JP4406178B2 - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4406178B2 JP4406178B2 JP2001203688A JP2001203688A JP4406178B2 JP 4406178 B2 JP4406178 B2 JP 4406178B2 JP 2001203688 A JP2001203688 A JP 2001203688A JP 2001203688 A JP2001203688 A JP 2001203688A JP 4406178 B2 JP4406178 B2 JP 4406178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- boron
- film
- plasma
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 23
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 23
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 22
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 14
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 88
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 46
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 43
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N trimethylborane Chemical compound CB(C)C WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DZVPMKQTULWACF-UHFFFAOYSA-N [B].[C].[N] Chemical compound [B].[C].[N] DZVPMKQTULWACF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PPWPWBNSKBDSPK-UHFFFAOYSA-N [B].[C] Chemical compound [B].[C] PPWPWBNSKBDSPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N [C].[N] Chemical compound [C].[N] CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/36—Carbonitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/318—Inorganic layers composed of nitrides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ホウ素炭素窒素膜を生成する成膜装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
これまで、半導体集積回路においては、配線の層間絶縁体薄膜や保護膜として、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法によるSiO2やSiN膜が用いられていた。しかし、トランジスタの高集積化に伴い、配線間の容量による配線遅延が起こり、素子のスイッチング動作の高速化を阻害する要因として問題となってきた。これを解決するためには、配線層間絶縁体薄膜の低誘電率化が必要であり、新しい誘電率を有する材料が層間絶縁膜として求められている。
【0003】
このような状況で有機系材料や多孔質材料が注目され、極めて低い誘電率(比誘電率κ〜2.5以下)を実現することが可能であるが、化学的、機械的耐性や熱伝導性の点で問題がある。
【0004】
また、近年、窒化ホウ素薄膜において、値が2.2という極めて低い誘電率が達成されているが、耐吸湿性に問題があることが知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このような状況で、耐熱性、耐吸湿性に優れ、極めて低い誘電率を持つホウ素炭素窒素薄膜が注目されるが、プラズマCVD法による成膜技術が確立されていないのが現状であり、ホウ素炭素窒素薄膜が製品として成膜できる成膜方法および成膜装置の出現が望まれている。
【0006】
本発明は、前記の状況に鑑みてなされたもので、ホウ素炭素窒素膜を成膜することができる成膜装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の成膜装置は、成膜室内に窒素ガスを導入する第1導入手段と、
プラズマを生成するプラズマ生成手段と、
プラズマの下部または内部に基板を保持する保持手段と、
第1導入手段の下方側の成膜室内に水素ガスをキャリャガスとした塩化ホウ素および炭
化水素系ガスを導入する第2導入手段とを備えることを特徴とする。
【0010】
本発明の成膜装置は、成膜室内に窒素ガスを導入する第1導入手段と、
プラズマを生成するプラズマ生成手段と、
プラズマの下部または内部に基板を保持する保持手段と、
第1導入手段の下方側の成膜室内に水素ガスをキャリャガスとした塩化ホウ素および有機材料ガスを導入する第2導入手段とを備えることを特徴とする。
【0011】
前記第2導入手段はその途中に有機材料を分解するための分解部を有していることが好ましく、この分解部は、有機材料を加熱し得るように構成することが好ましい。
【0012】
