JP5215526B2 - ハニカム構造の能動ピクセルセンサ - Google Patents

ハニカム構造の能動ピクセルセンサ Download PDF

Info

Publication number
JP5215526B2
JP5215526B2 JP2005352401A JP2005352401A JP5215526B2 JP 5215526 B2 JP5215526 B2 JP 5215526B2 JP 2005352401 A JP2005352401 A JP 2005352401A JP 2005352401 A JP2005352401 A JP 2005352401A JP 5215526 B2 JP5215526 B2 JP 5215526B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
photodiode
photodiodes
unit pixel
floating diffusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005352401A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006165567A (ja
Inventor
成 浩 崔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2006165567A publication Critical patent/JP2006165567A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5215526B2 publication Critical patent/JP5215526B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Description

本発明は、光学イメージセンサに係り、特にハニカム構造の能動ピクセルセンサに関する。
CMOS(Complementary Metal−Oxide Semiconductor)で製造されたビジュアルイメージングシステムは、伝統的なCCD(Charge−Coupled Device)イメージャと比較してコストや電力を非常に低減させると認められている。ビデオまたは静止画像を生成するために、CCDセンサに代替される多様な技術が開発されつつある。多様な技術スキームは、各ピクセルでまたは支援回路で信号増幅を行うか否かによって、受動ピクセルと能動ピクセルとに大別される。受動ピクセルセンサは、ピクセルが単純であり、光学フィルファクタが高いという利点がある。能動ピクセルセンサは、信号伝達及び感度を向上させるために各ピクセルに増幅部を備えるが、その結果、光学フィルファクタが低くなるという結果を起こす。
図1は、典型的な能動ピクセルセンサを示す図である。図1に示すように、各ピクセル100は、フォトダイオード101、伝送トランジスタ102、フローティングディフュージョンFD、リセットトランジスタ103、増幅トランジスタ104、及びロー選択トランジスタ105で構成される。かかる構成要素を一つのピクセル100に含めることによって、フィルファクタが低くなる。
したがって、能動ピクセルセンサのフィルファクタを増加させるピクセルアーキテクチャーの存在が要求される。
本発明の目的は、ハニカム構造のフォトダイオードを有し、三つのフローティングディフュージョンを共有する能動ピクセルセンサを提供するところにある。
本発明の他の目的は、前記能動ピクセルセンサの色フィルタアレイを提供するところにある。
本発明のさらに他の目的は、前記能動ピクセルセンサの読み取り方法を提供するところにある。
前記の目的を達成するために、本発明の一例による能動ピクセルセンサは、三つのピクセルで構成された単位ピクセルを複数個備え、単位ピクセルそれぞれは、三つの六角形構造のフォトダイオード、三つのピクセルに共有されるフローティングディフュージョン、フォトダイオードそれぞれとフローティングディフュージョンとの間に配置される第1〜第3伝送トランジスタ、フローティングディフュージョンと連結されるリセットトランジスタ、及びフローティングディフュージョンと直列連結される選択トランジスタ及び増幅トランジスタを備える。
