JP5219404B2 - 多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、各種電子機器に使用される多層配線基板に関し、特に安定した特性インピーダンスを有する多層配線基板に関する

多層配線基板は 各種家電機器・通信機器・コンピュータやその周辺機器等の電子機器に使用されている。
従来、上記多層配線基板としてはガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたシートに銅箔を貼り付けた銅張り積層板等を使用し、これらの銅箔部分をエッチングする等の技術により、必要な回路を形成して回路基板を作成し、更に該回路基板を複数枚熱と圧力によりプレスして積層するとともに、積層と前後して銅の回路層間の電気的接続をするためにビアーホールを形成して多層配線基板を製造していた。

近年電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型化、軽量化、高性能化、多機能化が要求されており、このような電子機器に使用される多層配線基板も小型化、高密度化が要求されるようになってきた。そして、このような高密度化の要求に応えるために、多層配線基板上の回路パターンの微細化や絶縁層の薄層化、ビアホールの微細化が必要となってきている。
しかしながら、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させて製造される絶縁フィルムにおいては、ビアホールの微細化が困難である、ガラスクロスの厚みが不均一であることによる不都合が存在する等の問題点を有していた。

更に小型化、軽量化、高性能化、多機能化の要求とともに、情報通信及び情報処理分野における情報伝達・情報処理の高速化は著しく、信号の高周波化が飛躍的に進んでおり、この分野に用いられる多層回路基板材料にも、信号の高周波化に対応する特性が求められている。
また、環境問題から、Ｐｂフリー半田耐熱性を有する耐熱性の高い材料も求められている。
上記、小型化、高密度化、高周波化、Ｐｂフリーを解決する多層回路基板の絶縁材料として液晶ポリマーを初めとする高耐熱性、高弾性率、高寸法安定性、低誘電率、低誘電損失を有する熱可塑性樹脂が注目されてきた。

熱可塑性樹脂を使用して多層回路基板を製造する場合にも、必要な回路を形成して回路基板を作成し、その後該回路基板を複数枚熱と圧力によりプレスして積層することにより多層回路基板が製造される。
しかしながら、従来の熱硬化性のエポキシ樹脂を使用する場合では、積層プレス時に絶縁層のプリプレグが軟化流動し、コア層の回路パターンを絶縁層中に埋め込むことにより積層されるのに対し、熱可塑樹脂を使用する場合ではコア層の樹脂も軟化流動するため、回路パターンがコア層に不規則に沈み込み、絶縁層を挟む回路パターン間の距離が大きく変わる。このため、特性インピーダンスも設計と異なったものとなり、信号の伝達経路中で信号の反射が生じる等で波形が乱れて、信号伝達に問題が発生した。

上記の問題を解決するために積層時に熱可塑性樹脂が流動しないよう、エポキシ系樹脂などの接着層を間に埋め込む方法が用いられた。しかし、絶縁層と接着層の樹脂が異なることにより、それらの誘電率も異なっているため、結果的に多層基板の特性インピーダンスが設計通りにすることができないという問題がある。そこで、接着層に絶縁層と同じ誘電率を持たせ、且つコア層にパターンを沈み込ませずに、目的とする特性インピーダンス
を持つ積層基板を作る方法が求められている。

特開２００１−２４４６３０号公報

本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、
その目的は、回路パターンの周辺において設計どおりの特性インピーダンスを得ることができ、伝送損失の少ない回路を作ることができる、
多層配線基板並びにそれらの製造方法を提供することである。

上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、第１絶縁層（２）と第２絶縁層（４）中に含まれる無機フィラーの濃度を一定関係に制御することにより上記課題が解決されることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、以下の通りである。
１．少なくとも、
導体層（１）、第１絶縁層（２）、回路パターン（３）、及び熱可塑性樹脂を含有する第２絶縁層（４）が、
その順に積層された多層配線基板の製造方法であって、
第１絶縁層（２）上に回路パターン（３）が配設された第１絶縁層／回路パターン・積層体の回路パターン側に、
熱可塑性樹脂を含有する第２絶縁層（４）を積層する工程を有し、且つ上記第１絶縁層／回路パターン・積層体に、第２絶縁層（４）を積層する前に第１絶縁層（２）側に導体層（１）が積層され、導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体が形成され、
上記第２絶縁層（４）の、第１絶縁層（２）と接する面と反対側の面に、更に第３絶縁層（５）が積層され、
上記第１絶縁層（２）の熱可塑性樹脂が液晶ポリマーであり、
上記第２絶縁層（４）の熱可塑性樹脂が液晶ポリマーであり、
該第１絶縁層（２）はガラス転移点（Ｔｇ）が１００〜２００℃の熱可塑性樹脂であり、該第１絶縁層（２）中に含まれる無機フィラーの含有濃度をＣ₁（容積％）、第２絶縁層（４）中に含まれる無機フィラーの含有濃度をＣ₂（容積％）とすると、
１５≦（Ｃ₁−Ｃ₂）≦９０
であり、
上記第１絶縁層（２）製造時の熱処理温度をＴ ₁ ℃、第２絶縁層（４）製造時の熱処理温度をＴ ₂ ℃とすると、
２０≦（Ｔ ₁ −Ｔ ₂ ）
であることを特徴とする多層配線基板の製造方法。

本発明の多層配線基板の製造方法は、回路パターンが特定の絶縁層に沈み込みにくいために、回路パターンの周辺において設計どおりの特性インピーダンスを得ることができ、伝送損失の少ない回路を作ることができる。

次に、本発明の多層配線基板及びその製造法を適宜添付の図１〜４に基づいて詳細に説明する。
本発明の多層配線基板の製造は、
少なくとも、
導体層１、第１絶縁層２、回路パターン３、及び熱可塑性樹脂を含有する第２絶縁層４が、
その順に積層された多層配線基板の製造方法であって、
特定の第１絶縁層２上に回路パターン３が配設された第１絶縁層／回路パターン・積層体上の、回路パターン３側に、第２絶縁層４を積層して行われる。
導体層１は、上記積層前に、第１絶縁層／回路パターン・積層体上の第１絶縁層２上に形成されていても良いし、上記積層後に第１絶縁層２上に形成されても良い。
更に、第３絶縁層５を第２絶縁層４上に形成することが好ましい。

図１は、上記少なくとも、導体層１、第１絶縁層２、回路パターン３、及び熱可塑性樹脂を含有する第２絶縁層４が、その順に積層された多層配線基板の好ましい実施の形態の一例を示す断面図であって、本実施形態においては、第２絶縁層４の上部に更に第２導体層６を有する。