炭素の供給として炭化水素ガスを用いることが好ましい。炭化水素を用いる場合には、ガス供給系が簡素化できるという新たな効果を有する。
【0013】
また、炭素の供給として有機系材料を用いることも好ましい。有機材料を用いる場合には、ホウ素や窒素の一部を同時に供給できる特徴を有する。
【0014】
有機材料としては、例えば、トリメチルホウ素や窒素を含む有機化合物等が好適に用いられる。特にトリメチルホウ素が好ましい。
【0015】
窒素ガスの流量と塩化ホウ素ガスの流量との比を0.1〜10.0に設定することが好ましい。0.7〜2.0がより好ましく、1.0〜1.3がさらに好ましい。
【0016】
炭化水素ガスの流量と塩化ホウ素ガスの流量との比を0.01〜5.0に設定することが好ましく、0.1〜2.0がより好ましく、0.1〜0.5がさらに好ましい。
【0017】
有機系材料ガスの流量と塩化ホウ素ガスの流量との比を0.01〜5.0に設定することが好ましく、0.1〜2.0がより好ましく、0.1〜0.5がさらに好ましい。
【0018】
【実施例】
(実施例1)
図1は本発明の第1実施例にかかる成膜装置を示す概略側面図である。円筒状容器1内に誘導結合プラズマ生成部2が設けられ、整合器3を介して高周波電源4に接続されている。高周波電源4は1kw〜10kwまでの高周波電力を供給することができる。窒素ガス導入部5より窒素ガスを供給し、プラズマ50を生成する。基板保持部6に基板60が置かれ、基板保持部6内にはヒータ7が装着されている。ヒータ7によって基板60の温度は室温から500℃の範囲で設定できるようになっている。また、基板保持部6に置かれた基板60にはバイアス印加部8によってバイアスが印加できるようになっている。円筒状容器1には、水素ガスをキャリアとした塩化ホウ素(三塩化ホウ素)ガスを導入する導入部9が設けられている。また、円筒状容器1に炭化水素系ガスを導入する導入部10が設けられている。基板保持部6より下方に排気部11が装着されている。
【0019】
各ガスの供給流量範囲については窒素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(窒素ガス/塩化ホウ素)が0.1〜10.0、炭化水素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(炭化水素ガス/塩化ホウ素)が0.01〜5.0、水素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(水素ガス/塩化ホウ素)が0.05〜5.0となるように設定できるようになっている。
【0020】
p型シリコン基板60を基板保持部6に置き、容器1内を1×10−6Torrまで排気する。基板温度を300℃に設定する。その後、窒素ガスを導入部5から円筒状容器1内に導入する。高周波電力(13.56MHz)を1kw供給することにより、プラズマ50を生成する。続いて水素ガスをキャリアガスとして塩化ホウ素を容器1内に搬送する。また、メタンガスを容器1内に供給する。
容器1内のガス圧力を0.6Torrに調整して窒化ホウ素炭素膜61の合成を行う。塩化ホウ素およびメタンガスはプラズマにするのではなく窒素プラズマによって塩化ホウ素およびメタンガスを分解し、ホウ素原子および炭素原子を生成し、窒素原子と反応させ、窒化ホウ素炭素膜61の合成を行う。塩素は水素原子と化合して塩化水素になり、塩素原子の膜内への取り込みが抑制される。
【0021】
p型シリコン基板60上に100nmの窒化ホウ素炭素膜61を堆積させ、窒化ホウ素炭素膜61上にAuを蒸着し、電極を形成した後、容量―電圧特性を測定し、金属/窒化ホウ素炭素膜/p型シリコン構造の蓄積領域の容量値と窒化ホウ素炭素膜61の厚さを用いて比誘電率を評価した。その結果、比誘電率が2.2〜2.6の低い値が得られた。
【0022】
2.2〜2.6の低い比誘電率を有する窒化ホウ素炭素膜61を得ることができる合成条件を図2、図3に示す。図2はメタンガスと塩化ホウ素の流量比を0.1にしたときの窒素ガスと塩化ホウ素の流量比と比誘電率の関係を示している。図3は窒素ガスと塩化ホウ素の流量比を1.3にした時のメタンガスと塩化ホウ素の流量比と比誘電率との関係を示したものである。基板温度の変化により低誘電率を有する窒化ホウ素炭素膜61が得られるガス流量比の範囲を広げることができる。
【0023】
(実施例2)
図4は本発明の第2実施例にかかる成膜装置を示す概略側面図である。円筒状容器1内に誘導結合プラズマ生成部2が設けられ、整合器3を介して高周波電源4に接続されている。高周波電源4は1kw〜10kwまでの高周波電力を供給することができる。窒素ガス導入部5より窒素ガスを供給し、プラズマ50を生成する。基板保持部6に基板60が置かれ、基板保持部6内にはヒータ7が装着されている。ヒータ7によって基板60の温度は室温から500℃の範囲で設定できるようになっている。また、基板保持部6に置かれた基板60にはバイアス印加部8によってバイアスが印加できるようになっている。水素ガスをキャリアとした塩化ホウ素ガスと炭化水素系ガスを混合することなく円筒状容器1の直前まで導き、円筒状容器1に導入するところで両者のラインを1つにし、円筒状容器1に導入するように導入部29が設けられている。基板保持部6より下方に排気部11が装着されている。
【0024】
各ガスの供給流量範囲については窒素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(窒素ガス/塩化ホウ素)が0.1〜10.0、炭化水素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(炭化水素ガス/塩化ホウ素)が0.01〜5.0、水素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(水素ガス/塩化ホウ素)が0.05〜5.0となるように設定できるようになっている。
【0025】