前記他の目的を達成するために、本発明の他の例によるハニカム構造のフォトダイオードを有する能動ピクセルセンサは、六角形構造のフォトダイオード上に色フィルタを置くが、第2行の一つのフォトダイオード上に第1色フィルタを置き、第2行の第1色フィルタと隣接した第1行のフォトダイオード上に第2色フィルタと第3色フィルタとを置き、第2行の第1色フィルタの左右のフォトダイオード上に第3色フィルタと第2色フィルタとを置き、第2行の第1色フィルタと隣接した第3行のフォトダイオード上に第2色フィルタと第3色フィルタとを置く。第1色フィルタは青色フィルタであり、前記第2色フィルタは赤色フィルタであり、前記第3色フィルタは緑色フィルタであることが望ましい。
前記さらに他の目的を達成するために、本発明による能動ピクセルセンサの読み取り方法において、三つのピクセルで構成された単位ピクセルが行及び列で配置され、単位ピクセルそれぞれは、三つの前記六角形構造のフォトダイオード、三つのピクセルに共有されるフローティングディフュージョン、フォトダイオードそれぞれとフローティングディフュージョンとの間に配置される第1〜第3伝送トランジスタ、及びフローティングディフュージョンと連結されるリセットトランジスタ、選択トランジスタ及び増幅トランジスタを備え、第1単位ピクセルは、第1フローティングディフュージョンの上端の左右に第1ピクセルのフォトダイオード及び第2ピクセルのフォトダイオードが隣接して配列され、フローティングディフュージョンの下端に第3ピクセルの前記フォトダイオードが配列され、第2単位ピクセルは、第2フローティングディフュージョンの上端に第4ピクセルのフォトダイオードが配列され、フローティングディフュージョンの下端の左右に第5ピクセルのフォトダイオード及び第6ピクセルのフォトダイオードが隣接して配列され、第1単位ピクセル及び第2単位ピクセルが隣接して配置されてハニカム構造をなす。能動ピクセルセンサの読み取り方法は、第1ピクセル−第2ピクセル−第3ピクセル−第4ピクセル−第5ピクセル−第6ピクセル順に読み取られる。
本発明によれば、六角形のフォトダイオードを採用してフィルファクタを増加させてピクセルピッチを減らすことによって、映像信号を鮮明にディスプレイする。また、各行ごとに均一に青色フィルタ、緑色フィルタ及び赤色フィルタが配列された色アレイフィルタを使用して、映像パターン信号のノイズを減らす。
本発明と、本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び添付図面に記載された内容を参照しなければならない。
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することにより、本発明を詳細に説明する。各図面に付された同一参照符号は同一部材を示す。
図2は、本発明の一実施形態による三つのフローティングディフュージョンを共有する能動ピクセルセンサの単位ピクセルを示す回路ダイヤグラムである。図2に示すように、単位ピクセル200は、三つのピクセル210,220,230で構成され、第1〜第3フォトダイオード201,202,203、第1〜第3伝送トランジスタ204,205,206、リセットトランジスタ207、選択トランジスタ208及び増幅トランジスタ209を備える。
図3は、図2と関連した単位ピクセル200の新たなアーキテクチャーを示す図面である。図3に示すように、第1〜第3フォトダイオード201,202,203は、六角形の形状を有する。フローティングディフュージョンFDは、隣接した第1ピクセル210、第2ピクセル220及び第3ピクセル230に共有される。リセットトランジスタ207、選択トランジスタ208及び増幅トランジスタ209も、第1ピクセル210、第2ピクセル220及び第3ピクセル230に共有される。隣接した第1〜第3ピクセル210,220,230のイメージ信号の分離は、第1〜第3伝送トランジスタ204,205,206により行われる。
図4A及び図4Bは、単位ピクセルのアレイ類型を説明する図である。図4Aの第1類型の単位ピクセルアレイは、フローティングディフュージョンFDの上端の左右に第1ピクセル1及び第2ピクセル2が隣接して配列され、フローティングディフュージョンFDの下端に第3ピクセル3が配列される。図4Bの第2類型の単位ピクセルアレイは、フローティングディフュージョンFDの上端に第4ピクセル4が配列され、フローティングディフュージョンFDの下端の左右に第5ピクセル5及び第6ピクセル6が隣接して配列される。