上記第１絶縁層２は特定の熱可塑性樹脂と特定量の無機フィラーを含有しており、この組成をとることによって第２絶縁層４と比較して硬い層となり、
該第１絶縁層２上に回路パターン３が配設された第１絶縁層／回路パターン・積層体と第２絶縁層４を積層して多層配線基板の製造する際に、回路パターン３が第１絶縁層２に沈み込みにくくなっている。
なお、本発明において、Ａ／Ｂ／Ｃ・・・積層体とは、Ａ、Ｂ、Ｃ、・・の層が、Ａ、Ｂ、Ｃ、・・の順に積層された積層体を意味し、Ａ／Ｂ／Ｃ・積層体とＣ／Ｂ／Ａ・積層
体とは同一の積層体である。

上記第１絶縁層２の熱可塑性樹脂としては、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン等を挙げることができ、耐熱性、誘電特性などの点から液晶ポリマーが好ましい。
液晶ポリマーの含有率は、熱可塑性樹脂中に５０質量％以上１００質量％以下含有されていることが好ましく、８０質量％以上１００質量％以下含有されていることが更に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下含有されていることが特に好ましい。
液晶ポリマーは誘電率が低いため、無機フィラーと混合することにより絶縁層の誘電率特性を設定する巾が広くなる。

本発明で使用される液晶ポリマーは４５０℃以下の温度で光学的に異方性を示す溶融体を形成するものである。

前記液晶ポリマーはとしては、例えば、
（１）芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジカルボン酸および芳香族ジオールの組み合わせを重合して得られるもの、
（２）同種または異種の芳香族ヒドロキシカルボン酸を重合して得られるもの、
（３）芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオールとの組み合わせを重合して得られるもの、
（４）ポリエチレンテレフタレート等の結晶性ポリエステルに芳香族ヒドロキシカルボン酸を反応させたもの
が挙げられる。
ここで芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジカルボン酸および芳香族ジオールは、エステル形成性を阻害しない程度であれば、その芳香環に、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基等を有していてもよい。
ここでアルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基またはブチル基がより好ましい。アリール基としては、炭素数６〜２０のアリール基が挙げられ、フェニル基がより好ましい。
ハロゲン原子としては塩素原子、フッ素原子等が挙げられる。
なお、これらの芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジカルボン酸または芳香族ジオールの代わりに、それらのエステル形成性誘導体を使用してもよい。

カルボキシル基を有する化合物のエステル形成性誘導体としては、例えば、カルボキシル基が、ポリエステル生成反応を促進するような、酸塩化物、酸無水物等の反応性が高い誘導体となっているもの、カルボキシル基が、エステル交換反応によりポリエステルを生成するようなアルコール類やエチレングリコール等とエステルを形成しているものが挙げられる。
また、フェノール性水酸基を有する化合物のエステル形成性誘導体としては、例えば、エステル交換反応によりポリエステルを生成するように、フェノール性水酸基が低級カルボン酸類とエステルを形成しているものが挙げられる。
これらのエステル形成性誘導体は、液晶ポリマーを製造する際に好適に使用することが可能であり、その詳細は後述する。

前記液晶ポリマーを形成する繰り返し構造単位としては、下記のものを例示することができるが、これらに限定されるものではない。

芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰り返し構造単位：

前記の繰り返し構造単位は、芳香環に結合している水素原子が、前記のようなハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。

芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し構造単位：

前記の繰り返し構造単位は、芳香環に結合している水素原子が、前記のようなハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。

芳香族ジオールに由来する繰り返し構造単位：

前記の繰り返し構造単位は、芳香環に結合している水素原子が、前記のようなハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。

液晶ポリマーの繰り返し構造単位において、好ましい組み合わせとしては、例えば、下記（ａ）〜（ｆ）が挙げられる。
（ａ）：
前記繰り返し構造単位（Ａ₁）、（Ｂ₂）および（Ｃ₃）の組み合わせ、
前記繰り返し構造単位（Ａ₂）、（Ｂ₂）および（Ｃ₃）の組み合わせ、
前記繰り返し構造単位（Ａ₁）、（Ｂ₁）、（Ｂ₂）および（Ｃ₃）の組み合わせ、または、前記繰り返し構造単位（Ａ₂）、（Ｂ₁）、（Ｂ₂）および（Ｃ₃）の組み合わせ。
（ｂ）：前記（ａ）の組み合わせのそれぞれにおいて、（Ｃ₃）の一部または全部を（Ｃ₁）に置換した組み合わせ。
（ｃ）：前記（ａ）の組み合わせのそれぞれにおいて、（Ｃ₃）の一部または全部を（Ｃ₂）に置換した組み合わせ。
（ｄ）：前記（ａ）の組み合わせのそれぞれにおいて、（Ｃ₃）の一部または全部を（Ｃ₄）に置換した組み合わせ。
（ｅ）：前記（ａ）の組み合わせのそれぞれにおいて、（Ｃ₃）の一部または全部を（Ｃ₄）と（Ｃ₅）の混合物に置換した組み合わせ。
（ｆ）：前記（ａ）の組み合わせのそれぞれにおいて、（Ａ₁）の一部を（Ａ₂）に置換した組み合わせ。

耐熱性の観点から液晶ポリマーは、該液晶ポリマーを構成する繰り返し構造単位の合計を１００モル％としたとき、ｐ−ヒドロキシ安息香酸および２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸類からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物に由来する繰り返し構造単位、即ち（Ａ₁）および（Ａ₂）からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物に由来する繰り返し構造単位を３０〜８０モル％、ヒドロキノンおよび４，４’−ジヒドロキシビフェニル類からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物に由来する繰り返し構造単位、即ち（Ｃ₁）および（Ｃ₃）からなる群から選ばれた少なくとも一種の繰り返し構造単位を１０〜３５モル％、テレフタル酸類およびイソフタル酸類からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物に由来する繰り返し構造単位、即ち（Ｂ₁）および（Ｂ₂）からなる群から選ばれた繰り返し構造単位を１０〜３５モル％からなることが好ましい。
また、耐熱性、機械物性のバランスの観点から液晶ポリマーは、該液晶ポリマーを構成する繰り返し構造単位の合計を１００モル％としたとき、前記（Ａ₁）で表される繰り返し単位を３０モル％以上含むことが好ましい。

中でも、テレフタル酸類およびイソフタル酸類からなる群から選ばれた一種または二種以上の化合物に由来する繰り返し構造単位の合計モル数を1としたとき、イソフタル酸類に由来する繰り返し単位が0.5モル以上であることで、ガラス転移温度（Tg）が１００〜２００℃の液晶ポリマーを製造することができる。溶媒への溶解性向上の観点からは、イソフタル酸類に由来する繰り返し単位が0.8モル以上であることが更に好ましい。
ここでの、ガラス転移温度（Tg）とは、JIS K7121に記載のプラスチックの転移温度測定方法に従って上記の液晶ポリマーを１０℃/分の昇温速度で加熱した時の示差走査熱量測定（DSC）により測定される温度を示す。

