit for storing data of the circuit pattern in a test photomask, wherein the post-process characteristic information is obtained by exposing the circuit pattern using the test photomask. The light amount data calculation unit, which is acquired from the substrate, also generates the light amount data by using the data stored in the mask data storage unit. Exposure equipment.
【請求項12】 各々が基板に向けて光を照射する複数
の発光部を含む光源を用いて、マスクに描かれた回路パ
ターンを前記基板に露光する露光方法であって、 前記露光後の後工程を施された前記基板における前記回
路パターンの特性を前記基板の異なる領域毎に示す後工
程特性情報に基づいて、前記発光部の各々が光を照射す
る位置と当該発光部が出力すべき光量との関係を示す光
量データを記憶手段に保存し、 前記記憶手段が記憶している光量データに基づいて、前
記発光部の各々の光量を制御することを特徴とする露光
方法。
12. An exposure method for exposing a circuit pattern drawn on a mask to the substrate by using a light source including a plurality of light emitting units each of which emits light toward the substrate, after the exposure. Based on the post-process characteristic information indicating the characteristics of the circuit pattern on the processed substrate for each different region of the substrate, the position at which each of the light emitting units emits light and the amount of light to be output by the light emitting unit. Is stored in a storage unit, and the light amount of each of the light emitting units is controlled based on the light amount data stored in the storage unit.
JP2001351317A 2001-11-16 2001-11-16 Aligner and exposure method Pending JP2003149826A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001351317A JP2003149826A (en) 2001-11-16 2001-11-16 Aligner and exposure method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001351317A JP2003149826A (en) 2001-11-16 2001-11-16 Aligner and exposure method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003149826A true JP2003149826A (en) 2003-05-21

Family

ID=19163644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001351317A Pending JP2003149826A (en) 2001-11-16 2001-11-16 Aligner and exposure method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003149826A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007011288A (en) * 2005-03-28 2007-01-18 Fujifilm Holdings Corp Light quantity adjustment method, image recording method and device
JP2009277900A (en) * 2008-05-15 2009-11-26 V Technology Co Ltd Exposure device and photomask
JP2012133163A (en) * 2010-12-22 2012-07-12 Tokyo Electron Ltd Local exposure method
TWI548947B (en) * 2009-11-10 2016-09-11 V科技股份有限公司 Exposure apparatus and photomask

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007011288A (en) * 2005-03-28 2007-01-18 Fujifilm Holdings Corp Light quantity adjustment method, image recording method and device
JP2009277900A (en) * 2008-05-15 2009-11-26 V Technology Co Ltd Exposure device and photomask
TWI548947B (en) * 2009-11-10 2016-09-11 V科技股份有限公司 Exposure apparatus and photomask
JP2012133163A (en) * 2010-12-22 2012-07-12 Tokyo Electron Ltd Local exposure method
TWI495959B (en) * 2010-12-22 2015-08-11 Tokyo Electron Ltd Local exposure method and local exposure apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW403951B (en) Method and device for manufacturing semiconductor and semiconductor device manufactured by the device
US7486383B2 (en) Direct exposure apparatus and direct exposure method
US7248333B2 (en) Apparatus with light-modulating unit for forming pattern
JP4114184B2 (en) Multiple exposure drawing apparatus and multiple exposure drawing method
WO1998033096A1 (en) Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
JP2003050469A (en) Multiple exposure lithography system and multiple exposure type lithography system
US20020159044A1 (en) High resolution maskless lithography field lens for telecentric system
TW201207893A (en) Improved polarization designs for lithographic apparatus
KR101446484B1 (en) Pattern forming system
JP4324645B2 (en) Multiple exposure drawing apparatus and multiple exposure drawing method
KR970066722A (en) Exposure apparatus and exposure method
JP3642801B2 (en) EXPOSURE MASK, ITS MANUFACTURING METHOD, SURFACE SHAPE FORMING METHOD USING EXPOSURE MASK, AND EXPOSURE MASK MANUFACTURING APPARATUS
US8367284B2 (en) Exposure device, exposure method, and method for manufacturing semiconductor device
JP2009246069A (en) Pattern drawing device, and pattern drawing method
JP2003142379A (en) Method of exposing pattern and device thereof, and method of manufacturing electronic device and the electronic device
CN112764324B (en) Scanning method of photoetching system and photoetching system
WO2020151000A1 (en) Digital double-sided photolithography or exposure system and method
JP2003149826A (en) Aligner and exposure method
JP2006319098A (en) Drawing equipment
CN112272797B (en) Shifting the pattern to reduce line ripple
CN101813893B (en) Method for calibrating exposure energy demand distribution by adopting exposure mode
JP2775844B2 (en) Optical image forming apparatus using ultraviolet light irradiation projector
WO2018173371A1 (en) Drawing device and drawing method
JP4273290B2 (en) Multiple exposure drawing apparatus and multiple exposure drawing method
JPS6258621A (en) Fine pattern forming method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040927

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060821

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20060907

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20061101

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20061102

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070703

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071030