図5は、六角形のフォトダイオードの上部に置かれるマイクロレンズを説明する図である。図5に示すように、六角形のフォトダイオード501の面積にマイクロレンズ502がほぼぴったりしてデッドスペース503が小さいことが分かる。これに対する比較例として、図6の四角形のフォトダイオード601の上部に置かれるマイクロレンズ602を見れば、デッドスペース603が大きいことが分かる。六角形のフォトダイオード501の面積と四角形のフォトダイオード601の面積とが同一であると仮定すれば、六角形のフォトダイオード501のデッドスペースは21.5%を表し、四角形のフォトダイオード601のデッドスペースは13.5%を表す。すなわち、六角形のフォトダイオード501のデッドスペースが、四角形のフォトダイオード601のデッドスペースより8%減少するということが分かる。
したがって、物体からの光は、撮像レンズ光学系によって集光された後、マイクロレンズにより集光されてフォトダイオードに結像されるが、六角形のフォトダイオードのフィルファクタが大きくなるということが分かる。
図7は、本発明の単位ピクセルアレイでピクセルピッチを説明する図である。図7に示すように、一辺の長さをRとするとき、正六角形のフォトダイオードの面積は
Figure 0005215526
で計算される。そして、正六角形のフォトダイオードを有するピクセルピッチは、
Figure 0005215526
で計算される。一方、正方形のフォトダイオードを有するピクセルピッチを計算すれば、図8に示したように、一辺の長さをXとするとき、ピクセルピッチはXで計算される。
同じ面積の正六角形のフォトダイオードと正方形のフォトダイオードそれぞれのピクセルピッチを比較すれば、表1の通りである。
Figure 0005215526
表1から分かるように、同じフォトダイオードの面積について、正六角形のフォトダイオードのピクセルピッチが正方形のフォトダイオードのピクセルピッチより小さいことが分かる。これは、映像信号、特にストライプ状のパターンの映像信号をディスプレイするにおいて、正六角形のフォトダイオードを有するピクセルがさらに鮮明にディスプレイできるということを意味する。
図9は、本発明の色フィルタアレイの配置を説明する図である。図9に示すように、色フィルタアレイ900は、第2行の青色フィルタ906を基準として、第1行に赤色フィルタ901及び緑色フィルタ902が隣接して配置され、第2行に緑色フィルタ905及び赤色フィルタ907が左右に配置され、第3行に赤色フィルタ910及び緑色フィルタ911が隣接して配置される。すなわち、青色フィルタ906に隣接して三つの赤色フィルタ901,907,910及び三つの緑色フィルタ902,905,911が配置される。
第2行の赤色フィルタ907を基準として、第1行に緑色フィルタ902及び青色フィルタ903が隣接して配置され、第2行に青色フィルタ906及び緑色フィルタ908が左右に配置され、第3行に緑色フィルタ911及び青色フィルタ912が隣接して配置される。すなわち、赤色フィルタ907に隣接して三つの緑色フィルタ902,908,911及び三つの青色フィルタ903,906,912が配置される。
第2行の緑色フィルタ908を基準として、第1行に青色フィルタ903及び赤色フィルタ904が隣接して配置され、第2行に赤色フィルタ907及び青色フィルタ909が左右に配置され、第3行に青色フィルタ912及び赤色フィルタ913が隣接して配置される。すなわち、緑色フィルタ908に隣接して三つの青色フィルタ903,909,912及び三つの赤色フィルタ904,907,913が配置される。
色フィルタアレイ900は、各行ごとに青色フィルタB、赤色フィルタR及び緑色フィルタGが均一に配置されていることが分かる。これに対する比較例として、一般的なベイヤー色アレイの配置が図10に示されている。図10に示すように、ベイヤー色アレイは、一斜線方向に緑色フィルタGが配列され、緑色フィルタGの間に赤色フィルタRまたは青色フィルタBが一つずつ挟まれて配置される。かかるベイヤー色アレイ1000は、奇数行に緑色フィルタG及び青色フィルタBのみが、偶数行に赤色フィルタR及び緑色フィルタGのみが配置される。すなわち、各行に青色フィルタB、赤色フィルタR及び緑色フィルタGが均一に配置されていないことが分かる。これは、映像パターン信号のノイズを誘発する要因となることもある。