本発明に用いられる液晶ポリマーの製造方法は、特に限定されないが、前記のように、エステル形成性誘導体を用いると好ましい。例えば、芳香族ヒドロキシカルボン酸および芳香族ジオールからなる群から選ばれる少なくとも１種を過剰量の脂肪酸無水物によりアシル化してアシル化物を得、得られたアシル化物と、芳香族ヒドロキシカルボン酸および芳香族ジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種とをエステル交換重合することにより溶融重合する方法が挙げられる。

アシル化反応においては、脂肪酸無水物の添加量がフェノール性水酸基の１．０〜１．２倍当量であることが好ましく、より好ましくは１．０５〜１．１倍当量である。脂肪酸無水物の添加量が少ないと、エステル交換重合時にアシル化物や芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジカルボン酸等が昇華し、反応系が閉塞し易い傾向があり、また、多すぎると得られる液晶ポリマーの着色が著しくなる傾向がある。

アシル化反応は、１３０℃〜１８０℃で５分間〜１０時間反応させることが好ましく、
１４０℃〜１６０℃で１０分間〜３時間反応させることがより好ましい。

アシル化反応に使用される脂肪酸無水物は，特に限定されないが、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水イソ酪酸、無水吉草酸、無水ピバル酸、無水２エチルヘキサン酸、無水モノクロル酢酸、無水ジクロル酢酸、無水トリクロル酢酸、無水モノブロモ酢酸、無水ジブロモ酢酸、無水トリブロモ酢酸、無水モノフルオロ酢酸、無水ジフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、無水グルタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水β−ブロモプロピオン酸等が挙げられ、これらは２種類以上を混合して用いてもよい。価格と取り扱い性の観点から、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、または無水イソ酪酸が好ましく用いられ、より好ましくは、無水酢酸が用いられる。

エステル交換においては、アシル化物のアシル基がカルボキシル基の０．８〜１．２倍当量であることが好ましい。

エステル交換は、４００℃まで０．１〜５０℃／分の割合で昇温しながら行うことが好ましく、３５０℃まで０．３〜５℃／分の割合で昇温しながら行うことがより好ましい。

アシル化して得た脂肪酸エステルとカルボン酸とをエステル交換させる際、平衡を移動させるため、副生する脂肪酸と未反応の脂肪酸無水物は、蒸発させる等して系外へ留去することが好ましい。

なお、アシル化反応、エステル交換は、触媒の存在下に行ってもよい。該触媒としては、従来からポリエステルの重合用触媒として公知のものを使用することができ、例えば、酢酸マグネシウム、酢酸第一錫、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、三酸化アンチモン等の金属塩触媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、Ｎ−メチルイミダゾール等の有機化合物触媒を挙げることができる。該触媒は、通常、モノマーの投入時に併せて投入され、アシル化後も除去することは必ずしも必要ではなく、該触媒を除去しない場合にはそのままエステル交換を行うことができる。

エステル交換による重合は、通常、溶融重合により行なわれるが、溶融重合と固相重合とを併用すると好ましい。該固相重合は、溶融重合工程からポリマーを抜き出し、その後、粉砕してパウダー状もしくはフレーク状にした後、公知の固相重合方法により行うことができる。具体的には、窒素等の不活性雰囲気下、２５０℃〜３５０℃で、１〜３０時間、固相状態で熱処理する方法等が挙げられ、固相重合は、攪拌しながらでも、攪拌することなく静置した状態で行ってもよい。なお適当な攪拌機構を備えることにより溶融重合槽と固相重合槽とを同一の反応槽とすることもできる。固相重合後、得られた液晶ポリマーは、公知の方法によりペレット化してもよく、かかるペレット化によって操作性に優れた液晶ポリマーを得ることができる。
また、このような液晶ポリマーの製造は、回分装置、連続装置いずれを用いてもよい。

本発明で用いられる液晶ポリマー溶液組成物の調製に用いられる溶媒は、下記一般式（Ｉ）で示されるハロゲン置換フェノール化合物を３０重量％以上含有する溶媒である。さらには、該溶媒としては、ハロゲン置換フェノール化合物を６０重量％以上含有する溶媒であることが好ましく、ハロゲン置換フェノール化合物そのままを溶媒として用いることが好ましい。このように、溶媒としては、ハロゲン置換フェノールの含有重量比が高いほど、前記に例示した好適な液晶ポリマーに対する溶解性が十分に確保されるばかりか、溶解した液晶ポリマーが経時で析出するのを防止することもできるため、保存安定性に優れる溶液組成物となり好ましい。
一般式（Ｉ）

（式中、Ａはハロゲン原子またはトリハロゲン化メチル基を表わし、ｉはＡの個数であって１〜５の整数を表わす。ｉが２以上の場合、複数あるＡは互いに同一でも異なっていてもよい）
なお、前記溶媒には、液晶ポリマー溶液組成物の保存時または後述の流延時に液晶ポリマー析出を防止できる範囲で、前記ハロゲン置換フェノール化合物以外に他の成分を含有していてもよい。このような他の成分としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、テトラクロロエタン等の塩素系化合物が挙げられる。

一般式（Ｉ）において、ｉは好ましくは１〜３であり、より好ましくは１または２である。ｉが１のときＡの置換位置は４位であることが好ましく、ｉが２以上のとき少なくとも一つのＡの置換位置は４位であることが好ましい（水酸基の置換位置を１位とする）。
また、Ａが複数存在する場合には、Ａは互いに同一でも異なっていてもよく、同一であることが好ましい。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子または塩素原子が好ましく、塩素原子が特に好ましい。
ハロゲン原子がフッ素原子である一般式（Ｉ）で示されるハロゲン置換フェノール化合物の例としては、ペンタフルオロフェノール、テトラフルオロフェノールが挙げられる。
ハロゲン原子が塩素原子である一般式（Ｉ）で示されるハロゲン置換フェノール化合物の例としてはパラクロロフェノールが挙げられる。

トリハロゲン化メチル基のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
トリハロゲン化メチル基のハロゲン原子がフッ素原子である一般式（Ｉ）で示されるハロゲン置換フェノール化合物の例としては、３，５−ビストリフルオロメチルフェノールが挙げられる。

