JP5207477B2 - COF type semiconductor package with heat dissipation member - Google Patents

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Description

本発明は、半導体パッケージに係り、より詳細には、半導体素子が柔軟性を有するフィルム上に付着されたＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）型半導体パッケージに関する。   The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a COF (Chip On Film) type semiconductor package in which a semiconductor element is attached on a flexible film.

液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の更なる市場領域の拡大に対して、低価格化、大型化及び高性能化が要求され、小さな領域中により多くの画素が入り込まねばならない状況が生じ、ＬＣＤ内で個々の画素を制御する駆動チップのリードピッチが更に微細化し、これに伴いパッケージング方法も多様に開発されてきている。   In order to further expand the market area of liquid crystal display devices (LCD: Liquid Crystal Display), lower prices, larger sizes, and higher performance are required, and there is a situation where more pixels have to enter into a small area. The lead pitch of the driving chip for controlling individual pixels in the LCD is further miniaturized, and various packaging methods have been developed accordingly.

ＬＣＤ分野で主に使われるパッケージング方法は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦなどがある。ＴＣＰ技術は、１９８０年代末に、高解像度モニタの大量生産のために導入されて以来、ＬＣＤ市場で最も好まれるパッケージング方法であったが、微細ピッチ化による工程価引き下げ及び収率向上を図るために、１９９０年代末から、ＣＯＦ技術がパッケージ市場で占める比率が順次増大することになった。   Packaging methods mainly used in the LCD field include TCP (Tape Carrier Package), COG (Chip On Glass), and COF. TCP technology has been the most preferred packaging method in the LCD market since it was introduced for mass production of high-resolution monitors at the end of the 1980's. For this reason, since the end of the 1990s, the share of COF technology in the package market has gradually increased.

ＣＯＦ技術は、通信機器の軽薄短小化の趨勢と共に、ＬＣＤドライバＩＣ（Ｄｒｉｖｅｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）でこれに対応するために開発された新形態のパッケージである。ＣＯＦ技術では、高解像度を有するディスプレイ装置を実現するために、テレビ受像機及びモニタの駆動周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに増大してドライバＩＣの駆動負荷が上昇し、これによってＩＣの発熱問題が深刻に持ち上がっている。   The COF technology is a new type of package that has been developed with LCD driver ICs (Driver Integrated Circuits) to cope with the trend of light and thin communication devices. In the COF technology, in order to realize a display device having a high resolution, the driving frequency of the television receiver and the monitor is increased from 60 Hz to 120 Hz, and the driving load of the driver IC is increased. Lifted up.

このような発熱問題を解決するため、絶縁基板の上部面上に形成される半導体素子から発生する熱を外部に放熱するために、絶縁基板の下部面上に放熱板を形成する技術が特許文献１に開示されている。   In order to solve such a heat generation problem, a technique for forming a heat sink on the lower surface of the insulating substrate in order to dissipate the heat generated from the semiconductor element formed on the upper surface of the insulating substrate to the outside is disclosed in Patent Literature 1 is disclosed.

ＣＯＦ型半導体パッケージの適用例として、このようなＣＯＦ型半導体パッケージは、ＬＣＤパネルのような電子装置の基板のエッジ表面に接着剤によって付着された後、基板の側面に曲がるように配され、電子装置のシャーシ（ｃｈａｓｓｉｓ）によって加圧固定される。   As an application example of the COF type semiconductor package, such a COF type semiconductor package is arranged to be bent on the side surface of the substrate after being attached to the edge surface of the substrate of an electronic device such as an LCD panel by an adhesive. It is pressure-fixed by the chassis of the apparatus.

しかし、ＣＯＦ型半導体パッケージがシャーシによって加圧固定された従来技術では、電子装置を長時間使用するによって、シャーシが基板に対して上下方向及び左右方向など、さまざまな方向に外力を受け、シャーシと放熱板とが接触する付近で、放熱板が絶縁基板から分離することがしばしば発生する。このような分離は、半導体素子で発生した熱が絶縁基板、放熱板及びシャーシを経て放熱される放熱経路を妨害し、放熱効果を遮断する作用を行い、はなはだしい場合には、ＣＯＦ型半導体パッケージが電子装置から離脱することもある。   However, in the conventional technology in which the COF type semiconductor package is pressure-fixed by the chassis, when the electronic device is used for a long time, the chassis receives an external force in various directions such as the vertical direction and the horizontal direction with respect to the substrate. Often, the heat sink is separated from the insulating substrate in the vicinity of contact with the heat sink. Such separation acts to block the heat dissipation effect by interrupting the heat dissipation path where heat generated in the semiconductor element is dissipated through the insulating substrate, the heat sink and the chassis. In extreme cases, the COF type semiconductor package Sometimes it leaves the electronic device.

特許第４０１４５９１号公報Japanese Patent No. 4014591

そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、放熱効果を向上させたＣＯＦ型半導体パッケージを提供することにある。   Therefore, the present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to provide a COF type semiconductor package with improved heat dissipation effect.

また、本発明の目的は、放熱効果が向上すると共に、ＣＯＦ型半導体パッケージを電子装置に付着し、長時間使用しても安定的に固定維持できるＣＯＦ型半導体パッケージを提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a COF type semiconductor package in which the heat radiation effect is improved and the COF type semiconductor package is attached to an electronic device and can be stably fixed and maintained even when used for a long time.