図11は、図4A及び図4Bで説明した単位ピクセルが配列されたピクセルアレイを示す図であり、図12は、図11のピクセルアレイの読み取り動作のためのタイミングダイヤグラムである。図11のピクセルアレイの読み取り順序は、1−2−3−4−5−6ピクセル順になされる。これと関連して図12のタイミングダイヤグラムを参照すれば、第1選択信号SEL1がイネーブルされ、第1リセット信号RESET1がトグリングされる間に第1伝送信号PD1_TG、第2伝送信号PD2_TG及び第3伝送信号PD3_TGが順次にイネーブルされる。第1リセット信号RESET1の最初のパルスにより1,2,3ピクセルがリセットされた後、第1伝送信号PD1_TGのパルスにより、第1ピクセル1の六角形のフォトダイオードに保存された光電荷が信号として読み取られる。第1リセット信号RESET1の2番目のパルスにより1,2,3ピクセルがリセットされた後、第2伝送信号PD2_TGのパルスにより、第2ピクセル2の六角形のフォトダイオードに保存された光電荷が信号として読み取られる。そして、第1リセット信号RESET1の3番目のパルスにより1,2,3ピクセルがリセットされた後、第3伝送信号PD3_TGのパルスにより、第3ピクセル3の六角形のフォトダイオードに保存された光電荷が信号として読み取られる。
次いで、第2選択信号SEL2がイネーブルされ、第2リセット信号RESET2がトグリングされる間に第4伝送信号PD4_TG、第5伝送信号PD5_TG及び第6伝送信号PD6_TGが順次にイネーブルされる。第2リセット信号RESET2の最初のパルスにより4,5,6ピクセルがリセットされた後、第4伝送信号PD4_TGのパルスにより、第4ピクセル4の六角形のフォトダイオードに保存された光電荷が信号として読み取られる。第2リセット信号RESET2の2番目のパルスにより4,5,6ピクセルがリセットされた後、第5伝送信号PD5_TGのパルスにより、第5ピクセル5の六角形のフォトダイオードに保存された光電荷が信号として読み取られる。そして、第2リセット信号RESET2の3番目のパルスにより4,5,6ピクセルがリセットされた後、第6伝送信号PD6_TGのパルスにより、第6ピクセル6の六角形のフォトダイオードに保存された光電荷が信号として読み取られる。
本発明は、図面に示した一実施形態を参考にして説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想により決まらなければならない。
本発明は、光学イメージセンサ関連の技術分野に適用可能である。
典型的な能動ピクセルセンサを示す図である。 本発明の一実施形態による三つのフローティングディフュージョンを共有する能動ピクセルセンサの単位ピクセルを示す回路ダイヤグラムである。 図2の単位ピクセルの新たなアーキテクチャーを示す図である。 図2の単位ピクセルの類型を説明する図である。 図2の単位ピクセルの類型を説明する図である。 本発明の六角形のフォトダイオードの上部に置かれるマイクロレンズを説明する図である。 一般的な四角形のフォトダイオードの上部に置かれるマイクロレンズを説明する図である。 本発明の単位ピクセルアレイでピクセルピッチを説明する図である。 一般的な四角形のフォトダイオードを有するピクセルアレイでピクセルピッチを説明する図である。 本発明の色フィルタアレイの配置を説明する図である。 一般的なベイヤー色アレイの配置を説明する図である。 図4A及び図4Bで説明された単位ピクセルが配列されたピクセルアレイを示す図である。 図11のピクセルアレイの読み取り動作のためのタイミングダイヤグラムである。
符号の説明
200 単位ピクセル
201 第1フォトダイオード
202 第2フォトダイオード
203 第3フォトダイオード
204 第1伝送トランジスタ
205 第2伝送トランジスタ
206 第3伝送トランジスタ
207 リセットトランジスタ
208 選択トランジスタ
209 増幅トランジスタ
210,220,230 ピクセル