p型シリコン基板60を基板保持部6に置き、容器1内を1×10−6Torrまで排気する。基板温度を300℃に設定する。その後、窒素ガスを導入部5から円筒状容器1内に導入する。高周波電力(13.56MHz)を1kw供給することにより、プラズマ50を生成する。続いて水素ガスをキャリアガスとして塩化ホウ素を容器1直前まで搬送する。また、メタンガスも容器1の直前まで導き、塩化ホウ素とメタンガスのラインを1つにして導入部29から容器1内に供給する。容器1内のガス圧力を0.6Torrに調整して窒化ホウ素炭素膜61の合成を行う。塩化ホウ素およびメタンガスはプラズマにするのではなく窒素プラズマによって塩化ホウ素およびメタンガスを分解し、ホウ素原子および炭素原子を生成し、窒素原子と反応させ、窒化ホウ素炭素膜61の合成を行う。塩素は水素原子と化合して塩化水素になり、塩素原子の膜内への取り込みが抑制される。
【0026】
p型シリコン基板60上に100nmの窒化ホウ素炭素膜61を堆積させ、窒化ホウ素炭素膜61上にAuを蒸着し、電極を形成した後、容量―電圧特性を測定し、金属/窒化ホウ素炭素膜/p型シリコン構造の蓄積領域の容量値と窒化ホウ素炭素膜61の厚さを用いて比誘電率を評価した。その結果、比誘電率が2.2〜2.6の低い値が得られた。
【0027】
本実施例の塩化ホウ素と炭化水素ガスの導入法においても容器1内の窒素プラズマへ塩化ホウ素と炭化水素ガスを導入することにより実施例1の方法と同様の効果が得られる。
【0028】
(実施例3)
図5は本発明の第3実施例にかかる成膜装置を示す概略側面図である。円筒状容器1内に誘導結合プラズマ生成部2が設けられ、整合器3を介して高周波電源4に接続されている。高周波電源4は1kw〜10kwまでの高周波電力を供給することができる。窒素ガス導入部5より窒素ガスを供給し、プラズマ50を生成する。基板保持部6に基板60が置かれ、基板保持部6内にはヒータ7が装着されている。ヒータ7によって基板60の温度は室温から500℃の範囲で設定できるようになっている。また、基板保持部6に置かれた基板60にはバイアス印加部8によってバイアスが印加できるようになっている。円筒状容器1には、水素ガスをキャリアとした塩化ホウ素ガスを導入する導入部9が設けられている。また、炭化水素系ガス導入部10の円筒状容器1の直前に炭化水素ガスを分解する分解部310が設けられている。基板保持部6より下方に排気部11が装着されている。
【0029】
各ガスの供給流量範囲については窒素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(窒素ガス/塩化ホウ素)が0.1〜10.0、炭化水素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(炭化水素ガス/塩化ホウ素)が0.01〜5.0、水素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(水素ガス/塩化ホウ素)が0.05〜5.0となるように設定できるようになっている。
【0030】
p型シリコン基板60を基板保持部6に置き、容器1内を1×10−6Torrまで排気する。基板温度を300℃に設定する。その後、窒素ガスを導入部5から円筒状容器1内に導入する。高周波電力(13.56MHz)を1kw供給することにより、プラズマ50を生成する。続いて水素ガスをキャリアガスとして塩化ホウ素を導入部9より容器1内に搬送する。また、メタンガスをヒーターを装着した分解部310で熱分解し、導入部10より容器1内に供給する。容器1内のガス圧力を0.6Torrに調整して窒化ホウ素炭素膜61の合成を行う。メタンガスを熱分解することにより炭素原子を供給し、塩化ホウ素はプラズマにするのではなく窒素プラズマによって分解し、得られたホウ素原子と炭素原子を窒素原子と反応させ、窒化ホウ素炭素膜61の合成を行う。塩素は水素原子と化合して塩化水素になり、塩素原子の膜内への取り込みが抑制される。
【0031】
p型シリコン基板60上に100nmの窒化ホウ素炭素膜61を堆積させ、窒化ホウ素炭素膜61上にAuを蒸着し、電極を形成した後、容量―電圧特性を測定し、金属/窒化ホウ素炭素膜/p型シリコン構造の蓄積領域の容量値と窒化ホウ素炭素膜61の厚さを用いて比誘電率を評価した。その結果、比誘電率が2.2〜2.6の低い値が得られた。
【0032】
前記実施例1および実施例2で得られた低誘電率窒化ホウ素炭素膜と同様の特性を有する膜の作製が実施例3においても達成される。更に、実施例3においてはメタンガスの流量を20%程度減少した条件で低誘電率膜が達成でき、炭素原子の堆積膜への取り込み効率が向上し、メタンガス使用量が抑制できる効果がある。
【0033】
(実施例4)
図6は本発明の第4実施例にかかる成膜装置を示す概略側面図である。円筒状容器1内に誘導結合プラズマ生成部2が設けられ、整合器3を介して高周波電源4に接続されている。高周波電源4は1kw〜10kwまでの高周波電力を供給することができる。窒素ガス導入部5より窒素ガスを供給し、プラズマ50を生成する。基板保持部6に基板60が置かれ、基板保持部6内にはヒータ7が装着されている。ヒータ7によって基板60の温度は室温から500℃の範囲で設定できるようになっている。また、基板保持部6に置かれた基板60にはバイアス印加部8によってバイアスが印加できるようになっている。円筒状容器1には、水素ガスをキャリアとした塩化ホウ素ガスを導入する導入部9が設けられている。また、炭化水素系ガス導入部10の円筒状容器1の直前に炭化水素ガスを分解する分解部410が設けられている。基板保持部6より下方に排気部11が装着されている。
【0034】
各ガスの供給流量範囲については窒素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(窒素ガス/塩化ホウ素)が0.1〜10.0、炭化水素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(炭化水素ガス/塩化ホウ素)が0.01〜5.0、水素ガスの流量と塩化ホウ素の流量比(水素ガス/塩化ホウ素)が0.05〜5.0となるように設定できるようになっている。
