JP5189929B2 - 半導体スイッチ制御装置 - Google Patents
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Description
図9において、半導体スイッチ124のオン抵抗を負過電流検出手段として利用する。そして、温度検出手段(D1〜D4および差動増幅器105)により半導体スイッチ124の温度を検出し、電流検出手段(半導体スイッチ124のオン抵抗および差動増幅器106)により負過電流を検出し、駆動制御部107において、過電流を判断するコンパレータのリファレンス電位を温度検出結果に基づきレベルシフトさせ、該温度補正されたリファレンス電位を超えた時にFET102をオフ制御し、電源101から負荷103への電力供給制御における過電流遮断機能を実現する。
この構成により、(1)別途電流検出抵抗(いわゆるシャント抵抗)を設ける必要がなく電源供給制御装置の熱損失を抑制できる、(2)半導体スイッチのオン抵抗の温度依存性の問題を負過電流検出時に温度補正を行うことで解消し負荷電流の高精度な検出を実現できる、(3)負荷毎に個別制御を行える、という効果がある。
この特許文献2では、パワートランジスタに流れる電流と印加されている電圧とをそれぞれ検出する。そして、検出した電流と電圧との積を計算する。この電流と電圧との積の値が所定時間継続した場合の温度上昇を予測して、電流と電圧との積の値に応じた所定遅れ時間後にパワートランジスタをオフにする。このように発熱量に応じてオフ制御までの時間を変えることにより、スイッチの熱破壊に至らないような瞬間的な過電流には保護機能を働かせないようにする一方、パワートランジスタの温度が上昇して破壊に至ると予想される場合には時間に応じてオフ制御を実行する。
また、メーカーから推奨されていないランプが自動車ユーザーにより負荷として使用される場合がある。すると、リファレンス電流Irefの設定によってはランプ駆動の点灯ステップにおいてラッシュカレントがIrefを超えてしまい、正常状態であるにもかかわらずオフ制御によりランプ点灯ができない恐れがある。
また、この事態を避けるためにIrefの値を高めに設定しすぎると、半導体スイッチの電流定格が高いものを使用しなければならなくなるため、コスト上昇の要因となる。
電源から負荷への電力供給をスイッチングする半導体スイッチのスイッチング制御を行う半導体スイッチ制御装置であって、
前記半導体スイッチに流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記半導体スイッチにかかる電圧を検出する電圧検出手段と、
前記半導体スイッチの温度を検出する温度検出手段と、
前記電流検出手段によって検出された検出電流値、前記電圧検出手段によって検出された検出電圧値および前記温度検出手段によって検出された検出温度値に基づいて前記半導体スイッチの温度を算出する演算手段と、
前記演算手段にて算出された前記半導体スイッチの温度が設定閾値を超えた場合に前記半導体スイッチをオフにするドライバと、
時間の経過による半導体スイッチの過渡熱抵抗特性を求めて出力する過渡熱抵抗値提供手段と、を備え、
前記電圧検出手段は、前記検出電圧値が設定閾値を超えた場合に過電圧信号を出力し、
前記過渡熱抵抗値提供手段は、前記過電圧信号を受けてからの経過時間に応じた過渡熱抵抗値Z th を前記演算手段に提供し、
前記温度検出手段は、前記電圧検出手段からの前記過電圧信号を受けて前記半導体スイッチのその時の温度を検出し、検出した温度を初期温度T J0 として前記演算手段に出力し、
前記演算手段は、前記検出電流値をI ds 、前記検出電圧値をV ds とするとき、前記半導体スイッチの温度T J を次の式で算出する
ことを特徴とする。
(式):半導体スイッチの温度T J =I ds ×V ds ×Z th +T J0
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、負荷駆動システム200の構成を示す図である。
負荷駆動システム200は、バッテリ201からの電流を半導体スイッチ装置300を介して負荷(たとえばランプ)202に供給する構成である。