Claims (9)

  1. それぞれが六角形の形状を有し、かつ、ハニカム構造で配列された複数個のフォトダイオードのうち、互いに隣接する3個のフォトダイオードからなる単位ピクセルであって、
    前記単位ピクセルは、さらに、
    前記3個のフォトダイオードに共有され、それらの間の領域に配置される1個のフローティングディフュージョン領域と、
    前記3個のフォトダイオードのそれぞれと前記1個のフローティングディフュージョン領域との間に連結されて配置される個の伝送装置と、
    を備えることを特徴とする単位ピクセル。
  2. 前記単位ピクセルは、
    前記フローティングディフュージョン領域に連結されるリセット装置と、
    前記フローティングディフュージョン領域に直列連結される選択装置及び増幅装置と、をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の単位ピクセル。
  3. 前記伝送装置、前記リセット装置、前記選択装置及び前記増幅装置それぞれは、MOSFETであることを特徴とする請求項に記載の単位ピクセル。
  4. 前記3個のフォトダイオードのうち、第1及び第2フォトダイオードが、第3フォトダイオードの上端の左側及び右側に配置されることを特徴とする請求項1に記載の単位ピクセル。
  5. 前記3個のフォトダイオードのうち、第1及び第2フォトダイオードが、第3フォトダイオードの下端の左側及び右側に配置されることを特徴とする請求項1に記載の単位ピクセル。
  6. 前記単位ピクセルは、前記フォトダイオードを覆うマイクロレンズをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の単位ピクセル。
  7. 前記マイクロレンズは、円形の形状を有することを特徴とする請求項6に記載の単位ピクセル。
  8. 前記単位ピクセルは、前記フォトダイオードと前記マイクロレンズとの間に色フィルタをさらに備えることを特徴とする請求項6に記載の単位ピクセル。
  9. それぞれが六角形の形状を有し、かつ、ハニカム構造で配列された複数個のフォトダイオードのうち、互いに隣接して配置された第1、第2及び第3フォトダイオードそれぞれの相異なる色信号をそれぞれの電気的信号に変換するステップと、
    前記第1、第2及び第3フォトダイオードからのそれぞれの電気的信号を、前記第1、第2及び第3フォトダイオードの間の領域に配置されて共有されたフローティングディフュージョン領域へ伝送するステップと、を含む
    ことを特徴とするイメージのセンシング方法。
JP2005352401A 2004-12-07 2005-12-06 ハニカム構造の能動ピクセルセンサ Active JP5215526B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040102363A KR100674925B1 (ko) 2004-12-07 2004-12-07 허니콤 구조의 능동 픽셀 센서
KR10-2004-0102363 2004-12-07