【0035】
p型シリコン基板60を基板保持部6に置き、容器1内を1×10−6Torrまで排気する。基板温度を300℃に設定する。その後、窒素ガスを導入部5から円筒状容器1内に導入する。高周波電力(13.56MHz)を1kw供給することにより、プラズマ50を生成する。続いて水素ガスをキャリアガスとして塩化ホウ素を導入部9より容器1内に搬送する。また、コイルを装着した分解部410に高周波電源412(13.56MHz)から整合器411を通して高周波電力を100W供給し、メタンガスを放電により分解し、導入部10より容器1内に供給する。容器1内のガス圧力を0.6Torrに調整して窒化ホウ素炭素膜61の合成を行う。塩化ホウ素はプラズマにするのではなく窒素プラズマによって塩化ホウ素を分解し、ホウ素原子を供給する。このホウ素原子とメタンガスの分解により供給した炭素原子と窒素原子とを反応させ、窒化ホウ素炭素膜61の合成を行う。塩素は水素原子と化合して塩化水素になり、塩素原子の膜内への取り込みが抑制される。
【0036】
p型シリコン基板60上に100nmの窒化ホウ素炭素膜61を堆積させ、窒化ホウ素炭素膜61上にAuを蒸着し、電極を形成した後、容量―電圧特性を測定し、金属/窒化ホウ素炭素膜/p型シリコン構造の蓄積領域の容量値と窒化ホウ素炭素膜61の厚さを用いて比誘電率を評価した。その結果、比誘電率が2.2〜2.6の低い値が得られた。
【0037】
本実施例4は前記実施例3と同様の効果を示し、メタンガスの流量を25%程度減少した条件で低誘電率膜が達成でき、炭素原子の堆積膜への取り込み効率が向上し、メタンガス使用量が抑制できる効果がある。
【0038】
実施例1〜4では炭化水素ガスとしてメタンガスを用いたが、エタンガス、アセチレンガスをはじめ様々なガスを用いることができる。
【0039】
(実施例5)
実施例1で用いた図1に示す成膜装置と同様の装置を用い、メタンガスの代わりにトリメチルホウ素を導入部10より円筒状容器1に供給する。基板温度、高周波電力など他の合成条件は実施例1の条件と同じ条件を用いる。
【0040】
p型シリコン基板60上に100nmの窒化ホウ素炭素膜61を堆積させ、窒化ホウ素炭素膜61上にAuを蒸着し、電極を形成した後、容量―電圧特性を測定し、金属/窒化ホウ素炭素膜/p型シリコン構造の蓄積領域の容量値と窒化ホウ素炭素膜61の厚さを用いて比誘電率を評価した。その結果、比誘電率が2.2〜2.6の低い値が得られた。
【0041】
前記の実施例2〜4で用いた図4〜6に示す成膜装置と同様の装置を用い、メタンガスの代わりにトリメチルホウ素を導入部10より円筒状容器1に供給する。基板温度、高周波電力など他の合成条件は実施例2〜4の条件と同じ条件を用いる。合成した窒化ホウ素炭素膜61において比誘電率が2.2〜2.6の低い値が得られた。
【0042】
実施例5では炭素原子供給のため有機材料の1つであるトリメチルホウ素を用いたが、ホウ素または窒素原子を含む有機材料であればいずれの材料でも用いることができる。
【0043】
また、本実施例では窒素プラズマを生成するために窒素ガスを用いたが、アンモニアガスを用いても同様の結果が得られる。
【0044】
本発明の実施例で成膜した窒化ホウ素炭素膜の集積回路への適用例を図7を用いて説明する。トランジスタ501の高集積化によって配線502を多層構造にするためには配線間には低誘電率を有する層間絶縁体薄膜503を用いることが必要であり、本実施例で成膜した窒化ホウ素炭素膜を用いることができる。
【0045】
また、層間絶縁体薄膜503として有機薄膜や多孔質膜を用いた場合、機械的強度や吸湿性などが問題となるが、図8に示すように本発明の実施例で成膜した窒化ホウ素炭素膜を有機薄膜や多孔質膜の保護膜504として用いることができる。このような有機薄膜や多孔質膜と窒化ホウ素炭素膜との合体により窒化ホウ素炭素膜単層での比誘電率より低い誘電率が達成され、1.9程度の実効的な比誘電率が得られた。
【0046】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明によれば、プラズマCVD法により、半導体集積回路等の基板にホウ素炭素窒素膜を成膜することを可能にする。
【0047】
また、本発明の成膜装置は円筒状容器内に窒素ガス導入手段、プラズマ生成手段とその下方に基板の保持手段を設け、窒素導入手段と基板保持手段の間に塩化ホウ素および炭素供給源としての炭化水素や有機材料の導入手段を設け、窒素プラズマとホウ素および炭素原子を反応させ、基板に窒化ホウ素炭素膜が成膜できる。この結果、機械的化学的に安定で耐吸湿性、高熱伝導性を有し、低誘電率を持った窒化ホウ素炭素膜が高速に成膜できる。
【0048】
本発明による窒化ホウ素炭素膜は集積回路の配線層間絶縁体薄膜または保護膜として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1による成膜装置を示す断面図
【図2】窒素ガスと塩化ホウ素の流量比に対する比誘電率
【図3】 メタンガスと塩化ホウ素の流量比に対する比誘電率
【図4】 本発明の実施例2による成膜装置を示す断面図
【図5】 本発明の実施例3による成膜装置を示す断面図
【図6】 本発明の実施例4による成膜装置を示す断面図
【図7】 本発明の実施例に係る成膜装置で成膜した窒化ホウ素炭素膜を用いた集積回路の断面概略図
【図8】 本発明の実施例に係る成膜装置で成膜した窒化ホウ素炭素膜を用いた集積回路の断面概略図
【符号の説明】
1・・円筒状容器
2・・誘導結合プラズマ生成部
3、411・・整合器
4、412・・高周波電源
5・・窒素ガス導入部
6・・基板保持部
7・・ヒータ
8・・バイアス印加部
9、10、29・・導入部