上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴によるＣＯＦ型半導体パッケージは、柔軟性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に配された半導体素子と、前記絶縁基板の下面に配された放熱部材と、を備え、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間に形成された空間を有する。
本発明の他の特徴によるＣＯＦ型半導体パッケージは、柔軟性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に配された半導体素子と、前記絶縁基板の下面に配された放熱部材と、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間を接着させる接着部材と、を備え、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間には、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域が形成される。
望ましくは、前記圧力吸収領域は、空き空間からなり、代替として、外部圧力を吸収できる圧力吸収材を含むこともできる。前記圧力吸収材は、外部から加えられる圧力に対して、前記接着部材より圧力吸収の効果の大きい物質からなりうる。
一方、前記圧力吸収領域は、１つの前記放熱部材に対応して一つだけ形成されるか、又は複数個の位置に複数個で形成されもする。
また、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板、前記放熱部材、及び前記接着部材によって外部と遮断されるように密閉されるか、又は外部と連通するように開放されもする。
一方、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間の前記接着部材の一部が除去されて貫通された空間からなり、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間の前記接着部材の一部が部分的に除去されて形成された空間からなりうる。この場合、前記絶縁基板の下面と接する接着部材の上面の一部が部分的に除去されるか、又は前記放熱部材と接する接着部材の下面の一部が部分的に除去されるか、又は接着部材の中間が除去されうる。
一方、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間で、前記接着部材が除去されずに形成された空間からなりもする。このとき、前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面から前記接着部材が物理的に引き離されることによって形成された空間からなるか、又は前記接着部材と前記放熱部材との間で形成された空間からなりうる。
代替として、前記圧力吸収領域は、前記接着部材の表面の一部が除去されずに、前記接着部材と接する前記放熱部材の表面の一部が部分的に除去されて形成された空間からなり、互いに接する前記接着部材の表面の一部と前記放熱部材の表面の一部とがいずれも部分的に除去されて形成されもする。
一方、前記接着部材と前記放熱部材との平面的形状は同一に形成され、前記接着部材と前記放熱部材は、コーナー部分が面取り（ｃｈａｍｆｅｒｉｎｇ）されるか、又はラウンディングされた四角形状でありうる。それ以外にも、円形、多角形など多様な形状が可能である。また、前記接着部材と前記放熱部材との平面的形状は、必ずしも同一である必要はない。
また、前記圧力吸収領域は、高さが５０〜３００ｎｍに形成されることが望ましい。 In order to achieve the above object, a COF type semiconductor package according to one aspect of the present invention includes a flexible insulating substrate, a semiconductor element disposed on an upper surface of the insulating substrate, and a lower surface of the insulating substrate. And a space formed between the lower surface of the insulating substrate and the heat dissipation member.
A COF type semiconductor package according to another aspect of the present invention includes a flexible insulating substrate, a semiconductor element disposed on an upper surface of the insulating substrate, a heat dissipation member disposed on a lower surface of the insulating substrate, and the insulating substrate. An adhesive member for bonding between the lower surface of the insulating substrate and the heat dissipation member, and a pressure absorption region capable of absorbing external pressure is formed between the lower surface of the insulating substrate and the heat dissipation member.
Preferably, the pressure absorption region is a free space, and may alternatively include a pressure absorption material capable of absorbing external pressure. The pressure absorbing material may be made of a material having a larger pressure absorption effect than the adhesive member with respect to pressure applied from the outside.
Meanwhile, only one pressure absorbing region may be formed corresponding to one heat radiating member, or a plurality of pressure absorbing regions may be formed at a plurality of positions.
The pressure absorption region may be sealed so as to be cut off from the outside by the insulating substrate, the heat radiating member, and the adhesive member, or may be opened so as to communicate with the outside.
On the other hand, the pressure absorption region is a space formed by removing a part of the adhesive member between the lower surface of the insulating substrate and the heat radiating member, and between the lower surface of the insulating substrate and the heat radiating member. A part of the adhesive member may be partially removed to form a space. In this case, a part of the upper surface of the adhesive member in contact with the lower surface of the insulating substrate is partially removed, or a part of the lower surface of the adhesive member in contact with the heat radiating member is partially removed or bonded. The middle of the member can be removed.
On the other hand, the pressure absorption region may be a space formed without removing the adhesive member between the lower surface of the insulating substrate and the heat dissipation member. At this time, the pressure absorption region is a space formed by physically separating the adhesive member from the lower surface of the insulating substrate, or a space formed between the adhesive member and the heat dissipation member. It can consist of
Alternatively, the pressure absorption region is a space formed by removing a part of the surface of the heat radiating member in contact with the adhesive member without removing a part of the surface of the adhesive member. A part of the surface of the adhesive member in contact with each other and a part of the surface of the heat radiating member may be partially removed.
Meanwhile, the planar shape of the adhesive member and the heat radiating member may be the same, and the adhesive member and the heat radiating member may have a square shape with corner portions chamfered or rounded. . In addition, various shapes such as a circle and a polygon are possible. Moreover, the planar shape of the said adhesive member and the said heat radiating member does not necessarily need to be the same.
The pressure absorption region is preferably formed to have a height of 50 to 300 nm.

一方、本発明による放熱部材テープは、キャリアテープと、前記キャリアテープ上に付着された放熱部材と、前記キャリアテープと前記放熱部材とを接着させる接着部材と、を有し、前記キャリアテープの上面と前記放熱部材との間には、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域が形成されることを特徴とする。   Meanwhile, the heat radiating member tape according to the present invention includes a carrier tape, a heat radiating member attached on the carrier tape, and an adhesive member for bonding the carrier tape and the heat radiating member, and an upper surface of the carrier tape. A pressure absorption region capable of absorbing external pressure is formed between the heat dissipation member and the heat radiating member.

また、本発明による電子装置は、電子装置用基板と、前記電子装置用基板の一面上に付着されたＣＯＦ型半導体パッケージと、前記電子装置用基板に付着された前記ＣＯＦ型半導体パッケージを加圧して固定するシャーシとを備える。前記ＣＯＦ型半導体パッケージは、柔軟性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に配された半導体素子と、前記絶縁基板の下面に配された放熱部材と、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間を接着させる接着部材、とを有し、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間には、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域が形成されることを特徴とする。
望ましくは、前記シャーシは前記放熱部材と接触し、前記圧力吸収領域は、前記シャーシと前記放熱部材とが接触する位置に形成される。 The electronic device according to the present invention pressurizes the electronic device substrate, the COF type semiconductor package attached on one surface of the electronic device substrate, and the COF type semiconductor package attached to the electronic device substrate. And a chassis to be fixed. The COF type semiconductor package includes a flexible insulating substrate, a semiconductor element disposed on an upper surface of the insulating substrate, a heat radiating member disposed on a lower surface of the insulating substrate, a lower surface of the insulating substrate, and the heat radiating member. A pressure absorbing region capable of absorbing external pressure is formed between the lower surface of the insulating substrate and the heat radiating member.
Preferably, the chassis is in contact with the heat dissipation member, and the pressure absorption region is formed at a position where the chassis and the heat dissipation member are in contact.