一般式（Ｉ）で示されるハロゲン置換フェノール化合物としては、価格と入手性の観点から、パラクロロフェノール等の塩素置換フェノール化合物が好ましい。

本発明で用いられる液晶ポリマー溶液組成物は、液晶ポリマーを前記溶媒に溶解させることにより得られる。

該液晶ポリマー溶液には、前記溶媒１００重量部に対して、液晶ポリマーを通常０．５〜１００重量部、好ましくは１〜５０重量部、更に好ましくは３〜２０重量部含有される。
液晶ポリマーの総量が０．５重量部以上であれば、液晶ポリマーの生産効率がより向上する傾向があり、１００重量部以下であれば、溶媒に対する溶解性がより向上する傾向がある。
該溶液組成物は、その後、必要に応じて、更にフィルター等によってろ過して該溶液組成物中に含まれる微細な異物を除去してもよい。

上記の第１絶縁層２に使用される熱可塑性樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）は１００〜２００℃であり、好ましくは１００〜１５０℃である。
熱可塑性樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）が１００℃以上であると、
第１絶縁層２上に回路パターン３が配設された第１絶縁層／回路パターン・積層体と第２絶縁層４を積層して多層配線基板を製造する際に、回路パターン３が第１絶縁層２に沈み込むことがなく、特性インピーダンスの値が設計値から外れることがないので好ましい。
熱可塑性樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）が２００℃以下であると、熱可塑性樹脂の入手が困難となることがない。

上記の第１絶縁層２に含有される無機フィラーは、第１絶縁層２の絶縁性を損なうものでなければ特に限定はないが、例えば、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、ホウ酸アルミニウム、スズ酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム、ゼオライトの群より選ばれる１種以上を使用することができる。
無機フィラーの種類を選ぶことにより、第１絶縁層２の誘電率を高くすることも低くすることもでき、例えば、チタン酸バリウムを使用することにより第１絶縁層２の誘電率を高くすることができ、酸化ケイ素を使用することにより誘電率を低くすることができる。
また、無機フィラーは熱可塑性樹脂中の分散性を高めるために、その表面がカップリング剤でカップリング処理されたものであっても良い。

上記無機フィラーの形状は、特に限定されるものではなく、いずれの形状のものでも使用できるが、取り扱いが容易で均一な第１絶縁層２の層が得られやすい点から球状の形状が好ましい。
無機フィラーの数平均粒径は、０．０５〜５μｍが好ましく、０．１〜１μｍが更に好ましい。
無機フィラーの数平均粒径が、０．０５μｍ以上であると熱可塑性樹脂中への分散が不十分になる傾向が少なく、また５μｍ以下であると第１絶縁層２の平滑性、均一性が低下する傾向が憂くなく好ましい。

該第１絶縁層２中に含まれる無機フィラーの含有濃度をＣ_１（容積％）、第２絶縁層４中に含まれる無機フィラーの含有濃度をＣ_２（容積％）とすると、
１５≦（Ｃ_１−Ｃ_２）≦９０
であり、好ましくは
２０≦（Ｃ_１−Ｃ_２）≦８０
であり、更に好ましくは
２５≦（Ｃ_１−Ｃ_２）≦７０
である。

上記（Ｃ_１−Ｃ_２）の値が１５以上であると、前記回路パターン３の第１絶縁層２への沈み込みが起こりにくく、９０以下であると第１絶縁層２における熱可塑性樹脂の含有量が一定量以上確保されるために、第１絶縁層２の膜強度が低下することがなく好ましい。
上記の如く、該第１絶縁層２中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_１（容積％）を、第２絶縁層４中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_２（容積％）よりも一定以上多くすることにより、第１絶縁層２の高温での流動性が第２絶縁層４の流動性よりも低くなり、前記回路パターン３の第１絶縁層２への沈み込みを抑えることができる。
第１絶縁層２中に含まれる無機フィラー１の含有濃度Ｃ_１（容積％）の値は、上記関係式を満足する観点及び絶縁層の膜強度を保つ観点から１５〜９０（容積％）が好ましく、２０〜８０（容積％）が更に好ましい。

上記第１絶縁層２には、絶縁層の物性を損なわない範囲内で、熱安定性を改善するための酸化防止剤や難燃性を改善するための難燃化剤等を必要に応じて含有させることができる。
上記第１絶縁層２の厚みは、好ましくは５〜２００μ、更に好ましくは１０〜１００μである。厚みが上記下限値未満であると、絶縁層の絶縁信頼性が確保できなくなる。また、厚みが上記上限値を超えると、多層積層基板の高密度化の妨げとなる。

上記第２絶縁層４中の熱可塑性樹脂は、第２絶縁層４の絶縁性が維持される熱可塑性樹脂であれば特に制限はないが、第１絶縁層２の電気特性と極度に異ならない観点から、液晶ポリマーが好ましく、更に第１絶縁層２に含有されている液晶ポリマーと同一の液晶ポリマーが好ましい。
第２絶縁層４の液晶ポリマーの含有率は、耐熱性の観点から熱可塑性樹脂中に５０質量％以上１００質量％以下含有されていることが好ましく、８０質量％以上１００質量％以下含有されていることが更に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下含有されていることが特に好ましい。
上記の第２絶縁層４に使用される熱可塑性樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）は１００〜２００℃が好ましく、更に好ましくは１００〜１５０℃である。

上記第２絶縁層４には、第１絶縁層２に含有された無機フィラーと同様な無機フィラーが、前記（Ｃ_１−Ｃ_２）の値が満足される範囲内であれば、含まれていても良いし、含まれていなくとも良い。
第２絶縁層４中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_２（容積％）の値は、好ましくは０〜３０（容積％）以下、更に好ましくは０〜２０（容積％）以下、特に好ましくは０〜１０（容積％）以下である。
第２絶縁層４中の無機フィラーの添加量が、前記の如く第１絶縁層２中の無機フィラーの添加量に比較して少ないことにより、第１絶縁層２上に回路パターン３が配設された第１絶縁層／回路パターン・積層体と第２絶縁層４を積層して多層配線基板の製造する際に、回路パターン３が第１絶縁層２に沈み込まずに、第２絶縁層４中に埋設された構造の多層配線基板が得られる。
第２絶縁層４の厚みは、回路パターン３がその中に埋設される必要があるため、回路パターン３の厚みと同等か、それ以上に厚い。

回路パターン３には任意の配線を施すことができるが、配線の特性インピーダンスを考慮し、第１絶縁層２の誘電率、厚みより、パターンの幅、厚み等の形状を設計することができる。
本発明の多層配線板の回路パターン３は、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、合金類などの金属材料を使用することができる。
上記回路パターン３の厚みは、１〜１００μｍが好ましく、５〜５０μｍが更に好ましい。回路パターン３の厚みが１μｍ以上であれば断線の恐れがなく、１００μｍ以下であると回路形成時のエッチングが容易となり好ましい。
導体層１は、回路パターン３と同様な導体の配線であっても良いし、グランド層のようなベタパターンであってもよい。