11・・排気部
50・・プラズマ
60・・基板
61・・窒化ホウ素炭素膜
310、410・・分解部
501・・トランジスタ
502・・配線
503・・層間絶縁体薄膜
504・・保護膜
Claims (4)
- 成膜室内に窒素ガスを導入する第1導入手段と、
プラズマを生成するプラズマ生成手段と、
プラズマの下部または内部に基板を保持する保持手段と、
第1導入手段の下方側の成膜室内に水素ガスをキャリャガスとした塩化ホウ素および炭化水素系ガスを導入する第2導入手段とを備えることを特徴とする成膜装置。 - 成膜室内に窒素ガスを導入する第1導入手段と、
プラズマを生成するプラズマ生成手段と、
プラズマの下部または内部に基板を保持する保持手段と、
第1導入手段の下方側の成膜室内に水素ガスをキャリャガスとした塩化ホウ素および有機材料ガスを導入する第2導入手段とを備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記第2導入手段はその途中に有機材料を分解するための分解部を有していることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記分解部は、有機材料を加熱し得るように構成されていることを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001203688A JP4406178B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-07-04 | 成膜装置 |
KR1020087009069A KR20080041302A (ko) | 2001-03-28 | 2002-03-25 | 막형성 방법 및 막형성 장치와 절연막 및 반도체 집적회로 |
US10/473,561 US20040157472A1 (en) | 2001-03-28 | 2002-03-25 | Deposition method, deposition apparatus, insulating film and semiconductor integrated circuit |
IL15809402A IL158094A0 (en) | 2001-03-28 | 2002-03-25 | Deposition method, deposition apparatus, insulating film and semiconductor integrated circuit |
PCT/JP2002/002837 WO2002080260A1 (fr) | 2001-03-28 | 2002-03-25 | Procede et dispositif de depot, couche isolante et circuit integre a semi-conducteur |
EP02705474A EP1376672A1 (en) | 2001-03-28 | 2002-03-25 | Deposition method, deposition apparatus, insulating film and semiconductor integrated circuit |
CNA028107535A CN1513201A (zh) | 2001-03-28 | 2002-03-25 | 沉积方法、沉积设备、绝缘膜及半导体集成电路 |
KR1020037012410A KR100870172B1 (ko) | 2001-03-28 | 2002-03-25 | 막형성 방법 및 막형성 장치와 절연막 및 반도체 집적회로 |
TW091106184A TWI246127B (en) | 2001-03-28 | 2002-03-28 | Method and apparatus for forming film and insulation film, and semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001-94037 | 2001-03-28 | ||
JP2001094037 | 2001-03-28 | ||
JP2001203688A JP4406178B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-07-04 | 成膜装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005040991A Division JP5221840B2 (ja) | 2001-03-28 | 2005-02-17 | 成膜方法並びに絶縁膜及び半導体集積回路 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002359242A JP2002359242A (ja) | 2002-12-13 |
JP2002359242A5 JP2002359242A5 (ja) | 2005-08-25 |
JP4406178B2 true JP4406178B2 (ja) | 2010-01-27 |
Family
ID=26612436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001203688A Expired - Fee Related JP4406178B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-07-04 | 成膜装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040157472A1 (ja) |
EP (1) | EP1376672A1 (ja) |
JP (1) | JP4406178B2 (ja) |
KR (2) | KR20080041302A (ja) |
CN (1) | CN1513201A (ja) |