また、本発明によるテープパッケージは、ベースフィルムと、前記ベースフィルムの一面上に配列される配線と、前記配線の一部分が露出するように、前記配線及び前記ベースフィルムの一面上に形成される保護膜と、を具備する。半導体チップは、前記ベースフィルムの一面上に装着され、前記配線の露出した部分と接触する。接着層が前記一面と対向する前記ベースフィルムの他面上に、前記半導体チップに対応して配列される。
前記接着層は、熱硬化、常温硬化、又は紫外線（ＵＶ）硬化性物質を含み、二次硬化が進められうる。一次硬化時に、２０〜４０％の範囲内で硬化が進み、二次硬化時に、９０〜１００％の範囲内で硬化が進みうる。前記接着層は、硬化前に、体積対比で０．１％以下の範囲内で体積が変化し、０．５Ｗ／ｍＫ−１０Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有することができる。前記接着層は、０°Ｃ〜２００°Ｃのガラス転移温度（Ｔｇ）と５ｐｐｍ／°Ｃ〜３０ｐｐｍ／°Ｃの熱膨張係数（ＣＴＥ）とを有することができる。
前記接着層上に、フィルム部材が更に配列されうる。前記フィルム部材は、前記ベースフィルムから分離が容易なように、前記ベースフィルムに対して離型性を有する物質を含むことができる。前記ベースフィルムと前記半導体チップとの間に、アンダーフィル物質が充填され、前記配線の露出した部分と前記バンプとを覆い包むことが可能である。
前記ベースフィルムの一面と対向する前記半導体チップの一面上に、前記配線の露出した一部分に対応して、バンプが配列されうる。前記半導体チップの前記バンプは、前記配線の露出した一部分とタブ（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）でボンディングされうる。 In addition, the tape package according to the present invention includes a base film, wiring arranged on one surface of the base film, and protection formed on one surface of the wiring and the base film so that a part of the wiring is exposed. And a membrane. The semiconductor chip is mounted on one surface of the base film and contacts an exposed portion of the wiring. An adhesive layer is arranged corresponding to the semiconductor chip on the other surface of the base film facing the one surface.
The adhesive layer may include heat curing, room temperature curing, or ultraviolet (UV) curable material, and secondary curing may be performed. Curing can proceed within the range of 20-40% during the primary curing, and curing can proceed within the range of 90-100% during the secondary curing. The adhesive layer may change in volume within a range of 0.1% or less by volume before curing, and may have a thermal conductivity of 0.5 W / mK-10 W / mK. The adhesive layer may have a glass transition temperature (Tg) of 0 ° C. to 200 ° C. and a coefficient of thermal expansion (CTE) of 5 ppm / ° C. to 30 ppm / ° C.
A film member may be further arranged on the adhesive layer. The film member may include a material having releasability from the base film so that the film member can be easily separated from the base film. An underfill material is filled between the base film and the semiconductor chip, and the exposed portion of the wiring and the bump can be covered.
Bumps may be arranged on one surface of the semiconductor chip facing one surface of the base film, corresponding to the exposed part of the wiring. The bump of the semiconductor chip may be bonded to the exposed part of the wiring with a tab (TAB: Tape Automated Bonding).

また本発明は、ディスプレイ装置を提供できる。前記ディスプレイ装置は、表示素子が配列されるディスプレイパネルと、テープパッケージと、シャーシとを備える。前記テープパッケージは、前記ディスプレイパネルに、前記表示素子を駆動するための電気的信号を提供する。前記テープパッケージは、ベースフィルムを具備する。前記ベースフィルムの一面上には、配線が配列される。前記配線及び前記ベースフィルムの一面上に、保護膜が形成され、前記配線の一部分を露出させる。半導体チップは、前記ベースフィルムの一面上に装着され、前記配線の露出した部分と接触する。接着層は、前記一面と対向する前記ベースフィルムの他面上に、前記半導体チップに対応して配列される。前記接着層は、前記シャーシの側壁に接着され、前記テープパッケージを前記シャーシに固定させる。
前記接着層は、前記ベースフィルムの他面上に塗布された後、２０〜４０％の範囲内で一次硬化され、前記シャーシの側壁への付着時に、９０〜１００％の範囲内で二次硬化されうる。 In addition, the present invention can provide a display device. The display device includes a display panel on which display elements are arranged, a tape package, and a chassis. The tape package provides an electrical signal for driving the display element to the display panel. The tape package includes a base film. Wiring is arranged on one surface of the base film. A protective film is formed on one surface of the wiring and the base film to expose a part of the wiring. The semiconductor chip is mounted on one surface of the base film and contacts an exposed portion of the wiring. The adhesive layer is arranged corresponding to the semiconductor chip on the other surface of the base film facing the one surface. The adhesive layer is bonded to a side wall of the chassis to fix the tape package to the chassis.
The adhesive layer is first cured within a range of 20 to 40% after being applied on the other surface of the base film, and secondarily cured within a range of 90 to 100% when adhering to the side wall of the chassis. Can be done.

本発明の放熱部材を具備したＣＯＦ型半導体パッケージによれば、伝導性を有する放熱部材によって放熱が効果的に行われ、更に外部の圧力を十分に吸収できるために、放熱部材と接触部材とが互いに分離されずに長時間安定的に固定され、十分な放熱経路を確保することができる。   According to the COF type semiconductor package including the heat dissipation member of the present invention, heat dissipation is effectively performed by the heat dissipation member having conductivity, and the external pressure can be sufficiently absorbed. It is stably fixed for a long time without being separated from each other, and a sufficient heat radiation path can be secured.

本発明の第１実施形態による放熱部材を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a COF type semiconductor package including a heat dissipation member according to a first embodiment of the present invention. 図１の底面図である。It is a bottom view of FIG. 本発明の他の形態の放熱部材及び接着部材を具備した半導体パッケージであり、図２に対応する底面図である。FIG. 3 is a bottom view corresponding to FIG. 2, showing a semiconductor package including a heat radiating member and an adhesive member according to another embodiment of the present invention. 本発明の第２実施形態による放熱部材を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a COF type semiconductor package including a heat dissipation member according to a second embodiment of the present invention. 図４の底面図である。FIG. 5 is a bottom view of FIG. 4. 本発明の第３実施形態による放熱部材を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a COF type semiconductor package including a heat dissipation member according to a third embodiment of the present invention. 本発明の第４実施形態による放熱部材を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a COF type semiconductor package including a heat dissipation member according to a fourth embodiment of the present invention. 本発明の第５実施形態による放熱部材を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a COF type semiconductor package including a heat dissipation member according to a fifth embodiment of the present invention. 本発明の第６実施形態による放熱部材を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a COF type semiconductor package including a heat dissipation member according to a sixth embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に使用できる多様な形態の接着部材を示す図面である。3 is a diagram illustrating various types of adhesive members that can be used in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に使用できる多様な形態の接着部材を示す図面である。3 is a diagram illustrating various types of adhesive members that can be used in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に使用できる多様な形態の接着部材を示す図面である。3 is a diagram illustrating various types of adhesive members that can be used in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に使用できる多様な形態の接着部材を示す図面である。3 is a diagram illustrating various types of adhesive members that can be used in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に使用できる多様な形態の接着部材を示す図面である。3 is a diagram illustrating various types of adhesive members that can be used in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に使用できる多様な形態の接着部材を示す図面である。3 is a diagram illustrating various types of adhesive members that can be used in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に使用できる多様な形態の接着部材を示す図面である。3 is a diagram illustrating various types of adhesive members that can be used in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に使用できる多様な形態の接着部材を示す図面である。3 is a diagram illustrating various types of adhesive members that can be used in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に使用できる多様な形態の接着部材を示す図面である。3 is a diagram illustrating various types of adhesive members that can be used in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に使用できる多様な形態の接着部材を示す図面である。3 is a diagram illustrating various types of adhesive members that can be used in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に使用できる多様な形態の接着部材を示す図面である。3 is a diagram illustrating various types of adhesive members that can be used in an embodiment of the present invention. 図４に示した本発明の第２実施形態による半導体パッケージを適用した電子装置の概略的な図面である。5 is a schematic view of an electronic device to which a semiconductor package according to a second embodiment of the present invention shown in FIG. 4 is applied. 本発明の一実施形態による放熱部材テープの概略的な平面図である。It is a schematic top view of the heat radiating member tape by one Embodiment of this invention. 図２２に示す放熱部材テープの概略的な断面図である。It is schematic sectional drawing of the heat radiating member tape shown in FIG. 本発明の一実施形態によるテープパッケージの断面図である。It is sectional drawing of the tape package by one Embodiment of this invention. 図２４に示したテープパッケージを接着したディスプレイ装置の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus which adhere | attached the tape package shown in FIG.