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013005490A Division JP5685608B2 (ja) 2004-12-07 2013-01-16 ハニカム構造の能動ピクセルセンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006165567A JP2006165567A (ja) 2006-06-22
JP5215526B2 true JP5215526B2 (ja) 2013-06-19

Family

ID=36573199

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005352401A Active JP5215526B2 (ja) 2004-12-07 2005-12-06 ハニカム構造の能動ピクセルセンサ
JP2013005490A Active JP5685608B2 (ja) 2004-12-07 2013-01-16 ハニカム構造の能動ピクセルセンサ

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013005490A Active JP5685608B2 (ja) 2004-12-07 2013-01-16 ハニカム構造の能動ピクセルセンサ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7382010B2 (ja)
JP (2) JP5215526B2 (ja)
KR (1) KR100674925B1 (ja)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4660228B2 (ja) * 2005-03-09 2011-03-30 株式会社東芝 固体撮像装置
KR100718781B1 (ko) * 2005-06-15 2007-05-16 매그나칩 반도체 유한회사 콤팩트 픽셀 레이아웃을 갖는 cmos 이미지 센서
US7511323B2 (en) * 2005-08-11 2009-03-31 Aptina Imaging Corporation Pixel cells in a honeycomb arrangement
KR100690169B1 (ko) * 2005-10-25 2007-03-08 매그나칩 반도체 유한회사 시모스 이미지센서
JP4695979B2 (ja) * 2005-12-26 2011-06-08 パナソニック株式会社 固体撮像装置
KR100818724B1 (ko) 2006-07-19 2008-04-01 삼성전자주식회사 Cmos 이미지 센서와 이를 이용한 이미지 센싱 방법
KR100828942B1 (ko) 2006-12-19 2008-05-13 (주)실리콘화일 4t-4s 스텝 & 리피트 단위 셀 및 상기 단위 셀을 구비한 이미지센서, 데이터 저장장치, 반도체 공정 마스크, 반도체 웨이퍼
US20080296639A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-04 Dalsa Corporation Semiconductor image sensor array device, apparatus comprising such a device and method for operating such a device
KR100835894B1 (ko) * 2007-06-18 2008-06-09 (주)실리콘화일 다이내믹 레인지가 넓고, 색재현성과 해상능력이 우수한픽셀어레이 및 이미지센서
US7924333B2 (en) 2007-08-17 2011-04-12 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing shared pixel straight gate architecture
EP2197032B1 (en) * 2007-09-12 2014-11-05 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Solid-state imaging device
US7989749B2 (en) * 2007-10-05 2011-08-02 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing shared pixel architecture
JP4952601B2 (ja) * 2008-02-04 2012-06-13 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 固体撮像装置
US7781716B2 (en) * 2008-03-17 2010-08-24 Eastman Kodak Company Stacked image sensor with shared diffusion regions in respective dropped pixel positions of a pixel array
US7745773B1 (en) * 2008-04-11 2010-06-29 Foveon, Inc. Multi-color CMOS pixel sensor with shared row wiring and dual output lines
JP5245572B2 (ja) * 2008-06-26 2013-07-24 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及び携帯型電子機器
JP4760915B2 (ja) * 2009-01-08 2011-08-31 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP5029624B2 (ja) * 2009-01-15 2012-09-19 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US8405751B2 (en) * 2009-08-03 2013-03-26 International Business Machines Corporation Image sensor pixel structure employing a shared floating diffusion
JP5547150B2 (ja) * 2011-09-16 2014-07-09 株式会社東芝 固体撮像素子
JP2013125861A (ja) 2011-12-14 2013-06-24 Sony Corp 固体撮像素子および電子機器
JP6035744B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 凸版印刷株式会社 固体撮像素子
KR101930757B1 (ko) 2012-05-08 2018-12-19 삼성전자 주식회사 픽셀, 픽셀 어레이 및 이미지 센서
US9305949B2 (en) 2013-11-01 2016-04-05 Omnivision Technologies, Inc. Big-small pixel scheme for image sensors
US9324759B2 (en) 2013-12-19 2016-04-26 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor pixel for high dynamic range image sensor
US9887228B2 (en) * 2014-01-20 2018-02-06 Himax Imaging, Inc. Image sensor with oblique pick up plug and semiconductor structure comprising the same
TWI625580B (zh) 2014-06-04 2018-06-01 元太科技工業股份有限公司 電泳顯示器
CN104410847B (zh) * 2014-12-05 2016-08-31 林立果 一种彩色滤光器和彩色图像传感器
KR102242563B1 (ko) 2015-03-11 2021-04-20 삼성전자주식회사 픽셀 패턴 및 이를 포함하는 이미지 센서
TWI696278B (zh) * 2015-03-31 2020-06-11 日商新力股份有限公司 影像感測器、攝像裝置及電子機器
WO2016163241A1 (ja) * 2015-04-07 2016-10-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、および電子装置
US9953574B2 (en) 2015-04-28 2018-04-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Sub-pixel compensation
CN106298830A (zh) * 2015-05-19 2017-01-04 卢琳庆 用于人工智能图像处理器rgb排列法
JP2018152696A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、その駆動方法および電子機器
US10593712B2 (en) 2017-08-23 2020-03-17 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with high dynamic range and infrared imaging toroidal pixels
WO2019113106A1 (en) 2017-12-04 2019-06-13 California Institute Of Technology Metasurface-assisted 3d beam shaping
US10931902B2 (en) 2018-05-08 2021-02-23 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with non-rectilinear image pixel arrays