IL (1) | IL158094A0 (ja) |
TW (1) | TWI246127B (ja) |
WO (1) | WO2002080260A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008187186A (ja) * | 2001-07-05 | 2008-08-14 | Watanabe Shoko:Kk | 低誘電率膜の成膜装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5221840B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2013-06-26 | 株式会社渡辺商行 | 成膜方法並びに絶縁膜及び半導体集積回路 |
US9257274B2 (en) | 2010-04-15 | 2016-02-09 | Lam Research Corporation | Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method |
US8637411B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-01-28 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
US9997357B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors |
US8476743B2 (en) * | 2011-09-09 | 2013-07-02 | International Business Machines Corporation | C-rich carbon boron nitride dielectric films for use in electronic devices |
JP6538300B2 (ja) | 2012-11-08 | 2019-07-03 | ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドNovellus Systems Incorporated | 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法 |
US9564312B2 (en) | 2014-11-24 | 2017-02-07 | Lam Research Corporation | Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films |
US10566187B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control |
US9773643B1 (en) | 2016-06-30 | 2017-09-26 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for deposition and etch in gap fill |
US10062563B2 (en) | 2016-07-01 | 2018-08-28 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer deposition with post-dose treatment |
US10037884B2 (en) | 2016-08-31 | 2018-07-31 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer |
US10269559B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer |
US11830729B2 (en) * | 2021-01-08 | 2023-11-28 | Applied Materials, Inc. | Low-k boron carbonitride films |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6337637A (ja) | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Fujitsu Ltd | 多層配線構造の半導体装置および製法 |
US5270029A (en) * | 1987-02-24 | 1993-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Carbon substance and its manufacturing method |
JPH0499049A (ja) * | 1990-08-06 | 1992-03-31 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置 |
JPH0499177A (ja) * | 1990-08-06 | 1992-03-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超高圧安定相物質の気相合成法 |
JPWO2002069382A1 (ja) * | 2001-02-28 | 2004-07-02 | 杉野 隆 | 固体装置およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-07-04 JP JP2001203688A patent/JP4406178B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-25 WO PCT/JP2002/002837 patent/WO2002080260A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2002-03-25 US US10/473,561 patent/US20040157472A1/en not_active Abandoned