以下、本発明のＣＯＦ型半導体パッケージを実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明する実施形態に限定されず、他の形態で具体化することも可能である。むしろ、ここで紹介する実施形態は、開示する内容を徹底し、かつ完全になり得るように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝えるために提供するものである。図面において、層及び領域の厚さは、明確性を期するために誇張している。明細書全体にわたって同じ参照番号は、同じ構成要素を示している。   Hereinafter, embodiments for implementing a COF type semiconductor package of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described here, and may be embodied in other forms. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness of layers and regions are exaggerated for clarity. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

図１は、本発明の第１実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）型半導体装置、例えば、ＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、図２は、図１の底面図である。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a COF (Chip On Film) type semiconductor device having a heat dissipation member 17 according to the first embodiment of the present invention, for example, a COF type semiconductor package, and FIG. It is a bottom view.

図１及び図２を参照すると、ＣＯＦ型半導体パッケージは、柔軟性を有する（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）フィルム形態の絶縁基板１３上に、半導体集積回路が具現された半導体素子１１が配されている。絶縁基板１３は、例えば、ポリイミドのような柔軟性を有するフィルム形態で構成される。絶縁基板１３上には、一定のパターンを有する導電性のリード１４が複数個形成され、リード１４は、例えば銅で構成される。リード１４上には、表面絶縁層１５が形成され、表面絶縁層１５は、例えばＳＲ層（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｒｅｓｉｓｔ ｌａｙｅｒ又はＳｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ ｌａｙｅｒ）によって構成される。平面的に見れば、絶縁基板１３上に複数個のリード１４が互いに分離されるように配され、リード１４の内部末端が中央に集中するように配される。表面絶縁層１５は、各リード１４の内部末端の一部を露出させつつ、各リード１４を被覆している。   Referring to FIGS. 1 and 2, in the COF type semiconductor package, a semiconductor element 11 in which a semiconductor integrated circuit is embodied is disposed on an insulating substrate 13 in a flexible film form. The insulating substrate 13 is configured in the form of a flexible film such as polyimide. A plurality of conductive leads 14 having a certain pattern are formed on the insulating substrate 13, and the leads 14 are made of, for example, copper. A surface insulating layer 15 is formed on the lead 14, and the surface insulating layer 15 is configured by, for example, an SR layer (Surface Resist layer or Solder Resist layer). In plan view, a plurality of leads 14 are arranged on the insulating substrate 13 so as to be separated from each other, and the inner ends of the leads 14 are arranged so as to be concentrated in the center. The surface insulating layer 15 covers each lead 14 while exposing a part of the inner end of each lead 14.

末端の一部が露出したリード１４の上部面上には、半導体素子１１がバンプ１２を介在させて付着され、半導体素子１１が付着された周辺には、密封部材１６が形成され、半導体素子１１を絶縁基板１３上に安定的に固定する。   A semiconductor element 11 is attached to the upper surface of the lead 14 where a part of the end is exposed via a bump 12, and a sealing member 16 is formed around the semiconductor element 11. Is stably fixed on the insulating substrate 13.

半導体素子１１は、接合型トランジスタ及び電界効果型トランジスタのようなトランジスタ、整流ダイオード、発光ダイオード、フォトダイオードのようなダイオード、記憶素子、集積回路などの能動素子でありうる。また半導体素子１１は、コンデンサ、抵抗又はコイルのような受動素子に置き換えることも可能である。   The semiconductor element 11 can be an active element such as a transistor such as a junction transistor or a field effect transistor, a diode such as a rectifier diode, a light emitting diode, or a photodiode, a memory element, or an integrated circuit. The semiconductor element 11 can be replaced with a passive element such as a capacitor, a resistor, or a coil.

バンプ１２とリード１４は、Ａｕ−Ｓｎ又はＡｕ−Ａｕの合金接合によって接続されうる。密封部材１６は、例えば、モールディング樹脂によって形成できる。   The bumps 12 and the leads 14 can be connected by Au—Sn or Au—Au alloy bonding. The sealing member 16 can be formed by molding resin, for example.

一方、絶縁基板１３の下部面上には、放熱部材１７が接着部材１８によって付着される。放熱部材１７は、半導体素子１１の動作によって発生する熱を、密封部材１６及びリード１４を介して下側に伝えられた後、外側に効果的に放熱するためのものであり、望ましくは、熱伝導性が絶縁基板１３より大きい多様な物質、例えばアルミニウムのような金属類から構成できる。放熱部材１７は、例えばアクリル系の接着部材１８によって絶縁基板１３に付着されうる。   On the other hand, a heat radiating member 17 is attached to the lower surface of the insulating substrate 13 by an adhesive member 18. The heat radiating member 17 is for radiating the heat generated by the operation of the semiconductor element 11 to the lower side through the sealing member 16 and the lead 14 and then effectively radiating the heat to the outside. It can be made of various materials having conductivity higher than that of the insulating substrate 13, for example, metals such as aluminum. The heat radiating member 17 can be attached to the insulating substrate 13 by, for example, an acrylic adhesive member 18.

柔軟性を有するフィルム形態の絶縁基板１３の下面と放熱部材１７の上面との間には、外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９が形成される。圧力吸収領域１９は、接着部材１８の一部が除去されて貫通された空間であり、圧力吸収領域１９は、空気で充填されたり、又は外部の圧力を緩和させたりすることができる圧力吸収材が充填された空間でありうる。本実施形態では、圧力吸収領域１９は、絶縁基板１３、放熱部材１７及び接着部材１８によって密閉された空間をなす。圧力吸収領域１９の高さは、例えば５０〜３００ｎｍの範囲に形成されることが、放熱効果及び圧力吸収効果の側面を考慮すれば望ましいといえる。   Between the lower surface of the flexible film-shaped insulating substrate 13 and the upper surface of the heat dissipation member 17, a pressure absorption region 19 capable of absorbing pressure applied from the outside is formed. The pressure absorption region 19 is a space that is penetrated by removing a part of the adhesive member 18, and the pressure absorption region 19 is filled with air or can relieve external pressure. Can be a filled space. In the present embodiment, the pressure absorption region 19 forms a space sealed by the insulating substrate 13, the heat radiating member 17, and the adhesive member 18. It can be said that it is desirable that the height of the pressure absorption region 19 be formed in a range of, for example, 50 to 300 nm, in view of the heat dissipation effect and the pressure absorption effect.

図３は、本発明の他の形態の底面図であり、図２と比較して放熱部材１７が絶縁基板１３の下面エッジに延びた突出部１７ａを備えるという点を除いて同一である。突出部１７ａは、外部の放熱部品（図示せず）と接続されて放熱効果を向上させることができるという点で望ましい。   FIG. 3 is a bottom view of another embodiment of the present invention, which is the same as that of FIG. 2 except that the heat radiating member 17 includes a protruding portion 17 a extending to the lower surface edge of the insulating substrate 13. The protrusion 17a is desirable in that it can be connected to an external heat dissipation component (not shown) to improve the heat dissipation effect.

図４は、本発明の第２実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、図５は、図４の底面図である。図１及び図２と同じ構成要素は同じ参照番号を使用し、その具体的な説明は省略する。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a COF type semiconductor package having a heat dissipation member 17 according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a bottom view of FIG. The same components as those in FIGS. 1 and 2 use the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

図４及び図５を参照すると、絶縁基板１３の下面と接着部材１８の上面との間に空間が存在する形態であり、該空間が外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９となる。本実施形態では、接着部材１８は一部除去された部分がなく、全体的に同じ厚さを有する。   Referring to FIGS. 4 and 5, a space exists between the lower surface of the insulating substrate 13 and the upper surface of the adhesive member 18, and the space becomes a pressure absorption region 19 that can absorb the pressure applied from the outside. . In the present embodiment, the adhesive member 18 does not have a part removed, and has the same thickness as a whole.

更に具体的に、本実施形態での圧力吸収領域１９は、接着部材１８が絶縁基板１３の下面から物理的に引き離されることによって形成された空間でありうる。圧力吸収領域１９の高さは、例えば５０〜３００ｎｍの範囲に形成されることが放熱効果及び圧力吸収効果の側面を考慮して望ましい。   More specifically, the pressure absorption region 19 in the present embodiment may be a space formed by physically separating the adhesive member 18 from the lower surface of the insulating substrate 13. The height of the pressure absorption region 19 is desirably formed in a range of 50 to 300 nm, for example, in view of the heat dissipation effect and the pressure absorption effect.

図６は、本発明の第３実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。図１及び図２と同じ構成要素は同じ参照番号を使用し、その具体的な説明は省略する。   FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a COF type semiconductor package having a heat dissipation member 17 according to a third embodiment of the present invention. The same components as those in FIGS. 1 and 2 use the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

図６を参照すると、絶縁基板１３の下面と接触する接着部材１８の上面の一部が部分的に除去され、絶縁基板１３の下面と接着部材１８との間に空間が存在する形態であり、該空間が外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９となる。   Referring to FIG. 6, a part of the upper surface of the adhesive member 18 that contacts the lower surface of the insulating substrate 13 is partially removed, and a space exists between the lower surface of the insulating substrate 13 and the adhesive member 18. The space becomes a pressure absorption region 19 that can absorb the pressure applied from the outside.

図７は、本発明の第４実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、図７を参照すると、放熱部材１７の上面と接触する接着部材１８の下面の一部が部分的に除去され、接着部材１８の下面と放熱部材１７との間に空間が存在する形態であり、該空間が外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９となる。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a COF type semiconductor package having a heat dissipation member 17 according to a fourth embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, the lower surface of the adhesive member 18 that contacts the upper surface of the heat dissipation member 17. Is partially removed, and a space exists between the lower surface of the adhesive member 18 and the heat radiating member 17, and the space becomes a pressure absorption region 19 that can absorb pressure applied from the outside.

図８は、本発明の第５実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、接着部材１８の中央に空間が存在する形態であり、該空間が外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９となる。   FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a COF type semiconductor package having a heat dissipation member 17 according to a fifth embodiment of the present invention, in which a space exists in the center of the adhesive member 18, and the space is externally provided. It becomes the pressure absorption area | region 19 which can absorb the applied pressure.

図９は、本発明の第６実施形態による放熱部材１７を具備したＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、接着部材１８は部分的に除去されず、これと接する放熱部材１７の上面の一部が部分的に除去され、接着部材１８の下面と放熱部材１７との間に空間が存在する形態であり、該空間が外部から印加される圧力を吸収できる圧力吸収領域１９となる。図示していないが、互いに接する接着部材１８と放熱部材１７との表面の一部がいずれも部分的に除去され、圧力吸収領域として作用する空間を形成することも可能である。   FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a COF type semiconductor package having a heat dissipation member 17 according to a sixth embodiment of the present invention. The adhesive member 18 is not partially removed, and the upper surface of the heat dissipation member 17 in contact therewith. Is partially removed, and a space exists between the lower surface of the adhesive member 18 and the heat radiating member 17, and the space becomes a pressure absorption region 19 that can absorb pressure applied from the outside. Although not shown, a part of the surfaces of the adhesive member 18 and the heat radiating member 17 that are in contact with each other can be partially removed to form a space that acts as a pressure absorption region.

図１０〜図２０は、本発明の実施形態に適用できる多様な形態の接着部材１８の形状を示す図面である。   10 to 20 are views showing the shapes of various types of adhesive members 18 applicable to the embodiment of the present invention.

図１０〜図１５は、接着部材１８の一部が除去されて貫通した例を示し、図１に示した第１実施形態に対応する実施形態である。   10 to 15 show an example in which a part of the adhesive member 18 is removed and penetrated, and is an embodiment corresponding to the first embodiment shown in FIG.

図１０を参照すると、接着部材１８の中央の一部が除去されて貫通したところを示している。除去された部分が圧力吸収領域１９になる。本実施形態の接着部材１８を適用する場合、絶縁基板１３、放熱部材１７及び接着部材１８によって外部と遮断された密閉された圧力吸収領域１９が形成される。本実施形態で、貫通した部分は四角形をなすが、これに限定されず、円形、楕円形、多角形など多様な形態で形成されうる。   Referring to FIG. 10, a part of the center of the adhesive member 18 is removed and penetrated. The removed portion becomes the pressure absorption region 19. When the adhesive member 18 of this embodiment is applied, a sealed pressure absorption region 19 that is blocked from the outside by the insulating substrate 13, the heat radiating member 17, and the adhesive member 18 is formed. In the present embodiment, the penetrating portion has a rectangular shape, but is not limited thereto, and may be formed in various forms such as a circular shape, an elliptical shape, and a polygonal shape.

図１１を参照すると、接着部材１８内に複数個の貫通した圧力吸収領域１９が形成される。貫通した圧力吸収領域１９の数は多様となり、位置も規則的に、又は不規則的に配されうるように多様に選択できる。   Referring to FIG. 11, a plurality of penetrating pressure absorbing regions 19 are formed in the adhesive member 18. The number of penetrating pressure absorption regions 19 varies, and the positions can be selected in various ways so that they can be arranged regularly or irregularly.

図１２を参照すると、接着部材１８内に、ストライプ形態の密閉された複数個の貫通した圧力吸収領域１９が形成される。   Referring to FIG. 12, a plurality of hermetically sealed pressure absorbing regions 19 in the form of stripes are formed in the adhesive member 18.

図１３を参照すると、図１０と比較し、１つの接着部材１８に対応して外部と開放された１つの圧力吸収領域１９が形成された実施形態を示す。   Referring to FIG. 13, an embodiment in which one pressure absorbing region 19 opened to the outside corresponding to one adhesive member 18 is formed as compared with FIG. 10 is shown.

図１４を参照すると、図１２のストライプ形態の圧力吸収領域１９が広がり、接着部材１８を複数個に分離させることによって、複数個の貫通した圧力吸収領域１９が形成される。これを適用する場合、圧力吸収領域１９は、外部と連通するように開放される。   Referring to FIG. 14, the stripe-shaped pressure absorption region 19 shown in FIG. 12 expands, and a plurality of penetrating pressure absorption regions 19 are formed by separating the adhesive member 18 into a plurality. When this is applied, the pressure absorption region 19 is opened so as to communicate with the outside.

図１５を参照すると、接着部材１８のコーナー部分が四角形である図１０のような場合にはコーナー部分でストレスが多く作用することから、接着部材１８が離脱することを緩和するために、コーナー部分がラウンディング処理される。それ以外にも、コーナー部分でのストレスを緩和させるために、コーナー部分が面取りされる（ｃｈａｍｆｅｒ）こともある。   Referring to FIG. 15, in the case of FIG. 10 where the corner portion of the adhesive member 18 is a quadrangle, a large amount of stress acts on the corner portion. Is rounded. In addition, the corner portion may be chamfered to relieve stress at the corner portion.

図１６〜図１８は、接着部材１８の一部が表面から一部だけ除去されて貫通していない例を示し、図６に示した第３実施形態に対応する実施形態である。圧力吸収領域１９の形状は、接着部材１８が貫通していない場合にも、図１０〜図１５に対応したような、多様な形態に適用できる。   16 to 18 show an example in which a part of the adhesive member 18 is partially removed from the surface and does not penetrate, and is an embodiment corresponding to the third embodiment shown in FIG. 6. The shape of the pressure absorption region 19 can be applied to various forms such as those corresponding to FIGS. 10 to 15 even when the adhesive member 18 does not penetrate.

図１９及び図２０は、接着部材１８が部分的に除去されることなしに、同じ厚さを維持しつつ、一定の位置で凸型、又は凹型の圧力吸収領域１９を有する例であり、図４に示した第２実施形態に対応する実施形態である。図１９では、１つの接着部材１８に対応して１つの圧力吸収領域１９が形成された例であり、図２０では、１つの接着部材１８に対応して複数個の圧力吸収領域１９が形成された例を示している。   FIGS. 19 and 20 are examples in which the adhesive member 18 is not partially removed, and has a convex or concave pressure absorbing region 19 at a certain position while maintaining the same thickness. 5 is an embodiment corresponding to the second embodiment shown in FIG. FIG. 19 shows an example in which one pressure absorbing region 19 is formed corresponding to one adhesive member 18, and in FIG. 20, a plurality of pressure absorbing regions 19 are formed corresponding to one adhesive member 18. An example is shown.

図２１は、図４に示した本発明の第２実施形態によるＣＯＦ型半導体パッケージをＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）パネルの電子装置に適用した例を示す概略図である。   FIG. 21 is a schematic diagram showing an example in which the COF type semiconductor package according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 4 is applied to an electronic device of an LCD (Liquid Crystal Display) panel.

図２１を参照すると、電子装置基板２０の上面エッジに、例えば、図４に対応するＣＯＦ型半導体パッケージの一端を接着剤２２によって接着させ、シャーシ２１に固定させたところを示す。   Referring to FIG. 21, for example, one end of a COF type semiconductor package corresponding to FIG. 4 is adhered to the upper surface edge of the electronic device substrate 20 with an adhesive 22 and fixed to the chassis 21.

図２１を参照すると、表面絶縁層１５の一部が電子装置基板２０と接触すれるように付着され、シャーシ２１が放熱部材１７と接触し、加圧されて固定される。このとき、シャーシ２１と接触する放熱部材１７の付近に、圧力吸収領域１９が存在するために、電子装置基板２０に対してシャーシ２１から加わる圧力が増大したり、又はシャーシ２１から電子装置基板２０に対して上下方向、又は左右方向など、さまざまな方向に力や衝撃を加えたりしても、圧力吸収領域１９がこのような力や衝撃を緩衝し、放熱部材１７が絶縁基板１３から分離することを防止できる。   Referring to FIG. 21, a part of the surface insulating layer 15 is attached so as to come into contact with the electronic device substrate 20, and the chassis 21 comes into contact with the heat radiating member 17 and is pressed and fixed. At this time, since the pressure absorption region 19 exists in the vicinity of the heat radiating member 17 in contact with the chassis 21, the pressure applied from the chassis 21 to the electronic device substrate 20 increases, or from the chassis 21 to the electronic device substrate 20. Even if force or impact is applied in various directions such as up and down or left and right, the pressure absorption region 19 buffers such force and impact, and the heat dissipation member 17 is separated from the insulating substrate 13. Can be prevented.

図２２は、本発明で使用する放熱部材１７を運搬するための放熱部材テープを概略的に示した図面であり、図２３は、図２２に示す放熱部材テープを、横方向に切断した断面図である。   22 is a drawing schematically showing a heat radiating member tape for carrying the heat radiating member 17 used in the present invention, and FIG. 23 is a cross-sectional view of the heat radiating member tape shown in FIG. It is.

図２２及び図２３を参照すると、ポリイミドのようなワインディングの可能なキャリアテープ２５上に、放熱部材１７が接着部材１８を介在させて付着されている。放熱部材１７上には、ポリイミドのような保護用テープ２６が更に形成されうる。接着部材１８は、上述のような本発明の多様な形態によるものを適用できる。   Referring to FIGS. 22 and 23, a heat radiating member 17 is attached on a carrier tape 25 that can be wound, such as polyimide, with an adhesive member 18 interposed therebetween. A protective tape 26 such as polyimide may be further formed on the heat radiating member 17. As the adhesive member 18, those according to various aspects of the present invention as described above can be applied.

本発明の実施形態によるＣＯＦ型半導体パッケージを製作するにあたって、キャリアテープ２５は最終的に除去される部品であり、保護用テープ２６は、最終的に除去されたり、又はそのまま使われたりすることもある。   In manufacturing the COF type semiconductor package according to the embodiment of the present invention, the carrier tape 25 is a part that is finally removed, and the protective tape 26 may be finally removed or used as it is. is there.