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02162766A (ja) * 1988-12-15 1990-06-22 Fujitsu Ltd Ccd撮像素子
JP2825702B2 (ja) * 1992-05-20 1998-11-18 シャープ株式会社 固体撮像素子
KR950002410A (ko) * 1993-06-30 1995-01-04 김광호 고체 촬상 장치
JP3830590B2 (ja) * 1996-10-30 2006-10-04 株式会社東芝 固体撮像装置
US6107655A (en) * 1997-08-15 2000-08-22 Eastman Kodak Company Active pixel image sensor with shared amplifier read-out
US6037643A (en) * 1998-02-17 2000-03-14 Hewlett-Packard Company Photocell layout for high-speed optical navigation microchips
JP3854720B2 (ja) * 1998-05-20 2006-12-06 キヤノン株式会社 撮像装置及びそれを用いた撮像システム
KR19990084630A (ko) * 1998-05-08 1999-12-06 김영환 씨모스 이미지 센서 및 그 구동 방법
JP4132003B2 (ja) * 1999-09-27 2008-08-13 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
JP4252685B2 (ja) * 1999-09-03 2009-04-08 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
US6750912B1 (en) 1999-09-30 2004-06-15 Ess Technology, Inc. Active-passive imager pixel array with small groups of pixels having short common bus lines
JP4777496B2 (ja) * 2000-02-10 2011-09-21 富士フイルム株式会社 固体撮像素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006165567A (ja) 2006-06-22
US20060118837A1 (en) 2006-06-08
KR100674925B1 (ko) 2007-01-26
JP2013110431A (ja) 2013-06-06
JP5685608B2 (ja) 2015-03-18
KR20060063244A (ko) 2006-06-12
US7382010B2 (en) 2008-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5215526B2 (ja) ハニカム構造の能動ピクセルセンサ
US11798961B2 (en) Imaging device and imaging system
KR101696463B1 (ko) 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 신호 처리 방법 및 촬상 장치
JP4881987B2 (ja) 固体撮像装置および撮像装置
JP5290923B2 (ja) 固体撮像装置および撮像装置
JP5089017B2 (ja) 固体撮像装置及び固体撮像システム
TWI696278B (zh) 影像感測器、攝像裝置及電子機器
CN100466281C (zh) 固体摄像装置
US20070064129A1 (en) Solid-state imaging device
US8013921B2 (en) Solid-state imaging device, electronic camera
JP2005244995A (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JPH10136391A (ja) 固体撮像装置
JP2014120858A (ja) 固体撮像装置
JP2009268078A (ja) 撮像素子及び撮像装置
CN101931757B (zh) 摄像器件、电荷读出方法和摄像装置
JP2013038312A (ja) Mos型固体撮像素子及び撮像装置
JP6137539B2 (ja) 固体撮像素子及びその駆動方法、並びに電子機器
JP2007235888A (ja) 単板式カラー固体撮像素子及び撮像装置
JP5619093B2 (ja) 固体撮像装置及び固体撮像システム
JPS61127275A (ja) 電荷結合形撮像素子の駆動方法
WO2022176418A1 (ja) 画像センサおよび電子機器
JP2007151147A (ja) 固体撮像装置
JP2000307095A (ja) カラー固体撮像素子
JPH0583634A (ja) 固体撮像装置
JP2004146955A (ja) 固体撮像素子及びその駆動方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120423

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121016

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130301

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5215526

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160308

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250