- 2002-03-25 KR KR1020087009069A patent/KR20080041302A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-03-25 EP EP02705474A patent/EP1376672A1/en not_active Withdrawn
- 2002-03-25 CN CNA028107535A patent/CN1513201A/zh active Pending
- 2002-03-25 KR KR1020037012410A patent/KR100870172B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-25 IL IL15809402A patent/IL158094A0/xx unknown
- 2002-03-28 TW TW091106184A patent/TWI246127B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008187186A (ja) * | 2001-07-05 | 2008-08-14 | Watanabe Shoko:Kk | 低誘電率膜の成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030093275A (ko) | 2003-12-06 |
US20040157472A1 (en) | 2004-08-12 |
WO2002080260A9 (fr) | 2003-03-13 |
KR20080041302A (ko) | 2008-05-09 |
JP2002359242A (ja) | 2002-12-13 |
KR100870172B1 (ko) | 2008-11-25 |
TWI246127B (en) | 2005-12-21 |
WO2002080260A1 (fr) | 2002-10-10 |
EP1376672A1 (en) | 2004-01-02 |
CN1513201A (zh) | 2004-07-14 |
IL158094A0 (en) | 2004-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4406178B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5013353B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
TW504521B (en) | Methods for preparing ruthenium metal films | |
JPH02281627A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6812146B2 (en) | Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound | |
TWI742164B (zh) | 三氯二矽烷 | |
JP2007266489A (ja) | プラズマcvd装置 | |
KR20070057284A (ko) | 막의 제조방법 및 당해 방법으로 제조된 막을 이용한반도체 장치 | |
JP5074946B2 (ja) | 低誘電率膜およびその成膜方法並びにその膜を用いた電子装置 | |
JP4314650B2 (ja) | 半導体装置の層間絶縁膜の形成方法 | |
JP5221840B2 (ja) | 成膜方法並びに絶縁膜及び半導体集積回路 | |
JP2008187186A (ja) | 低誘電率膜の成膜装置 | |
KR100323648B1 (ko) | Cu-CVD 공정용 원료와 Cu-CVD 장치 | |
JP4520688B2 (ja) | 低誘電率膜及びその成膜方法 | |
TWI709658B (zh) | 氧化石墨烯沉積源及利用其的氧化石墨烯薄膜形成方法 | |
JP4312437B2 (ja) | ホウ素炭素窒素を用いた電子装置 | |
KR20010049297A (ko) | 저온 열 화학기상증착 장치 및 이를 이용한탄소나노튜브의 저온 합성 방법 | |
JP2002289616A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP2002289617A (ja) | 集積回路構造 | |
JP2000349083A (ja) | 半導体基板上のシリコン重合体絶縁膜及びその膜を形成する方法 | |
JP2000260764A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
KR0166844B1 (ko) | 반도체 소자의 배리어 금속층 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050217 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090907 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091007 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091106 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131113 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |