JP5197960B2 - 電子デバイスおよびその製造方法、ならびにそれを用いた電子機器 - Google Patents
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Description
本発明の電子デバイスは、少なくとも1つの電極と、その電極に隣接して形成され電極との間で電荷が移動する有機分子層とを備える。その有機分子層は、π共役面(A)を構成する共役π電子を含有する複数の第1の有機分子を含む。電極と有機分子層との界面における電極の表面には複数の第2の有機分子が化学結合している。第2の有機分子は、π共役面(B)を構成する共役π電子を含有する。第2の有機分子は、電極の表面に化学結合したときに、π共役面(B)と電極の表面とが所定の範囲の角度をなす構造を有する分子である。
本発明の電子機器は、電界効果トランジスタを備える。そして、その電界効果トランジスタが、上記本発明の電界効果トランジスタである。なお、本発明の電子機器は、本発明の電界効果トランジスタ以外の電界効果トランジスタを含んでもよい。以下、本発明の電子機器として、アクティブマトリクス型ディスプレイ、無線IDタグ、携帯用機器を例に挙げて説明する。
電子デバイスを製造するための本発明の方法は、複数の第1の有機分子を含む有機分子層を備える電子デバイスの製造方法である。この方法は、表面に複数の第2の有機分子が化学結合した電極と、第2の有機分子を挟んで電極に隣接する有機分子層とを形成する工程(i)を含む。この製造方法で用いられる第1および第2の有機分子、ならびに電極については、本発明の電子デバイスと同様である。すなわち、第1の有機分子は、π共役面(A)を構成する共役π電子を含有する。第2の有機分子は、π共役面(B)を構成する共役π電子を含有する。また、第2の有機分子は、電極の表面に化学結合したときに、π共役面(B)と電極の表面とが所定の範囲の角度をなす構造を有する分子である。本発明の製造方法によれば、本発明の電子デバイスを製造できる。
実施形態1では、TFTの半導体層を構成する第1の有機分子として、オリゴチオフェン誘導体を用いる場合について説明する。
第1の例では、図1Bに示したTFT100bを製造した一例について説明する。この例では、基板11として、ポリエチレンテレフタレート(以下、「PET」という場合がある)のフィルムを用いた。ゲート電極12はニッケル(Ni)で形成し、ソース電極15およびドレイン電極16は金(Au)を主成分とする材料で形成した。電極修飾層を構成する有機分子については、後述する。ゲート絶縁層13は、ポリビニルアルコールで形成した。半導体層14は、π電子共役系分子の一種であるオリゴチオフェン誘導体で形成した。
以下に、図1DのTFT100dを製造した一例について説明する。この例では、電極修飾層以外の他の構成部分は、第1の例と同じ材料で形成した。
この例では、電極表面に結合するπ電子共役系分子が環状分子によって包接されているTFTについて説明する。
実施形態2では、実施形態1で説明した本発明のTFTを備える機器の例として、アクティブマトリクス型ディスプレイ、無線IDタグ、および携帯用機器について説明する。
実施形態1および2では、本発明のTFTおよびそれを用いた機器について説明した。実施形態3では、本発明の他の電子デバイスについて説明する。
以下に、図5B、図5C、図7B、図12Aおよび図14に示した化合物の製造方法の一例について説明する。なお、以下に示す反応(ニトロ化反応やスルホン化反応など)は、一般的な条件で行うことができる。
図5Bの化合物の製造方法を図24に示す。まず、式(1)で表される化合物(テトラフェニルポルフィリン:アルドリッチ社)とHNO3とを反応させて式(2)で表される化合物を得る。次に、式(2)で表される化合物をSnの存在下でHClと反応させ、式(3)で表される化合物を得る。次に、式(3)で表される化合物をNaNO2の存在下でNaIと反応させ、式(4)で表される化合物を得る。次に、式(4)で表される化合物をn−ブチルリチウムの存在下で硫黄と反応させ、式(5)で表される化合物を得る。次に、式(5)で表される化合物をH2SO4と反応させ、式(6)で表される化合物を得る。最後にスルホン酸基をナトリウムの塩とすることによって、図5Bの化合物が得られる。
図5Cの化合物の製造方法を図25に示す。まず、式(1)で表される化合物とHSO3Clとを反応させ、式(7)で表される化合物を得る。次に、式(7)で表される化合物をSnCl2の存在下でHClと反応させ、式(8)で表される図5Cの化合物が得られる。
図7Bの化合物の製造方法を図26および図27に示す。まず、4−(メチルチオ)ベンゾイックアシッド(アルドリッチ社)を出発材料として、図26に示す反応によって、式(9)で表される化合物を得る。
図12Aの化合物の製造方法を図28〜31に示す。まず、トリメチルシリルアセチレン(アルドリッチ社)および4−ヨードフェニルボロニックアシッド(アルドリッチ社)を出発材料として、図28に示す反応によって、式(14)で表される化合物を得る。
図14の化合物の製造方法を図32に示す。式(20)で表される図14の化合物は、式(6)で表される化合物とジアセトキシ亜鉛とを反応させることによって得られる。
Claims (16)
- 少なくとも1つの電極と、前記電極に隣接して形成され前記電極との間で電荷が移動する有機分子層とを備える電子デバイスであって、
前記有機分子層は、π共役面(A)を構成する共役π電子を含有する複数の第1の有機分子を含み、
前記電極と前記有機分子層との界面における前記電極の表面には複数の第2の有機分子が化学結合しており、
前記第2の有機分子は、縮合環構造または大環状構造を有し、前記縮合環構造の部分または前記大環状構造の部分にはπ共役面(B)を構成する共役π電子が存在し、
前記第2の有機分子は、前記電極の表面に化学結合したときに、前記π共役面(B)と前記電極の表面とが所定の範囲の角度をなす構造を有する分子であり、
前記π共役面(A)と前記π共役面(B)とがなす角度が、0°〜30°の範囲にある電子デバイス。 - 前記π共役面(B)と前記電極の表面とがなす角度が、0°〜15°の範囲または75°〜90°の範囲にある請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記第2の有機分子が単分子層を形成している請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記第2の有機分子が、前記電極の表面の複数の原子と結合している請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記第2の有機分子が、環状分子によって包接されている請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記第2の有機分子が、硫黄原子を介して前記電極の表面の原子と結合している請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記第2の有機分子がポルフィリンである請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記有機分子層が有機半導体層である請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記有機分子層に電界を印加するゲート電極をさらに備え、
前記電極が、ソース電極およびドレイン電極から選ばれる少なくとも1つの電極であり、
前記有機分子層がチャネル領域を形成し、
電界効果トランジスタとして機能する請求項2に記載の電子デバイス。 - 電界効果トランジスタを備える電子機器であって、
前記電界効果トランジスタが請求項9に記載の電子デバイスである電子機器。 - 複数の第1の有機分子を含む有機分子層を備える電子デバイスの製造方法であって、
(i)表面に複数の第2の有機分子が化学結合した電極と、前記第2の有機分子を挟んで前記電極に隣接する前記有機分子層とを形成する工程を含み、
前記第1の有機分子は、π共役面(A)を構成する共役π電子を含有し、
前記第2の有機分子は、縮合環構造または大環状構造を有し、前記縮合環構造の部分または前記大環状構造の部分にはπ共役面(B)を構成する共役π電子が存在し、
前記第2の有機分子は、前記電極の表面に化学結合したときに、前記π共役面(B)と前記電極の表面とが所定の範囲の角度をなす構造を有する分子であり、
前記π共役面(A)と前記π共役面(B)とがなす角度が、0°〜30°の範囲にある電子デバイスの製造方法。 - 前記π共役面(B)と前記電極の表面とがなす角度が、0°〜15°の範囲または75°〜90°の範囲にある請求項11に記載の、電子デバイスの製造方法。
- 前記第2の有機分子が自己組織化して前記電極の前記表面と化学結合する請求項12に記載の、電子デバイスの製造方法。
- 前記第2の有機分子は、前記電極の前記表面に存在する原子と化学結合する官能基を複数個含有し、
前記第2の有機分子は、前記電極の表面の複数の原子と化学結合する請求項12に記載の、電子デバイスの製造方法。 - 前記(i)の工程の前に、
前記第2の有機分子と環状分子とを溶媒中で混合することによって、前記第2の有機分子を前記環状分子によって包接させる工程を含み、
前記(i)の工程において、前記環状分子で包接された前記第2の有機分子と前記電極とを化学結合させる請求項12に記載の、電子デバイスの製造方法。 - 前記第2の有機分子が、硫黄原子を介して前記電極の表面の原子と化学結合している請求項12に記載の、電子デバイスの製造方法。
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