図１に示したＣＯＦ型半導体パッケージを製造する過程について簡単に述べれば、リード１４及び表面絶縁層１５が一定のパターンを有し、予め形成された絶縁基板１３上に、チップ形態の半導体素子１１を、バンプ１２と密封部材１６とを介在させてボンディングする。次に、図２２に示した放熱部材テープからキャリアテープ２５を除去した後、露出した接着部材１８が絶縁基板１３の下部面上に接着するように、放熱部材１７を付着することによって、本発明による半導体パッケージが製作される。   Briefly describing the process of manufacturing the COF type semiconductor package shown in FIG. 1, the leads 14 and the surface insulating layer 15 have a certain pattern, and the chip-shaped semiconductor element 11 is formed on the insulating substrate 13 formed in advance. Are bonded with the bump 12 and the sealing member 16 interposed. Next, after removing the carrier tape 25 from the heat dissipation member tape shown in FIG. 22, the heat dissipation member 17 is attached so that the exposed adhesive member 18 adheres to the lower surface of the insulating substrate 13. A semiconductor package is manufactured.

図２４は、本発明の一実施形態によるテープパッケージの断面図を示したものである。図２４を参照すると、テープパッケージ２００は、ＣＯＦ型パッケージでありうる。テープパッケージ２００は、テープ基板２１０と、半導体チップ２５０とを有する。テープ基板２１０は、フレキシブル印刷回路基板（ＦＢＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）を有することができる。   FIG. 24 is a sectional view of a tape package according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 24, the tape package 200 may be a COF type package. The tape package 200 includes a tape substrate 210 and a semiconductor chip 250. The tape substrate 210 can include a flexible printed circuit board (FBC).

テープ基板２１０は、ベースフィルム２２０、ベースフィルム２２０の一面上に配列される配線２３０、及び配線２３０を保護する保護膜２４０を有する。ベースフィルム２２０は、ポリイミド又はポリエステルのような絶縁フィルムを含むことができる。配線２３０は、銅パターンを含むことができる。また、配線２３０は、表面にスズ、金、又はニッケルなどがメッキされた銅パターンを含むことができる。保護膜２４０は、ソルダレジストを含むことができる。保護膜２４０は、配線２３０の一部分が露出するように、ベースフィルム２２０及び配線２３０上に配列されうる。   The tape substrate 210 has a base film 220, wiring 230 arranged on one surface of the base film 220, and a protective film 240 that protects the wiring 230. The base film 220 may include an insulating film such as polyimide or polyester. The wiring 230 can include a copper pattern. The wiring 230 may include a copper pattern having a surface plated with tin, gold, nickel, or the like. The protective film 240 may include a solder resist. The protective film 240 may be arranged on the base film 220 and the wiring 230 so that a part of the wiring 230 is exposed.

半導体チップ２５０は、その一面上にバンプ２６０が配列される。テープ基板２１０上に、半導体チップ２５０が装着される。半導体チップ２５０のバンプ２６０が、テープ基板２１０の配線２３０の露出した部分とコンタクトされる。配線２３０と半導体チップ２５０のバンプ２６０は、タブ（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を利用して一括的に接合させることができる。アンダーフィル物質２７０が、半導体チップ２５０とベースフィルム２２０との間に充填され、バンプ２６０と配線２３０の露出した部分とを覆い包む。   The semiconductor chip 250 has bumps 260 arranged on one surface thereof. A semiconductor chip 250 is mounted on the tape substrate 210. The bumps 260 of the semiconductor chip 250 are in contact with the exposed portions of the wiring 230 of the tape substrate 210. The wiring 230 and the bump 260 of the semiconductor chip 250 can be collectively bonded using a tab (TAB: Tape Automated Bonding) technique. An underfill material 270 is filled between the semiconductor chip 250 and the base film 220 and covers the bump 260 and the exposed portion of the wiring 230.

また、テープパッケージ２００は、半導体チップ２５０が配列される一面に対向するベースフィルム２２０の他面に配列される接着層２８０を更に有する。接着層２８０は、半導体チップ２５０に対応するベースフィルム２２０の他面上に配列され、半導体チップ２５０から放出される熱を放熱させる役割を担う。   The tape package 200 further includes an adhesive layer 280 arranged on the other surface of the base film 220 facing the one surface on which the semiconductor chips 250 are arranged. The adhesive layer 280 is arranged on the other surface of the base film 220 corresponding to the semiconductor chip 250, and plays a role of radiating heat released from the semiconductor chip 250.

接着層２８０は、放熱樹脂を含むことができる。接着層２８０を構成する樹脂は、エポキシ、アクリル又はシリコンなどを含み、２０〜８０％の重量分率を有することができる。優秀な放熱効果を得るために、樹脂には、熱伝導性フィラが含まれていることがある。熱伝導性フィラは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又はダイアモンドを含み、２０〜８０％の重量分率を有することができる。 The adhesive layer 280 can include a heat dissipation resin. The resin constituting the adhesive layer 280 includes epoxy, acrylic, silicon, or the like, and may have a weight fraction of 20 to 80%. In order to obtain an excellent heat dissipation effect, the resin may contain a thermally conductive filler. The thermally conductive filler includes alumina (Al 2 O 3 ), boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN) or diamond and can have a weight fraction of 20-80%.

接着層２８０は、硬化性物質を含むことができる。接着層２８０は、熱硬化、常温硬化又は紫外線（ＵＶ）硬化が可能な樹脂を含むことができる。接着層２８０は、二段階硬化工程を介して形成されうる。一次硬化工程は、パッケージ形成段階で、ベースフィルム２２０の他面に、硬化性物質を塗布した後、２０〜４０％の範囲内で硬化がなされるように行われる。二次硬化工程は、モジュール化段階で、テープパッケージ２００の接着層２８０をディスプレイ装置のシャーシに付着させた後、９０〜１００％の範囲内で硬化がなされるように進めることができる。接着層２８０は、二次熱硬化工程が進められた後、硬化前に比べて０．１％以下の範囲内で体積が変化し、０．５Ｗ／ｍＫ−１０Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有することができる。また、接着層２８０は、０°Ｃ〜２００°Ｃのガラス転移温度（Ｔｇ）と、５ｐｐｍ／°Ｃ〜３０ｐｐｍ／°Ｃの熱膨張係数（ＣＴＥ）を有することができる。   The adhesive layer 280 can include a curable material. The adhesive layer 280 may include a resin that can be cured by heat, room temperature, or ultraviolet (UV). The adhesive layer 280 can be formed through a two-stage curing process. The primary curing process is performed such that curing is performed within a range of 20 to 40% after a curable material is applied to the other surface of the base film 220 in the package formation stage. The secondary curing process may be performed so that the adhesive layer 280 of the tape package 200 is attached to the chassis of the display apparatus and then cured within a range of 90 to 100% in the modularization stage. The adhesive layer 280 has a thermal conductivity of 0.5 W / mK-10 W / mK after the secondary thermosetting process has been performed, with the volume changing within a range of 0.1% or less compared to before the curing. be able to. The adhesive layer 280 can have a glass transition temperature (Tg) of 0 ° C. to 200 ° C. and a thermal expansion coefficient (CTE) of 5 ppm / ° C. to 30 ppm / ° C.