本発明の多層配線基板の導体層１をベタパターンで使用すると、外部からのノイズを遮断する、輻射ノイズを抑える、電流を安定的に供給することができるなどの効果が得られる。
本発明の多層配線基板は、回路パターン３周辺の特性インピーダンス環境を整えるために第３絶縁層５を、第２絶縁層４の第１絶縁層２と接する面の反対側の面に形成することが好ましい。

上記第３絶縁層５の組成は、第１絶縁層２若しくは第２絶縁層４と同様の組成とすることができるし、第１絶縁層２若しくは第２絶縁層４とは異なった組成を取ることもできる。
パターン周辺の特定インピーダンス環境を整えるために、第３絶縁層５の第２絶縁層４と接する面の反対側の面に、更に第２の導体層６を有することが好ましい。
上記第２の導体層６は回路パターンであっても良い。

本発明の多層配線基板の製造は、
上記第１絶縁層２上に回路パターン３が配設された第１絶縁層／回路パターン・積層体上の、回路パターン３側に、第２絶縁層４を積層して行われる。
導体層１は、上記積層前に、第１絶縁層／回路パターン・積層体上の第１絶縁層２上に形成されていても良いし、上記積層後に第１絶縁層２上に形成されても良いが、工程が簡単となる点から、上記積層前に、第１絶縁層／回路パターン・積層体上の第１絶縁層２上に形成されていることが好ましい。

図２は、本発明の多層配線基板を好適に製造する工程の一例を示す図であり、
（１）は、導体層１上に第１絶縁層２が積層された導体層／第１絶縁層・積層体の断面図であり、
（２）は、更にその上に金属箔７が熱圧着されて積層された導体層／第１絶縁層／金属箔・積層体の断面図であり、
（３）は、上記導体層／第１絶縁層／金属箔・積層体の金属箔７部分をサブトラクティブ法で処理して回路パターン３とした導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の断面図であり、
（４）は、上記導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体、第２絶縁層４／第２導体層６が積層される際の配置状態を示した断面図である。

上記図２の（４）の状態においては、導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の回路パターン３側に第２絶縁層４が配置されている。
上記（４）の配置状態で積層されることにより、図１の構造の多層配線基板が得られる。
図３は、本発明の多層配線基板を好適に製造する工程の別の一例を示す図であり、
（１）は、導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体、第２絶縁層４、第３絶縁層５／第２導体層６が積層される際の配置状態を示した断面図であり、
（２）は、上記（１）の配置状態で積層して得られる多層配線基板である。
上記図３の（１）の状態においても、導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の回路パターン３側に第２絶縁層４が配置されている。

上記第１絶縁層２、第２絶縁層４及び第３絶縁層５の各層を作成する方法としては、特に限定はないが、上記第１絶縁層２、第２絶縁層４及び第３絶縁層５の各組成成分の混合物を射出成型する方法、該組成成分の混合物に更に適当な溶剤を添加して混合液として、キャスティングする方法等を挙げることができる。
厚みが均一で、表面が平滑な絶縁層が得られるという観点から、キャスティングにより絶縁層を得ることが好ましい。

上記第１絶縁層２、第２絶縁層４及び第３絶縁層５の各組成成分の混合物は、前記樹脂、及び無機フィラー、更に必要に応じて、熱安定性を改善するための酸化防止剤や難燃性を改善するための難燃化剤等を配合して得られる。
また、キャスティングにより各絶縁層を作成する場合には、これらの配合物に更に適当に前述した溶媒を加えて各混合組成物溶液とする。

各混合組成物溶液の配合は、ボールミル、振動ミル、ホモミキサー、ロールミル、ビーズミル等の公知の混合装置で混合し、各混合組成物溶液を得ることができる。
上記各混合組成物溶液の粘度は塗工性の観点から２０００〜３００００センチポイズ（ｃｐｓ＝ｍＰａ・Ｓ）とすることが好ましく、５０００〜１５０００センチポイズ（ｃｐｓ）とすることが更に好ましい。
上記各混合組成物溶液における溶媒以外の成分の割合は、キャスティング塗工性の観点から１０〜６０質量％が好ましく、２０〜４０質量％がより好ましい。

上記各混合組成物溶液をキャスティングすることにより各絶縁層を得る場合には、コンマコーター、ダイコーター、カーテンコーター、ファウンテンコーター等の塗工機を使用して基材フィルム上にキャスティング塗工し、各混合組成物溶液の各塗工層を製造することができる。
上記各混合組成物溶液をキャスティング塗工する基材フィルムとしては、公知の合成樹脂シート、紙、布、不織布等を離型処理したもの、金属箔等を使用することができるが、耐熱性に優れ、そのまま導体層１として使用する、エッチングして回路パターン３を得る、又は全体を酸処理により除去することができる点で、回路パターン３若しくは導体層１に使用することのできる金属箔をキャスティングの基材フィルムとすることが好ましい。

キャスティングの基材フィルムとして金属箔を使用し、上記第１絶縁層２、第２絶縁層４若しくは第３絶縁層５の絶縁層のみを作成する場合には、例えば銅箔などの金属箔の上に絶縁層の成分を含む混合組成物溶液を塗工乾燥して絶縁層／金属箔・積層体を得た後、金属箔を酸処理で溶解除去して絶縁層を得ることができる。
また、いずれかの絶縁層の一方の面に回路パターン若しくは導体層を形成する場合には、上記絶縁層／金属箔・積層体を基材フィルムである金属箔を酸処理で溶解除去せず、金属箔をそのまま導体層として使用することもできるし、サブトラクティブ法により処理して回路パターンとして使用することができる。

第２絶縁層４の、第１絶縁層２と接する面と反対側の面に、更に第３絶縁層５が積層されている多層配線基板を得る場合には、第２絶縁層４、第３絶縁層５をそれぞれ単独で製造し、それぞれを積層してもよく、又、第３絶縁層５上に第２絶縁層４の成分を含む混合組成物溶液をキャスティング塗工して乾燥塗膜を得てもよい。
塗工厚みは、乾燥後に前記の各絶縁層の厚みになるように塗工厚みを調整する。
上記基材フィルム上に塗工された混合組成物溶液の塗工シートは、温風乾燥機、熱風乾燥機、遠赤外乾燥機等で乾燥して絶縁層と基材フィルムとの積層体を得ることができる。乾燥操作後に絶縁層の内部に溶媒が残存すると、膜に亀裂が入る可能性があるため、絶縁層内部の溶媒が抜けきる前に絶縁層の表面が乾燥しないようにすることが好ましい。乾燥温度は７０〜２００℃が好ましく、更に好ましくは１００〜１５０℃、乾燥時間は１０〜１２０分が好ましく、２０〜６０分が更に好ましく、低温から高温まで段階的に、若しくは連続的に昇温して乾燥することが好ましい。

塗工シートを乾燥した後、樹脂の硬度を一定にするために更に熱処理を行うことが好ましい。
その場合、上記第１絶縁層２の熱可塑性樹脂の熱処理温度をＴ_１℃、第２絶縁層４の熱可塑性樹脂の熱処理温度（℃）をＴ_２℃とすると、
２０≦（Ｔ_１−Ｔ_２）
であることが好ましい。
また、Ｔ_１は２２０〜３６０℃であることが好ましい。
このようにすることにより、配線パターンが第１絶縁層２中に沈み込むことが更に抑制される。
金属箔を基材フィルムとして使用して得られた金属箔／絶縁層・積層体から金属箔を除去し、上記第１絶縁層２、第２絶縁層４若しくは第３絶縁層５の絶縁層のみを作成する場合には、公知の酸処理を使用することができる。

本発明の多層配線基板の第１絶縁層２上に回路パターン３を作成する方法としては、前記の如く、金属箔上に第１絶縁層２を形成した金属箔／第１絶縁層・積層体、若しくは第１絶縁層２と金属箔を圧着形成した金属箔／第１絶縁層・積層体の金属箔から公知のサブトラクティブ法で作成する方法、第１絶縁層２上にメッキレジストを形成後、メッキを行なう公知のアディティブ法などで作成する方法などを挙げることができる。
サブトラクティブ法で回路パターン３を作成する方法は、コスト、生産性の面で優れており、アディティブ法で回路を形成する方法は、細密パターンを形成することができる。

本発明の多層配線基板は、上記の如く第１絶縁層２上に回路パターン３が配設された第１絶縁層／回路パターン・積層体上の、回路パターン３側に、第２絶縁層４を積層して製造することができる。
上記積層は、真空プレス、ロールプレス、ダブルベルトプレス、シングルベルトプレス、オートクレーブ型真空プレス等の装置を使って加熱圧着することができる。
圧着の圧力は、１〜１０メガパスカル（ＭＰａ）であることが好ましく、２〜８メガパスカル（ＭＰａ）であることがより好ましい。圧着の圧力が、上記の下限値未満であると積層面の接着力が不十分となり剥がれの原因となり、上記の上限値を超えると断線などの破壊が起こる可能性がある。

上記の様にして得られた本発明の多層配線基板においては、回路パターン３は第１絶縁層２上に配設されているとともに、第２絶縁層４中に埋設されており、第１絶縁層２の該回路パターン３が配設されている部分の厚みをＬｃ、該回路パターン３の配設されていない部分の厚みをＬ_０とすると、（Ｌ_０−Ｌｃ）÷Ｌ_０は特定の値をとる。
図４は、図１に示した多層基板と同一の構造構成を有する多層配線基板における上記Ｌ_０とＬｃを説明する図であり、Ｌｃは第１絶縁層２の該回路パターン３が配設されている部分の厚みであり、Ｌ_０は該回路パターン３の配設されていない部分の厚みである。

本発明の多層配線基板においては、
０≦（Ｌ_０−Ｌｃ）÷Ｌ_０≦０．１
であり、好ましくは
０≦（Ｌ_０−Ｌｃ）÷Ｌ_０≦０．０５
であり、更に好ましくは
０≦（Ｌ_０−Ｌｃ）÷Ｌ_０≦０．０２
である。
（Ｌ_０−Ｌｃ）÷Ｌ_０が小さい値をとり、上記図２（４）に示す配置状態で積層が行われた後に、回路パターン３が第１絶縁層２にほとんど沈み込まず、回路パターン３周辺の特性
インピーダンスの値を所定の値に設定することができる。

次に本発明の多層配線基板について実施例を述べるが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例１
（１）液晶ポリマーの合成例
攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、ｐ―ヒドロキシ安息香酸 １４１質量部（１．０２モル）、４，４’−ジヒドロキシビフェニル ６３．３質量部（０．３４モル）、イソフタル酸 ５６．５質量部（０．３４モル
）及び無水酢酸 １９１質量部（１．８７モル）、を仕込んだ。反応器内を十分に窒素ガスで置換した後、窒素ガス気流下で１５分かけて１５０℃まで昇温し、温度を保持して３時間還流させた。その後、留出する副生酢酸及び未反応の無水酢酸を留去しながら１７０分かけて３２０℃まで昇温し、トルクの上昇が認められる時点を反応終了とみなし、内容物を取り出した。得られた固形分は室温まで冷却し、粗粉砕機で粉砕後、窒素雰囲気下２５０℃で３時間保持し、固層で重合反応を進めた。得られた液晶ポリマーのガラス転移温度（Tg）について、JIS K7121に記載のプラスチックの転移温度測定方法に従って、１０℃/分の昇温速度で加熱した時の示差走査熱量測定（測定装置：島津製作所製DSC50）により測定したところ、１２４℃であった。
（２）液晶ポリマー溶液組成物の調整
前記合成例により得られた液晶ポリマー１００質量部をパラクロロフェノール９００質量部）に加え、その後、１２０℃に加熱して８時間保持した結果、液晶ポリマー溶液組成物を得た。
前記液晶ポリマー溶液組成物を銅箔１（古川サーキットフォイル（株）製：グレード名Ｆ２−ＷＳ、幅５００ｍｍ、厚さ１２μｍ）上にコンマロールコーターを用いて塗布し、１２０℃で３０分乾燥し、更に温度３４０℃、２０分で熱処理することにより厚さ２０μｍの積層体を作製し、更に銅箔を除去して単層の液晶ポリマーフィルムを得た。得られた液晶ポリマーフィルムのガラス転移温度を上記（１）と同様にして測定したところ、１３５℃であった。
（３）導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の作成
チタン酸バリウム系無機フィラー（富士チタン（株）製：グレード名ＮＰＯ−Ｓ、真比重５．８）１８８質量部をパラクロロフェノール１４４質量部に加えて分散させて無機フィラー分散液を作成した。
次に、前記液晶ポリマー溶液組成物１０００質量部と上記無機フィラー分散液３３２質量部を混合して第１絶縁層組成物スラリーとした。

上記第１絶縁層組成物スラリーを銅箔１（古川サーキットフォイル（株）製：グレード名Ｆ２−ＷＳ、幅５００ｍｍ、厚さ１２μｍ）上にコンマロールコーターを用いて塗布し、１２０℃で３０分乾燥し、更に温度３４０℃、２０分で熱処理することにより厚さ２０μｍ（Ｌ_０）の第１絶縁層２を有する導体層／第１絶縁層・積層体を得た。

