JP5221840B2 - 成膜方法並びに絶縁膜及び半導体集積回路 - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1実施例の成膜方法を実施する成膜装置を示す概略側面図である。円筒状容器1内に誘導結合プラズマ生成部2が設けられ、整合器3を介して高周波電源4に接続されている。高周波電源4は1kw〜10kwまでの高周波電力を供給することができる。窒素ガス導入部5より窒素ガスを供給し、プラズマ50を生成する。基板保持部6に基板60が置かれ、基板保持部6内にはヒータ7が装着されている。ヒータ7によって基板60の温度は室温から500℃の範囲で設定できるようになっている。また、基板保持部6に置かれた基板60にはバイアス印加部8によってバイアスが印加できるようになっている。円筒状容器1には、水素ガスをキャリアとした塩化ホウ素(三塩化ホウ素)ガスを導入する導入部9が設けられている。また、円筒状容器1に炭化水素系ガスを導入する導入部10が設けられている。基板保持部6より下方に排気部11が装着されている。
容器1内のガス圧力を0.6Torrに調整して窒化ホウ素炭素膜61の合成を行う。塩化ホウ素およびメタンガスはプラズマにするのではなく窒素プラズマによって塩化ホウ素およびメタンガスを分解し、ホウ素原子および炭素原子を生成し、窒素原子と反応させ、窒化ホウ素炭素膜61の合成を行う。塩素は水素原子と化合して塩化水素になり、塩素原子の膜内への取り込みが抑制される。
図4は本発明の第2実施例の成膜方法を実施する成膜装置を示す概略側面図である。円筒状容器1内に誘導結合プラズマ生成部2が設けられ、整合器3を介して高周波電源4に接続されている。高周波電源4は1kw〜10kwまでの高周波電力を供給することができる。窒素ガス導入部5より窒素ガスを供給し、プラズマ50を生成する。基板保持部6に基板60が置かれ、基板保持部6内にはヒータ7が装着されている。ヒータ7によって基板60の温度は室温から500℃の範囲で設定できるようになっている。また、基板保持部6に置かれた基板60にはバイアス印加部8によってバイアスが印加できるようになっている。水素ガスをキャリアとした塩化ホウ素ガスと炭化水素系ガスを混合することなく円筒状容器1の直前まで導き、円筒状容器1に導入するところで両者のラインを1つにし、円筒状容器1に導入するように導入部29が設けられている。基板保持部6より下方に排気部11が装着されている。
図5は本発明の第3実施例の成膜方法を実施する成膜装置を示す概略側面図である。円筒状容器1内に誘導結合プラズマ生成部2が設けられ、整合器3を介して高周波電源4に接続されている。高周波電源4は1kw〜10kwまでの高周波電力を供給することができる。窒素ガス導入部5より窒素ガスを供給し、プラズマ50を生成する。基板保持部6に基板60が置かれ、基板保持部6内にはヒータ7が装着されている。ヒータ7によって基板60の温度は室温から500℃の範囲で設定できるようになっている。また、基板保持部6に置かれた基板60にはバイアス印加部8によってバイアスが印加できるようになっている。円筒状容器1には、水素ガスをキャリアとした塩化ホウ素ガスを導入する導入部9が設けられている。また、炭化水素系ガス導入部10の円筒状容器1の直前に炭化水素ガスを分解する分解部310が設けられている。基板保持部6より下方に排気部11が装着されている。
図6は本発明の第4実施例の成膜方法を実施する成膜装置を示す概略側面図である。円筒状容器1内に誘導結合プラズマ生成部2が設けられ、整合器3を介して高周波電源4に接続されている。高周波電源4は1kw〜10kwまでの高周波電力を供給することができる。窒素ガス導入部5より窒素ガスを供給し、プラズマ50を生成する。基板保持部6に基板60が置かれ、基板保持部6内にはヒータ7が装着されている。ヒータ7によって基板60の温度は室温から500℃の範囲で設定できるようになっている。また、基板保持部6に置かれた基板60にはバイアス印加部8によってバイアスが印加できるようになっている。円筒状容器1には、水素ガスをキャリアとした塩化ホウ素ガスを導入する導入部9が設けられている。また、炭化水素系ガス導入部10の円筒状容器1の直前に炭化水素ガスを分解する分解部410が設けられている。基板保持部6より下方に排気部11が装着されている。
実施例1で用いた図1に示す成膜装置と同様の装置を用い、メタンガスの代わりにトリメチルホウ素を導入部10より円筒状容器1に供給する。基板温度、高周波電力など他の合成条件は実施例1の条件と同じ条件を用いる。
2・・誘導結合プラズマ生成部
3、411・・整合器
4、412・・高周波電源
5・・窒素ガス導入部
6・・基板保持部
7・・ヒータ
8・・バイアス印加部
9、10、29・・導入部
11・・排気部
50・・プラズマ
60・・基板
61・・窒化ホウ素炭素膜
310、410・・分解部
501・・トランジスタ
502・・配線
503・・層間絶縁体薄膜
504・・保護膜
Claims (9)
- 成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内に窒素原子を主に励起した後、励起された窒素原子を、水素ガスをキャリャガスとした塩化ホウ素ガスおよび、炭化水素ガス又は有機系材料を分解し、生成したホウ素原子及び炭素原子と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
- 炭素の供給として炭化水素ガスはメタンガス、エタンガス、又はアセチレンガスのいずれかを用いることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 炭素の供給として有機系材料はトリメチルホウ素又は窒素を含む有機化合物を用いることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 窒素ガスの流量と塩化ホウ素ガスの流量との比を0.1〜10.0に設定したことを特徴
とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の成膜方法。 - 炭化水素ガスの流量と塩化ホウ素ガスの流量との比を0.01〜5.0に設定したことを
特徴とする請求項2に記載の成膜方法。 - 有機系材料ガスの流量と塩化ホウ素ガスの流量との比を0.01〜5.0に設定したこと
を特徴とする請求項3に記載の成膜方法。 - 請求項1ないし6のいずれか1項記載の方法により作成した絶縁膜。
- 請求項7記載の絶縁膜を有する半導体集積回路。
- 前記絶縁膜は配線間絶縁膜であることを特徴とする請求項8記載の半導体集積回路。
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