半導体スイッチ装置300は、バッテリ201と負荷202との間において半導体スイッチM0を有する。
半導体スイッチM0としては、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタInsulated Gate Bipolar Transistor)、パワーMOSFET、バイポーラトランジスタ、MOSトランジスタなどが具体例として挙げられるが、これらに限られるものではない。
これら、電流検出手段210、電流制限手段220、電圧検出手段230、温度検出手段240、過渡熱抵抗提供手段250、演算手段260およびドライバ270により、半導体スイッチ制御手段(半導体スイッチ制御装置)310が構成されている。
図2において、M0は半導体スイッチである。また、並列トランジスタM01は、半導体スイッチM0と同一構造のトランジスタである。並列トランジスタM01のソース側にはセンス抵抗RSが接続され、また、並列トランジスタM0と半導体スイッチM01とはドレインとゲートとが共通である。
これにより、半導体スイッチM0に流れる電流Idsに比例した電圧がセンス抵抗RSの両端に発生する。その電圧を差動増幅器A1により増幅し、電流値信号SIdsとして演算手段260に出力する。
また、センス抵抗RSの両端に発生する電圧が高くなるとスイッチM1がオン状態となり、半導体スイッチM0のゲート電位が制限される。
半導体スイッチM0のゲート電位が制限されることにより、半導体スイッチM0に流れる電流Idcが制限される。制限電流値Ilimitは、ボンディングワイヤーの溶断電流を超えない値に設定する。制限電流値Ilimitの大きさは、センス抵抗RS、スイッチM1およびドライバ270のインピーダンスを調整することによって設定調整する。
半導体スイッチM0のDS間の電圧Vdsを差動増幅器A2により増幅して検出電圧値SVdsとして出力する。また、あらかじめ電圧制限値Vrocを設定しておく。
電圧制限値Vrocとしては、半導体スイッチM0のDS間電圧Vdsが3Vであった場合の検出電圧値SVdsに相当する値とすることが例として挙げられるが、これは半導体スイッチM0の耐電圧に応じて適宜設定されるものである。
検出電圧値SVdsが電圧制限値Vrocを超えた場合、差動増幅器A3から過電圧信号SVexcを出力する。過電圧信号SVexcは、温度検出手段240および過渡熱抵抗提供手段250の動作トリガー信号となる。
温度検出手段240の例を図4に示す。
半導体スイッチM0の近傍に配置されたダイオードD1の電圧降下の温度特性を差動増幅器A4でバッファB1へ出力する。バッファB1は、差動増幅器A5と、差動増幅器A5の非反転入力端子に設けられた電位固定用のコンデンサCと、を備えており、さらに、コンデンサCの前段にはスイッチSWが配設されている。
電圧検出手段230からの過電圧信号SVexcによってスイッチSWがオープンとなり、コンデンサCによって入力電圧がホールドされる。
バッファB1は非反転入力端子の電圧を温度信号STJ0として出力する。
過渡熱抵抗値提供手段250の例を図5に示す
電圧検出手段230からの過電圧信号SVexcでコンデンサC2と並列接続されているMOSトランジスタTr0がカットオフされ、定電流によりコンデンサへ電荷を蓄積する。コンデンサC2の電圧降下を差動増幅器Aにより増幅して、過渡熱抵抗信号として出力する。
過渡熱抵抗は時間に対して非線形であるため、コンデンサC2に流す定電流は電圧降下により定電流値を変化させることで特性を合わせこんでいる。すなわち、半導体スイッチM0のドレインが接続されているラインLVbatとコンデンサC2との間においてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタとの直列ユニットU1、U2、U3が三つ並列に設けられている。
また、ラインLVbatと接地電源GNDとの間において4つの抵抗が直列に接続されている。そして、接地電源側から抵抗をR1、R2、R3、R4とし、R1とR2との間をnod1、R2とR3との間をnod2、R3とR4との間をnod3とする。