この導体層／第１絶縁層・積層体の第１絶縁層２側に上記銅箔と同一の銅箔を温度３４０℃、圧力４ＭＰａで貼り付け、新たに貼り付けた銅箔部分を酸化第二鉄による公知のサブトラクティブ法によるエッチングで配線３を形成し、導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体を得た。
得られた第１絶縁層２中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_１は３０．９（容積％）である。

（４）第２絶縁層／第２導体層・積層体の作成
上記と同じ液晶ポリマー溶液組成物１０００質量部を上記（２）と同様の方法で銅箔６上に塗布、乾燥させ、更に温度２５０℃、２０分で熱処理することにより厚さ２０μｍの第２絶縁層／第２導体層・積層体を得た。
第２絶縁層４中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_２は０（容積％）であり、（Ｃ_１−Ｃ_２）は３０．９（容積％）である。

（５）積層
上記（３）で得られた導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の回路パターン３側に上記（４）で得られた第２絶縁層／第２導体層・積層体を図２の（４）の状態に配置して重ね合わせ、温度３００℃、圧力４ＭＰａで積層プレスし、導体層／第１絶縁層／回路パターン／第２絶縁層／銅箔・積層体の構造を有する多層配線基板（図１）を製造した。

（６）断面の観察
上記（5）で得られた多層配線基板の一部を切り取り、エポキシ樹脂に埋込み、エポキシ樹脂を硬化した後、断面を切断・研磨することにより多層配線基板中の断面を観察した。
その結果、回路パターン３は第２絶縁層４中に埋設されており、第１絶縁層２中には全く沈み込みが見られず、（Ｌ_０−Ｌｃ）÷Ｌ_０（図４）の値は０であった。従って、上記多層配線基板中の回路パターン３は設計通りの特性インピーダンスを精度よく得ることができる。

実施例２
（１）導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の作成
実施例１の（３）と同様にして実施例１の（３）と同一の導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体を作成した。
（２）第２絶縁層４の作成
実施例１の（４）と同様にして実施例１と同一の第２絶縁層／銅箔・積層体を得た。
上記第２絶縁層／銅箔・積層体を酸化第２鉄でエッチングすることにより全ての銅箔を溶かし、厚さ２０μの第２絶縁層４を得た。
第２絶縁層４中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_２は０（容積％）であり、（Ｃ_１−Ｃ_２）は３０．９（容積％）である。

（３）第３絶縁層／第２導体層・積層体の作成
酸化ケイ素系無機フィラー（扶桑化学工業（株）製：グレード名クォートロンＳＰ−１Ｂ、真比重２．２）２１６質量部に対し溶剤としてパラクロロフェノール２５９質量部を加えて分散し、無機フィラー分散液を得た。この無機フィラー分散液４７５質量部に実施例１で使用した液晶ポリマー溶液組成物を１０００質量部加え混合し、第３絶縁層組成物スラリーとする。
上記スラリーを上記（２）と同様の方法で銅箔６上に塗布、乾燥させ、更に温度３００℃、２０分で熱処理することにより第３絶縁層５の厚さ５５μｍの第３絶縁層／第２導体層・積層体（図３（１））を得た。

（４）積層
上記（１）で得られた導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の回路パターン３側に上記（２）で得られた第２絶縁層４（接着層）、更に上記（３）で得られた第３絶縁層／第２導体層・積層体を図３の（１）の状態に配置して重ね合わせ、温度３００℃、圧力４ＭＰａで積層プレスし、導体層／第１絶縁層／回路パターン／第２絶縁層／第３絶縁層／第２導体層・積層体の構造を有する多層配線基板（図３（２））を製造した。

（５）断面の観察
上記（４）で得られた多層配線基板の一部を切り取り、エポキシ樹脂に埋込み、断面を切断・研磨することにより多層配線基板中の断面を観察した。
その結果、回路パターン３は第２絶縁層４中に埋設されており、第１絶縁層２中には全く沈み込みが見られず、（Ｌ_０−Ｌｃ）÷Ｌ_０（図４）の値は０であった。

実施例３
（１）導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の作成
実施例２の（３）で使用した酸化ケイ素系無機フィラー２３９重量部をパラクロロフェノール２８７重量部に加えて分散し、無機フィラー分散液を作成した。この無機フィラー分散液５２６重量部に実施例１で使用した液晶ポリマー溶液組成物を加えて混合し、第１絶縁層組成物スラリーとした。
上記第１絶縁層組成物スラリーを実施例１で使用した銅箔１上にコンマロールコーターを用いて塗布し、１２０℃で３０分乾燥し、温度３４０℃、６０分で熱処理することにより厚さ２０μｍ（Ｌ_０）の第１絶縁層２を有する導体層／第１絶縁層・積層体を得た。
この導体層／第１絶縁層・積層体に上記銅箔と同一の銅箔７を温度３４０℃、圧力４ＭＰａで貼り付け（図２（２））、貼り付けた銅箔面を酸化第二鉄による公知のサブトラクト法によるエッチングで配線３を形成し、導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体を得た。
得られた第１絶縁層２中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_１は６０．０（容積％）である。

（２）第２絶縁層／第２導体層・積層体の作成
実施例１の（３）で使用したチタン酸バリウム系無機フィラー２７０重量部をパラクロロフェノール２０５重量部に加えて分散させて無機フィラー分散液を作成した。
次に、実施例１で使用した液晶ポリマー溶液組成物１０００重量部と上記無機フィラー分散液４７５重量部を混合して第２絶縁層組成物スラリーとした。
上記スラリーを上記（１）と同様の方法で銅箔６上に塗布、乾燥させ、温度２７０℃、２０分で熱処理することにより厚さ２０μｍの第２絶縁層／第２導体層・積層体を得た。
第２絶縁層中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_２は３９．１（容積％）であり、（Ｃ_１−Ｃ_２）は２０．９（容積％）である。

（３）積層
上記（１）で得られた導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の回路パターン３側に上記（２）で得られた第２絶縁層／第２導体層・積層体を図２の（４）の状態に配置して重ね合せ、温度３００℃、圧力４ＭＰａで積層プレスし、導体層／第１絶縁層／回路パターン／第２絶縁層／銅箔・積層体の構造を有する多層配線基板（図１）を製造した。

（４）断面の観察
上記（４）で得られた多層配線基板の一部を切り取り、エポキシ樹脂に埋込み、断面を切断・研磨することにより多層配線基板中の断面を観察した。
その結果、回路パターンのＬ_０値は２０μｍ、Ｌｃの値１９μｍであり、（Ｌ_０−Ｌｃ）÷Ｌ_０（図４）は０．０５であった。