テープパッケージ２００は、ベースフィルム２２０の他面に配列されるフィルム部材２９０を更に有することができる。フィルム部材２９０は、接着層２８０の上面に配列されうる。フィルム部材２９０は、リール・ツー・リール（ｒｅｅｌ ｔｏ ｒｅｅｌ）方式で、テープ基板２１０をハンドリングする場合、接着層２８０及びベースフィルム２２０との分離が容易なように、ベースフィルム２２０に対して異型性を有する物質を含むことができる。   The tape package 200 may further include a film member 290 arranged on the other surface of the base film 220. The film member 290 may be arranged on the upper surface of the adhesive layer 280. The film member 290 is a reel-to-reel method. When the tape substrate 210 is handled, the film member 290 is atypical to the base film 220 so that the adhesive layer 280 and the base film 220 can be easily separated. The substance which has can be included.

図２５は、図２４に示したテープパッケージ２００がディスプレイ装置１００を構成するシャーシ１１０の側壁に接着された状態を部分的に示す断面図である。図２５を参照すると、図２４に示したテープパッケージ２００の接着層２８０が、シャーシ１１０の側壁に接着され、テープパッケージ２００をシャーシ１１０に固定させる。半導体チップ２５０から放出される熱が接着層２８０を介して、半導体チップの上面に垂直方向に放出される。   FIG. 25 is a cross-sectional view partially showing a state in which the tape package 200 shown in FIG. 24 is bonded to the side wall of the chassis 110 constituting the display device 100. Referring to FIG. 25, the adhesive layer 280 of the tape package 200 illustrated in FIG. 24 is adhered to the side wall of the chassis 110 to fix the tape package 200 to the chassis 110. Heat released from the semiconductor chip 250 is released in a direction perpendicular to the upper surface of the semiconductor chip via the adhesive layer 280.

図２５のディスプレイ装置１００で、図面番号１２１はディスプレイパネルを示し、図面番号１２５は印刷回路基板を示す。ディスプレイパネル１２１は、下部基板１２２と上部基板１２３とを備えている。下部基板１２２及び上部基板１２３の間に、液晶（図示せず）が含まれている。   In the display device 100 of FIG. 25, a drawing number 121 indicates a display panel, and a drawing number 125 indicates a printed circuit board. The display panel 121 includes a lower substrate 122 and an upper substrate 123. A liquid crystal (not shown) is included between the lower substrate 122 and the upper substrate 123.

以上、本発明を様々な実施形態を挙げて説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。   The present invention has been described with reference to various embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the technical scope of the present invention. Is possible.

本発明の放熱部材テープ、放熱部材を具備したＣＯＦ型半導体パッケージ及びこれを適用した電子装置は、例えば、ＬＣＤ関連の技術分野に効果的に適用可能である。   The heat radiating member tape, the COF type semiconductor package having the heat radiating member, and the electronic device to which the heat radiating member tape of the present invention is applied can be effectively applied to, for example, an LCD related technical field.

１１ 半導体素子
１２、２６０ バンプ
１３ 絶縁基板
１４ リード
１５ 表面絶縁層
１６ 密封部材
１７ 放熱部材
１７ａ 突出部
１８ 接着部材
１９ 圧力吸収領域
２０ 電子装置基板
２１、１１０ シャーシ
２２ 接着剤
２５ キャリアテープ
２６ 保護用テープ
１００ ディスプレイ装置
１２１ ディスプレイパネル
１２２ 下部基板
１２３ 上部基板
１２５ 印刷回路基板
２００ テープパッケージ
２１０ テープ基板
２２０ ベースフィルム
２３０ 配線
２４０ 保護膜
２５０ 半導体チップ
２７０ アンダーフィル物質
２８０ 接着層
２９０ フィルム部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Semiconductor element 12, 260 Bump 13 Insulating substrate 14 Lead 15 Surface insulating layer 16 Sealing member 17 Heat radiating member 17a Protrusion part 18 Adhesive member 19 Electronic device board | substrate 21, 110 Chassis 22 Adhesive 25 Carrier tape 26 Protection tape DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Display apparatus 121 Display panel 122 Lower board 123 Upper board 125 Printed circuit board 200 Tape package 210 Tape board 220 Base film 230 Wiring 240 Protective film 250 Semiconductor chip 270 Underfill material 280 Adhesive layer 290 Film member

Claims (10)

柔軟性を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の上面に配された半導体素子と、
前記絶縁基板の下面に配された放熱部材と、を備え、
前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間に形成された空間を有することを特徴とするＣＯＦ型半導体パッケージ。 A flexible insulating substrate;
A semiconductor element disposed on an upper surface of the insulating substrate;
A heat dissipating member disposed on the lower surface of the insulating substrate,
A COF type semiconductor package having a space formed between a lower surface of the insulating substrate and the heat dissipation member. 前記絶縁基板の下面と前記放熱部材とを接着させる領域を有する接着部材を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。   2. The COF type semiconductor package according to claim 1, further comprising an adhesive member having a region for adhering a lower surface of the insulating substrate and the heat dissipation member. 前記空間は、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域であることを特徴とする請求項２に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。   The COF type semiconductor package according to claim 2, wherein the space is a pressure absorption region capable of absorbing an external pressure. 前記圧力吸収領域は、１つの前記放熱部材に対応して少なくとも１つの位置に形成されることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。   4. The COF type semiconductor package according to claim 3, wherein the pressure absorption region is formed in at least one position corresponding to one heat radiating member. 5. 前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板、前記放熱部材、及び前記接着部材によって外部と遮断されるように密閉されることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。   4. The COF type semiconductor package according to claim 3, wherein the pressure absorption region is hermetically sealed by the insulating substrate, the heat radiating member, and the adhesive member. 前記圧力吸収領域は、外部と連通するように開放されることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。   4. The COF type semiconductor package according to claim 3, wherein the pressure absorption region is opened so as to communicate with the outside. 前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間の前記接着部材の一部が除去されて形成された空間からなることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。   4. The COF type semiconductor package according to claim 3, wherein the pressure absorption region is a space formed by removing a part of the adhesive member between a lower surface of the insulating substrate and the heat dissipation member. 5. . 前記圧力吸収領域は、前記絶縁基板の下面と前記放熱部材との間で、前記接着部材が除去されずに前記絶縁基板の下面から物理的に引き離されることによって形成された空間からなることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。   The pressure absorption region is a space formed by physically separating the adhesive member from the lower surface of the insulating substrate without removing the adhesive member between the lower surface of the insulating substrate and the heat dissipation member. The COF type semiconductor package according to claim 3. 前記接着部材と前記放熱部材との平面的形状は同じであることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。   4. The COF type semiconductor package according to claim 3, wherein the adhesive member and the heat dissipation member have the same planar shape. 前記圧力吸収領域の高さは、５０〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。   4. The COF type semiconductor package according to claim 3, wherein the pressure absorption region has a height of 50 to 300 nm.
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