ユニットU1のnMOSトランジスタのゲートはnod1に接続され、ユニットU2のnMOSトランジスタのゲートはnod2に接続され、ユニットU3のnMOSトランジスタのゲートはnod3に接続されている。
この構成において、nod1からnod3の電位が時間とともに変化し、各nodの電位に応じてnMOSトランジスタが順にONになる。
これにより、過渡熱抵抗提供手段からは図6に示されるような非線形の過渡熱抵抗特性に従った過渡熱抵抗信号SZが出力される。
ここで、半導体スイッチM0の接合温度TJは次の(式1)によって求める。
初段目St1は対数変換回路であり、電流信号SIds、電圧信号SVds、過渡熱抵抗信号SZが入力される。2段目St2は加算器であり、前述の信号が対数変換されたものを加算する。
3段目St3で電圧を反転させ、4段目St4の逆対数変換回路で次の乗算を実現させる。
(1)本実施形態では、半導体スイッチM0の接合温度TJは、半導体スイッチM0に流れる電流値Idsおよび電圧値Vdsのみならず、過電圧が流れ始めたとき(負荷ショート発生時)の半導体スイッチM0の温度TJ0および負荷ショート発生時からの時間に依存する過渡熱抵抗値Zthを合わせて、(式1)により、半導体スイッチM0の接合温度TJを演算手段260の演算により求める。
このように、電流および電圧による電力量だけでなく、過電圧発生時の温度および過渡熱抵抗特性を加味することにより、半導体スイッチM0の接合温度TJをその場の状況に応じて高精度に求めることができる。
これにより、半導体スイッチM0の接合温度TJが設定値を超えないようにカットオフ制御を実行できるので、半導体スイッチM0を熱破壊から確実に保護することができる。また、その一方、半導体スイッチM0の接合温度TJが設定温度以下である時に無駄にカットオフすることがなくなるので、安定動作可能である半導体スイッチM0を正確かつ確実に動作させることができる。
この点、本実施形態では、単なる温度検出に頼るのではなく、半導体スイッチの過渡熱抵抗Zth、電圧降下Vds、電流値Ids、さらに負荷ショート発生時の接合温度TJ0から半導体スイッチM0の温度を正確に見積もることで瞬間的な半導体スイッチM0の発熱スピードに対応し、熱破壊、さらには、半導体スイッチM0の劣化を防止することができる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図8に第2実施形態の構成を示す。
第2実施形態の基本的な構成は第1実施形態に同様であるが、過渡熱抵抗提供手段および演算手段をソフトウェアによってプログラマブルに構成した点に特徴を有する。
図8において、半導体スイッチ装置300は、演算制御部280を備え、演算制御部280は、A/D変換器(アナログデジタルコンバーター)281、メモリ282、タイマー283およびMCU(マイクロコントローラユニット)284を備える。
A/D変換器281は、電流検出手段210、温度検出手段240および電圧検出手段230からの検出信号をA/D変換してMCU284に出力する。
メモリ282には、あらかじめ半導体スイッチM0の過渡熱抵抗値の特性が格納されている。これによりメモリは、過渡熱抵抗値提供手段を構成する。また、メモリ282には、半導体スイッチM0の耐熱温度閾値が設定されている。
MCU(マイクロコントローラユニット)は、たとえばCPUとメインメモリとを有し、半導体スイッチの制御プログラムを実行する。具体的には、半導体スイッチの制御プログラムによって、半導体スイッチM0の接合温度TJを算出し、前記接合温度TJに応じてドライバー270に制御信号を出力する。
このMCUによって演算手段が構成されている。
なお、半導体スイッチ制御手段(半導体スイッチ制御装置)として電流制限手段を備えている構成を示したが、電流制限手段を備えていなくても、熱破壊から半導体スイッチを保護することを主目的とする本発明は成立するので、電流制限手段は省略してもよい。
上記実施形態において、温度検出手段は、半導体スイッチの近傍に配置したダイオードで温度を検出する構成を例示したが、ダイオードは一つではなく複数を設けてもよく、または、ダイオードに代えてバイポーラトランジスタを用いてもよい。
Claims (5)