比較例１
（１）導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の作成
実施例１の（３）で使用したチタン酸バリウム系無機フィラー１８８質量部をパラクロロフェノール１４４質量部に加えて分散させて無機フィラー分散液を作成した。
実施例１と同じ液晶ポリマー溶液組成物１０００質量部と上記無機フィラー分散液３３２質量部を混合して第１絶縁層組成物スラリーとした。
以下実施例１の（３）と同様にして厚さ２５μｍ（Ｌ_０）の第１絶縁層２を有する導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体を得た。
得られた第１絶縁層２中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_１は３０．９（容積％）である。

（２）第２絶縁層／第２導体層・積層体の作成
上記（１）と同じチタン酸バリウム系無機フィラー１４０質量部をパラクロロフェノール１０６質量部に加えて分散させて無機フィラー分散液を作成した。
実施例１と同じ液晶ポリマー溶液組成物１０００質量部と上記無機フィラー分散液２４６質量部を混合して第２絶縁層組成物スラリーとした。
塗布乾燥工程以下は実施例１の（４）と同様の方法で行い厚さ２５μｍの第２絶縁層４／第２導体層・積層体を得た。
得られた第２絶縁層４中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_２は２５．０（容積％）であり、（Ｃ_１−Ｃ_２）は５．９（容積％）である。

（３）積層プレス
上記（１）で得られた導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の回路パターン３側に上記（２）で得られた第２絶縁層４／第２導体層を図２の（４）の状態に配置し重ね合わせ、温度３００℃、圧力４ＭＰａで積層プレスし、多層配線基板（図１）を製造した。（４）断面の観察
得られた多層配線基板中の断面を観察した結果、回路パターン３は第１絶縁層２中に沈み込んでおり、Ｌ_０の値は２５μｍ、Ｌｃの値１６μｍであり、（Ｌ_０−Ｌｃ）÷Ｌ_０（図４）は０．３６であった。

比較例２
（１）導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の作成
実施例１の（３）で使用したチタン酸バリウム系無機フィラー１８８質量部をパラクロロフェノール１４４質量部に加えて分散させて無機フィラー分散液を作成した。
実施例１と同じ液晶ポリマー溶液組成物１０００質量部と上記無機フィラー分散液３３２質量部を混合して第１絶縁層組成物スラリーとした。
以下実施例１の（３）と同様にして厚さ２５μｍ（Ｌ_０）の第１絶縁層２を有する導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体を得た。
得られた第１絶縁層２中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_１は３０．９（容積％）である。

（２）第２絶縁層／第２導体層・積層体の作成
上記（１）と同じチタン酸バリウム系無機フィラー９０質量部をパラクロロフェノール６８質量部に加えて分散させて無機フィラー分散液を作成した。
実施例１と同じ液晶ポリマー溶液組成物１０００質量部と上記無機フィラー分散液１５８質量部を混合して第２絶縁層組成物スラリーとした。
塗布乾燥工程以下は実施例１の（４）と同様の方法で行い厚さ２５μｍの第２絶縁層４／第２導体層・積層体を得た。
得られた第２絶縁層４中に含まれる無機フィラーの含有濃度Ｃ_２は１７．６（容積％）であり、（Ｃ_１−Ｃ_２）は１３．３（容積％）である。

（３）積層プレス
上記（１）で得られた導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体の回路パターン３側に上記（２）で得られた第２絶縁層４／第２導体層を図２の（４）の状態に配置し重ね合わせ、温度３００℃、圧力４ＭＰａで積層プレスし、多層配線基板（図１）を製造した。（４）断面の観察
得られた多層配線基板中の断面を観察した結果、回路パターン３は第１絶縁層２中に沈み込んでおり、Ｌ_０の値は２５μｍ、Ｌｃの値２２μｍであり、（Ｌ_０−Ｌｃ）÷Ｌ_０（図４）は０．１２であった。

本発明の多層配線基板は各種ＡＶ機器、家電製品、通信機器、コンピュータやその周辺機器等の多層配線基板として使用することができる。

本発明の多層配線基板の好ましい実施の形態の一例を示す断面図である。 本発明の多層配線基板を好適に製造する以下の工程を示す図である。 （１）導体層１上に第１絶縁層２を積層して導体層／第１絶縁層・積層体を製造する工程 （２）更にその上に金属箔７を熱圧着して積層し、導体層／第１絶縁層／金属箔・積層体を製造する工程 （３）上記導体層／第１絶縁層／金属箔・積層体をサブトラクティブ法で金属箔６部分を処理して回路パターン３とした導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体を製造する工程 （４）上記導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体、第２絶縁層４／第２導体層を積層する工程 本発明の多層配線基板を好適に製造する工程の別の一例を示す図である。 （１）導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体、第２絶縁層４、第３絶縁層５／第２導体層が積層される際の配置状態を示した断面図。 （２）上記（１）の配置状態で積層して得られる多層配線基板である。 本発明の多層配線基板における、第１絶縁層２の該回路パターン３が配設されている部分の厚みＬｃと、該回路パターン３の配設されていない部分の厚みＬ_０とを説明する図である。

符号の説明

１ 導体層
２ 第１絶縁層
３ 配線パターン
４ 第２絶縁層
５ 第３絶縁層
６ 第２導体層
７ 金属箔７

Claims (1)

1. 少なくとも、
   導体層（１）、第１絶縁層（２）、回路パターン（３）、及び熱可塑性樹脂を含有する第２絶縁層（４）が、
   その順に積層された多層配線基板の製造方法であって、
   第１絶縁層（２）上に回路パターン（３）が配設された第１絶縁層／回路パターン・積層体の回路パターン側に、
   熱可塑性樹脂を含有する第２絶縁層（４）を積層する工程を有し、且つ上記第１絶縁層／回路パターン・積層体に、第２絶縁層（４）を積層する前に第１絶縁層（２）側に導体層（１）が積層され、導体層／第１絶縁層／回路パターン・積層体が形成され、
   上記第２絶縁層（４）の、第１絶縁層（２）と接する面と反対側の面に、更に第３絶縁層（５）が積層され、
   上記第１絶縁層（２）の熱可塑性樹脂が液晶ポリマーであり、
   上記第２絶縁層（４）の熱可塑性樹脂が液晶ポリマーであり、
   該第１絶縁層（２）はガラス転移点（Ｔｇ）が１００〜２００℃の熱可塑性樹脂であり、該第１絶縁層（２）中に含まれる無機フィラーの含有濃度をＣ₁（容積％）、第２絶縁層（４）中に含まれる無機フィラーの含有濃度をＣ₂（容積％）とすると、
   １５≦（Ｃ₁−Ｃ₂）≦９０
   であり、
   上記第１絶縁層（２）製造時の熱処理温度をＴ₁℃、第２絶縁層（４）製造時の熱処理温度をＴ₂℃とすると、
   ２０≦（Ｔ₁−Ｔ₂）
   であることを特徴とする多層配線基板の製造方法。

Images