- 電源から負荷への電力供給をスイッチングする半導体スイッチのスイッチング制御を行う半導体スイッチ制御装置であって、
前記半導体スイッチに流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記半導体スイッチにかかる電圧を検出する電圧検出手段と、
前記半導体スイッチの温度を検出する温度検出手段と、
前記電流検出手段によって検出された検出電流値、前記電圧検出手段によって検出された検出電圧値および前記温度検出手段によって検出された検出温度値に基づいて前記半導体スイッチの温度を算出する演算手段と、
前記演算手段にて算出された前記半導体スイッチの温度が設定閾値を超えた場合に前記半導体スイッチをオフにするドライバと、
時間の経過による半導体スイッチの過渡熱抵抗特性を求めて出力する過渡熱抵抗値提供手段と、を備え、
前記電圧検出手段は、前記検出電圧値が設定閾値を超えた場合に過電圧信号を出力し、
前記過渡熱抵抗値提供手段は、前記過電圧信号を受けてからの経過時間に応じた過渡熱抵抗値Z th を前記演算手段に提供し、
前記温度検出手段は、前記電圧検出手段からの前記過電圧信号を受けて前記半導体スイッチのその時の温度を検出し、検出した温度を初期温度T J0 として前記演算手段に出力し、
前記演算手段は、前記検出電流値をI ds 、前記検出電圧値をV ds とするとき、前記半導体スイッチの温度T J を次の式で算出する
ことを特徴とする半導体スイッチ制御装置。
(式):半導体スイッチの温度T J =I ds ×V ds ×Z th +T J0 - 請求項1に記載の半導体スイッチ制御装置において、
前記半導体スイッチのゲートに接続され、かつ、前記電流検出手段に流れる電流値に応じてオン状態となるスイッチを有し、
前記電流検出手段に流れる電流が所定の制限電流値を超えた場合に前記スイッチがオン状態になって前記半導体スイッチのゲート電位を制限することにより、前記半導体スイッチに流れる電流値を制限する電流制限手段を備える
ことを特徴とする半導体スイッチ制御装置。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体スイッチ制御装置と、
この半導体スイッチ装置にて制御される半導体スイッチと、を備える半導体スイッチ装置。 - 請求項3に記載の半導体スイッチ装置と、
この半導体スイッチ装置を介して電力供給を受ける負荷と、を備える負荷駆動システム。 - 電源から負荷への電力供給をスイッチングする半導体スイッチのスイッチング制御を行い、
前記半導体スイッチに流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記半導体スイッチにかかる電圧を検出する電圧検出手段と、
前記半導体スイッチの温度を検出する温度検出手段と、
前記半導体スイッチの温度が設定閾値を超えた場合に前記半導体スイッチをオフにするドライバと、
を備える半導体スイッチ制御装置にコンピュータを組み込んで、
このコンピュータを、
前記電圧検出手段にて前記半導体スイッチに過電圧が印加されたことが検出されてからの経過時間に応じた前記半導体スイッチの過渡熱抵抗値Zthを算出する過渡熱抵抗値提供手段と、
前記電流検出手段によって検出された検出電流値、前記電圧検出手段によって検出された検出電圧値、前記温度検出手段によって検出された検出温度値、および、前記過渡熱抵抗値Z th に基づいて前記半導体スイッチの温度を演算する演算手段と、して機能させる半導体スイッチ制御プログラムであって、
前記電圧検出手段は、前記検出電圧値が設定閾値を超えた場合に過電圧信号を出力し、
前記温度検出手段は、前記電圧検出手段からの前記過電圧信号を受けて前記半導体スイッチのその時の温度を検出し、検出した温度を初期温度T J0 として前記演算手段に出力し、
前記検出電流値をI ds 、前記検出電圧値をV ds とするとき、
前記演算手段は、前記半導体スイッチの温度T J を次の式で算出する
ことを特徴とする半導体スイッチ制御プログラム。
(式):半導体スイッチの温度T J =I ds ×V ds ×Z th +T J0
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